蝕刻劑組合物、液晶顯示器陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發明涉及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其基于所述組合物的總重量包括：(a)10?25wt％的過氧化氫；(b)1?10wt％的檸檬酸；(c)0.05?2wt％的唑化合物；(d)0.001?0.1wt％的磷酸鹽化合物；(e)1?5wt％的多元醇表面活性劑；和(f)余量水，并且涉及蝕刻方法和用于使用所述蝕刻劑組合物制造液晶顯示器陣列基板的方法。
【專利說明】
蝕刻劑組合物、液晶顯示器陣列基板及其制造方法
技術領域
[0001] 本發明設及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物、使用所述蝕刻劑組合物制造液 晶顯示器陣列基板的方法和通過所述方法制造的液晶顯示器陣列基板。
【背景技術】
[0002] 在用于半導體裝置的基板上形成金屬線的工藝一般包括W下步驟:通過瓣射等在 基板上形成金屬線；在所述金屬層上涂覆光致抗蝕劑;通過曝光和顯影使所述光致抗蝕劑 圖案化;和蝕刻所述金屬層，其中清潔步驟在各步驟之前或之后進行。本文中所使用的術語 "蝕刻"是指使用光致抗蝕劑作為掩模將金屬層留在選定區域中的工藝。常規的蝕刻工藝包 括使用等離子體進行的干法蝕刻工藝和使用蝕刻劑組合物進行的濕法蝕刻工藝。
[0003] 近來，在半導體裝置的領域中，金屬線的電阻已變成主要關注。運是因為電阻是引 起RC信號延遲的主要因素，因此在TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示器）的情況下，面板尺寸 的增大和高分辨率的實現對技術的發展是重要的。因此，為了實現增大TFT-LCD的尺寸所必 需的RC信號延遲的減少，低電阻材料的開發是必要的。因此，銅基金屬層例如銅層和銅層/ 鋼層結構，其是低電阻金屬層，和用于蝕刻運些金屬層的蝕刻劑組合物已經常使用。然而， 迄今為止，用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物不滿足用戶所需的性能。例如，在常規的用 于蝕刻銅層的過氧化氨基蝕刻劑的情況下，有W下問題:蝕刻劑的穩定性大大減小，其起因 于過氧化氨的分解速率的增加導致的過熱現象，所述過氧化氨的分解速率的增加是由蝕刻 金屬層的過程中溶解的金屬離子、特別是銅離子引起的。此外，在用于蝕刻多層金屬結構的 蝕刻劑的情況下，存在的問題在于，由于通過過氧化氨蝕刻銅層的速率與通過含氣化合物 蝕刻鋼合金層的速率之間的差異，隨著所溶解的金屬離子的濃度增加，在所述兩金屬層之 間的界面發生變形、電效應，表明蝕刻劑的蝕刻性能不好。
[0004] 韓國專利申請公開No. 10-2010-0090538公開了用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組 合物，其包括:a)過氧化氨化說2) ;b)有機酸;C)憐酸鹽化合物;d)水溶性環胺化合物;e)-分 子中具有氮原子和簇基的水溶性化合物;f)含氣化合物;g)多元醇型表面活性劑;和h)水。
[0005] 然而，上述蝕刻劑組合物具有缺點在于，如果其具有低含量的過氧化氨，所加工基 板的數目將不足，且所述蝕刻劑組合物的膽存穩定性將不足。
[0006] 【現有技術文獻】
[0007] 【專利文獻】
[000引 韓國專利申請公開No. 10-2010-0090538
【發明內容】
[0009] 本發明的目的是提供用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其能夠蝕刻W下全 部:柵電極和柵極線層、源電極/漏電極層和數據線層。
[0010] 本發明的另一個目的是提供用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其能夠防止在 蝕刻銅基金屬層的過程中損傷氧化物半導體(IGZ化)層。
[0011] 為了實現上述目的，本發明提供用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其包括，基 于所述組合物的總重量：（a)l〇-25wt%的過氧化氨；（b)l-lOwt%的巧樣酸；（c)0.05-2wt% 的挫化合物；（d) 0.001 -0.1 wt %的憐酸鹽化合物；（e) 1 -5wt %的多元醇表面活性劑;和(f) 余量的水。
[0012] 本發明還提供用于蝕刻銅基金屬層的方法，其包括：
[0013] (1)在基板上形成銅基金屬層；
[0014] (2)在所述銅基金屬層的選定區域上形成光反應性材料;和
[0015] (3)使用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層。
[0016] 本發明還提供用于制造液晶顯示器陣列基板的方法，其包括W下步驟：
[0017] (1)在基板上形成柵極線；
[0018] (2)在包括所述柵極線的基板上形成柵極絕緣層；
[0019] (3)在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體層；
[0020] (4)在所述氧化物半導體層上形成源電極和漏電極;和
[0021] (5)形成連接至所述漏電極的像素電極，
[0022] 其中步驟（1)包括在所述基板上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基 金屬層W形成柵極線，W及
[0023] 步驟(4)包括在所述氧化物半導體層上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所 述銅基金屬層W形成源電極和漏電極，
[0024] 其中所述蝕刻劑組合物是根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物。
[0025] 本發明還提供液晶顯示器陣列基板，其包括通過用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻形 成的、柵極線、源電極和漏電極中的一個或更多個。
【附圖說明】
[0026] 本發明的目的和特性將從W下結合附圖給出的實施方式的描述而變得明顯。
[0027] 圖1和圖2是用本發明的實施例2的蝕刻劑蝕刻的Mo-T i /Cu/Mo-T i Ξ層結構的SEM 圖像，并示出排氣0小時處測量的側蝕刻（圖1)和排氣24小時處測量的側蝕刻（圖2)。
[0028] 圖3和圖4是在測試例1中用比較例2的蝕刻劑組合物蝕刻的Mo-Ti/Cu/Mo-TiS層 結構的SEM圖像，并示出排氣0小時處測量的側蝕刻（圖3)和排氣24小時處測量的側蝕刻（圖 4)。
【具體實施方式】
[0029] 在下文中，本發明將更詳細地被描述。
[0030] 本發明設及用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其包括，基于所述組合物的總 重量：（a)10-25wt%的過氧化氨；（b)l-lOwt%的巧樣酸；（c)0.05-2wt%的挫化合物；（d) 0.001 -0.1 wt %的憐酸鹽化合物；（e) 1 -5wt %的多元醇表面活性劑;和(f)余量的水。
[0031] 本文中所使用的術語"銅基金屬層"意在包括含有銅的單層結構和多層結構例如 雙層結構。
[0032] 銅基金屬層的例子包括:銅或銅合金的單層結構；包括鋼層和在鋼層上形成的銅 層的銅/鋼的多層結構；包括鋼合金層和在鋼合金層上形成的銅層的銅/鋼合金的多層結 構；包括形成于上鋼層和下鋼層之間的銅層的鋼/銅/鋼的多層結構；或包括形成于上鋼合 金層和下鋼合金層之間的銅層的鋼合金/銅/鋼合金的多層結構。
[0033] 本文所使用的術語"合金層"意在還包括氮化物或氧化物層，而且術語"鋼合金層" 意指由鋼和，例如，選自由鐵(Ti)、粗(Ta)、銘(化）、儀(Ni)和欽(Nd)組成的組中的至少一種 的合金形成的層。
[0034] 特別地，根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物可W優選應用于由銅 或銅合金層/鋼或鋼合金層組成的多層結構。
[0035] 根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的特征在于其不損傷氧化物 半導體（IGZ化)層。例如，在氧化物半導體（IGZ化)層用作下面的阻隔層的情況下，當本發明 的蝕刻劑組合物蝕刻包括柵電極層、柵極線層、源電極/漏電極層和數據線層的銅基金屬層 時，其不損傷作為下面的阻隔層的氧化物半導體（IGZOx)層。當蝕刻劑組合物不含含氣化合 物時，能夠提供用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的上述特征。
[0036] 包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的過氧化氨化2〇2) (a)是用于蝕刻銅基金屬層的主要成分。
[0037] 基于用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的總重量，Wl〇-25wt%、優選地15- 23wt%的量含有所述過氧化氨。如果過氧化氨W小于lOwt%的量被包含時，蝕刻劑組合物 蝕刻銅基金屬層例如銅的單層結構或銅/鋼合金的多層結構的能力將不足，因此不能實現 對銅基金屬層的充分蝕刻，而且如果過氧化氨W超過25wt%的量被包含時，產生的問題在 于由于銅離子的增加，蝕刻劑組合物的熱穩定性大大減小。
[0038] 包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的巧樣酸(b)用來與 在蝕刻銅基金屬層的過程中溶解在蝕刻劑組合物中的銅離子馨合，從而抑制銅離子的活 性，由此抑制過氧化氨的分解。當銅離子的活性如上述被抑制時，存在的優點在于在使用所 述用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的過程中，工藝被穩定地進行。
[0039] 基于用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的總重量，巧樣酸Wl-lOwt%、優選地 3-7wt %的量被包含。如果巧樣酸W小于Iwt %的量被包含時，可能出現問題例如被加工的 基板數目減少和過氧化氨的分解速率增加等，而且如果巧樣酸W超過lOwt %的量被包含 時，可能出現問題在于用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的抑被極度降低W致對金屬層 的蝕刻速率被極度增加。
[0040] 包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的挫化合物山）用來 減小由蝕刻速率和被加工基板的數目引起的蝕刻輪廓的變化，從而增加工藝裕量。基于用 于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的總重量，挫化合物W0. 〇5-2wt %、優選地0.1-lwt %的 量被包含。如果挫化合物W小于0 .〇5wt %的量被包含，由過度蝕刻和被加工基板的數目引 起的蝕刻輪廓的變化可能增加，而且如果挫化合物W超過2wt%的量被包含，銅的蝕刻速率 將變得太慢，導致加工時間的損失。
[0041 ] 挫化合物可W包括選自由化咯基化合物、化挫基化合物、咪挫基化合物、Ξ挫基化 合物、四挫基化合物、五挫基化合物、嗯挫基化合物、異嗯挫基化合物、二挫基化合物和異二 挫基化合物組成的組中的至少一種。在運些化合物中，可W優選使用四挫基化合物。更優選 地，可W使用5-甲基四挫。
[0042]包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的多元醇表面活性 劑(d)用來減小表面張力W由此增加蝕刻均勻性。此外，多元醇表面活性劑用來包圍蝕刻銅 層之后溶解在蝕刻劑中的銅離子，從而抑制銅離子的活性，W由此抑制過氧化氨的分解。當 銅離子的活性如上述被減小時，使用所述蝕刻劑組合物的過程中，工藝能夠穩定地進行。
[0043] 基于組合物的總重量，多元醇表面活性劑.0-5.0wt%、優選地1.5-3.0wt%的 量被包含。如果多元醇表面活性劑的含量小于W上指定范圍的下限，能夠出現的問題在于 減小蝕刻均勻性且加速過氧化氨的分解，而且如果多元醇表面活性劑的含量超過W上指定 范圍的上限，將存在缺點在于出現大量的氣泡。
[0044] 多元醇表面活性劑可W包括選自由甘油、二甘醇、Ξ甘醇、四甘醇和聚乙二醇組成 的組中的至少一種。運些化合物中，優選使用Ξ甘醇。
[0045] 包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的憐酸鹽化合物(e) 用來最小化由于設備操作過程中排氣而由蝕刻劑的濃度引起的蝕刻劑性能的變化。如果憐 酸鹽化合物在本發明的蝕刻劑組合物中不存在，隨著排氣時間的增加蝕刻速率的巨大變化 將會發生，導致側蝕刻（S/E)變化的增加。憐酸鹽化合物的含量是0.001-0.1 wt %，優選為 0.005-0.05wt%，基于蝕刻劑組合物的總重量。如果憐酸鹽化合物的含量小于W上指定范 圍的下限，S/E變化將隨排氣時間的增加而增加，而且如果憐酸鹽化合物的含量超過W上指 定范圍的上限，可能出現的問題在于損傷氧化物半導體(IGZOx)層。
[0046] 對憐酸鹽化合物無特別限制，只要其選自憐酸中的氨被堿金屬或堿±金屬單或雙 取代的鹽。憐酸鹽化合物的例子包括憐酸鋼、憐酸鐘和憐酸錠。在運些化合物中，可W最優 選使用憐酸錠。
[0047] 包含在根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物中的水(g)形成為達到 lOOwt%所需的組合物的余量。對水無特別限制，但優選為去離子水。更優選地，水是具有 18ΜΩ/cm或更高的電阻率的水，其表示從水中去除離子的程度。
[0048] 此外，根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物可還包括掩蔽劑和防腐 蝕劑。此外，為了使本發明的效果更好，本領域中已知的其他各種添加劑可W任選地被添加 到蝕刻劑組合物中。
[0049] 根據本發明的蝕刻劑組合物的成分可W通過本領域中已知的常規方法制備，并且 優選使用具有適于半導體工藝的純度的成分。
[0050] 根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物可W用來蝕刻W下全部：由銅 基金屬制成的用于液晶顯示器的柵電極、柵極線、源電極/漏電極和數據線。
[0051] 另一方面，本發明提供用于蝕刻銅基金屬層的方法，其包括：
[0052] (1)在基板上形成銅基金屬層；
[0053] (2)在所述銅基金屬層的選定區域上形成光反應性材料;和
[0054] (3)使用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬層。
[0055] 在根據本發明的蝕刻方法中，所述光反應性材料優選是可W通過常規的曝光和顯 影工藝圖案化的光致抗蝕劑材料。
[0056] 另一方面，本發明提供用于制造液晶顯示器陣列基板的方法，其包括W下步驟：
[0057] (1)在基板上形成柵極線；
[0058] (2)在包括所述柵極線的基板上形成柵極絕緣層；
[0059] (3)在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體層；
[0060] (4)在所述氧化物半導體層上形成源電極和漏電極;和
[0061] (5)形成連接至所述漏電極的像素電極，
[0062] 其中步驟（1)包括在所述基板上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基 金屬層W形成柵極線，W及
[0063] 步驟(4)包括在所述氧化物半導體層上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所 述銅基金屬層W形成源電極和漏電極，
[0064] 其中所述蝕刻劑組合物是根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物。
[0065] 含有氣化合物的常規蝕刻劑組合物具有的問題在于當在步驟(4)中蝕刻銅基金屬 層時其損傷下面的氧化物(IGZOx)半導體層。然而，當通過用本發明的不含氣化合物的蝕刻 劑組合物蝕刻銅基金屬層而形成源電極和漏電極時，可W蝕刻銅基金屬層而不對下面的氧 化物半導體(IGZOx)層引起損傷。
[0066] 在步驟（1)和步驟(4)中蝕刻的銅基金屬層的例子包括:銅或銅合金的單層結構； 或者
[0067] 包括鋼層和在鋼層上形成的銅層的銅/鋼的多層結構；包括鋼合金層和在鋼合金 層上形成的銅層的銅/鋼合金的多層結構；包括形成于上鋼層和下鋼層之間的銅層的鋼/ 銅/鋼的多層結構；或包括形成于上鋼合金層和下鋼合金層之間的銅層的鋼合金/銅/鋼合 金的多層結構。
[0068] 本文所使用的術語"合金層"意在還包括氮化物或氧化物層，而且術語"鋼合金層" 意指由鋼和，例如，選自由鐵(Ti)、粗(Ta)、銘(化）、儀(Ni)和欽(Nd)組成的組中的至少一種 的合金形成的層。
[0069] 此外，在步驟（1)和步驟(4)中蝕刻的銅基金屬層優選為銅/鋼的多層結構或鋼合 金/銅/鋼合金的多層結構。
[0070] 所述液晶顯示器陣列基板可W是薄膜晶體管(TFT)陣列基板。
[0071] 另一方面，本發明提供液晶顯示器陣列基板，其包括通過用本發明的蝕刻劑組合 物蝕刻而形成的柵極線、源電極和漏電極中的一個或多個。
[0072] 在下文中，本發明將通過運些實施例進一步詳細地被描述。然而，W下實施例意在 更加充分地解釋本發明，且本發明的范圍不受運些實施例限制。W下實施例可W被本領域 技術人員適當地修改或改變，而不脫離本發明的范圍。
[007引實施例1-4和比較例1-3:用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的制備
[0074] 根據下表1中所示的組成，制備實施例1-4和比較例1-3的蝕刻劑組合物，并且W形 成1 OOwt %的量向其中添加余量水。
[0075] 表 1(單位:wt%) 「00761
[0077]~備注） '
' ' ' '
[007引 5-MTZ:5-甲基四挫；
[0079] TEG:S 甘醇；
[0080] APM:憐酸二氨錠。
[0081] 測試例1:用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物的性能的評價
[0082] 使用實施例1-4和比較例1-3的各個蝕刻劑組合物進行蝕刻工藝。使用噴霧型蝕刻 裝置（型號:ETC皿R(TFT)，沈MES Co .，Ltd.)，且在蝕刻工藝過程中將蝕刻劑組合物的組成 保持在大約32°C。雖然蝕刻時間將取決于蝕刻溫度而變化，但在LCD蝕刻工藝中常用大約 60-120秒的時間進行蝕刻。使用橫截面（由化化chi制造;型號S-4700)觀察在蝕刻工藝中蝕 刻的金屬膜的輪廓，觀察結果示于下表2和圖1至圖4中。在蝕刻工藝中使用的銅基金屬層是 Mo-Ti/化/M〇-Ti(100/3000/300 乂)Ξ薄膜基板，且所使用的下面的阻隔層是氧化物半導 體層(IGZOx)。
[0083] 在蝕刻工藝過程中，測定隨排氣時間的側蝕刻的變化、錐角、Mo-Ti尖端等。在此， 錐角是指Cu側面的斜度，側蝕刻是指蝕刻后測量的光致抗蝕劑端與下面的金屬端之間的距 離，Mo-Ti尖端是指Cu側面的最高點處Mo-Ti的長度。如果側蝕刻變化，在TF巧E動過程中信 號傳輸速度可W變化W引起不均勻。為此，優選使側蝕刻的變化最小化。此外，如果Mo-Ti尖 端長，需要后續的干法蝕刻工藝。因此，在運個評價中，確定了當側蝕刻的變化滿足±0.1皿 的條件時，蝕刻劑組合物能夠繼續被使用在蝕刻工藝中。
[0084] 此外，測定對氧化物半導體（IGZOx)層的蝕刻損傷。蝕刻進行200秒。在運個評價 中，確定了滿足如由一步計(a-st邱meter)測定的"未檢出"（ND)水平，蝕刻劑組合物能夠 繼續被使用在蝕刻工藝中。將測試結果示于下表2中。
[0085] 表 2
[0086]
[0087] 評價標準
[008引 0:良好;Λ:中等；X:差;不蝕刻:不可蝕刻;ND:未檢出；
[0089]巧0:觀察到損傷、但不能確定其精確值的一步計的定量的極限。
[0090]從上表2中的結果可W看出，實施例1至4的含有憐酸鹽化合物的蝕刻劑組合物都 表現出良好的蝕刻性能。例如，在使用實施例3的蝕刻劑組合物蝕刻銅基金屬層的情況下， 可W看出蝕刻劑組合物表現出良好的蝕刻輪廓和蝕刻線性，Mo-Ti尖端的長度也良好(0.09 μπι)，側蝕刻的變化滿足±0.1μπι的條件，甚至在200秒處也未能觀察到對氧化物半導體 (IGZOx)的傷害。
[0091 ]相反，在比較例1的不含憐酸鹽化合物的蝕刻劑組合物的情況下，可W看出蝕刻性 能良好且對IGZOx的損傷未檢出，但側蝕刻的變化非常大(0.53μπ〇。在比較例2的含有不足 量的憐酸鹽化合物的蝕刻劑組合物的情況下，蝕刻性能良好且對IGZOx的損傷未檢出，如比 較例1的情況那樣，側蝕刻的變化示出為〇.31μπι，表示比較例2的蝕刻劑組合物難W應用于 工藝。此外，在比較例3的含有過量的憐酸鹽化合物的蝕刻劑組合物的情況下，示出蝕刻性 能良好且側蝕刻隨排氣時間的變化小，但Mo-Ti尖端長達0.20μπι，也發生對IGZOx的損傷。
[0092] 如上所述，根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物能夠蝕刻W下全 部:柵電極和柵極線層、源電極/漏電極層和數據線層。
[0093] 此外，根據本發明的用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物具有的優點在于，當其 用W蝕刻銅基金屬層時，其不對在金屬層下方形成的氧化物半導體(IGZOx)層造成傷害。
【主權項】
1. 用于蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其基于所述組合物的總重量包括：l〇-25wt% 的過氧化氫(a); 1 -1 Owt %的檸檬酸(b); 0 · 05-2wt %的唑化合物(c); 0 · 001 -0 · 1 wt %的磷酸 鹽化合物(d); 1 _5wt %的多元醇表面活性劑(e);和余量的水(f)。2. 根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述唑化合物(c)包括選自由吡咯基化合 物、吡唑基化合物、咪唑基化合物、三唑基化合物、四唑基化合物、五唑基化合物、噁唑基化 合物、異噁唑基化合物、二唑基化合物和異二唑基化合物組成的組中的至少一種。3. 根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述磷酸鹽化合物（d)包括選自由磷酸 鈉、磷酸鉀和磷酸銨組成的組中的至少一種。4. 根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述多元醇表面活性劑(e)包括由甘油、 二甘醇、三甘醇、四甘醇和聚乙二醇組成的組中的至少一種。5. 根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，還包括選自由掩蔽劑和防腐蝕劑組成的組中 的至少一種。6. 根據權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述銅基金屬層是:銅或銅合金的單層結 構;或者包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅/鉬的多層結構;或包括鉬合金層和在鉬合金 層上形成的銅層的銅/鉬合金的多層結構;或包括形成于上鉬層和下鉬層之間的銅層的鉬/ 銅/鉬的多層結構；或包括形成于上鉬合金層和下鉬合金層之間的銅層的鉬合金/銅/鉬合 金的多層結構。7. 用于制造液晶顯示器陣列基板的方法，包括以下步驟： (1) 在基板上形成柵極線； (2) 在包括所述柵極線的基板上形成柵極絕緣層； (3) 在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導體層； (4) 在所述氧化物半導體層上形成源電極和漏電極;和 (5) 形成連接至所述漏電極的像素電極， 其中步驟（1)包括在所述基板上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅基金屬 層以形成柵極線，以及 步驟(4)包括在所述氧化物半導體層上形成銅基金屬層并用蝕刻劑組合物蝕刻所述銅 基金屬層以形成源電極和漏電極， 其中所述蝕刻劑組合物是根據權利要求1-5的任一項所述的蝕刻劑組合物。8. 根據權利要求7所述的方法，其中所述銅基金屬層是：銅或銅合金的單層結構；或者 包括鉬層和在鉬層上形成的銅層的銅/鉬的多層結構；或包括鉬合金層和在鉬合金層上形 成的銅層的銅/鉬合金的多層結構；或包括形成于上鉬層和下鉬層之間的銅層的鉬/銅/鉬 的多層結構;或包括形成于上鉬合金層和下鉬合金層之間的銅層的鉬合金/銅/鉬合金的多 層結構。9. 根據權利要求7所述的方法，其中所述液晶顯示器陣列基板是薄膜晶體管陣列基板。10. 液晶顯示器陣列基板，包括通過用根據權利要求1-5的任一項所述的蝕刻劑組合物 蝕刻而形成的柵極線、源電極和漏電極中的一個或更多個。
【文檔編號】C23F1/18GK106011859SQ201610134402
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月9日
【發明人】李鉉奎, 金煉卓, 梁圭亨, 鄭成珉
【申請人】東友精細化工有限公司