金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕刻方法

金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕刻方法
【專利摘要】本發明涉及印刷線路板制造技術領域，尤其涉及金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕刻方法，其中，金屬膜蝕刻液包括如下質量百分比組分：3～16％的FeCl3、4～17％的HCl、0.5～3.12％的NaClO3、0.001～0.18％的表面活性劑和余量的水。通過該配方制成的用于印刷線路板蝕刻的金屬膜蝕刻液，可以保證對印刷線路板的金屬膜做到更加精細的蝕刻，不會出現蝕刻不良的現象，適用在半導體裝置、液晶顯示裝置、觸控產品、IC卡等的印刷線路板的金屬膜成形線路圖案的制作中，具有更廣闊的應用前景。
【專利說明】
金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕刻方法
技術領域
[0001] 本發明設及印刷線路板制造技術領域，尤其設及金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕 刻方法。
【背景技術】
[0002] 隨著電子工業的發展，印刷線路板的數量也在快速的增長。銅憑借其自身絕對優 良的導電、導熱性能，與我們的生產、生活關系非常密切，被廣泛地應用于電氣、輕工、機械 制造、建筑工業、國防工業等領域，在中國有色金屬材料的消費中僅次于侶。銅在電氣、電子 工業中應用最廣、用量最大，占總消費量一半W上。用于各種電纜和導線，電機和變壓器，開 關W及印刷線路板的制造中。近年來，隨著超大規模集成電路工藝技術的不斷進步，半導體 器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，超大規模集成電路中設計的金屬導線變細使 得金屬電阻增大，產生的熱量增多，而產生了嚴重的電遷移現象，同時由于線間電容和金屬 電阻增大引起的延遲也不斷惡化，運些都大大影響了半導體忍片的性能。
[0003] 近年隨著電子工業的發展，鍛金屬膜W及印刷線路板的生產發展極為迅速，他們 是電子元件工業中的最大行業，W驚人的速度突飛猛進，令世人矚目。在電子元件工業中往 往采用銅及其合金制品作為導電線路。由于銅的電阻率較低，導電性好，在承受相同電流 時，銅互連線橫截面積互連線小，因而相鄰導線間的寄生電容小，信號串擾也小。銅互連線 的時間參數RC比侶互連小，信號在銅互連線上傳輸的速度也比較快，運對高速IC是很有利 的。銅的抗電遷移率比侶好(化< l〇7A/cm2 ,Al< 106A/cm2)，不會因為電遷移產生連線空桐， 從而提高了器件可靠性。因此，采用銅互連的器件能滿足高頻、高集成度、大功率、大容量、 使用壽命長的要求，傳統的侶互連工藝也逐漸被銅互連工藝所取代。廣泛用于電氣、電訊和 電子等行業中。在運些應用的領域中要想得到符合我們實際要求的銅質線路，那么對銅的 蝕刻就成為必不可少的工序，工業中往往采用W氯化銅、氯化鐵、過硫酸鹽、過氧化氨-硫 酸、氨堿等蝕刻液進行蝕刻銅膜層，但是運些蝕刻液要么存在穩定性差、蝕刻速率慢，要么 存在用量大、蝕刻成本高等問題，運些問題都制約了銅及其合金制品在工業生產中的引用 發展。所W在此情形之下一種成本低、蝕刻速度快、穩定性好、可W精細化蝕刻的蝕刻液就 顯得十分必要。
[0004] 目前銅及其銅合金的蝕刻液主要有W下幾種:一、WCuCh為氧化主劑的酸性氯化 銅蝕刻液:在該種蝕刻液中隨著反應的進行，會生成的CU2Cb不易溶于水，則在銅的表面形 成一層氯化亞銅膜，運種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的cr能與C112CI2絡合形成可 溶性的絡離子(CuCb)2^,從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率，但是cr是靠HCi引 入，但是該蝕刻液中隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低，也會影響蝕刻速率，所 W該類蝕刻液往往進入一個死循環。二、WCuCh為氧化主劑的堿性氯化銅蝕刻液:該蝕刻 液工藝窗葉分狹窄，只有在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩定，超過或低于該濃度 蝕刻液極不穩定；另外，如果蝕刻液中的抑值較低，蝕刻液中的Cu2+不能被完全絡合成[Cu (N也)2] +，溶液要出現沉淀。S、W過硫酸錠為氧化主體的蝕刻液:該蝕刻液主要過硫酸錠易 分解，其蝕刻速度和溶銅能力都不如氯化物高，一般只能用于電鍛前的微蝕刻處理。四、W 此化為主體氧化劑的硫酸/雙氧水蝕刻液:該蝕刻液因為此化不是很穩定，所W蝕刻液并不 能長時間存放，因為過氧化氨中不存在分子間氨鍵，浸潤效果較差，蝕刻超細、超薄線路時 會出現針孔的現象。

【發明內容】

[0005] 本發明的目的在于提供一種金屬膜蝕刻液和印刷線路板的蝕刻方法，旨在解決現 有技術中對印刷線路板的金屬膜蝕刻不良和蝕刻速度慢的技術問題。
[0006] 為實現上述目的，本發明的技術方案是：金屬膜蝕刻液，包括如下質量百分比組 分：
[000
[000 Hk 組分：
[000
[001 Hk 組分：
[001
[0012]優選地，所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑或非離子型表面活性劑;進一步 地，表面活性劑具有選自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基中的一種或兩種W上的官能團的 陰離子型表面活性劑;或具有氧亞烷基的重復單元結構的非離子型表面活性劑。
[0013] 本發明的金屬膜蝕刻液的有益效果:本發明的金屬膜蝕刻液中，FeCb化學性質穩 定，不容易分解，蝕刻速度快，那么可W有效提高金屬膜蝕刻液對印刷線路板上的金屬膜蝕 刻速度;而且該種金屬膜蝕刻液在蝕刻的過程中需要監控的變化量單一，即只需要在蝕刻 過程中監控溶液的比重，即可得到穩定的蝕刻速率;另外，本發明實施例的金屬膜蝕刻液中 加入的再生型離子氧化劑NaCl〇3,可W保證Fe3+維持在一定濃度，不至于順著反應的進行過 多的氧化為化運樣就可W保證金屬膜蝕刻液持續有效;本發明實施例的金屬膜蝕刻液中 加入的表面活性劑，可W降低溶液的表面張力，使得金屬膜蝕刻液的浸潤性更好，不會產生 蝕刻不良的問題。
[0014] 本發明的另一技術方案是：印刷線路板的蝕刻方法，包括如下步驟：
[0015] 涂膠:提供一待蝕刻的印刷線路板，所述印刷線路板包括基板和基板上表面設置 的金屬膜，在所述金屬膜的表面上涂覆一層感光膠；
[0016] 曝光顯影:對完成所述涂膠步驟后的所述印刷線路板進行曝光，去除顯影部分的 感光膠；
[0017] 蝕刻:將完成所述曝光顯影步驟后的所述印刷線路板置于上述的金屬膜蝕刻液內 進行蝕刻，形成線路；
[0018] 脫膠:將完成所述蝕刻步驟后的所述印刷線路板的金屬膜表面上剩余的所述感光 化去除。
[0019] 進一步地，所述蝕刻步驟中，蝕刻的時長為70~180s。
[0020] 進一步地，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液的溫度為38~45°C。
[0021 ]進一步地，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液的表面張力為30~40mN/m。
[0022] 進一步地，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液的pH值為5.8~6.8。
[0023] 進一步地，所述蝕刻步驟中，形成的所述線路之間的寬度差為4~祉m。
[0024] 通過本發明的印刷線路板的蝕刻方法進行的印刷線路板的金屬膜的蝕刻，可W保 證對印刷線路板的金屬膜做到更加精細的蝕刻，不會出現蝕刻不良的現象，適用在半導體 裝置、液晶顯示裝置、觸控產品、IC卡等的印刷線路板的金屬膜成形線路圖案的制作中，具 有更廣闊的應用前景。
【附圖說明】
[0025] 圖1為本發明實施例提供的印刷線路板的蝕刻方法的流程圖。
[0026] 圖2為印刷線路板的金屬膜在本發明實施例提供的金屬膜蝕刻方法下進行蝕刻的 結構變化示意圖。
[0027] 圖3處于本發明實施例提供的金屬膜蝕刻方法中蝕刻步驟時的印刷線路板的結構 示意圖。
[0028] 圖4為印刷線路板的金屬膜蝕刻不良的結構示意圖。
[0029] 圖5為通過本發明實施例提供的金屬膜蝕刻液進行蝕刻的印刷線路板的結構示意 圖。
[0030] 附圖標記包括：
[0031 ] 10-印刷線路板 11-基板 12-金屬膜
[0032] 20-感光膠 30-金屬膜蝕刻液。
【具體實施方式】
[0033] 為了使本發明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，W下結合 實施例與附圖1~5,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅 僅用W解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0034] 如圖3所示，本發明實施例提供的金屬膜蝕刻液30,用于蝕刻印刷線路板，其包括 如下質量百分比組分：
[0035]
[0036] 如圖2~3所示，本發明實施例提供的金屬膜蝕刻液30中，FeCb化學性質穩定，不 容易分解，蝕刻速度快，那么可W有效提高金屬膜蝕刻液30對印刷線路板10上的金屬膜蝕 刻速度;而且該種金屬膜蝕刻液30在蝕刻的過程中需要監控的變化量單一，即只需要在蝕 刻過程中監控溶液的比重，即可得到穩定的蝕刻速率;另外，本發明實施例的金屬膜蝕刻液 30中加入的再生型離子氧化劑化Cl化，可W保證化維持在一定濃度，不至于順著反應的進 行過多的氧化為化運樣就可W保證金屬膜蝕刻液30持續有效;本發明實施例的金屬膜蝕 刻液30中加入的表面活性劑，可W降低溶液的表面張力，使得金屬膜蝕刻液30的浸潤性更 好，不會產生蝕刻不良的問題。
[0037] 且本發明實施例的金屬膜蝕刻液30中才用到化C13材料相對于氯化銅、過硫酸鹽、 過氧化氨-硫酸、氨堿等化學品價格更便宜，為企業帶來更大的經濟效益。
[0038] 具體的，本發明實施例的金屬膜蝕刻液30不僅可W對印刷線路板10等較粗、厚線 路進行成型，而且對半導體裝置、液晶顯示裝置、IC卡、觸控產品等超細引線的制作也有很 好的蝕刻效果。
[0039] 本發明實施例的金屬膜蝕刻液30至少含有Fe化3、化Cl化、肥1和表面活性劑成分， 形成金屬膜蝕刻液30的表面張力可W控制在40mN/mW下，pH可W調節到5.8~6.8之間。 化化3作為與金屬膜的Cu原子發生氧化還原反應的氧化劑發揮作用，化Cl化作為與Fe2+、Cu+ 發生氧化還原反應的再生氧化劑發揮二次離子氧化的作用，HCl可W防止Fe化3發生水解， 產生沉淀的問題。并且過量的Cl-能與CuCl絡合形成可溶性的絡離子(CuCb)2-,從而提高了 蝕刻速率。表面活性劑主要是降低蝕刻液的表面張力，提高蝕刻液浸滲性，控制橫向蝕刻保 證納米級膜厚、微米級線寬的蝕刻效果。
[0040] 本實施例中，進一步的，所述金屬膜蝕刻液30包括如下質量百分比組分：
[0041]
[0042] 00包括如下質量百分比組分：
[0043]
[0044] 也就是說，在本實施例的金屬膜蝕刻液30中；
[0045] FeCb 的質量百分比可選為3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、 13%、14%、15% 或者 16%;
[0046] HCl的質量百分比可選為4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、 14%、15%、16% 或者 17%;
[0047] 化 Cl〇3 的質量百分比可選為 0.5%、0.75%、1%、1.25%、1.5%、1.75%、2%、 2.25%、2.5%、2.75%、3%或者3.12%;
[004引表面活性劑的質量百分比可選為0.001%、0.005%、0.01%、0.02%、0.025%、 0.05%、0.075%、0.1%、0.125%、0.15% 或者 0.18%;
[0049] 其余量則選用水;水優選采用純水。
[0050] 本發明實施例的上述配方中，通過比較廉價的FeCl3作為氧化還原反應的主體氧 化劑發揮作用，化Cl化作為與Fe2+、Cu+發生氧化還原反應的再生氧化劑發揮二次離子氧化 的作用，使形成的金屬膜蝕刻液30更加經久耐用，表面活性劑的加入可W減小蝕刻液表面 張力，增加蝕刻液與膜層的浸潤性，實現高精度蝕刻。
[0051 ] 優選地，所述表面活性劑為具有選自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基中的一種或 兩種W上的官能團的陰離子型表面活性劑;或具有氧亞烷基的重復單元結構的非離子型表 面活性劑。
[0052] 例如，陰離子型表面活性劑可W選用硬脂酸、油酸或者月桂酸）；非離子型表面活 性劑可W選用烷基酪聚氧乙締酸、高碳脂肪醇聚氧乙締酸或者脂肪酸聚氧乙締醋。
[0053] -般的蝕刻液在蝕刻金屬膜12的時候，都會出現縱向和橫向蝕刻的情況，理想的 是只需要縱向深度蝕刻，橫向蝕刻就形成側蝕，不利于線路的制作，參閱圖4所示為金屬膜 12蝕刻不良圖。
[0054] -般的金屬膜蝕刻液30具有很高良率的刻蝕納米級厚度、微米級線寬的金屬膜 層，主要是因為該蝕刻液的表面張力過大，刻蝕的時候很容易產生氣泡，不可能刻蝕干凈細 微的線縫，本發明實施例提供的金屬膜蝕刻液30加入陰離子型表面活性劑或非離子型表面 活性劑，它一端是非極性的碳氨鏈（控基），親水性較弱，另一端則是極性基團（如-OH、- C00H、-N此、-SO抽等），與水有很大的親和力，親水基留在水中而將疏水基伸向空氣，W減小 排斥。而疏水基與水分子間的斥力相當于使表面的水分子受到一個向外的推力，抵消表面 水分子原來受到的向內的拉力，亦即使水的表面張力降低;參閱圖3所示，運樣像B區的氣泡 就會更容易破裂，因為金屬膜蝕刻液30的張力更小，它和金屬膜12的銅表面的浸潤性更好， A區的氣泡也將更不容易產生，例如在C區不會形成氣泡；因此，本發明實施例提供的金屬膜 蝕刻液30可W取得極佳的刻蝕效果。
[0055] 如圖1~5所示，本發明實施例還提供了一種印刷線路板的蝕刻方法，包括如下步 驟：
[0056] 涂膠:提供一待蝕刻的印刷線路板10,在該印刷線路板10的金屬膜12表面上涂覆 一層感光膠20;其中，印刷線路板10的上部結構一般為金屬膜12,下部結構一般為基板11 (基板11即為IT0,也叫氧化物半導體，不會被金屬膜蝕刻液30腐蝕的結構）；
[0057] 曝光顯影:對完成所述涂膠步驟后的所述印刷線路板10進行曝光，去除顯影部分 的感光膠20;該步驟主要是標注需要蝕刻成型的線路；
[0058] 蝕刻:將完成所述曝光顯影步驟后的所述印刷線路板10置于上述的金屬膜蝕刻液 30內進行蝕刻，形成線路；
[0059] 脫膠:將完成所述蝕刻步驟后的所述印刷線路板10的金屬膜12表面上剩余的所述 感光膠20去除。
[0060] 在本發明實施例的該方法中，金屬膜蝕刻液30主要是利用FeCl3與CU發生反應生 成CuCl2,但是Cu2+具有氧化性，CuCb同時也會與CU原子發生氧化還原反應生成CuCl,生成 的CuCl不易溶于水，則在銅的表面形成一層CuCl的純化膜，運種膜能夠阻止反應的進一步 進行，隨著反應的進行，純化膜的增厚反應就會趨于停止，運時，HCi則用來提供過量的cr， 過量的Cl-能與CuCl絡合形成可溶性的絡離子(化C13)2-，從銅表面上溶解下來，運樣就可W 保證化C13與CU繼續反應，提高了蝕刻速率。并且肥1可W保證蝕刻液的酸性環境，防止化C13 發生水解反應，產生沉淀。隨著FeCl3與CU反應的進一步進行，反應中Fe3+逐漸轉變為Fe2+， Fe2+自身沒有氧化型，隨著反應的進行，Fe2+的濃度進一步增加，金屬膜蝕刻液30的蝕刻速 率會逐漸下降，運樣化Cl化作為再生型氧化劑發生作用，NaCl化具有很強的氧化性，能夠將 失效金屬膜蝕刻液30中的化2+、加氧化為Fe3+、CU2+使金屬膜蝕刻液30重新具有穩定的蝕刻 速率。為了保證良好的蝕刻效果，提高蝕刻液的潤濕性和浸滲性，能夠使蝕刻更均勻，能夠 蝕刻納米級膜厚、微米級線寬的銅及其合金膜層。本發明金屬膜蝕刻液30中的一定量的表 面活性劑，是具有選自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基組成的一種或兩種W上的官能團的 陰離子型表面活性劑和或具有氧亞烷基的重復單元結構的非離子型表面活性劑，它一端是 非極性的碳氨鏈(控基），另一端則是極性基團（如-OH、-C00H、-N出、-SO抽等），與水有很大的 親和力。該表面活性劑可W顯著減低金屬膜蝕刻液30的表面張力，可W防止在蝕刻過程中 金屬膜12表面產生的氣泡，而造成蝕刻不凈的情況，也可W防止超細的線縫內，金屬膜蝕刻 液30無法浸潤的問題。且該金屬膜蝕刻液30能夠蝕刻厚度為納米級，線寬在幾微米的膜層。
[0061] 本實施例中，所述蝕刻步驟中，蝕刻的時長為70~180s。具體的，對印刷線路板10 的金屬膜12的蝕刻控制在70~180s，可W保證正常蝕刻出需要的線路，且不會因為蝕刻時 間過長而導致金屬膜蝕刻液30橫向蝕刻形成不良。
[0062] 更具體的，蝕刻的時間長度可 W為70s、80s、90s、100s、110s、120s、130s、140s、 150s、160s、170s 或者 180s。
[0063] 本實施例中，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液30的溫度為38~45°C。具體的， 保持在該溫度下能夠確保金屬蝕刻液具有正常的化學性能，溫度不會過高或者過低而影響 其化學性能，進而影響蝕刻效果。
[0064] 更具體的，金屬膜蝕刻液30的溫度可W為38°C、39°C、40°C、41°C、42°C、43°C、44°C 或者45°C。
[0065] 本實施例中，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液30的表面張力為30~40mN/m。具 體的，上述范圍值的表面張力的金屬膜蝕刻液30具有最佳的浸潤性能，強度適合，在使用 時，不會產生氣泡，能夠很好地與印刷線路板10的金屬膜12的接觸蝕刻，實現高精度蝕刻， 蝕刻效果非常好。
[0066] 更具體的，金屬膜蝕刻液30的表面張力可W為30mN/m、31mN/m、32mN/m、33mN/m、 34mN/m、35mN/m、36mN/m、37mN/m、38mN/m、39mN/m 或者 40mN/m。
[0067] 本實施例中，所述蝕刻步驟中，所述金屬膜蝕刻液30的pH值為5.8~6.8。具體的， 在上述的pH值范圍內的金屬膜蝕刻液30的酸度適合，能夠確保對印刷線路板10的金屬膜12 僅有更佳的蝕刻速度，且確保各化學性能穩定，各離子能夠正常實現其功能。
[006引更具體的，金屬膜蝕刻液30的pH值可W為5.8、5.9、60.、6.1、6.2、6.3、6.4、6.5、 6.6、6.7或者6.8。
[0069] 本實施例中，所述蝕刻步驟中，形成的所述線路之間的寬度差為4~8WI1。具體的， 通過該上述方法蝕刻出來的線路能夠實現將線路的寬度差控制在4~8WH，符合生產的要 求。
[0070] 更具體的，形成的線路之間的寬度差為4]im、5皿、6皿、7皿或者8皿。
[0071] 綜上，通過本發明的印刷線路板的蝕刻方法進行的印刷線路板10的金屬膜12的蝕 亥IJ，可W保證對印刷線路板10的金屬膜12做到更加精細的蝕刻，不會出現蝕刻不良的現象， 適用在半導體裝置、液晶顯示裝置、觸控產品、IC卡等的印刷線路板10的金屬膜12成形線路 圖案的制作中，具有更廣闊的應用前景。
[0072] W下列舉四個具體實施例：
[0073] 實施例一：
[0074] 金屬膜蝕刻液30的各組分質量百分比為：3 %的化Cl3、4%的肥1、0.5 %的化Cl化、 0.001 %的表面活性劑和余量的水，并且表面張力為30mN/m，抑為5.8，溫度38°C。蝕刻的金 屬膜12中的金屬質量占比為90 %的銅和10 %的儀，蝕刻時長為150 S，蝕刻完成后線路之間 的寬度差在如m內，符合工藝要求。
[007引實施例二：
[0076] 金屬膜蝕刻液30的各組分質量百分比為：16%的FeCl3、17 %的HCl、3 . 12%的 化Cl化、0.18 %的表面活性劑和余量的水，并且表面張力為40mN/m，抑為6.8，溫度45 °C。蝕 刻的金屬膜12中的金屬質量占比為70 %的銅、10 %的鋒和20%的儀，蝕刻時長為180s，蝕刻 完成后線路之間的寬度差在如m內，符合工藝要求。
[0077] 實施例
[007引金屬膜蝕刻液30的各組分質量百分比為:8%的化Cl3、9%的肥1、1.25%的化Cl化、 0.02%的表面活性劑和余量的水，并且表面張力為33mN/m，pH為6.1，溫度40°C。蝕刻的金屬 膜12中的金屬質量占比為80 %的銅和20 %的儀，蝕刻時長為120S，蝕刻完成后線路之間的 寬度差在化m內，符合工藝要求。
[0079] 實施例四：
[0080] 金屬膜蝕刻液30的各組分質量百分比為：12%的FeCl3、13%的HCl、2.25%的 NaC103、0.075%的表面活性劑和余量的水，并且表面張力為37mN/m，pH為6.5，溫度42°C。蝕 刻的金屬膜12中的金屬質量占比為60 %的銅、20 %的鋒和20 %的儀，蝕刻時長為70S，蝕刻 完成后線路之間的寬度差在祉m內，符合工藝要求。
[0081] W上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用W限制本發明，凡在本發明的思 想和原則之內所作的任何修改、等同替換或改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 金屬膜蝕刻液，用于蝕刻印刷線路板，其特征在于，所述金屬膜蝕刻液包括如下質量 百分比組分： FeCl3 VI6% HG1 4~17% NaC103 0.5^3,12% 表面活:性劑 0.001~0.18% 水 余量。2. 根據權利要求1所述的金屬膜蝕刻液，其特征在于，所述金屬膜蝕刻液包括如下質量 百分比組分： FeCl3 3-9% HC1 4~10% NaCIO；, 0.5 ~2% 表面活性劑 0.001-0.09% 水 余量。3. 根據權利要求1所述的金屬膜蝕刻液，其特征在于，所述金屬膜蝕刻液包括如下質量 百分比組分： FeCl3 9-16% HC1 10-17% NaC103 2~3.12% 表面活性劑 0.09~0.丨8% 水 余量。4. 根據權利要求1~3任一項所述的金屬膜蝕刻液，其特征在于，所述表面活性劑為陰 離子型表面活性劑或非離子型表面活性劑。5. 印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟： 涂膠:提供一待蝕刻的印刷線路板，所述印刷線路板包括基板和基板上表面設置的金 屬膜，在所述金屬膜的表面上涂覆一層感光膠； 曝光顯影:對完成所述涂膠步驟后的所述印刷線路板進行曝光，去除顯影部分的感光 膠； 蝕刻:將完成所述曝光顯影步驟后的所述印刷線路板置于權利要求1~4任一項所述的 金屬膜蝕刻液內進行蝕刻，形成線路； 脫膠:將完成所述蝕刻步驟后的所述印刷線路板的金屬膜表面上剩余的所述感光膠去 除。6. 根據權利要求5所述的印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻步驟中，蝕刻 的時長為70~180s。7. 根據權利要求5所述的印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻步驟中，所述 金屬膜蝕刻液的溫度為38~45°C。8. 根據權利要求5所述的印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻步驟中，所述 金屬膜蝕刻液的表面張力為30~40mN/m。9. 根據權利要求5所述的印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻步驟中，所述 金屬膜蝕刻液的pH值為5.8~6.8。10. 根據權利要求5所述的印刷線路板的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻步驟中，形成 的所述線路之間的寬度差為4~8μπι。
【文檔編號】C23F1/02GK105925980SQ201610270217
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月27日
【發明人】黃亮, 蔣蔚, 陳凱, 黃受林, 黃海東
【申請人】深圳力合光電傳感股份有限公司