具有窗口的化學機械拋光墊的制作方法

具有窗口的化學機械拋光墊的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種化學機械拋光墊，其具有拋光層；端點檢測窗；子襯墊；以及堆疊粘著劑；其中子襯墊包括與端點檢測窗光通信的多個孔口；并且其中拋光層的拋光表面適用于襯底的拋光。
【專利說明】具有窗口的化學機械拋光墊
[0001] 本發明設及具有窗口的化學機械拋光墊。更具體地說，本發明設及一種化學機械 拋光墊，其包含拋光層;端點檢測窗;子襯墊；W及堆疊粘著劑;其中子襯墊包括與端點檢測 窗光通信的多個孔口；并且其中拋光層的拋光表面適用于襯底的拋光。
[0002] 半導體的生產典型地設及若干化學機械拋光(CMP)過程。在各種CMP過程中，拋光 墊(任選地與拋光溶液(例如含有研磨劑的拋光漿液或不含研磨劑的反應性液體)組合）W 平坦化或維持平坦度W用于接收后續層的方式從襯底移除物質。運些層的堆疊 W形成集成 電路的方式組合。
[0003] 用于晶片制造的拋光過程中的一個重要步驟是測定拋光終點。因此，已研發多種 平坦化端點檢測方法，例如設及晶片表面的光學現場測量的方法。所述光學技術設及提供 拋光墊，其具有對所選擇光波長透明的窗口。引導光束通過窗口到達被處理的晶片的表面 上，光束在晶片表面通過窗口反射回檢測器。基于返回信號，可測量晶片表面的特性W有助 于測定拋光步驟何時完成。
[0004] 具有窗口的化學機械拋光墊由例如羅伯茨(Roberts)在美國專利第5，605,760號 中披露。
[0005] 常規化學機械拋光墊配置具有窗口；然而，易于由于窗口凸出問題而增加拋光缺 陷。在一些具有窗口的拋光墊配置中，窗口從拋光平臺向外和向上凸出。相信運類向外和向 上窗口凸出由于凸出窗口與襯底之間的機械相互相用而增加拋光缺陷。
[0006] 常規具有窗口的化學機械拋光墊配置還傾向于在襯底拋光期間窗口的不均勻磨 損和拋光墊的拋光表面的調節。也就是說，在延長拋光和調節情況下，常規化學機械拋光墊 的窗口在邊緣處與窗口中屯、相比傾向于呈現更高的磨損。因此，隨時間推移，垂直于拋光側 面測量的窗口的厚度跨越窗框而變化。窗口厚度的變化增加可引起拋光終點測定的錯誤。 為了避免運類端點測定錯誤，拋光墊過早地更換和丟棄（即在拋光層仍具有剩余的適用于 拋光的表面時）。
[0007] 因此，仍然需要可緩解與具有窗口的常規化學機械拋光墊相關的窗口凸出和不均 勻窗口磨損問題的化學機械拋光墊設計。
[000引本發明提供化學機械拋光墊，其包含:拋光層，其具有中屯、軸、外周邊、拋光表面、 底部表面和從拋光表面到底部表面測量的垂直于拋光表面的平面的拋光層厚度Τρ;端點檢 測窗，其具有拋光側面、平臺側面和從拋光側面到平臺側面測量的垂直于拋光側面的窗口 厚度IV;子襯墊，其具有頂部表面、底部表面、多個孔口、外邊緣和從頂部表面到底部表面測 量的垂直于頂部表面的子襯墊厚度Ts;w及堆疊粘著劑;其中端點檢測窗并入化學機械拋 光墊中，其中拋光側面朝向拋光層的拋光表面安置;其中堆疊粘著劑插置在拋光層的底部 表面與子襯墊的頂部表面之間；其中多個孔口與端點檢測窗光通信;并且其中拋光層的拋 光表面適用于襯底的拋光。
[0009]本發明提供化學機械拋光墊，其包含:拋光層，其具有中屯、軸、外周邊、拋光表面、 底部表面和從拋光表面到底部表面測量的垂直于拋光表面的平面的拋光層厚度Τρ;端點檢 測窗，其具有拋光側面、平臺側面和從拋光側面到平臺側面測量的垂直于拋光側面的窗口 厚度Tw;子襯墊，其具有頂部表面、底部表面、多個孔口、外邊緣和從頂部表面到底部表面測 量的垂直于頂部表面的子襯墊厚度Ts;W及堆疊粘著劑;其中端點檢測窗并入化學機械拋 光墊，其中拋光側面朝向拋光層的拋光表面安置;其中堆疊粘著劑插置在拋光層的底部表 面與子襯墊的頂部表面之間；其中多個孔口與端點檢測窗光通信;其中子襯墊更包含多個 橫向部件;其中多個孔口由多個橫向部件分隔開;并且其中所述多個孔口包含至少Ξ個孔 口；其中所述多個孔口由Ξ個相鄰孔口組成;其中所述Ξ個相鄰孔口由內孔口、中屯、孔口和 外孔口組成；其中內孔口具有平行于拋光表面的平面的內孔口橫截面積Ai;其中中屯、孔口 具有平行于拋光表面的平面的中屯、孔口橫截面積A。;其中外孔口具有平行于拋光表面的平 面的外孔口橫截面積A。;其中所述多個橫向部件由內部件和外部件組成；其中內部件分隔 內孔口與中屯、孔口；其中外部件分隔中屯、孔口與外孔口；其中內孔口橫截面積Ai跨越子襯 墊厚度Ts為實質上恒定;其中中屯、孔口橫截面積Ac跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定;其中外 孔口橫截面積A。跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定;其中外孔口具有平行于橫越子襯墊厚度 Ts的拋光表面的平面的外孔口平均橫截面積Ao-avg;其中內孔口具有跨越子襯墊厚度Ts的平 行于拋光表面的平面的內孔口平均橫截面積Ai-avg ;其中中屯、孔口具有跨越子襯墊厚度Ts的 平行于拋光表面的平面的中屯、孔口平均橫截面積Ac-avg;其中0.75 X Ao-avg < Ai-avg。. 25 X Ao-avg;其中0.5 X (Ai-avg+Ao-avg) < Ac。. 25 X (Ai-avg+Ao-avg);其中端點檢測窗具有平行于拋 光表面的平面的窗口橫截面積Wa ;其中窗口橫截面積跨越窗口厚度IV為實質上恒定;其中 端點檢測窗具有沿端點檢測窗的窗口長維度LDw測量的平行于拋光表面的平面的窗口長度 Wl;其中端點檢測窗具有沿端點檢測窗的窗口短維度SDw測量的平行于拋光表面的平面的窗 口寬度Ww;其中窗口長維度LDw垂直于窗口短維度SDw;其中拋光層具有拋光表面的平面上的 拋光層徑線PLr，其與中屯、軸相交并且延伸穿過拋光層的外周邊;其中端點檢測窗并入化學 機械拋光墊使得窗口長維度LDw在拋光表面的平面上投射窗口長維度投影pLDw;其中窗口長 維度投影化Dw與拋光層徑線化R實質上一致;其中多個孔口具有沿多個孔口的孔口長維度 LDa測量的平行于拋光表面的平面的孔口長度Al ;其中多個孔口具有沿多個孔口的孔口短維 度SDa測量的平行于拋光表面的平面的孔口寬度Aw;其中孔口長維度LDa垂直于孔口短維度 SDa ;其中多個孔口整合入子襯墊使得孔口長維度LDa在拋光表面的平面上投射孔口長維度 投影pLDa;其中孔口長維度投影pLDa與窗口長維度投影pLDw實質上一致;其中內部件具有沿 多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面的平面的內部件寬度WiM;其中外部件具 有沿多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面的平面的外部件寬度WoM;其中內孔 口具有沿多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面的平面的內孔口維度化;其中外 孔口具有沿多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面的平面的外孔口維度D。;其中 多個孔口的孔口長度Al跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口的孔口寬度Aw為實質上恒定； 其中多個孔口具有跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口的孔口寬度Aw的平均孔口長度 AL-avg;其中多個孔口的孔口寬度Aw跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口的孔口長度Al為實 質上恒定;其中多個孔口具有跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口的孔口長度Al的多個孔 口的平均孔口寬度Aw-avg;其中AL-avg < WL-avg;其中Aw-avg < Ww-avg;并且其中拋光層的拋光表面 適用于襯底的拋光。
[0010]本發明提供拋光方法，其包含：提供化學機械拋光設備，其具有桌臺、光源和光傳 感器;提供襯底;提供根據本發明的化學機械拋光墊;將化學機械拋光墊安置在桌臺上，并 且安置拋光表面遠離桌臺；任選地在拋光表面與襯底之間的界面處提供拋光介質;在拋光 表面與襯底之間產生動態接觸，其中從襯底移除至少一些物質；W及通過使來自光源的光 傳遞通過端點檢測窗并且分析反射離開襯底、通過端點檢測窗反射回來并且入射到光傳感 器的光來測定拋光終點。
【附圖說明】
[0011] 圖1是本發明的化學機械拋光墊的俯視透視圖的說明。
[0012] 圖2是本發明的化學機械拋光墊的俯視平面圖。
[0013] 圖3是圖2的端點檢測窗的俯視平面圖。
[0014] 圖4是本發明的化學機械拋光墊沿圖1中的線X-X的橫截面、切面俯視平面圖。
[0015] 圖5是圖4中的多個孔口的細節。
[0016] 圖6是本發明的化學機械拋光墊的橫截面、切面、正視圖的說明。
[0017] 圖7是本發明的化學機械拋光墊的橫截面、切面、正視圖的說明。
[0018] 圖8是本發明的化學機械拋光墊的橫截面、切面、正視圖的說明。
[0019] 圖9是本發明的化學機械拋光墊的橫截面、切面、正視圖的說明。
[0020] 圖10是本發明的化學機械拋光墊的橫截面、切面、正視圖的說明。
[0021] 圖11是本發明的化學機械拋光墊的俯視透視圖的說明。
[0022] 圖12是多個孔口的俯視平面圖。
[0023] 圖13是多個孔口的俯視平面圖。
[0024] 圖14是多個孔口的俯視平面圖。
[0025] 圖15是端點檢測窗的拋光側面的俯視平面圖。
【具體實施方式】
[0026]
【申請人】意外發現根據本發明配置的化學機械拋光墊中的窗口對窗口凸出和不均 勻窗口磨損具有抗性，幫助最小化可由窗口凸出引起的拋光缺陷W及通過降低不均勻窗口 磨損和相關過早拋光墊廢棄來最大化拋光墊使用壽命。
[0027] 如本文中和所附權利要求書中關于具有含有拋光表面（14)的拋光層(20)的化學 機械拋光墊（10)所用的術語"總厚度，時'意指在垂直于拋光表面（14)的方向上從拋光表面 (14)到子襯墊(25)的底部表面(27)所測量的化學機械拋光墊的厚度。（參見圖1和圖6-10)。
[0028] 如本文中和所附權利要求書中關于具有含有拋光表面（14)的拋光層(20)的化學 機械拋光墊（10)所用的術語"平均總厚度，Ττ-avg"意指在垂直于拋光表面（14)的平面(28)的 方向上從拋光表面（14)到子襯墊(25)的底部表面(27)所測量的化學機械拋光墊的總厚度 Ττ的平均值。（參見圖1和圖6-10)。
[0029] 如本文中和所附權利要求書中關于具有拋光側面(31)的端點檢測窗（30)所用的 術語"窗口厚度，TV'意指在垂直于拋光側面(31)的方向上從拋光側面（31)到端點檢測窗
[30] 的平臺側面(32)所測量的端點檢測窗的厚度。（參見圖6-10)。
[0030]如本文中和所附權利要求書中關于具有拋光側面(31)的端點檢測窗（30)所用的 術語"平均窗日厚度，Tw-avg"意指在垂直于拋光側面(31)的方向上從拋光側面(30到端點檢 測窗(30)的平臺側面(32)所測量的窗口厚度IV的平均值。（參見圖6-10)。
[0031] 如本文中和所附權利要求書中關于具有拋光表面（14)的拋光層(20)所用的術語 "拋光層厚度，Tp"意指在垂直于拋光表面（14)的方向上從拋光表面（14)到拋光層(20)的底 部表面(17)所測量的拋光層的厚度。（參見圖6-10)。
[0032] 如本文中和所附權利要求書中關于具有拋光表面（14)的拋光層(20)所用的術語 "平均拋光層厚度，Tp-avg"意指在垂直于拋光表面（14)的方向上從拋光表面（14)到拋光層 (20)的底部表面(17)所測量的拋光層厚度Tp的平均值。（參見圖6-10)。
[0033] 如本文中和所附權利要求書中關于具有頂部表面(26)的子襯墊(25)所用的術語 "子襯墊厚度，Ts"意指在垂直于頂部表面(26)的方向上從頂部表面(26)到子襯墊(25)的底 部表面(27)所測量的子襯墊的厚度。（參見圖6-10)。
[0034] 如本文中和所附權利要求書中關于具有頂部表面(26)的子襯墊(25)所用的術語 "平均子襯墊厚度，Ts-avg"意指在垂直于頂部表面(26)的方向上從頂部表面(26)到子襯墊 (25)的底部表面(27)所測量的子襯墊厚度Ts的平均值。（參見圖6-10)。
[0035] 如本文中和所附權利要求書中關于既定孔口所用的術語"孔口橫截面積"（例如內 孔口橫截面積Ai;中屯、孔口橫截面積A。;外孔口橫截面積A。)意指在平行于拋光表面(28)的 平面的平面中孔口的幾何橫截面積。（參見圖5)。
[0036] 如本文中和所附權利要求書中關于既定孔口所用的術語"平均橫截面積"（例如內 孔口平均橫截面積Ai-avg ;中屯、孔口平均橫截面積As-avg ;外孔口平均橫截面積Ao-avg)意指在 跨越子襯墊厚度Ts的平行于拋光層(20)的平面(28)的平面中孔口的平均幾何體的橫截面 積。（參見圖5)。
[0037] 如本文中和所附權利要求書中關于既定橫截面積(例如內孔口橫截面積Ai;中屯、 孔口橫截面面積A。;外孔口橫截面積A。;端點檢測窗橫截面積Wa)所用的術語"實質上恒定" 意指跨越相關厚度的橫截面積變化小于10% (例如平行于拋光表面的平面的既定孔口的最 小橫截面積含0.90 X跨越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表面的平面的孔口的最大橫截面積； 平行于拋光表面的平面的端點檢測窗的最小橫截面積^0.90 X跨越窗口厚度IV的平行于 拋光表面的平面的端點檢測窗的最大橫截面積）。（參見圖3和圖5)。
[0038] 如本文中和所附權利要求書中關于既定維度(例如孔口寬度Aw;孔口長度Al;窗口 長度Wl;窗口寬度Ww;內孔口維度化;外孔口維度D。；內部件寬度WiM;外部件寬度WoM)所用的術 語"實質上恒定"意指跨越相關厚度的相關特征的維度變化小于10% (例如最小窗口長度> 0.90 X跨越窗口厚度Tw和跨越窗口寬度Ww的端點檢測窗的最大窗口長度;最小內部件寬度 > 0.90 X多個孔口的跨越子襯墊厚度Ts和跨越孔口寬度Aw的最大內部件寬度）。（參見圖1- 10)。
[0039] 如本文中和所附權利要求書中關于拋光表面(14)的平面(28)上的投影(例如窗口 長維度投影pLDw;孔口長維度投影pLDa)與平面(28)上的拋光層徑線PLr所用的術語"實質上 一致"意指投影(例如pLDw、pLDa)與拋光層徑線PLrWO到10°的角度相交。（參見圖1)。
[0040] 如本文中和所附權利要求書中關于化學機械拋光墊（10)所用的術語"實質上圓形 截面"意指橫斷面的從中屯、軸（12)到拋光層(20)的拋光表面(14)的外周邊（15)的最長半徑 r比橫斷面的從中屯、軸（12)到拋光表面（14)的外周邊（15)的最短半徑r長<20%。（參見圖 1)。
[0041] 如本文中和所附權利要求書中所用，術語"拋光介質"涵蓋含有顆粒的拋光溶液和 不含顆粒的拋光溶液，例如無研磨劑并且反應性的液體拋光溶液。
[0042] 如本文中和所附權利要求書中所用，術語"聚(氨基甲酸醋r涵蓋(a)由（i)異氯酸 醋與（ii)多元醇(包括二醇）的反應形成的聚氨基甲酸醋;和(b)由（i)異氯酸醋與（ii)多元 醇（包括二醇）和（iii)水、胺(包括二胺和多元胺)或水與胺(包括二胺和多元胺）的組合的 反應形成的聚(氨基甲酸醋）。
[0043] 本發明的化學機械拋光墊（10)優選適用于圍繞中屯、軸（12)旋轉。優選地，化學機 械拋光墊（10)適用于在拋光表面（14)的平面（28)中W與中屯、軸（12)成85°到95° (更優選 88°到92%最優選90°)角度的方式旋轉。（參見圖1和圖11)。
[0044] 優選地，本發明的化學機械拋光墊（10)經設計W有助于選自磁性襯底、光學襯底 和半導體襯底中的至少一個的襯底的拋光。更優選，本發明的化學機械拋光墊（10)經設計 W有助于半導體襯底的拋光。
[0045] 本發明的化學機械拋光墊（10)包含：拋光層（20)，其具有中屯、軸（12)、外周邊 (15)、拋光表面（14)、底部表面（17)和從拋光表面（14)到底部表面（17)測量的垂直于拋光 表面（14)的平面(28)的拋光層厚度Tp;端點檢測窗（30)，其具有拋光側面(31)、平臺側面 (32)和從拋光側面(31)到平臺側面(32)測量的垂直于拋光側面(31)的窗口厚度IV;子襯墊 (25)，其具有頂部表面(26)、底部表面(27)、多個孔口（40)、外邊緣(29)和從頂部表面(26) 到底部表面(27)測量的垂直于頂部表面(26)的子襯墊厚度Ts;W及堆疊粘著劑(23);其中 端點檢測窗(30)并入化學機械拋光墊（10)，其中拋光側面(31)朝向拋光層(20)的拋光表面 (14)安置;其中堆疊粘著劑(23)插置在拋光層(20)的底部表面(17)與子襯墊(25)的頂部表 面(26)之間；其中多個孔口（40)與端點檢測窗（30)光通信;并且其中拋光層(20)的拋光表 面(14)適用于襯底的拋光(參見圖1-11)。
[0046] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，拋光層(20)是包含選自W下各者的 聚合物的聚合材料:聚碳酸醋、聚諷、尼龍、聚酸、聚醋、聚苯乙締、丙締酸聚合物、聚甲基丙 締酸甲醋、聚氯乙締、聚氣乙締、聚乙締、聚丙締、聚下二締、聚乙締亞胺、聚（氨基甲酸醋）、 聚酸諷、聚酷胺、聚酸酷亞胺、聚酬、環氧樹脂、娃酬、EPDM和其組合。更優選地，拋光層包含 聚(氨基甲酸醋）。最優選地，拋光層包含聚氨基甲酸醋。優選地，拋光層(20)更包含多個微 元件。優選地，所述多個微元件均勻地分散遍及拋光層(20)。優選地，所述多個微元件選自 夾帶的氣泡、空屯、聚合材料、液體填充的空屯、聚合材料、水溶性材料、不可溶相材料(例如礦 物油）和其組合。更優選地，所述多個微元件選自均勻地分布遍及拋光層(20)的包埋氣泡和 空屯、聚合材料。優選地，所述多個微元件的加權平均直徑小于150μπι(更優選小于50μπι;最優 選是10到50μπ〇。優選地，所述多個微元件包含具有聚丙締臘或聚丙締臘共聚物殼壁的聚合 微氣球(例如來自阿克蘇諾貝爾(Akzo Nobel)的Ε碑ancd?)。優選地，多個微元件W0到35 體積％孔隙率(更優選10到25體積％孔隙率)并入拋光層(20)中。本領域的普通技術人員將 理解選擇具有適用于化學機械拋光墊（10) W用于既定拋光操作的拋光層厚度Tp的拋光層 (20)。優選地，拋光層(20)呈現垂直于拋光表面（14)的平面(28)的平均拋光層厚度Tp-avg。更 優選地，平均拋光層厚度Tp-avg是20到150密耳(更優選是30到130密耳;最優選是70到90密 耳）。（參見圖6-10)。
[0047] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，拋光層(20)具有拋光表面（14)，其中 拋光表面（14)具有巨紋理和有助于襯底的拋光的巨紋理中的至少一個。優選地，拋光表面 (14) 具有巨紋理，其中巨紋理經設計W執行W下中的至少一個：（i)緩解打滑中的至少一 種；（ii)影響拋光介質流；（iii)改良拋光層的硬度；（iv)降低邊緣效應；W及(V)促進拋光 殘渣轉移離開拋光表面與襯底之間的區域。
[0048] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，拋光層(20)具有拋光表面（14)，其中 拋光表面（14)具有選自穿孔和凹槽中的至少一個的巨紋理。優選地，穿孔從拋光表面（14) W部分或完全通過拋光層（20)的拋光層厚度Tp的方式延伸。優選地，拋光表面（14)具有配 置在拋光表面（14)上的凹槽使得當化學機械拋光墊（10)在拋光期間旋轉時，至少一個凹槽 掃過襯底。優選地，凹槽選自曲面凹槽、線形凹槽和其組合。凹槽呈現含10密耳；優選10到 150密耳的深度。優選地，凹槽形成包含至少兩個凹槽的凹槽圖案，其具有選自含10密耳、> 15密耳W及15到150密耳的深度組合;選自含10密耳和10到100密耳的寬度；W及選自> 30 密耳、> 50密耳、50到200密耳、70到200密耳W及90到200密耳的間距。
[0049] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，端點檢測窗（30)選自由W下各者組 成的群:整體窗口和插入窗口（plug in place window)。更優選地，端點檢測窗(30)選自由 W下各者組成的群：（a)整體窗口，其中整體窗口并入拋光層(20)(參見圖6-7); (b)插入窗 口，其中插入窗口并入子襯墊(25)的化學機械拋光墊(參見圖8); (C)插入窗口，其中插入窗 口并入堆疊粘著劑(23)上的化學機械拋光墊(參見圖9-10)。最優選地，端點檢測窗(30)是 整體窗口，其中整體窗口并入拋光層(20)(參見圖6-7)。本領域的普通技術人員將知道如何 選擇端點檢測窗(30)的構造的合適材料。
[0050] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，端點檢測窗（30)具有平行于拋光表 面（14)的平面(28)的窗口橫截面積Wa。優選地，窗口橫截面積Wa跨越窗口厚度IV為實質上恒 定。（參見圖1-圖3)。
[0051] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，端點檢測窗（30)具有沿平行于拋光 表面(14)的平面(28)的端點檢測窗(30)的窗口長維度LDw測量的窗口長度Wl;其中端點檢測 窗(30)具有沿平行于拋光表面(14)的平面(28)的端點檢測窗(30)的窗口短維度SDw測量的 窗口寬度Ww;其中窗口長維度LDw垂直于窗口短維度SDw;其中拋光層(20)具有拋光表面（14) 的平面(28)上的拋光層徑線化R，其與中屯、軸（12)相交并且延伸通過拋光層（20)的外周邊 (15) ;其中端點檢測窗（30)并入拋光墊（10)使得窗口長維度LDw在拋光表面（14)的平面 (28)上投射窗口長維度投影化Dw;其中窗口長維度投影化Dw與拋光層徑線化R實質上一致 (參見圖1)。優選地，窗口長度Wl跨越窗口厚度Tw為實質上恒定。更優選地，窗口長度Wl跨越 窗口厚度Tw和跨越窗口寬度Ww為實質上恒定。優選地，端點檢測窗（30)跨越窗口厚度IV和跨 越窗口寬度Ww具有平均窗口長度WL-avg;其中平均窗口長度WL-avg是35到75mm(更優選是44到 70mm;更優選是50到65mm;最優選是55到60mm)。優選地，窗口寬度Ww跨越窗口厚度IV為實質 上恒定。更優選地，窗口寬度％跨越窗口厚度IV和跨越窗口長度恥為實質上恒定。優選地，端 點檢測窗(30)跨越窗口厚度IV和跨越窗口長度Wl具有平均窗口寬度Ww-avg ;其中平均窗口寬 度Ww-avg是6到40mm(更優選是10到35mm;更優選是15到25mm;最優選是19到21mm)。（參見圖1- 圖3)。
[0052] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)包含選自由W下各者組 成的群的材料:開孔泡沫、閉孔泡沫、編織材料、非編織材料(例如拉合、紡粘和針刺材料)和 其組合。本領域的普通技術人員已知選擇用于子襯墊(25)的合適材料。
[0053] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)從子襯墊(25)的底部表面(27)延伸到子襯墊(25)的頂部表面(26)。（參 見圖6-圖10)。
[0054] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊（25)更包含多個橫向部件 (35);其中多個孔口（40)由多個橫向部件(35)分隔開;并且其中所述多個孔口（40)包含至 少Ξ個孔口。（參見圖4-圖10)。
[0055] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中內孔口（41)具有平行于拋光表面（14)的平面(28)的 內孔口橫截面積Ai;其中中屯、孔口（45)具有平行于拋光表面（14)的平面(28)的中屯、孔口橫 截面積A。;其中外孔口（47)具有平行于拋光表面(14)的平面(28)的外孔口橫截面積A。;其中 多個橫向部件(35)由內部件(33)和外部件(36)組成;其中內部件(33)分隔內孔口（42)與中 屯、孔口（45);并且其中外部件(36)分隔中屯、孔口（45)與外孔口（47)。優選地，內孔口橫截面 積Ai跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。優選地，中屯、孔口橫截面積Ac跨越子襯墊厚度Ts為實 質上恒定。優選地，外孔口橫截面積A。跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。更優選地，內孔口橫 截面積Ai跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定；中屯、孔口橫截面積Ac跨越子襯墊厚度Ts為實質 上恒定;并且外孔口橫截面積A。跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。（參見圖4-圖10)。
[0056] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)具有平行于拋光表面（14)的平面(28)的沿所述多個孔口（40)的孔口長 維度LDa測量的孔口長度Al;其中所述多個孔口（40)具有沿所述多個孔口（40)的孔口短維度 SDa測量的平行于拋光表面（14)的平面(28)的孔口寬度Aw;其中孔口長維度LDa垂直于孔口 短維度SDa;其中所述多個孔口（40)整合入子襯墊(25)使得孔口長維度LDa在拋光表面（14) 的平面(28)上投射孔口長維度投影pLDa;其中孔口長維度投影pLDa與窗口長維度投影pLDw 實質上一致。優選地，多個孔口（40)的孔口長度Al跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。更優選 地，多個孔口（40)的孔口長度Al跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的孔口寬度Aw為 實質上恒定。優選地，多個孔口（40)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口（40)的孔口寬 度Aw的平均孔口長度AL-avg;其中平均孔口長度AL-avg是28到69mm(優選是37到64;更優選是43 到59mm;最優選是48到54mm)。優選地，多個孔口（40)具有平均孔口長度AL-avg;其中AL-avg < WL-avg (優選地，Akavg < Wkavg ;更優選地，0.75 X WkavgAL-avg < 0.95 X WL-avg ;最優選地，0.85 X WL-avg < AL-avg < 0.9 X WL-avg )。優選地，多個孔口（ 40 )的孔口寬度Aw跨越子襯墊厚度Ts為實質 上恒定。更優選地，多個孔口（40)的孔口寬度Aw跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的 孔口長度Al為實質上恒定。優選地，多個孔口（40)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口 (40)的孔口長度Al的平均孔口寬度Aw-avg;其中平均孔口寬度Aw-avg是3到34mm(優選是巧U 29mm;更優選是7.5到20mm;最優選是10到15mm)。優選地，多個孔口（40)具有平均孔口寬度 Aw-avg ;其中 Aw-avg < Ww-avg (優選地，Aw-avg < Ww-avg ;更優選地，0.5 X Ww-avg < Aw-avg < 0.7 5 X Ww-avg ;最優選地，0.6 X Ww-avg < Aw-avg < 0.7 X Ww-avg )。（參見圖 1 -圖 10 )。
[0057] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中內孔口（41)具有跨越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表 面(14)的平面(28)的內孔口平均橫截面積Ai-avg;其中中屯、孔口（45)具有跨越子襯墊厚度Ts 的平行于拋光表面(14)的平面(28)的中屯、孔口平均橫截面積Ac-avg;其中外孔口（47)具有跨 越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表面（14)的平面(28)的外孔口平均橫截面積Ao-avg;并且其中
[0058] 0.75 X Ao-avg < Ai-avg。.化 X Ao-avg
[0化9](優選地，其中 0.9 X Ao-avg < Ai-avg。. 1 X Ao-avg ;更優選地，其中 0.95 X Ao-avg < Ai-avg ^ 1.05 X Ao-avg ;巧優選地，其中 Ao-avg二 Ai-avg) 〇 (參見圖4-圖 10 ) 〇 [0060]優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中內孔口（41)具有跨越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表 面(14)的平面(28)的內孔口平均橫截面積Ai-avg;其中中屯、孔口（45)具有跨越子襯墊厚度Ts 的平行于拋光表面(14)的平面(28)的中屯、孔口平均橫截面積Ac-avg;其中外孔口（47)具有跨 越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表面（14)的平面(28)的外孔口平均橫截面積Ao-avg;并且其中
[0061 ] 0.5 X (Ai-avg+Ao-avg) < Ac < 1.25 X (Ai-avg+Ao-avg)
[00 創（優選地，其中 0.75Χ(Α?-3ν8+Α0-3ν8)^Α0-3ν8^.1Χ(Α?-3ν8+Α0-3ν8);更優選地，其中 0.9 X ( Ai-avg+Ao-avg ) ^ Ac-avg ^ 0.9 5 X ( Ai-avg+Ao-avg ))0(參見圖4-圖 10) 0
[0063] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中內孔口（41)具有跨越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表 面(14)的平面(28)的內孔口平均橫截面積Ai-avg;其中中屯、孔口（45)具有跨越子襯墊厚度Ts 的平行于拋光表面(14)的平面(28)的中屯、孔口平均橫截面積Ac-avg;其中外孔口（47)具有跨 越子襯墊厚度Ts的平行于拋光表面（14)的平面(28)的外孔口平均橫截面積Ao-avg;并且其中
[0064] 0.75 X Ao-avg < Ai-avg < 1 .化 X Ao-avg
[0065] (優選地，其中0.9 X Ao-avg < Ai-avg。. 1 X Ao-avg ;更優選地，其中 0.95 X Ao-avg < Ai-avg。. 05 X Ao-avg ;最優選地，其中 A〇-avg = Ai-avg);并且其中
[0066] 0.5 X (Ai-avg+Ao-avg) < Ac < 1.25 X (Ai-avg+Ao-avg)
[0067] (優選地，其中 0.75Χ(Α?-3ν8+Α〇-3ν8)^Α〇-3ν8^.1Χ(Α?-3ν8+Α〇-3ν8);更優選地，其中 0.9 X ( Ai-avg+Ao-avg ) ^ Ac-avg ^ 0.9 5 X ( Ai-avg+Ao-avg ))〇(參見圖4-圖 10) 〇
[0068] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中內孔口（42)具有沿多個孔口（40)的孔口長維度LDa 巧慢的平行于拋光表面(14)的平面(28)的內孔口維度Di。優選地，內孔口維度化跨越子襯墊 厚度Ts為實質上恒定。更優選地，內孔口維度化跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的 孔口寬度Aw為實質上恒定。優選地，內孔口（42)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口（40) 的孔口寬度Aw的平均內孔口維度Di-avg;其中平均內孔口維度Di-avg是巧IJ 10mm(優選是2.巧。 7.5mm;更優選是3到5mm;最優選是3.5到4mm)。（參見圖1和圖4-圖5)。
[0069] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個孔口（40)，其中 所述多個孔口（40)由Ξ個相鄰孔口（41)組成;其中所述Ξ個相鄰孔口（41)由內孔口（42)、 中屯、孔口（45)和外孔口（47)組成;其中外孔口（47)具有沿多個孔口（40)的孔口長維度LDa 測量的平行于拋光表面（14)的平面(28)的外孔口維度D。。優選地，外孔口維度D。跨越子襯墊 厚度Ts為實質上恒定。更優選地，外孔口維度D。跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的 孔口寬度Aw為實質上恒定。優選地，外孔口（47)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口（40) 的孔口寬度Aw的平均外孔口維度Do-avg;其中平均外孔口維度Do-avg是巧Ij 10mm(優選是2.巧。 7.5mm;更優選是3到5mm;最優選是3.5到4mm)。（參見圖1和圖4-圖5)。
[0070] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，子襯墊(25)具有多個橫向部件(35); 其中所述多個橫向部件(35)由內部件(33)和外部件(36)組成;其中內部件(33)分隔內孔口 (42)與中屯、孔口（45);并且其中外部件(36)分隔中屯、孔口（45)與外孔口（47)。優選地，內部 件(33)具有沿多個孔口（40)的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面（14)的平面(28)的內 部件寬度WiM。優選地，內部件寬度WiM跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。更優選地，內部件寬 度WiM跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的孔口寬度Aw為實質上恒定。優選地，內部 件(33)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口（40)的孔口寬度Aw的平均內部件寬度WiM-avg; 其中平均內部件寬度WiM-avg是巧Ijiomm;優選是巧Ij6mm;更優選是2.巧Ij5mm;最優選是巧U 4mm。優選地，外成員（36)具有沿多個孔口（40)的孔口長維度LDa測量的平行于拋光表面 (14)的平面(28)的外部件寬度WoM。優選地，外部件寬度WoM跨越子襯墊厚度Ts為實質上恒定。 更優選地，外部件寬度WoM跨越子襯墊厚度Ts并且跨越多個孔口（40)的孔口寬度Aw為實質上 恒定。優選地，外部件(36)具有跨越子襯墊厚度Ts和跨越多個孔口（40)的孔口寬度Aw的平均 外部件寬度W咖-avg;其中平均外部件寬度WoM-avg是1到10mm(優選是巧化mm，更優選是2.巧。 5mm;最優選是3到4mm)。
[0071] 優選地，在本發明的化學機械拋光墊（10)中，插置在拋光層(20)的底部表面（17) 與子襯墊(25)的頂部表面(26)之間的堆疊粘著劑(23)是選自由W下各者組成的群的粘著 劑:壓敏性粘著劑、反應性熱烙融粘著劑、接觸粘著劑和其組合。更優選地，堆疊粘著劑(23) 選自由各者W下組成的群：反應性熱烙融粘著劑和壓敏性粘著劑。最優選地，堆疊粘著劑 (23)是反應性熱烙融粘著劑。優選地，反應性熱烙融粘著劑是固化反應性熱烙融粘著劑，其 在其未固化狀態下具有50°C到150°C(優選115°C到135°C)的烙融溫度并且在烙融之后具有 <90分鐘的適用期。最優選地，反應性熱烙融粘著劑是聚氨基甲酸醋樹脂(例如可從羅口哈 斯公司（Rohm and 化as Company)購得的Mor-Melt? R5003)。
[0072] 優選地，本發明的化學機械拋光墊（10)更包含壓敏性壓板研磨劑層(70);其中壓 敏性壓板粘著劑安置在子襯墊(25)的底部表面(27)上。更優選地，本發明的化學機械拋光 墊（10)更包含壓敏性壓板研磨劑層(70)和離型襯墊(75);其中壓敏性壓板粘著劑安置在子 襯墊(25)的底部表面(27)上;并且其中壓敏性壓板研磨劑層(70)插置在離型襯墊(75)與子 襯墊(25)的底部表面(27)之間。本領域的普通技術人員已知選擇適合的壓敏性粘著劑材料 和離型襯墊材料用于本發明的化學機械拋光墊(10)。
[0073] 優選地，本發明的拋光方法包含:提供化學機械拋光設備，其具有桌臺、光源和光 傳感器;提供襯底;提供本發明的化學機械拋光墊;將化學機械拋光墊安置在桌臺上，其中 安置拋光表面使其遠離桌臺；任選地在拋光表面與襯底之間的界面提供拋光介質;在拋光 表面與襯底之間產生動態接觸，其中從襯底移除至少一種物質；W及通過使光從光源傳遞 通過端點檢測窗并且分析反射離開襯底、通過端點檢測窗反射回并且入射到光傳感器的光 來測定拋光終點。優選地，襯底選自由W下各者組成的群:磁性襯底、光學襯底和半導體襯 底中的至少一個。更優選地，襯底是半導體襯底。
[0074]本發明的一些實施例現將詳細地描述于W下實例中。
[00巧]比較實例C1和實例1-5:拋光墊
[0076] 用于比較實例C1的拋光墊是可從羅口哈斯電子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)購得的未經修改的市售IClOlO?拋光墊。用于實例1-5的 拋光墊是可從羅口哈斯電子材料公司購得的市售IC1010?拋光墊，其中用子襯墊材料片修 改子襯墊結構W提供具有多個孔口的子襯墊。具體來說，用于實例1的拋光墊的子襯墊結構 經修改W具有如圖12中所展示來配置的多個孔口（40)，其中多個孔口（40)是由橫向部件 (60)分隔的兩個相同橫截面積孔口（50)，所述橫向部件的平均部件寬度WM-avg是3.81mm。用 于實例2的拋光墊的子襯墊結構經修改W具有如圖12中所展示來配置的多個孔口（40)，其 中多個孔口（40)是由橫向部件(60)分隔的兩個相同橫截面積孔口（50)，所述橫向部件的平 均部件寬度WM-avg是5.08mm。用于實例3的拋光墊的子襯墊結構經修改W具有如圖5中所展示 來配置的多個孔口（40)，其中所述多個孔口（40)是外孔口（47)、中屯、孔口（45)和內孔口 (42);其中外孔口（47)由外橫向部件(36)與中屯、孔口（45)分隔開;其中中屯、孔口（45)由內 橫向部件(33)與內孔口（42)分隔開;其中外孔口橫截面積A。與內孔口橫截面積Ai相等;其中 平均內部件寬度WiM-avg是3.81mm;其中平均外部件寬度WoM是3.81;其中平均內孔口維度 Di-avg是15mm;并且其中平均外孔口維度Do-avg是15mm。用于實例4的拋光墊的子襯墊結構經 修改W具有如圖13中所展示來配置的多個孔口（40)，其中多個孔口（40)是由成對角線的橫 向部件(60)分隔的兩個相同橫截面積孔口巧0)，所述橫向部件的平均橫向部件寬度WM-avg是 2.54mm。用于實例5的拋光墊的子襯墊結構經修改W具有如圖14中所展示來配置的多個孔 口（40)，其中所述多個孔口（40)是兩個相同的橫截面積孔口（50)和第Ξ孔口（55);其中多 個孔口（40)由兩個成對角線的橫向部件(60)分隔開;其中成對角線的橫向部件(60)的平均 橫向部件寬度WM-avg是3.81mm。
[0077] 研磨劑調節
[0078] 將根據比較實例C1和實例1-5中的每一個制備的化學機械拋光墊安放在應用材料 公司200mmN.1 irra 1'拋光機(A卵lied Materials 200mmMi許a?polisher)的平臺上，所述拋光 機設定為下壓力是62kPa(9psi)、去離子水流動速率是200ml/min，桌臺旋轉速度是93巧m， 載體旋轉速度是87巧m并且具有AM02BSL8031C1-PM(AK45)金剛石調節圓盤(可從塞索爾金 剛石工業有限公司（Saesol Diamond Ind.Co.，Ltd.)購得）。接著連續地調節每個化學機械 拋光墊六小時。所測量的初始應用材料200mmMirra?拋光機ISRM EPD偵測的信號強度百分 比和調節后的信號強度百分比報導于表1中。
[0079] 表 1 「00801
[0081] 在調節之前和之后沿中間（65)、前邊緣(63)和后邊緣(67)處的中屯、線（61); W及 沿中間（65)、前邊緣(63)和后邊緣(67)處的外線(62)測量來自比較實例C1和實例3的端點 檢測窗(30)的窗口厚度。（參見圖15)。結果提供于表2中。
[0082] 表 2
[0083]
【主權項】
1. 一種化學機械拋光墊，其包含： 拋光層，其具有中心軸、外周邊、拋光表面、底部表面和從所述拋光表面到所述底部表 面測量的垂直于所述拋光表面的平面的拋光層厚度TP; 端點檢測窗，其具有拋光側面、平臺側面和從所述拋光側面到所述平臺側面測量的垂 直于所述拋光側面的窗口厚度Tw; 子襯墊，其具有頂部表面、底部表面、多個孔口、外邊緣和從所述頂部表面到所述底部 表面測量的垂直于所述頂部表面的子襯墊厚度Ts;以及， 堆疊粘著劑； 其中所述端點檢測窗并入所述化學機械拋光墊，其中所述拋光側面朝向所述拋光層的 拋光表面安置； 其中所述堆疊粘著劑插置在所述拋光層的底部表面與所述子襯墊的頂部表面之間； 其中所述多個孔口與所述端點檢測窗光通信；以及， 其中所述拋光層的拋光表面適用于襯底的拋光。2. 根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其中所述多個孔口從所述子襯墊的底部表 面延伸到所述子襯墊的頂部表面。3. 根據權利要求1所述的化學機械拋光墊，其中所述子襯墊更包含多個橫向部件;其中 所述多個孔口由所述多個橫向部件分隔開;并且其中所述多個孔口包含至少三個孔口。4. 根據權利要求3所述的化學機械拋光墊，其中所述多個孔口由三個相鄰孔口組成； 其中所述三個相鄰孔口由內孔口、中心孔口和外孔口組成； 其中所述內孔口具有平行于所述拋光表面的平面的內孔口橫截面積Μ; 其中所述中心孔口具有平行于所述拋光表面的平面的中心孔口橫截面積A。； 其中所述外孔口具有平行于所述拋光表面的平面的外孔口橫截面積A。； 其中所述多個橫向部件由內部件和外部件組成； 其中所述內部件分隔所述內孔口與所述中心孔口；以及， 其中所述外部件分隔所述中心孔口與所述外孔口。5. 根據權利要求4所述的化學機械拋光墊，其中所述內孔口橫截面積仏跨越所述子襯墊 厚度Ts為實質上恒定;其中所述中心孔口橫截面積A c跨越所述子襯墊厚度Ts為實質上恒定； 其中所述外孔口橫截面積A。跨越所述子襯墊厚度％為實質上恒定。6. 根據權利要求5所述的化學機械拋光墊，其中所述外孔口具有跨越所述子襯墊厚度1 的平行于所述拋光表面的平面的外孔口平均橫截面積Ac>- avg; 其中所述內孔口具有跨越所述子襯墊厚度Ts的平行于所述拋光表面的平面的內孔口平 均橫截面積Ai-avg; 其中所述中心孔口具有跨越所述子襯墊厚度^的平行于所述拋光表面的平面的中心孔 口平均橫截面積Ac-aVg;以及， 其中 0 · 75 X Ao-avg 仝 Ai-avg 仝 1 · 25 X Ao-avg ;和， 0 · 5 X (Ai-avg+Ao-avg) S Ac S 1 · 25 X (Ai-avg+Ao-avg) 〇7. 根據權利要求6所述的化學機械拋光墊，其中所述端點檢測窗具有平行于所述拋光 表面的平面的窗口橫截面積Wa;其中所述窗口橫截面積1跨越所述窗口厚度IV為實質上恒 定。8. 根據權利要求7所述的化學機械拋光墊， 其中所述端點檢測窗具有沿所述端點檢測窗的窗口長維度LDw測量的平行于所述拋光 表面的平面的窗口長度 其中所述端點檢測窗具有沿所述端點檢測窗的窗口短維度SDw測量的平行于所述拋光 表面的平面的窗口寬度術； 其中所述窗口長維度LDw垂直于所述窗口短維度SDw; 其中所述拋光層具有所述拋光表面的平面上的拋光層徑線PLr，其與所述中心軸相交并 且延伸通過所述拋光層的外周邊； 其中所述端點檢測窗并入所述化學機械拋光墊使得所述窗口長維度LDw在所述拋光表 面的平面上投射窗口長維度投影pLDw;其中所述窗口長維度投影pLDw與所述拋光層徑線PLr 實質上一致； 其中所述多個孔口具有沿所述多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于所述拋光表面 的平面的孔口長度Au 其中所述多個孔口具有沿所述多個孔口的孔口短維度SDa測量的平行于所述拋光表面 的平面的孔口寬度Aw; 其中所述孔口長維度LDa垂直于所述孔口短維度SDa ;以及， 其中所述多個孔口整合入所述子襯墊使得所述孔口長維度LDa在所述拋光表面的平面 上投射孔口長維度投影pLDA;其中所述孔口長維度投影pLDA與所述窗口長維度投影pLDw實 質上一致。9. 根據權利要求8所述的化學機械拋光墊， 其中所述內部件具有沿所述多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于所述拋光表面的 平面的內部件寬度WM; 其中所述外部件具有沿所述多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于所述拋光表面的 平面的外部件寬度Wom; 其中所述內孔口具有沿所述多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于所述拋光表面的 平面的內孔口維度D1; 其中所述外孔口具有沿所述多個孔口的孔口長維度LDa測量的平行于所述拋光表面的 平面的外孔口維度D。； 其中所述多個孔口的孔口長度4跨越所述子襯墊厚度Ts并且跨越所述多個孔口的孔口 寬度Aw為實質上恒定； 其中所述多個孔口具有跨越所述子襯墊厚度Ts和跨越所述多個孔口的孔口寬度Aw的平 均孔口長度Al-avg; 其中所述多個孔口的孔口寬度Aw跨越所述子襯墊厚度Ts并且跨越所述多個孔口的孔口 長度Al為實質上恒定； 其中所述多個孔口具有跨越所述子襯墊厚度Ts和跨越所述多個孔口的孔口長度4的所 述多個孔口的平均孔口寬度Aw-avg;以及， 其中 Al-avg 2 Wl-avg ;矛口， Aw-avg ^ ffw-avgo10.-種拋光方法，其包含： 提供化學機械拋光設備，其具有桌臺、光源和光傳感器； 提供襯底； 提供根據權利要求1所述的化學機械拋光墊； 將所述化學機械拋光墊安置在所述桌臺上，其中安置拋光表面使其遠離所述桌臺； 任選地在所述拋光表面與所述襯底之間的界面處提供拋光介質； 在所述拋光表面與所述襯底之間產生動態接觸，其中從所述襯底移除至少某一物質； 以及， 通過以下方式測定拋光終點：使來自所述光源的光傳遞通過所述端點檢測窗，并且分 析反射離開所述襯底、通過所述端點檢測窗反射回并且入射到所述光傳感器的光。
【文檔編號】B24B37/24GK105965382SQ201610127791
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月7日
【發明人】J·索, B·錢, J·泰斯法
【申請人】羅門哈斯電子材料Cmp控股股份有限公司