一種真空蒸發鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本發明屬于金屬鍍膜技術領域，尤其涉及一種真空蒸發鍍膜裝置，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統，所述蒸發裝置包括蒸發源和膜材，本發明解決了附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題，具有提高裝置的實用性、蒸發高熔點材料、提高了薄膜的純度和質量、熱效率高，熱傳導和熱輻射損失小、適用于真空蒸發鍍膜技術領域的有益技術效果。
【專利說明】
一種真空蒸發鍍膜裝置
技術領域
[0001]本發明屬于金屬鍍膜技術領域，尤其涉及一種真空蒸發鍍膜裝置。
【背景技術】
[0002]—種由物理方法產生薄膜材料的技術，在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術最先用于生產光學鏡片，如航海望遠鏡鏡片等。后延伸到其他功能薄膜，唱片鍍鋁、裝飾鍍膜和材料表面改性等，如手表外殼鍍仿金色，機械刀具鍍膜，改變加工紅硬性，現有技術存在附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題。
【發明內容】
[0003]本發明提供一種真空蒸發鍍膜裝置，以解決上述【背景技術】中提出附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題。
[0004]本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現:一種真空蒸發鍍膜裝置，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統，所述蒸發裝置包括蒸發源和膜材，所述蒸發源包括膜材容器和設置于膜材容器內的膜材加熱器，所述真空裝置內頂端設置的鍍膜裝置經真空裝置連接于其底端設置蒸發裝置，設置于鐘罩內的真空腔的自頂端向下依次設置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設置膜材容器，所述基板加熱器經基板連接于薄膜，所述鐘罩經真空腔貫通于排氣系統，所述膜材加熱器經膜材容器連接于膜材，設置于膜材容器內的膜材經膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發于基板下的薄膜。
[0005]進一步，所述膜材容器為水冷坩禍。
[0006]進一步，所述膜材加熱器包括電子槍加熱器。
[0007]進一步，所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發射極，其負極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極。
[0008]進一步，所述電子發射極和正離子收集極之間設置屏蔽板。
[0009]進一步，所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子。
[0010]進一步，所述水冷坩禍上方設置等離子體。
[0011]本發明的有益效果為:
1、本專利采用包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統，所述蒸發裝置包括蒸發源和膜材，所述蒸發源包括膜材容器和設置于膜材容器內的膜材加熱器，所述真空裝置內頂端設置的鍍膜裝置經真空裝置連接于其底端設置蒸發裝置，設置于鐘罩內的真空腔的自頂端向下依次設置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設置膜材容器，所述基板加熱器經基板連接于薄膜，所述鐘罩經真空腔貫通于排氣系統，所述膜材加熱器經膜材容器連接于膜材，設置于膜材容器內的膜材經膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發于基板下的薄膜的技術手段，由于真空蒸發鍍膜在真空室中，加熱蒸發器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態薄膜，解決了附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題，提高裝置的實用性。
[0012]2、本專利采用所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發射極，其負極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極，所述電子發射極和正離子收集極之間設置屏蔽板，所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子，所述水冷坩禍上方設置等離子體的技術手段，由于本發明采用電子槍加熱器，其電子束的束流密度高，能獲得比電阻加熱源更大的能量密度，因此能蒸發高熔點材料。
[0013]3、本專利采用所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子，由于被蒸發材料置于水冷坩禍內，避免了容器材料的揮發，以及容器材料與蒸發材料的反應，提高了薄膜的純度和質量。
[0014]4、本專利由于采用電子束加熱方式，熱量直接加到蒸鍍材料表面，具有熱效率高，熱傳導和熱輻射損失小的有益技術效果。
[0015]5、本專利應用范圍廣泛，適用于真空蒸發鍍膜技術領域。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發明一種真空蒸發鍍膜裝置結構示意圖；
圖2是本發明一種真空蒸發鍍膜裝置的電子槍加熱器結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結合附圖對本發明做進一步描述:
圖中:1-鍍膜裝置，2-真空裝置，3-蒸發裝置，4-基板加熱器，5-基板，6-薄膜，7-鐘罩，8-真空腔，9-排氣系統。10-蒸發源，11-膜材，12-膜材容器，13-膜材加熱器，14-水冷坩禍，15-電子槍加熱器，16-電磁線圈，17-電子發射極，18-正離子收集極，19-散射電子接收極，20-屏蔽板，21-等離子體；
實施例:
本實施例:如圖1所示，一種真空蒸發鍍膜裝置，包括鍍膜裝置1、真空裝置2、蒸發裝置3，所述鍍膜裝置I包括基板加熱器4、基板5、薄膜6，所述真空裝置2包括鐘罩7、真空腔8、排氣系統9，所述蒸發裝置3包括蒸發源10和膜材11，所述蒸發源10包括膜材容器12和設置于膜材容器12內的膜材加熱器13，所述真空裝置2內頂端設置的鍍膜裝置I經真空裝置2連接于其底端設置蒸發裝置3，設置于鐘罩7內的真空腔8的自頂端向下依次設置基板加熱器4、基板5、薄膜6，其底端設置膜材容器12，所述基板加熱器4經基板5連接于薄膜6，所述鐘罩7經真空腔8貫通于排氣系統9，所述膜材加熱器13經膜材容器12連接于膜材11，設置于膜材容器12內的膜材經膜材加熱器13加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發于基板5下的薄膜6。
[0018]所述膜材容器12為水冷坩禍14。
[0019]由于采用包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統，所述蒸發裝置包括蒸發源和膜材，所述蒸發源包括膜材容器和設置于膜材容器內的膜材加熱器，所述真空裝置內頂端設置的鍍膜裝置經真空裝置連接于其底端設置蒸發裝置，設置于鐘罩內的真空腔的自頂端向下依次設置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設置膜材容器，所述基板加熱器經基板連接于薄膜，所述鐘罩經真空腔貫通于排氣系統，所述膜材加熱器經膜材容器連接于膜材，設置于膜材容器內的膜材經膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發于基板下的薄膜的技術手段，由于真空蒸發鍍膜在真空室中，加熱蒸發器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態薄膜，解決了附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題，提高裝置的實用性。
[0020 ] 所述膜材加熱器13包括電子槍加熱器15。
[0021 ]由于采用電子束加熱方式，熱量直接加到蒸鍍材料表面，具有熱效率高，熱傳導和熱輻射損失小的有益技術效果。
[0022]所述電子槍加熱器15包括電磁線圈16，所述電磁線圈16正極連接于電子發射極17，其負極分別連接于正離子收集極18和散射電子接收極19。
[0023]由于采用所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發射極，其負極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極，所述電子發射極和正離子收集極之間設置屏蔽板，所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子，所述水冷坩禍上方設置等離子體的技術手段，由于本發明采用電子槍加熱器，其電子束的束流密度高，能獲得比電阻加熱源更大的能量密度，因此能蒸發高熔點材料。
[0024]所述電子發射極17和正尚子收集極18之間設置屏蔽板20。
[0025]所述電子發射極17發射電子于水冷坩禍14內的膜材11，所述散射電子接收極19接收散射電子，所述正離子收集極18接收水冷坩禍14內的膜材11的正離子。
[0026]由于采用所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子，由于被蒸發材料置于水冷坩禍內，避免了容器材料的揮發，以及容器材料與蒸發材料的反應，提高了薄膜的純度和質量。
[0027]所述水冷坩禍14上方設置等離子體21。
[0028]工作原理:真空蒸發鍍膜在真空室中，加熱蒸發器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子從表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固態薄膜，電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子，實現了膜材內分子的熱運動，本發明解決了附著力較小、不容易獲得結晶結構、工藝重復性差的問題，具有提高裝置的實用性、蒸發高熔點材料、提高了薄膜的純度和質量、熱效率高，熱傳導和熱輻射損失小、適用于真空蒸發鍍膜技術領域的有益技術效果。
[0029]利用本發明的技術方案，或本領域的技術人員在本發明技術方案的啟發下，設計出類似的技術方案，而達到上述技術效果的，均是落入本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，包括鍍膜裝置、真空裝置、蒸發裝置，所述鍍膜裝置包括基板加熱器、基板、薄膜，所述真空裝置包括鐘罩、真空腔、排氣系統，所述蒸發裝置包括蒸發源和膜材，所述蒸發源包括膜材容器和設置于膜材容器內的膜材加熱器，所述真空裝置內頂端設置的鍍膜裝置經真空裝置連接于其底端設置蒸發裝置，設置于鐘罩內的真空腔的自頂端向下依次設置基板加熱器、基板、薄膜，其底端設置膜材容器，所述基板加熱器經基板連接于薄膜，所述鐘罩經真空腔貫通于排氣系統，所述膜材加熱器經膜材容器連接于膜材，設置于膜材容器內的膜材經膜材加熱器加熱為膜材蒸氣，所述膜材蒸氣蒸發于基板下的薄膜。2.根據權利要求1所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述膜材容器為水冷坩禍。3.根據權利要求1所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述膜材加熱器包括電子槍加熱器。4.根據權利要求3所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述電子槍加熱器包括電磁線圈，所述電磁線圈正極連接于電子發射極，其負極分別連接于正離子收集極和散射電子接收極。5.根據權利要求4所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述電子發射極和正離子收集極之間設置屏蔽板。6.根據權利要求4所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述電子發射極發射電子于水冷坩禍內的膜材，所述散射電子接收極接收散射電子，所述正離子收集極接收水冷坩禍內的膜材的正離子。7.根據權利要求5所述的一種真空蒸發鍍膜裝置，其特征在于，所述水冷坩禍上方設置等離子體。
【文檔編號】C23C14/30GK106032567SQ201610189702
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2016年3月30日
【發明人】同建輝, 李衛東, 孫婧
【申請人】天津眾偉科技有限公司