一種磁控濺射真空鍍膜設備的制造方法
【專利摘要】本發明屬于鍍膜機產品技術領域，具體公開一種磁控濺射真空鍍膜設備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，所述真空鍍膜室側壁上設有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的周圍設有開合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內設有立式的平面離子源。該真空鍍膜設備，工件薄膜沉積均勻，性能穩定，極大提高工件的鍍膜效率和效果，此外，設備簡單實用，制作成本低。
【專利說明】
一種磁控濺射真空鍍膜設備
技術領域
[0001 ]本發明屬于真空鍍膜技術領域，具體涉及一種磁控濺射真空鍍膜設備。【背景技術】
[0002]目前透明導電薄膜廣泛的應用于半導體和光伏行業，而透明導電薄膜的制備過程主要采用的是磁控濺射工藝，常規的主要是直流濺射和射頻濺射，在現有技術中，直流濺射和射頻濺射技術存在有以下缺點:
[0003]第一，直流濺射金屬氧化物制備透明導電薄膜時，在鍍膜過程中容易在靶材表面積累大量的電荷，導致靶材發生中毒，此外，直流濺射透明導電薄膜沉積速率仍然不夠快， 放電電壓工作過程中容易受到干擾，造成濺射過程中靶材表面放電不穩定，導致沉積薄膜不夠均勻，性能不夠穩定，使得透明導電薄膜在基材表面不能夠牢固附著等。
[0004]第二，射頻濺射設備對真空鍍膜設備的工藝和屏蔽要求高，鍍膜設備結構繁瑣，制作成本高，不便于大規模的推廣應用。
[0005]因此，研發一種沉積薄膜均勻，性能穩定，能在基材表面牢固附著，且結構簡單，制作成本低的磁控濺射真空鍍膜設備迫在眉睫。
【發明內容】
[0006]本發明的目的是克服現有技術的不足，公開一種磁控濺射真空鍍膜設備，該真空鍍膜設備，工件薄膜沉積均勻，性能穩定，極大提高工件的鍍膜效率和效果，此外，設備簡單實用，制作成本低。
[0007]為了達到上述技術目的，本發明是按以下技術方案實現的:
[0008]本發明所述的一種磁控濺射真空鍍膜設備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，所述真空鍍膜室側壁上設有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的的周圍設有開合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內設有立式的平面離子源。
[0009]作為上述技術的進一步改進，所述平面孿生磁控靶包括兩相對設置的立式長條型靶頭。
[0010]作為上述技術的更進一步改進，所述開合式擋板裝置包括擋板和驅動擋板能成打開或關閉狀態的驅動裝置。
[0011]在本發明中，所述平面離子源為直立于真空鍍膜室側壁上的長條形離子源。
[0012]在本發明中，所述真空鍍膜室側壁上的平面孿生磁控靶為至少兩組。
[0013]在本發明中，所述真空鍍膜室內設有用于安裝待鍍工件并能帶動待鍍工件轉動的旋轉工架臺。
[0014]在本發明中，所述控制電源為高功率中頻電源。
[0015]與現有技術相比，本發明的有益效果是:
[0016](1)本發明所述的真空濺射鍍膜機，由于設置有直立型平面孿生磁控靶以及安裝在平面孿生磁控靶周圍的開合式擋板裝置，具有較好的遮擋屏蔽作用，待鍍工件旋轉動作，提高了鍍層的膜厚均勻性和鍍膜效果；
[0017](2)本發明所述的真空濺射鍍膜機，由于設有直立于真空鍍膜室內的長條形離子源，長條形離子源的使用即可得到大面積、大范圍的多弧離子源，其充分利用多弧離化率高的特點，同時又降低離化時待鍍工件的表面溫度，使得沉積薄膜的顆粒細膩，同時也提高了膜層在待鍍工件表面的附著力；
[0018](3)本發明中，至少兩組孿生磁控靶結合高功率中頻電源的使用，能夠有效地避免金屬氧化物靶材表面中毒而無法穩定濺射鍍膜，中頻電源的使用能夠提高薄膜沉積速率， 提高生產效率。【附圖說明】
[0019]下面結合附圖和具體實施例對本發明做詳細的說明:
[0020]圖1是本發明所述的鍍膜機設備正面示意圖；
[0021]圖2是本發明所述的鍍膜機設備正面示意圖(擋板呈閉合狀態)；[〇〇22]圖3是本發明所述的鍍膜機設備正面示意圖(擋板呈開啟狀態)。【具體實施方式】
[0023]如圖1至圖3所示，本發明所述的一種磁控濺射真空鍍膜設備，包括帶有抽氣口 11 的真空鍍膜室1和控制電源，所述真空鍍膜室1側壁上設有兩組直立型平面孿生磁控靶2,所述平面孿生磁控靶2的的周圍設有開合式擋板裝置3,所述真空鍍膜室1側壁上設有立式的平面離子源4。
[0024]如圖1所示，所述平面孿生磁控靶2包括兩相對設置的立式長條型靶頭，所述平面離子源4為直立于真空鍍膜室1側壁上的長條形離子源。所述真空鍍膜室1內的中部還設有用于安裝待鍍工件10并能帶動待鍍工件10轉動的旋轉工架臺5,旋轉工架臺5帶動待鍍工件 10做實時的轉動，確保鍍膜的均勻性。
[0025]如圖2、圖3所示，所述開合式擋板裝置3包括擋板31和驅動擋板31能成打開或關閉狀態的驅動裝置32。如圖3所示，需要鍍膜時，驅動裝置32打開擋板31，所述擋板31遮擋住平面孿生磁控靶2的側面位置，確保孿生磁控靶2的濺射效果;如圖2所示，當不需要鍍膜時，驅動裝置32將擋板31閉合，具有較好地隔離屏蔽效果。
[0026]在本發明中，所述控制電源為高功率中頻電源，兩組孿生磁控靶2結合高功率中頻電源的使用，能夠有效地避免金屬氧化物靶材表面中毒而無法穩定濺射鍍膜，高功率中頻電源的使用能夠提高薄膜沉積速率，提高生產效率。
[0027]本發明并不局限于上述實施方式，凡是對本發明的各種改動或變型不脫離本發明的精神和范圍，倘若這些改動和變型屬于本發明的權利要求和等同技術范圍之內，則本發明也意味著包含這些改動和變型。
【主權項】
1.一種磁控濺射真空鍍膜設備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，其特征 在于:所述真空鍍膜室側壁上設有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的 的周圍設有開合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內設有立式的平面離子源。2.根據權利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述平面孿生磁控靶包 括兩相對設置的立式長條型靶頭。3.根據權利要求2所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述開合式擋板裝置包 括擋板和驅動擋板能成打開或關閉狀態的驅動裝置。4.根據權利要求1至3任一項所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述平面離 子源為直立于真空鍍膜室側壁上的長條形離子源。5.根據權利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述真空鍍膜室側壁上 的平面孿生磁控靶為至少兩組。6.根據權利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述真空鍍膜室內設有 用于安裝待鍍工件并能帶動待鍍工件轉動的旋轉工架臺。7.根據權利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設備，其特征在于:所述控制電源為高功率 中頻電源。
【文檔編號】C23C14/35GK106011765SQ201610556466
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月12日
【發明人】潘振強, 朱惠欽
【申請人】廣東振華科技股份有限公司