一種中頻磁控濺射的工藝布氣系統的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種中頻磁控濺射的工藝布氣系統，包括將氬氣氣板、氧氣氣板、孿生旋轉硅靶，孿生靶包括一號硅靶和二號硅靶，氬氣氣板布置在孿生旋轉硅靶的一邊，氧氣氣板與氬氣氣板結合在一起，氬氣氣板的布氣方式為兩節二元式，其輸出前端由一號質量流量計控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，氧氣氣板均勻分為三段，分別由三個質量流量計獨立控制，的氬氣氣板和的氧氣氣板出氣末端設有氣體分布器，的氧氣氣板裝有氣體過濾裝置，氬氣氣板和氧氣氣板的出氣末端一體連接固定，本設計有利于進氣的均勻和氣體充分混合，同時洋氣的純度也得到保證，鍍制的膜層也會更致密，同時節約了設備成本。
【專利說明】
_種中頻磁控濺射的工藝布氣系統
技術領域
[0001]本發明涉及磁控濺射鍍膜技術領域，尤其涉及一種中頻磁控濺射的工藝布氣系統。
【背景技術】
[0002]目前，直流磁控濺射電源只能濺射金屬靶材，射頻磁控濺射電源可以濺射金屬與非金屬靶材，但射頻磁控濺射的高頻率工作狀態對人體輻射較大，于是人們已經不得不摒棄這種濺射技術，中頻磁控濺射的開發使得非金屬的靶材可以以反應生成所需要的化合物的形式出現，中頻磁控濺射是制備化合物薄膜的理想選擇，因其特殊的工作形式，兩支靶材為孿生靶，工作時互換陰陽極，抑制打火，抑制陽極消失。中頻磁控濺射已經相當成熟，可以滿足一般化合物薄膜的物理性能。二氧化硅通常作為鈉鈣電子玻璃的防止鈉離子滲透的功能層。但這種功能遠遠不能滿足市場需要，中頻磁控濺射普通的工藝布氣系統決定了二氧化硅膜層的質量。
[0003]如圖1所示，圖1是現有技術中中頻磁控濺射系統中的布氣結構示意圖，圖1中I和2為孿生靶材，3和4為工藝氣體氬氣的布氣氣板，5為氧氣氣板。現有技術中采用孿生靶材兩邊布置氬氣氣板，中間布置氧氣氣板的方法制備二氧化硅膜層，可以作為鈉鈣玻璃防止鈉離子的滲透的功能層，因膜層的致密度、膜層的均勻性、導致膜層的光學性能無法達到要求，故不能作為光學薄膜的功能，布氣方式整體不均勻，氧氣氣板的出氣管處于孿生硅靶中間正上方，易被靶材濺射出的物質濺射到，長時間被濺射，氧氣管的外圍小孔就會被堵住，影響了氧氣分段的均勻性，對于當氧氣和氬氣在進氣的時候，設備不可能完全無誤差的保證氣流一直平穩地進入，有可能會出現突然快速噴氣的狀況，這就會導致進入氣板的氣體局部不均勻，給鍍膜帶來一定的影響，同時，氧氣的純度對于鍍膜非常重要，進入氣板的氧氣要保證足夠的純度，這樣的問題急需解決。
[0004]
【發明內容】
[0005]本發明要解決的技術問題在于，旨在提供一種布氣均勻穩定的單邊雙氣板結合的布氣系統。
[0006]本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種中頻磁控濺射的工藝布氣系統，包括將氬氣氣板、氧氣氣板、孿生旋轉硅靶，所述氬氣氣板布置在所述孿生旋轉硅靶的一邊，所述氧氣氣板與所述氬氣氣板結合在一起，所述氬氣氣板的布氣方式為兩節二元式，其輸出前端由一號質量流量計控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，所述氧氣氣板均勻分為三段小板，分別由三個質量流量計獨立控制。
[0007]作為對本發明所述技術方案的一種改進，所述的孿生旋轉硅靶包括一號硅靶和二號娃革巴。
[0008]作為對本發明所述技術方案的一種改進，所述的氧氣氣板的三段小板的三個質量流量計分別為二號質量流量計、三號質量流量計和四號質量流量計獨立控制。
[0009]作為對本發明所述技術方案的一種改進，所述的氬氣氣板和所述的氧氣氣板出氣末端可設有氣體分布器。
[0010]作為對本發明所述技術方案的一種改進，所述的氧氣氣板可裝有氣體過濾裝置。
[0011]作為對本發明所述技術方案的一種改進，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端一體連接固定。
[0012]本發明提供的中頻磁控濺射系統，布氣方式簡單易控制，而且氧氣氣板相對氣管來說，出氣方式為單一方向、均勻性好，不會有散射現象，同時氧氣氣板設有的氣體過濾裝置，保證進入氣板的氧氣符合鍍膜所需的純度要求;改造了氬氣氣板的布氣方式，使得質量流量計也縮減過半，節約了設備成本，而且氬氣氣板和氧氣氣板出氣口末端設有的氣體分布器更好地分散了出氣的壓力，使出氣更能在氧氣板上充分散開，不會造成局部壓力過大；氬氣氣板與氧氣氣板在同一側的布氣方式使得輸出的氣體能很好的混合，能鍍制出理想的致密性二氧化硅薄膜，提高了制備光學薄膜的質量。
[0013]
【附圖說明】
[0014]下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中:
圖1是現有技術中頻磁控濺射系統中的布氣結構示意圖；
圖2是本發明具體實施例的中頻磁控濺射系統的布氣系統結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0016]圖2是本發明具體實施例的中頻磁控濺射系統的布氣結構示意圖，如圖2所示，本發明具體實施例的中頻磁控濺射系統，其包括一號硅靶10、二號硅靶20、氬氣氣板30和氧氣氣板40，一號娃革ElO和二號娃革E20為孿生革E材，氬氣氣板30為兩節二元式布氣方式，其輸出前端由一號質量流量計(未圖示)控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣，氧氣氣板40均勻分為三段小板(未圖示)，分別由三個質量流量計獨立控制，氬氣氣板30和氧氣氣板40的出氣末端一體連接固定。
[0017]本發明具體實施例中，一號娃革EUO和二號娃革[120為孿生革El材;氧氣氣板40的三段小板分別由第二質量流量計(未圖示)、第三質量流量計(未圖示)和第四質量流量計(未圖不)獨立控制;氧氣氣板和氬氣氣板出氣末端可設有氣體分布器(未圖不)，并且氧氣氣板上設有氣體過濾裝置(未圖示)。
[0018]本發明具體實施例中，氬氣氣板30和氧氣氣板40的出氣末端上一體連接固定，如圖1所示，但本發明的具體固定方式根據具體情況進行實施，只要滿足氬氣氣板30和氧氣氣板40同時位于靶材的同一側即可。
[0019]本發明具體實施例的中頻磁控濺射系統中，因氬氣的均勻性影響相對氧氣來說相對較低，對鍍制二氧化硅時氬氣的均勻性僅作為工作氣體，所以在制作氬氣氣板的時候，采用兩節二元式布氣方式，輸出前端由一個質量流量計控制總流量，輸出末端均勻分為四段出氣。氧氣氣板在設計時尤為關鍵，因氧氣是會參與反應的，氧氣的不均勻會導致生成的膜層化學物質不一，嚴重會產生色差，所以在設計氧氣氣板的時候，是將氧氣氣板均勻分為三段小板，分別用三個質量流量計單獨控制，確保可調性。除了以上設計，本發明還在氬氣氣板和氧氣氣板的出氣末端設有氣體分布器，將器官中的氣流在氣板上充分分流，是氣體在氣板上能夠均勻地分不開來。另外，為了使進入氧氣氣板的氧氣能夠達到所需的純度，本發明還在氧氣板上裝有氣體過濾裝置，將進入氣板的氧氣中的其他成分過濾出去。將氬氣氣板和氧氣氣板結合在一起，有利于氣體混合，鍍制的膜層也會更致密。
[0020]本發明具體實施中，此種布氣方式簡單易控制，而且氧氣氣板相對氣管來說，出氣方式為單一方向、均勾性好，不會有散射現象;相對現有技術而言，改造了氬氣氣板的布氣方式，使得質量流量計也縮減過半，節約了設備成本;氬氣氣板與氧氣氣板在同一側的布氣方式使得輸出的氣體能很好的混合，同時氧氣氣板設有的氣體過濾裝置，保證進入氣板的氧氣符合鍍膜所需的純度要求;而且氬氣氣板和氧氣氣板出氣口末端設有的氣體分布器更好地分散了出氣的壓力，使出氣更能在氧氣板上充分散開，不會造成局部壓力過大;氬氣氣板與氧氣氣板在同一側的布氣方式使得輸出的氣體能很好的混合，能鍍制出理想的致密性二氧化硅薄膜，生成物質的單一性決定了膜料折射率的穩定性，更易制得高質量的光學薄膜;膜層的致密性提高了，附著力隨之增加，可以作為觸摸屏電極圖案電極的保護層。
[0021]
應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本發明所附權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，包括將氬氣氣板、氧氣氣板、孿生旋轉硅靶，所述氬氣氣板布置在所述孿生旋轉硅靶的同一側，所述氧氣氣板與所述氬氣氣板結合在一起，所述氬氣氣板的布氣方式為兩節二元式，其輸出前端由一號質量流量計控制氬氣總流量，其輸出末端均勻分為四段出氣;所述氧氣氣板均勻劃分成三段小板，分別由三個質量流量計獨立控制。2.根據權利要求1所述的中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，所述的孿生旋轉娃革巴包括一號娃革E和二號娃革巴。3.根據權利要求1所述的中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，所述的氧氣氣板的三段小板的三個質量流量計分別為二號質量流量計、三號質量流量計和四號質量流量計獨立控制。4.根據權利要求1所述的中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，所述的氬氣氣板和所述的氧氣氣板出氣末端可設有氣體分布器。5.根據權利要求1所述的中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，所述的氧氣氣板可裝有氣體過濾裝置。6.根據權利要求1所述的中頻磁控濺射的工藝布氣系統，其特征在于，所述氬氣氣板和所述氧氣氣板的出氣末端一體連接固定。
【文檔編號】C23C14/10GK106048547SQ201610611027
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月29日
【發明人】王進東
【申請人】江蘇宇天港玻新材料有限公司