一種在硅表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法

文檔序號：10645739閱讀：805來源：國知局

一種在硅表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法
【專利摘要】本發明公開了一種在硅表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法。該裝置為離子源輔助脈沖陰極電弧裝置，制備方法包括下列步驟：將預先化學清洗的硅基片烘干，放置在旋轉樣品臺上；抽真空，通入氬氣到真空室，采用離子濺射源對硅基片表面進行物理清洗；以高純石墨作為脈沖電弧的陰極靶材，調節脈沖放電頻率，同時通入氮氣，打開離子源，分別制備原子化和離子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜。本發明實現了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮鍵/碳碳鍵的含量可調、碳氮鍵合類型和類石墨氮/類吡啶氮的結構可控。
【專利說明】
-種在括表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法
技術領域
[0001] 本發明設及一種在娃表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法，屬于材料表面改性技術領域。
【背景技術】
[0002] 自理論上預測到e-c3N4碳氮亞穩相W來，碳氮化物的研究引起了科技工作者極大的興趣，因為0-C3N4結構的硬度可能接近甚至超過金剛石，并且碳氮薄膜在光學、電學和機械等領域的應用表現出比相應碳薄膜更加優異的性能。其中，運些性能成功應用的關鍵在于控制薄膜中碳與氮原子的相對含量及其鍵合結構(sp2-sp2，sp3-sp 3和sp2-sp3)的類型和分布。雖然在實驗上對C3N4晶體的尋求工作仍然沒有成功，但是在此過程中，各種具有占優結構的碳氮材料的出現和制備為開發預期結構和性能的碳氮薄膜提供了潛在可能，如W分層、彎曲或交聯形式排列的類石墨、類富勒締和類化晚等結構。顯然，運些具有不同微觀結構的碳氮薄膜在電學、光學和機械性質上存在顯著差異，并取決于何種結構占據支配地位。因此，氮在碳基質網格中的存在方式(置換或嵌入)對運些結構的形成有明顯影響，而無論它與SP3雜化碳鍵合還是與SP2雜化碳鍵合。
[0003] 目前，大多數的研究工作主要集中在通過改進沉積技術和氮源的滲雜方式來控制碳氮薄膜中的氮含量和鍵合結構。例如，采用直流輝光放電的輔助方式或雙源等離子體沉積技術合成碳氮薄膜，或在薄膜沉積期間通過高能氮離子轟擊薄膜表面W提高氮含量，控制相組成和化學鍵結構。然而，已有的報道中并沒有對相組成和鍵結構的含量和分布進行有效控制和系統研究，同時不同的氮源供給方式與碳離子的能量和密度之間的相互作用關系也需要深入研究。考慮到脈沖陰極電弧的工作模式，當放電電壓一定時，碳等離子體的瞬時能量和密度可W通過脈沖頻率來調節。在運個過程中引入原子化和離子化的氮源，通過優化和匹配不同能量和密度的碳離子與氮源的能量和狀態，可W實現調控碳氮薄膜中氮含量、相組成和鍵結構的目的，運對于研究碳氮薄膜的制備工藝、得到具有預期結構和性能的非晶碳氮薄膜是一種積極有效的方法。

【發明內容】

[0004] 本發明旨在提供一種在娃表面制備非晶碳氮薄膜的裝置及方法，通過本發明制備的碳氮薄膜具有可控的相組成和化學鍵結構。
[0005] 本發明是通過W下技術方案實現的：本發明提供了一種在娃表面制備非晶碳氮薄膜的裝置，即為離子源輔助脈沖陰極電弧沉積裝置，包括真空室、瓣射離子源、脈沖陰極等離子弧裝置;真空室側壁安裝瓣射離子源和脈沖碳陰極電弧電源，脈沖碳陰極電弧電源連接脈沖石墨陰極祀，陰極祀外圈設有脈沖石墨陽極祀;真空室底部裝有圓形旋轉樣品臺，樣品臺中屯、正對脈沖石墨陰極祀，樣品臺下端在真空室外部連接偏壓電源;真空室上方設有氣氣進氣孔和氮氣進氣孔，前端設有氣氣流量計和氮氣流量計;真空室另一側設有抽氣通道，外側連接抽真空裝置。
[0006] 本發明提供了一種在娃表面制備非晶碳氮薄膜的方法，采用單晶娃片作為基底，通過離子源對娃基片表面進行瓣射清洗；W高純石墨作為陰極祀材，高純氮氣作為氮源，采用離子源輔助脈沖陰極弧等離子體放電技術，制備原子化氮或離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0007] 作為一種優選方案，在娃表面制備原子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的方法，包括W 下步驟： (1) 基體表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中分別超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀作為脈沖電弧的陰極，高純氮氣進氣口安置在脈沖石墨陰極祀附近； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到4Χ10-4~6Χ10-4化;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在3 X 10-2~6 X 10-2 Pa; 開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，然后冷卻至室溫； (4) 關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，同時開啟脈沖陰極電弧電源，調節陰極電壓在 300~350V，脈沖頻率為3~20 Hz,在旋轉的娃基片上沉積原子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜，沉積時間為5~20 min;制備得到原子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0008] 作為一種優選方案，在娃表面制備離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的方法，包括W 下步驟： (1) 基體表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中分別超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀作為脈沖電弧的陰極，高純氮氣進氣口安置在脈沖石墨陰極祀附近； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到4Χ10-4~6Χ10-4化;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在3 X 10-2~6 X 10-2 Pa; 開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，然后冷卻至室溫； (4) 關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，開啟離子源，同時開啟脈沖陰極電弧電源，調節陰極電壓在300~350V，脈沖頻率為3~20 Hz,在旋轉的娃基片上沉積離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜，沉積時間為5~20 min;制備得到離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0009] 上述制備方法中，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗的時間為10~15 min,氣離子的能量和束流密度分別為2~4 keV和15~25 A/m2。
[0010] 上述制備方法中，步驟（4)中，氮氣分壓為4 ΧΙΟ-2~4X10-1化，脈沖數為1500~ 3000。
[0011] 上述制備方法中，步驟(3)~(4)中瓣射清洗和沉積薄膜時旋轉樣品臺的轉速為1-3 r/min〇
[0012] 上述制備方法中，脈沖陰極電弧制備離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜時，氮離子能量為100~150 eV。
[0013] 本發明的有益效果： (1)采用本發明制備的非晶碳氮薄膜，氮原子在碳基質中分布均勻，碳與氮相對含量可控，因此薄膜內不存在元素富集，結構分布均勻； (2) 采用本發明制備的非晶碳氮薄膜，工藝可操作性強，可W在很大范圍內控制氮源和碳等離子體的能量和密度，實現工程中放大生產； (3) 采用本發明制備的非晶碳氮薄膜，可W通過改變脈沖頻率和氮源的方式(原子化和離子化)調節碳氮鍵與碳碳鍵、碳氮鍵合方式(N-sp2C和N-sp3C)、類石墨氮與類化晚氮結構的含量，因此可W實現非晶碳氮薄膜的相組成和化學鍵含量和結構可控的目的，有望有效調控其光電學、力學性能。
【附圖說明】
[0014] 圖1為本發明制備裝置的結構示意圖；圖2為實施例1制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅立葉變換圖；圖3為實施例2制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅立葉變換圖；圖4為實施例3制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅立葉變換圖；圖5為實施例4制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅立葉變換圖；圖6為實施例1制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖；圖7為實施例2制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖；圖8為實施例3制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖；圖9為實施例4制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖。
[0015] 圖1中：1、真空室；2、離子源;3、脈沖碳陰極電弧電源;4、脈沖石墨陰極祀;5、脈沖石墨陽極祀;6、旋轉樣品臺；7、偏壓電源;8、氣氣進氣孔;9、氮氣進氣孔；10、氣氣流量計； 11、氮氣流量計；12、抽氣通道;13、抽真空裝置。
【具體實施方式】
[0016] 下面通過實施例來進一步說明本發明，但不局限于W下實施例。
[0017] 本發明采用的在娃表面制備非晶碳氮薄膜的裝置即為離子源輔助脈沖陰極電弧鍛膜裝置，其結構如圖1所示，包括真空室1、瓣射離子源、脈沖陰極等離子弧裝置;真空室1 側壁安裝瓣射離子源2和脈沖碳陰極電弧電源3,脈沖碳陰極電弧電源3連接脈沖石墨陰極祀4,陰極祀外圈設有脈沖石墨陽極祀5;真空室1底部裝有圓形旋轉樣品臺6,樣品臺中屯、正對脈沖石墨陰極祀4,樣品臺下端在真空室外部連接偏壓電源7;真空室1上方設有氣氣進氣孔8和氮氣進氣孔9,前端設有氣氣流量計10和氮氣流量計11;真空室1另一側設有抽氣通道 12, 外側連接抽真空裝置13。
[001引實施例1: 采用圖1所示的裝置在娃基片表面制備原子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0019] 對直徑20 mm、厚度為0.5 mm的單晶娃基片進行試驗，其操作步驟如下： (1) 娃基片表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中各超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在如圖1所示的陰極電弧裝置的真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀作為脈沖電弧的陰極； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到6Χ10-4 Pa;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在5Χ10-2 Pa;開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，氣離子的能量和束流密度分別為3 KeV和25 A/m2,清洗時間15 min,然后冷卻至室溫； (4)關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，氮氣的流量由流量計控制，調節氮氣分壓在8 Χ10-2 Pa;同時開啟脈沖陰極電弧電源，調節陰極電壓在300V，脈沖頻率為3 Hz，脈沖數為 1500，在旋轉的娃基片上沉積原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜，樣品臺轉速2 r/min;沉積時間為8 min。
[0020] 實施例2: 采用圖1所示的裝置在娃基片表面制備離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0021] 對直徑20 mm、厚度為0.5 mm的單晶娃基片進行試驗，其操作步驟如下： (1) 娃基片表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中各超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在如圖1所示的陰極電弧裝置的真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀作為脈沖電弧的陰極； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到6Χ10-4 Pa;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在5Χ10-2 Pa;開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，氣離子的能量和束流密度分別為3 KeV和25 A/m2,清洗時間15 min,然后冷卻至室溫； (4) 關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，氮氣的流量由流量計控制，調節氮氣分壓在8 Χ10-2 Pa;開啟離子源，同時開啟脈沖陰極電弧蒸發源，調節陰極電壓在300,脈沖頻率為3 Hz,脈沖數為1500,在旋轉的娃基片上沉積離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜，樣品臺轉速2 r/ min,沉積時間8 min。
[0022] 圖2和圖3分別示出了實施例1和實施例2所制備的原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅里葉變化圖。圖中表明，原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜均具有無定形結構，在傅里葉變換圖的擴散暈中沒有觀察到任何衍射環的存在。
[0023] 圖6和圖7分別示出了實施例1和實施例2所制備的原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖。通過洛倫茲分峰擬合分析，原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜中均含有N-sp3C鍵、類化晚N-sp2C和類石墨N-sp2C鍵，對應的鍵結構相對含量比見表 1〇
[0024] 實施例3: 采用圖1所示的裝置在娃基片表面制備原子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[00巧]對直徑20 mm、厚度為0.5 mm的單晶娃基片進行試驗，其操作步驟如下： (1) 娃基片表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中各超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在如圖1所示的陰極電弧裝置的真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀安裝在脈沖陰極電弧電源上； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到6Χ10-4 Pa;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在5Χ10-2 Pa;開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，氣離子的能量和束流密度分別為3 KeV和25 A/m2,清洗時間15 min,然后冷卻至室溫； (4)關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，氮氣的流量由流量計控制，調節氮氣分壓在4 Χ10-2 Pa;同時開啟脈沖陰極電弧蒸發源，調節陰極電壓在300V，脈沖頻率為6 Hz，脈沖數為3000,在旋轉的娃基片上沉積原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜，樣品臺轉速2 r/min，沉積時間為8 min。
[0026] 實施例4: 采用圖1所示的裝置在娃基片表面制備離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜。
[0027] 對直徑20 mm、厚度為0.5 mm的單晶娃基片進行試驗，其操作步驟如下： (1) 娃基片表面處理:將單晶娃片依次放入丙酬溶液、乙醇溶液和去離子水中各超聲清洗10 min,除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的娃基片固定在如圖1所示的陰極電弧裝置的真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨祀安裝在脈沖陰極電弧的蒸發器上； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到6Χ10-4 Pa;通過進氣口通入氣氣到真空室內，氣氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在5Χ10-2 Pa;開啟旋轉樣品臺，采用離子源對娃基片進行瓣射清洗，氣離子的能量和束流密度分別為3 KeV和25 A/m2,清洗時間15 min,然后冷卻至室溫； (4) 關閉氣氣進氣口，打開氮氣進氣口，氮氣的流量由流量計控制，調節氮氣分壓在4 Χ10-2 Pa;同時開啟脈沖陰極電弧蒸發源，調節陰極電壓在300V，脈沖頻率為10 Hz，脈沖數為3000,在旋轉的娃基片上沉積離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜，樣品臺轉速2 r/min，沉積時間 5 min。
[0028] 圖4和圖5分別示出了實施例3和實施例4所制備的原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的透射電鏡照片及傅里葉變化圖。圖中表明，原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜均具有無定形結構，在傅里葉變換圖的擴散暈中沒有觀察到任何衍射環的存在。
[0029] 圖8和圖9分別示出了實施例3和實施例4所制備的原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜的Nls光電子能譜圖。通過洛倫茲分峰擬合分析，原子化和離子化氮滲雜的非晶碳氮薄膜中均含有N-sp3C鍵、類化晚N-sp2C和類石墨N-sp2C鍵，對應的鍵結構相對含量比見表 1〇
[0030] 表 1
結果表明，采用實施例2和實施例4制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜中具有較高的N- sp3C鍵含量和較低的類石墨氮含量，與實施例1和實施例3制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜相比，N-sp化/N-sp2C鍵含量比分別從ο. 25升高到ο. 45、0.16升高到ο. 20，類石墨氮/類化晚氮含量比分別從1.28降低到0.82、從1.15降低到1.02; 對實施例^實施例4制備的非晶碳氮薄膜的CIS光電子能譜進行高斯分峰擬合，相應的碳氮鍵/碳碳鍵含量比結果見表2。
[0031] 表2
結果表明，采用實施例2和實施例4制備的離子化氮滲雜非晶碳氮薄膜中具有較高的碳氮原子比含量和碳氮鍵含量，與實施例1和實施例3制備的原子化氮滲雜非晶碳氮薄膜相比，碳/氮原子比含量分別從0.06升高到0.09、從0.06升高到0.21，碳氮鍵/碳碳鍵含量比分別從1.08升高到1.22、從1.96升高到2.73。
[0032] 因此，本發明通過調節脈沖陰極頻率和氮氣分壓，引入離子瓣射源，能夠對制備的非晶碳氮薄膜的相組成和化學鍵的含量和結構進行調控，進而影響其光電學和力學性能，實現材料的表面改性。
【主權項】
1. 一種在硅表面制備非晶碳氮薄膜的裝置，其特征在于:包括真空室、濺射離子源、脈沖陰極等離子弧裝置;真空室側壁安裝濺射離子源和脈沖碳陰極電弧電源，脈沖碳陰極電弧電源連接脈沖石墨陰極靶，陰極靶外圈設有脈沖石墨陽極靶;真空室底部裝有圓形旋轉樣品臺，樣品臺中心正對脈沖石墨陰極革G，樣品臺下端在真空室外部連接偏壓電源;真空室上方設有氬氣進氣孔和氮氣進氣孔，前端設有氬氣流量計和氮氣流量計;真空室另一側設有抽氣通道，外側連接抽真空裝置。2. -種在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，采用權利要求1所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的裝置，其特征在于:采用單晶硅片作為基底，通過離子源對硅基片表面進行濺射清洗；以高純石墨作為陰極靶材，高純氮氣作為氮源，采用離子源輔助脈沖陰極弧等離子體放電技術，制備原子化氮或離子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜。3. 根據權利要求2所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于:包括以下步驟： (1) 基體表面處理:將單晶硅片依次放入丙酮溶液、乙醇溶液和去離子水中分別超聲清洗10 min，除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的硅基片固定在真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨靶作為脈沖電弧的陰極，高純氮氣進氣口安置在脈沖石墨陰極靶附近； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到4ΧΠΓ4~6ΧΠΓ4 Pa;通過進氣口通入氬氣到真空室內，氬氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在3 X 10-2~6 X 1(T2 Pa; 開啟旋轉樣品臺，采用離子源對硅基片進行濺射清洗，然后冷卻至室溫； (4) 關閉氬氣進氣口，打開氮氣進氣口，同時開啟脈沖陰極電弧電源，調節陰極電壓在 300~350V，脈沖頻率為3~20 Hz，在旋轉的硅基片上沉積原子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜，沉積時間為5~20 min;制備得到原子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜。4. 根據權利要求2所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于:包括以下步驟： (1) 基體表面處理:將單晶硅片依次放入丙酮溶液、乙醇溶液和去離子水中分別超聲清洗10 min，除去表面的油脂及其他污染物，然后將基體置于烘箱干燥待用； (2) 將預處理過的硅基片固定在真空室內的旋轉樣品臺上，高純石墨靶作為脈沖電弧的陰極，高純氮氣進氣口安置在脈沖石墨陰極靶附近； (3) 用抽真空裝置對真空室抽真空，使真空度達到4ΧΠΓ4~6ΧΠΓ4 Pa;通過進氣口通入氬氣到真空室內，氬氣的流量由流量計控制，使真空室氣壓穩定在3 X 10-2~6 X 1(T2 Pa; 開啟旋轉樣品臺，采用離子源對硅基片進行濺射清洗，然后冷卻至室溫； (4) 關閉氬氣進氣口，打開氮氣進氣口，開啟離子源，同時開啟脈沖陰極電弧電源，調節陰極電壓在300~350V，脈沖頻率為3~20 Hz，在旋轉的硅基片上沉積離子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜，沉積時間為5~20 min;制備得到離子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜。5. 根據權利要求3或4所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于:所述離子源對硅基片進行濺射清洗的時間為10~15 min，氬離子的能量和束流密度分別為2~4 keV 和15~25 A/m2。6. 根據權利要求3或4所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于:步驟(4) 中，氮氣分壓為4X 10_2~4X 10_1 Pa，脈沖數為1500~3000。7. 根據權利要求3或4所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于:所述旋轉樣品臺的轉速為1-3 r/min。8. 根據權利要求4所述的在硅表面制備非晶碳氮薄膜的方法，其特征在于：步驟(4)中脈沖陰極電弧制備離子化氮摻雜的非晶碳氮薄膜時，氮離子能量為100~150 eV。
【文檔編號】C23C14/32GK106011745SQ201610422751
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月15日
【發明人】周兵, 劉竹波, 王志峰
【申請人】太原理工大學

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