柔性印刷基板用銅合金箔、使用其而成的覆銅層疊體、柔性印刷基板和電子儀器的制造方法

柔性印刷基板用銅合金箔、使用其而成的覆銅層疊體、柔性印刷基板和電子儀器的制造方法
【專利摘要】本發明的課題是提供可以在FPC(CCL)制造步驟中即使在低溫或者短時間下的熱處理后，導電性和彎曲性也優異的柔性印刷基板用銅合金箔。本發明的解決手段是柔性印刷基板用銅合金箔，所述銅合金箔是包含96.30質量%以上的Cu以及作為添加元素的選自P、Si、Al、Ge、Ga、Zn、Ni和Sb中的一種以上的元素、包含余量的不可避免的雜質的銅合金箔，當以100μm×100μm的視野觀察表面時，以及以100μm寬度的范圍觀察其壓延平行斷面時，任一種情況中重結晶部的平均結晶粒徑都為0.1~3.0μm，且最大結晶粒徑為6μm以下。
【專利說明】
柔性印刷基板用銅合金菊、使用其而成的覆銅層疊體、柔性印 刷基板和電子儀器
技術領域
[0001] 本發明設及適合用于柔性印刷基板等的布線構件的銅合金錐、使用其而成的覆銅 層疊體、柔性布線板和電子儀器。
【背景技術】
[0002] 柔性印刷基板(柔性布線板，W下稱為"FPC'）由于具有柔性，因此廣泛地用于電路 的彎折部、可活動部。例如，在HDD、DVD和CD-ROM等的盤式相關儀器的可活動部、折疊式便攜 電話的彎折部等中使用FPC。
[0003] FPC是通過將層疊有銅錐和樹脂的Copper Clad Laminate(覆銅層疊體，W下稱為 CCL)進行蝕刻而形成布線，將其上通過被稱為覆蓋層的樹脂層進行被覆而成的。在層疊覆 蓋層的前階段中，作為W提高銅錐和覆蓋層的密合性為目的的表面改性步驟的一個環節， 進行銅錐表面的蝕刻。此外，為了降低銅錐的厚度、提高彎曲性，也有進行薄化蝕刻的情況。
[0004] 在任一種情況中，在蝕刻液中一般使用硫酸-過氧化氨系、過硫酸錠系。
[0005] 另一方面，在彎曲用銅錐中，如果銅錐表面上存在凹凸，則由于應力集中于凹部導 致發生破裂，彎曲性下降，因此需要表面平滑性。此外，如果銅錐的表面粗糖度大，則電路形 成性下降，不能形成細微的電路。特別地，近年來由于使用高頻頻帶的信號，因此為了抑制 傳輸損失，也變得需要銅錐表面的平滑化。
[0006] 作為減少在高頻用途中的導體損耗的高頻電路用銅錐，公開了銅錐包含距表面化 m深度的平均粒徑為0.3皿W上的粒狀結晶組織，對其表面通過電解蝕刻進行粗化處理的技 術(參考專利文獻1)。
[0007] 此外，作為最適合于實施極細間距加工的覆銅層疊板的壓延銅錐，公開了在無氧 銅中包含W質量比例計0.07~0.5%的Ag，0為10 ppmW下，S為10 ppmW下，Bi、化、Sb、Se、As、 Fe、Te和Sn的總計濃度為10 ppm W下的銅錐(參考專利文獻2)。
[000引此外，如果對壓延銅錐進行薄化蝕刻等，則存在蝕刻后的表面粗糖度和蝕刻前相 比變得粗糖的問題。此外，對于為了提高彎曲性而使晶粒粗大化的銅錐，由結晶取向引起的 蝕刻速度的差異會導致蝕刻后產生盆地狀的凹陷。
[0009] 因此，本
【申請人】開發了通過在銅錐中添加 Sn、Mg、I η和Ag中的一種W上，使FPC制造 步驟中的熱處理后的平均結晶粒徑細粒化至扣mW下，可W降低蝕刻后銅錐表面粗糖度的 技術(參考專利文獻3)。
[0010] 現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2006-351677號公報 專利文獻2:日本特開2003-96526號公報 專利文獻3:日本特許5356714號公報(權利要求1)。

【發明內容】

[0011] 發明所要解決的課題 但是，專利文獻3記載的技術預想的是，作為FPC(CCL)制造步驟中的熱處理，在300°C下 進行15分鐘的高溫長時間處理，為了在該條件下結晶能細粒化，規定了添加元素。
[0012] 然而，在近年來的FPC(CCL)制造步驟中，要求在更低溫度(200°C左右)或者更短時 間（5分鐘W下）下進行熱處理，在所述條件下，已經確認對于專利文獻3中記載的添加元素 (Sn、Mg、In和Ag)難W實現結晶的細粒化。此外，在蝕刻性之外，還要求優異的彎曲性。
[0013] 本發明是為了解決上述課題而作出的，目的在于提供柔性印刷基板用銅合金錐、 使用其而成的覆銅層疊體、柔性印刷基板和電子儀器，對于所述銅合金錐，即使在200°C左 右的低溫或者5分鐘W下的短時間下進行熱處理，導電性和彎曲性也優異。
[0014] 解決課題的手段 本發明人進行多種研究，結果發現，通過使用選自？、51、41、66、6曰、211、化和訊的添加元 素，即使在FPC制造步驟中的熱處理為更低溫(200°C左右)或者更短時間（5分鐘W下），晶粒 也能夠細粒化，可W提高彎曲性。也即是說，將上述添加元素用作對晶粒的細粒化有貢獻的 元素，并且調整冷社的加工度，由此即使在FPC制造步驟中進行低溫或者短時間的熱處理 后，晶粒也會細粒化。
[0015] 也即是說，本發明的柔性印刷基板用銅合金錐是包含96.30質量％W上的CuW及作 為添加元素的選自？、51、41、66、6曰、化、化和56中的一種^上的元素、包含余量的不可避免 的雜質的銅合金錐，當moOymXIOOym的視野觀察表面時，W及mooym寬度的范圍觀察其 壓延平行斷面時，任一種情況中重結晶部的平均結晶粒徑都為0.1~3.Ομπι，且最大結晶粒徑 為化mW下。
[0016] 此外，本發明的柔性印刷基板用銅合金錐是包含96.30質量％W上的CuW及作為添 加元素的選自？、5;[、41、66、6曰、2]1、化和513的一種^上的元素、包含余量的不可避免的雜質 的銅合金錐，在WlOOymXlOOwii的視野觀察320°CW上且10分鐘W下的高溫短時間或者240 下且20分鐘W上的低溫長時間的熱處理后的表面時，W及WlOOwii寬度的范圍觀察其 壓延平行斷面時，任一種情況中重結晶部的平均結晶粒徑都為0.1~3.Ομπι，且最大結晶粒徑 為化mW下。
[0017] 在本發明的柔性印刷基板用銅合金錐中，優選的是，W0.0066~0.0837質量％的范 圍包含P、W〇. 0102~0.1289質量%的范圍包含Si、W0.0308~0.3925質量%的范圍包含A1、W 0.0274~0.3466質量％的范圍包含Ge、W〇 . 0701~0.888質量％的范圍包含Ga、W〇 . 2920~ 3.6940質量%的范圍包含化、W〇. 0670~0.8500質量％的范圍包含Ni、W〇. 0322~0.4070質量％ 的范圍包含訊。
[001引優選所述平均結晶粒徑為0. ^2.5μπι，且最大結晶粒徑為如mW下。
[0019] 進一步，優選包含0.01~0.1質量％的5〇。
[0020] 本發明的覆銅層疊體層疊所述柔性印刷基板用銅合金錐和樹脂層而成。
[0021] 本發明的柔性印刷基板是使用所述覆銅層疊體，在所述銅合金錐上形成電路而成 的。
[0022] 本發明的電子儀器是使用所述柔性印刷基板而成的。
[0023] 發明效果 根據本發明，可W得到在FPC(CCL)制造步驟中即使在低溫或者短時間下進行熱處理 后，導電性和彎曲性也優異的柔性印刷基板用銅合金錐。
【附圖說明】
[0024] 圖1:顯示彎曲試驗方法的圖。
【具體實施方式】
[0025] W下將對本發明設及的銅合金錐的實施方式進行說明。應予說明，在本發明中，％ 只要沒有特別說明，都表示質量％。
[0026] < 組成〉 本發明設及的銅合金錐包含96.30質量％^上的〇1^及作為添加元素的選自？、51、八1、 66、6曰、2]1、化和訊中的一種^上的元素，包含余量的不可避免的雜質。
[0027] 在上述的專利文獻3記載的技術中，銅合金的半軟化溫度越高，則越使晶粒發生細 微化，從運一點出發，選擇Sn、Mg、In和Ag作為添加元素。但是，如果銅合金的半軟化溫度變 高，則由于重結晶溫度也變高，因此在200°C左右的低溫或者5分鐘W下的短時間下進行熱 處理時，有重結晶變得不充分的風險。因此，本發明人發現上述添加元素作為在低溫或者短 時間下進行熱處理也能重結晶的元素。此外，發現了使用上述添加元素進行重結晶化而得 的銅合金錐的彎曲性得到提高。
[0028] 雖然添加元素的添加量越多則晶粒越細微化，但存在導電性下降的傾向。從運些 問題出發，規定了各添加元素的含量的優選范圍。
[0029] 也即是說，優選的是，W0.0066~0.0837質量％的范圍包含P、W〇.0102~0.1289質 量%的范圍包含Si、W〇. 0308~0.3925質量%的范圍包含Al、W〇. 0274~0.3466質量%的范圍包 含Ge、W0.0701~0.8880質量％的范圍包含Ga、W0.2920~3.6940質量％的范圍包含211、^ 0.0670~0.8500質量%的范圍包含Ni、W〇. 0322~0.4070質量%的范圍包含訊。
[0030] 如果各添加元素的含量小于上述各下限值，則不能充分得到晶粒細微化的效果， 如果大于各上限值，則雖然晶粒會細微化，但存在導電性下降至小于60%的情況。此外，在P 的情況中，如果大于上限值，則重結晶溫度上升，在上述熱處理中無法進行重結晶。
[0031] <重結晶粒〉 W100皿X 100皿的視野觀察形成覆銅層疊體后經受了樹脂的固化熱處理的狀態的銅 合金錐表面;或，320°CW上且10分鐘W下的高溫短時間或者240°CW下且20分鐘W上的低 溫長時間的熱處理后的表面時，W及WlOOym寬度的范圍觀察其壓延平行斷面時，任一種情 況中重結晶部的平均結晶粒徑都為0.^3.Ομπι，且最大結晶粒徑為下。
[0032] 如上所述，本發明設及的銅合金錐用于柔性印刷基板，此時，層疊有銅合金錐和樹 脂的CCL由于在200~400°C下進行為使樹脂固化的熱處理，因此存在重結晶導致晶粒粗大化 的可能性。并且，如果重結晶部的平均結晶粒徑大于3.Ομπι，則在彎曲時由于會形成位錯胞， 因此彎曲性會下降。
[0033] 應予說明，雖然重結晶部的平均結晶粒徑越小越好，但使平均結晶粒徑小于0.1皿 在制造上存在困難。優選重結晶部的平均結晶粒徑為0.^2.5皿。
[0034] 因此，規定重結晶部的平均結晶粒徑為0.1~3.Ομπι。應予說明，針對將銅合金錐進 行上述熱處理后的表面規定平均結晶粒徑，其理由是，如上所述，對于CCL在200°C左右的低 溫下或者5分鐘W下的短時間的條件下將樹脂進行固化熱處理，因此要再現該溫度條件。應 予說明，該熱處理條件的規定是針對與樹脂層疊之前的銅合金錐的規定。作為高溫短時間 的熱處理條件的實例，可W舉出在350°C下5分鐘。作為低溫長時間的熱處理條件的實例，可 W舉出在200°C下30分鐘。此外，高溫短時間的熱處理的溫度上限為例如400°C，時間下限為 例如1分鐘。低溫長時間的熱處理的溫度下限為例如160°C，時間上限為例如60分鐘。
[0035] 并且，本發明的權利要求1設及的柔性印刷基板用銅合金錐規定為在與樹脂層疊 后形成覆銅層疊體之后的、經受了樹脂的固化熱處理的狀態的銅合金錐。此外，本發明的權 利要求2設及的柔性印刷基板用銅合金錐規定為與樹脂層疊之前對銅合金錐進行上述熱處 理時的狀態。
[0036] 平均結晶粒徑的測定為了避免誤差，對錐表面WlOOymXIOOym的視野觀察Ξ個視 野W上來進行。錐表面的觀察可W使用SIM(掃描離子顯微鏡，Scanning Ion Microscope) 或者沈Μ(掃描電子顯微鏡，Scanning Electron Microscope),基于JIS Η 0501求出平均結 晶粒徑。
[0037] 此外，重結晶部的最大結晶粒徑為6皿W下。
[0038] 使重結晶部的最大結晶粒徑為化mW下的理由是，即使重結晶部的平均結晶粒徑 為3. OymW下，但如果存在最大結晶粒徑大于6WI1的非常大的粒子，則彎曲時會形成位錯胞， 彎曲性會下降。優選重結晶部的最大結晶粒徑為如mW下。
[0039] 平均結晶粒徑的測定使用JIS H0501規定的切斷法來進行。此外，最大結晶粒徑的 測定是通過使用圖像解析軟件（例如，二弓3公司制LUZEX-F)對SIM圖像進行解析而求出 的。此時使用的圖像解析軟件是常規的軟件，因此使用任何軟件都沒有問題。
[0040] 此外，W10化m寬度的范圍觀察壓延平行斷面是指在沿著壓延方向100皿的長度 上，觀察厚度方向的斷面。
[0041] 應予說明，即使添加上述添加元素，但如果不控制冷社時的加工度，則可能不會細 微化。特別地，作為最終冷社(在重復退火和壓延的步驟整體之中，在最后的退火后進行的 精壓延）中的加工度，優選使η=1η(最終冷社后的板厚/最終冷社前的板厚)=3.5~7.5。
[0042] η小于3.5時，由于加工時的應變蓄積小，重結晶粒的核變少，因此有重結晶粒變得 粗大的傾向。η大于7.5時，應變過量地蓄積，成為晶粒成長的驅動力，有晶粒變得粗大的傾 向。進一步優選使η=5.5~7.5。
[0043] 本發明的銅合金錐可W例如W如下所述的方式制造。首先，在銅錠料中添加上述 添加物烙融、鑄造后，熱社，進行冷社和退火，進行上述的最終冷社，由此可W制造錐。
[0044] <覆銅層疊體和柔性印刷基板〉 此外，通過在本發明的銅合金錐上（1)流延樹脂前體(例如被稱為清漆的聚酷亞胺前 體)施加熱量使之聚合、（2)使用與基膜同種的熱塑性粘合劑將基膜疊層在本發明的銅合金 錐上，由此得到包括銅合金錐和樹脂基材的兩層的覆銅層疊體((XL)。此外，通過在本發明 的銅合金錐上疊層涂布有粘合劑的基膜，得到包括銅合金錐和樹脂基材及其之間的粘合層 的Ξ層的覆銅層疊體((XL)。制造運些CCL時，銅合金錐被熱處理而重結晶化。
[0045] 對它們使用光刻技術形成電路，根據需要對電路實施鍛敷，疊層覆蓋層，由此可W 得到柔性印刷基板(柔性布線板）。
[0046] 因此，本發明的覆銅層疊體層疊有銅錐和樹脂層而成。另外，本發明的柔性印刷基 板是在覆銅層疊體的銅錐上形成電路而成的。
[0047] 作為樹脂層，可W列舉出PET(聚對苯二甲酸乙二醋）、PI(聚酷亞胺）、LCP(液晶聚 合物）、PEN(聚糞二甲酸乙二醋），但不限定于此。此外，作為樹脂層，也可W使用它們的樹脂 膜。
[0048] 作為樹脂層和銅錐的層疊方法，可W在銅錐的表面上涂布形成樹脂層的材料，加 熱成膜。此外，將樹脂膜用作樹脂層，可W在樹脂膜和銅錐之間使用W下的粘合劑，也可W 不使用粘合劑將樹脂膜熱壓在銅錐上。但是，從不對樹脂膜施加多余的熱運一觀點出發，優 選使用粘合劑。
[0049] 當將膜用作樹脂層時，也可W將該膜經由粘合劑層層疊在銅錐上。此時，優選使用 與膜相同成分的粘合劑。例如，當將聚酷亞胺膜用作樹脂層時，優選粘合劑層也使用聚酷亞 胺系粘合劑。應予說明，在此所指的聚酷亞胺粘合劑是指包含酷亞胺鍵的粘合劑，也包括聚 酸酷亞胺等。
[0050] 應予說明，本發明不限定于上述實施方式。此外，只要能實現本發明的作用效果， 在上述實施方式中的銅合金也可W包含其他成分。
[0051 ] 例如，也可W通過粗化處理、防誘處理、耐熱處理或者上述組合對銅錐的表面實施 表面處理。 實施例
[0052] 接著，舉出實施例更詳細地對本發明進行說明，但本發明不限定于運些實施例。
[0053] 在純度99.96%?上的電解銅中分別添加表1所示的元素，在Ar氣氛下鑄造得到鑄 塊。鑄塊中的氧含量小于15ppm。將該鑄塊在900 °C下進行均質化退火后，熱社成厚度60mm之 后，將表面進行表面修整，重復冷社和退火，再W表1所示的加工度η進行最終冷社得到最終 厚度為33WI1的錐。對得到的錐施加200°C X30分鐘或者300°C X5分鐘的熱處理，得到銅錐樣 品。
[0化4] <評價〉 1.導電率 針對各銅錐樣品，基于JIS Η 0505,通過四端子法測定25°C的導電率(％IACS)。
[0化5] 2.粒徑 使用SIM(掃描離子顯微鏡，Scanning Ion Microscope)觀察各銅錐樣品表面，基于JIS Η 0501求出平均粒徑。此外，表面的最大粒徑和面積率是使用圖像解析軟件（二弓3公司制 LUZEX-巧解析SIM圖像而計算得出的。測定領域為表面的1 ΟΟμL? X 1 OOwii。
[0化6] 此外，使用FIB(聚焦離子束，focused ion beam)在壓延平行方向切斷加工銅錐樣 品，用SIM(掃描離子顯微鏡，Scanning Ion Microscope)觀察斷面，基于JIS Η 0501求出平 均粒徑。此外，斷面的最大粒徑和面積率是使用圖像解析軟件（二弓3公司制LUZEX-F)解析 SIM圖像而計算得出的。測定領域為沿著壓延方向100Μ1的長度。
[0化7] 3.是否有重結晶 將上述銅錐樣品（熱處理后的銅錐）的拉伸強度為最終冷社后的銅錐（熱處理前的銅 錐）的50%W下并且銅錐樣品的伸長率為最終冷社后的銅錐的1.7倍W上的情況判斷為在上 述熱處理后發生重結晶。除此之外的情況被認為是"未重結晶"。拉伸強度和伸長率是基于 JIS C 6515在25°C下測定的。
[0化引 4.彎曲性 在最終冷社后的厚度為33WI1的銅錐(熱處理前的銅錐）的單面上進行銅粗化鍛敷，層疊 聚酷亞胺膜(厚度27μπι)和錐，通過熱壓(4M化)貼合得到(XL樣品。應予說明，層疊膜時施加 200°CX30分鐘或者300°CX5分鐘的熱處理。因此，表2的"300°CX5分鐘"是在各銅錐樣品 中對銅錐單體的熱處理，或者層疊 CCL時的熱處理。在CCL樣品的銅錐部分上形成線寬為300 ym的規定的電路，得到FPC。通過圖1所示的IPC(美國印刷電路工業協會，Institute of Printed Circuits)彎曲試驗裝置，進行彎曲疲勞壽命的測定。該裝置是在振動產生驅動體 4上結合振動傳導構件3而成的構造，FPC1通過箭頭所示的螺絲2的部分與振動傳導構件3的 前端部的總計4處固定在裝置上。如果上下驅動振動傳導構件3,則FPC1的中間部會W規定 的曲率半徑r彎曲成發夾狀。在本試驗中，在W下的條件下求出重復彎曲時直到斷裂為止的 次數。
[0059] 應予說明，試驗條件如下所述:試驗片寬：12.7mm，試驗片長:200mm，試驗片的取樣 方向：W試驗片的長度方向與壓延方向相平行的方式取樣，曲率半徑r :2mm，振動行程： 20mm，振動速度:1500回/分鐘，彎曲疲勞壽命:從初期的電阻值起變高至大于10%的時間點。
[0060] 應予說明，將彎曲疲勞壽命為10萬次W上的情況評價為具有優異的彎曲性，將彎 曲疲勞壽命小于10萬次評價為彎曲性差。
[0061] 得到的結果如表1、表2所示。

[0062] 如由表1、表2表明，包含選自？、51、41、66、6曰、211、化和56中的一種^上的元素，且 在350°C下5分鐘或者在200°C下30分鐘的熱處理后表面的重結晶部的平均結晶粒徑為3μπι W下且最大結晶粒徑為下的各實施例的情況中，導電率為60%W上，同時彎曲性優異。
[0063] 另一方面，分別添加 Mg或者Sn作為添加元素的比較例1、2的情況中，在350°C下5分 鐘或者在200°C下30分鐘的熱處理中沒有重結晶，彎曲性差。認為其原因是，由于沒有重結 晶從而殘留壓延前的粗大晶粒，在彎曲時形成位錯胞。
[0064] 包含不含添加元素的純銅的比較例3的情況中，W及作為添加元素的P的含量小于 下限值的比較例6的情況中，由添加元素導致的對重結晶時的粗大化的抑制不充分，表面的 重結晶部的平均結晶粒徑大于3.Ομπι，最大結晶粒徑大于6μπι。其結果是彎曲性差。
[0065] 最終冷社中的加工度η大于7.5的比較例4的情況中，表面的重結晶部的平均結晶 粒徑大于3.Ομπι，最大結晶粒徑大于6μπι。其結果是彎曲性差。認為其原因是，由強加工導致 晶粒變得粗大，在彎曲時形成位錯胞。
[0066] 最終冷社中的加工度η小于3.5的比較例5、8的情況中，表面的重結晶部的最大結 晶粒徑也大于6μπι，彎曲性差。可W認為其原因是，由于低加工度從而殘留壓延前的粗大晶 粒，在彎曲時形成位錯基元。
[0067] Ge的含量大于優選上限值(0.3466質量％)的比較例7的情況中，雖然彎曲性優異但 導電率下降至小于60%。
[006引P的含量大于優選上限值(0.0837質量％)的比較例9的情況中，在350°C下5分鐘或 者在200°C下30分鐘的熱處理中沒有發生重結晶，并且導電率下降至小于60%。應予說明，比 較例9由于沒有發生重結晶，因此沒有對彎曲性進行評價。
【主權項】
1. 柔性印刷基板用銅合金箱，所述銅合金箱是包含96.30質量％以上的Cu以及作為添加 元素的選自？、3;^1、66、63、211、附和513中的一種以上的元素、包含余量的不可避免的雜質 的銅合金箱， 以100μL?Χ 100μπι的視野觀察表面時，以及以100μπι寬度的范圍觀察其壓延平行斷面時， 在任一情況中重結晶部的平均結晶粒徑為〇. 1~3. Ομπι，并且最大結晶粒徑為6μπι以下。2. 柔性印刷基板用銅合金箱，所述銅合金箱是包含96.30質量％以上的Cu以及作為添加 元素的選自？、3;^1、66、63、211、附和513中的一種以上的元素、包含余量的不可避免的雜質 的銅合金箱， 以100μπιΧ100μπι的視野觀察320°C以上且10分鐘以下的高溫短時間或者240°C以下且 20分鐘以上的低溫長時間的熱處理后的表面時，以及以100μπι寬度的范圍觀察其壓延平行 斷面時，在任一情況中重結晶部的平均結晶粒徑為0.1~3.Ομπι，并且最大結晶粒徑為6μπι以 下。3. 如權利要求1或2所述的柔性印刷基板用銅合金箱，其中以0.0066~0.0837質量％的范 圍包含Ρ、以0.0102~0.1289質量％的范圍包含Si、以0.0308~0.3925質量％的范圍包含Α1、以 0.0274~0.3466質量％的范圍包含Ge、以0.0701~0.888質量％的范圍包含Ga、以0.2920~ 3.6940質量％的范圍包含Zn、以0.0670~0.8500質量％的范圍包含Ni、以0.0322~0.4070質量％ 的范圍包含Sb。4. 如權利要求1~3中任一項所述的柔性印刷基板用銅合金箱，其中，所述平均結晶粒徑 為0 · 1~2 · 5μηι且最大結晶粒徑為5μηι以下。5. 如權利要求1~4中任一項所述的柔性印刷基板用銅合金箱，其中，進一步包含0.01~ 〇.1質量％的311。6. 覆銅層疊體，所述層疊體層疊有如權利要求1~5中任一項所述的柔性印刷基板用銅 合金箱和樹脂層。7. 柔性印刷基板，所述基板使用如權利要求6所述的覆銅層疊體，在所述銅合金箱上形 成電路而成。8. 電子儀器，所述儀器使用如權利要求7所述的柔性印刷基板而成。
【文檔編號】C22F1/08GK106011525SQ201610189970
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月30日
【發明人】坂東慎介, 冠和樹, 小野俊之
【申請人】Ｊｘ金屬株式會社