化學機械拋光墊的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及化學機械拋光的技術領域，更具體地說，本實用新型涉及一種化學機械拋光墊。
【背景技術】
[0002]化學機械平坦化(CMP)是光學、半導體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術，使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。在常規的CMP工藝中，待拋光的襯底被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的拋光層接觸并提供受控的壓力，同時使拋光漿料在拋光層表面流動。在設計拋光層時，需要考慮的主要因素有拋光漿料在拋光層上的分布，新鮮拋光漿料進入拋光軌跡的流動，拋光漿料從拋光軌跡的流動，以及流過拋光區域基本未被利用的拋光漿料的量等等。為了減少基本未被利用的拋光漿料的量以及提高拋光效率和質量，在現有技術中，需要在拋光層表面設計各種圖案，然而本領域的技術人員都知道拋光速率、拋光漿料消耗以及拋光效果等很難兼得，現有技術中也公開了多種改進結構以期降低拋光漿料消耗并使得拋光漿料在拋光層上的保持時間最長的結構和圖案，然而需要在保證拋光速率、質量的基礎上，進一步降低拋光層上拋光漿料的未利用量，減少拋光漿料的浪費。
【實用新型內容】
[0003]為了解決現有技術中的上述技術問題，本實用新型的目的在于提供一種化學機械拋光墊。
[0004]為了實現上述目的，本實用新型采用了以下技術方案:
[0005]一種化學機械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述背板層具有支持面和內表面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面，與所述背板層內表面相粘結的非拋光面，所述拋光層具有中心區域以及位于所述中心區域外的外圍區域；并且所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個環形凹槽，以及從所述環形凹槽向所述外圍區域延伸的多個輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區域的外緣形成有分支凹槽。
[0006]其中，所述環形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。
[0007]其中，所述環形凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0008]其中，所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0009]其中，所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0010]其中，所述環形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。
[0011 ] 其中，所述背板層和所述拋光層為圓盤狀。
[0012]其中，所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
[0013]其中，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。
[0014]與現有技術相比，本實用新型所述的化學機械拋光墊具有以下有益效果:
[0015]本實用新型所述的化學機械拋光墊，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的拋光處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補充拋光漿料，通過螺旋凹槽和輻射凹槽的設置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少基片中心區域以及周邊區域拋光量的偏差，不僅保證了適當的拋光速率，而且有利于減少拋光表面的劃痕數量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到基片與拋光層的界面中，從而有利于基片的轉移。
【附圖說明】
[0016]圖1為實施例1所述化學機械拋光墊橫截面的結構示意圖；
[0017]圖2為實施例1所述化學機械拋光墊的拋光面的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下將結合具體實施例對本實用新型所述的化學機械拋光墊做進一步的闡述，以幫助本領域的技術人員對本實用新型的實用新型構思、技術方案有更完整、準確和深入的理解。
[0019]實施例1
[0020]如圖f 2所示，本實施例所述的化學機械拋光墊，其包括背板層10和拋光層20，根據需要，所述拋光層的直徑為5(T800 mm，并且所述拋光層的厚度為1.5?5.0 mm;通常的，為了方便旋轉和按壓，所述背板層和所述拋光層為圓盤狀；而且所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑；作為所述拋光層的材料，可以使用現有技術中已知的軟質材料，例如常用的氨基樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚砜樹脂、ABS樹脂、聚碳酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。所述背板層10具有支持面11和內表面12 ;所述拋光層20具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面21，與所述背板層內表面相粘結的非拋光面22 ;所述拋光層20具有中心區域23以及位于所述中心區域外的外圍區域24 ;所述拋光層20包括從所述拋光層的拋光面21延伸至所述背板層的支持面11的中心通孔25，以及位于中心區域23并且與該中心通孔同心并且通過十字通道26連通的多個環形凹槽27，以及從所述環形凹槽27向所述外圍區域延伸的多個輻射凹槽28，并且所述輻射凹槽28在所述外圍區域的外緣形成有分支凹槽29。所述環形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度，所述環形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形，所述環形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2?1.2 mm。本實施例所述的化學機械拋光墊，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的拋光處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述拋光裝置的拋光面補充拋光漿料，通過環形凹槽和曲線形凹槽的設置不僅提高了拋光漿料的有效使用率，而且有利于減少拋光基片中心區域以及周邊區域拋光量的偏差，不僅保證了適當的拋光速率，而且有利于減少拋光表面的劃痕數量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到拋光基片與拋光層的界面中，從而有利于拋光基片的轉移。
[0021]對于本領域的普通技術人員而言，具體實施例只是對本實用新型進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進，或未經改進將本實用新型的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種化學機械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述背板層具有支持面和內表面；其特征在于:所述拋光層具有在拋光漿料存在的條件下對基片表面進行拋光的拋光面，與所述背板層內表面相粘結的非拋光面，所述拋光層具有中心區域以及位于所述中心區域外的外圍區域；并且所述拋光層包括從所述拋光層的拋光面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個環形凹槽，以及從所述環形凹槽向所述外圍區域延伸的多個輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區域的外緣形成有分支凹槽。
2.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述環形凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。
3.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述環形凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
4.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
5.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
6.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述環形凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2^1.2 mm。
7.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述背板層和所述拋光層為圓盤狀。
8.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述背板層的直徑大于或等于所述拋光層的直徑。
9.根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其特征在于:所述拋光層的直徑為5(Γ800mm，并且所述拋光層的厚度為1.5^5.0 mm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種化學機械拋光墊，包括背板層和拋光層，所述拋光層具有拋光面與非拋光面，所述拋光層具有中心區域以及外圍區域；并且所述拋光層包括從所述拋光層延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及位于中心區域并且與該中心通孔同心并且通過十字通道連通的多個環形凹槽，以及從所述環形凹槽向所述外圍區域延伸的多個輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區域的外緣形成有分支凹槽。本實用新型所述的化學機械拋光墊，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的拋光處理，而且有利于減少拋光表面的劃痕數量，且有利于拋光基片的轉移。
【IPC分類】B24B37-26
【公開號】CN204277742
【申請號】CN201420630426
【發明人】張海龍, 張海民, 王用堂
【申請人】安陽方圓研磨材料有限責任公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年10月29日