一種cvd鍍膜機的制作方法
【專利摘要】本發明屬于鍍膜機產品技術領域，具體涉及一種CVD鍍膜機，包括一體化設計的真空鍍膜室、真空泵組和帶有控制電源的控制電柜，所述真空鍍膜室內設有陽極電極組件，所述真空鍍膜室上設有門體，所述門體內設有若干陰極電極元件和若干離化發生器，各陰極電極元件均能與陽極電極組件形成放電電極對。該鍍膜機設備集成度高，能較好的實現設備一體化，真空鍍膜室內部空間設計緊湊，維修布置合理，達到占地面積小，設備整體搬運轉移方便的目的，此外，薄膜沉積均勻，性能穩定，極大提高其鍍膜效率和效果。
【專利說明】
一種CVD鍍膜機
技術領域
[0001 ]本發明屬于真空鍍膜技術領域，具體涉及一種CVD鍍膜機。
【背景技術】
[0002]目前，化學氣相沉積鍍膜機主流的電極設計為陰極電極和陽極電極均放置于真空鍍膜室內，鍍膜激發源主要采用的是射頻電源或者直流高壓電源。
[0003]此類化學氣相沉積鍍膜機的配置工藝較為穩定成熟，但其在實際生產操作及維護中仍存在以下幾點不足:
[0004]第一，鍍膜機及附屬用的電器電柜設備集成度不高，設備整體冗繁，占地面積大；
[0005]第二，陰極電極在鍍膜過程中容易被鍍層所污染，且所有陰極電極在鍍膜室內部拆卸清洗不方便，安裝及維修也不便；
[0006]第三，該種鍍膜機的薄膜沉積速率仍然不夠快，放電過程中容易受到干擾，造成放電不穩定，導致沉積薄膜不夠均勻，性能不夠穩定，嚴重影響鍍膜機的生產效率等。
【發明內容】
[0007]本發明的目的是克服現有技術的不足，公開一種CVD鍍膜機，該鍍膜機設備集成度高，能較好的實現設備一體化，真空鍍膜室內部空間設計緊湊，維修布置合理，達到占地面積小，設備整體搬運轉移方便的目的，此外，薄膜沉積均勻，性能穩定，極大提高其鍍膜效率和效果。
[0008]為了達到上述技術目的，本發明是按以下技術方案實現的:
[0009]本發明所述的一種CVD鍍膜機，包括一體化設計的真空鍍膜室、真空栗組和帶有控制電源的控制電柜，所述真空鍍膜室內設有陽極電極組件和若干離化發生器，所述真空鍍膜室上設有門體，所述門體內設有若干陰極電極元件，所述陰極電極元件與陽極電極組件形成放電電極對。
[0010]作為上述技術的進一步改進，所述真空鍍膜室的門體為雙開門式門體，其包括鉸接在所述真空鍍膜室的左右兩側的左側門體和右側門體，所述左側門體和右側門體用于交換封閉真空鍍膜室。
[0011]作為上述技術的更進一步改進，所述陰極電極元件為兩個，其分別置于所述左側門體和右側門體的內側面，該兩個陰極電極元件均能與真空鍍膜室內的陽極電極組件形成放電電極對。
[0012]在本發明中，所述離化發生器為兩個，所述左側門體和右側門體內部各安裝一離化發生器。
[0013]在本發明中，所述控制電源為能作為等離子體鍍膜激發源的中頻電源。
[0014]與現有技術相比，本發明的有益效果是:
[0015](I)本發明所述的CVD鍍膜機，由于將真空鍍膜室、真空栗組和外部電柜設備集成為一體化設計，實現整體設備一體化，使得外部線槽布線美觀，鍍膜室內部空間設計緊湊，維修布置合理，達到占地面積小，設備整體搬運轉移方便的目的；
[0016](2)本發明所述的CVD鍍膜機，由于將真空鍍膜室的門體采用雙開門方式，且各側門體內分別設有一個獨立的陰極電極元件，當其中一個陰極電極元件在鍍膜后電極表面被鍍層所污染后，可以替換為另一側門體內的的陰極電極元件繼續鍍膜，確保鍍膜過程能持續穩定的進行，大大提高鍍膜效率；
[0017](3)本發明中，所述陰極電極元件是以插銷式固定于對應側門體的內側，拆卸方便，便于表面清洗，而且安裝后的陰極電極元件能夠保證與被鍍基材之間間距的一致性，從而實現鍍膜膜層的均勻性；
[0018](4)本發明中，由于采用中頻電源作為等離子體鍍膜激發源，并在鍍膜室兩側安裝有離化發生器，有效地擴大了電場的作用范圍，增加了等離子體離化鍍膜區，同時完善了外部電源屏蔽效果，將強弱電和高低壓線分開，保證中頻電源工作不受外部干擾，提高電源工作的穩定性，中頻電源的使用和屏蔽效果，能有效的提高等離子體增強化學氣相沉積過程中薄膜的沉積速率和薄膜質量。
【附圖說明】
[0019]下面結合附圖和具體實施例對本發明做詳細的說明:
[0020]圖1是本發明所述的CVD鍍膜機結構示意圖；
[0021]圖2是本發明中真空鍍膜室與門體結構示意圖；
[0022]圖3是本發明中真空鍍膜室內部結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]如圖1至圖3所示，本發明所述的一種CVD鍍膜機，包括一體化設計的真空鍍膜室1、真空栗組2和帶有控制電源的控制電柜3，所述真空鍍膜室I內設有陽極電極組件4，所述真空鍍膜室I上設有雙開式門體，該雙開式門體包括鉸接在所述真空鍍膜室I的左右兩側的左側門體5和右側門體6，所述左側門體5和右側門體6用于交換封閉真空鍍膜室I，所述左側門體5和右側門體6的內側面均對應設有能與真空鍍膜室I內的陽極電極組件4形成放電電極對的陰極電極元件7，所述左側門體5和右側門體6的內側各對應安裝有離化發生器8。
[0024]如圖2、圖3所示，所述左側門體5和右側門體6內的陰極電極元件7均是通過插銷式的方式固定于對應的左側門體5右側門體6的內側，方便拆裝的同時也較好的保證了所述陰極電極元件7與被鍍基材10之間間距的一致性。
[0025]在本發明中，所述控制電源為能作為離子體鍍膜激發源的中頻電源，由于采用中頻電源作為等離子體鍍膜激發源，并在真空鍍膜室I的左側門體5和右側門體6內安裝有離化發生器8，有效地擴大了電場的作用范圍，增加等離子離化鍍膜區，同時完善外部電源屏蔽效果，將強弱電和高低壓線分開，保證中頻電源工作不受外部干擾，提高電源工作的穩定性，中頻電源的使用和屏蔽效果，能有效的提高等離子體增強化學氣相沉積過程中薄膜的沉積速率和薄膜質量。
[0026]本發明并不局限于上述實施方式，凡是對本發明的各種改動或變型不脫離本發明的精神和范圍，倘若這些改動和變型屬于本發明的權利要求和等同技術范圍之內，則本發明也意味著包含這些改動和變型。
【主權項】
1.一種CVD鍍膜機，其特征在于:包括一體化設計的真空鍍膜室、真空栗組和帶有控制電源的控制電柜，所述真空鍍膜室內設有陽極電極組件，所述真空鍍膜室上設有門體，所述門體內設有若干陰極電極元件和若干離化發生器，所述陰極電極元件與陽極電極組件形成放電電極對。2.根據權利要求1所述的CVD鍍膜機，其特征在于:所述真空鍍膜室的門體為雙開門式門體，其包括鉸接在所述真空鍍膜室的左右兩側的左側門體和右側門體，所述左側門體和右側門體用于交換封閉真空鍍膜室。3.根據權利要求2所述的CVD鍍膜機，其特征在于:所述陰極電極元件為兩個，其分別置于所述左側門體和右側門體的內側面，該兩個陰極電極元件均能與真空鍍膜室內的陽極電極組件形成放電電極對。4.根據權利要求3所述的CVD鍍膜機，其特征在于:所述左側門體和右側門體內的陰極電極元件通過插銷式的方式固定于對應門體的內側。5.根據權利要求1至3任一項所述的CVD鍍膜機，其特征在于:所述離化發生器為兩個，所述左側門體和右側門體內部各安裝一離化發生器。6.根據權利要求1所述的CVD鍍膜機，其特征在于:所述控制電源為能作為離子體鍍膜激發源的中頻電源。
【文檔編號】C23C16/44GK106086816SQ201610530406
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月6日
【發明人】潘振強, 朱惠欽
【申請人】廣東振華科技股份有限公司