一種用于晶片銅拋修整的轉接機構的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，包括加工軸、軸盤、由尼龍材料制成的轉接盤和螺栓，加工軸底部設有連接法蘭，軸盤底部設有第一凹槽，軸盤外設有若干緊固板和頂出機構，頂出機構包括支撐座、頂出板和限位塊，支撐座內設有空腔，支撐座兩側設有導板，導板上設有通孔，頂出板一側設有轉板，轉板兩側設有凸桿，轉接盤包括上圓盤和下圓盤，下圓盤底部設有第二凹槽，第二凹槽內設有十字方槽；本發明結構合理，拆裝方便，實用性高，針對小型機和大型機之間的存在的差異，可將大陶瓷盤轉接到小機型上進行修整，以降低晶片TTV，實現平坦度要求，同時提高加工效率。
【專利說明】
一種用于晶片銅拋修整的轉接機構
技術領域
[0001]本發明涉及一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，屬于藍寶石襯底片加工技術領域。
【背景技術】
[0002]平坦度是藍寶石襯底加工中的一項重要質量指標，在襯底加工工序中，銅拋作為塑造晶片平坦度的重要工序，把貼片后的晶片整體厚度差(TTV)做好成為了關鍵。
[0003]在銅拋加工中，晶片與鉆石拋光液之間的磨削產生的熱量會導致盤面發生形變，從而影響晶片平坦度，在目前的銅拋工序中，主流的設備有兩種，一種適用于陶瓷盤直徑355mm的小機型，該機型由于銅盤盤面直徑較小，較容易控制盤面的平坦度，所加工的晶片TTV較優，但加工量不高，另一種用于陶瓷盤直徑485mm的大機型，該機型由于銅盤盤面直徑大，盤面的平坦度不易控制，所加工的晶片TTV達不到較高的水準。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是針對現有技術的缺陷，提供一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，針對兩者之間的存在的差異，設法將大盤轉接到小機型上進行修整，以降低晶片TTV，實現平坦度要求，提高加工效率。
[0005]本發明是通過如下的技術方案予以實現的:
一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，包括加工軸、軸盤、由尼龍材料制成的轉接盤和螺栓，其中，所述加工軸底部設有連接法蘭，所述連接法蘭上設有若干連接孔，所述若干連接孔繞連接法蘭一周均勻間隔設置，通過螺栓穿過連接孔和軸盤實現加工軸和軸盤相連，所述軸盤底部設有第一凹槽，所述軸盤外設有若干緊固板和頂出機構，所述若干緊固板繞軸盤一周均勻間隔設置，所述緊固板上設有緊固螺釘，所述緊固螺釘端部置于第一凹槽內；所述頂出機構位于軸盤頂部兩側，所述頂出機構包括支撐座、頂出板和限位塊，所述支撐座內設有空腔，所述空腔與第一凹槽連通，所述支撐座兩側設有導板，所述導板上設有通孔，所述限位塊位于導板一側，且與支撐座相連，所述頂出板位于導板另一側，所述頂出板一側設有轉板，所述轉板置于導板之間，且兩側設有凸桿，所述凸桿置于通孔內，所述轉板上設有傾斜面，所述傾斜面與限位塊配合；
所述轉接盤包括上圓盤和下圓盤，所述上圓盤和下圓盤與軸盤和加工軸同軸設置，所述上圓盤底部與下圓盤頂部相連，所述上圓盤外壁與第一凹槽內壁間隙配合，所述下圓盤置于若干緊固板之間，所述下圓盤底部設有第二凹槽，所述第二凹槽為圓柱形槽，所述第二凹槽內設有十字方槽，所述十字方槽的交叉點位于第二凹槽頂表面圓心處。
[0006]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述頂出板上設有若干固定孔。
[0007]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述上圓盤和第二凹槽頂表面為水平面或略下凹面。
[0008]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述上圓盤直徑dl為355mm，厚度hi 為15mm。
[0009]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述下圓盤厚度h2為32mm。
[0010]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述第二凹槽直徑d2為485mm，深度h3為12mm。
[0011]上述一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其中，所述十字方槽寬度d3為10mm，深度h4為5mm。
[0012]本發明的有益效果為:
將加工軸底部與小機型相連，第二凹槽內可置直徑為485mm的陶瓷盤，通過軸壓壓緊實現轉接盤和陶瓷盤壓緊安裝，旋緊緊固板上的緊固螺釘即可，當加工軸旋轉時可帶動陶瓷盤旋轉，實現晶片銅拋修整;拆卸時，旋松緊固螺釘，通過拉起頂出機構的頂出板，轉板端部轉至支撐座的空腔內，當傾斜面與限位塊配合時，可置于第一凹槽內抵出轉接盤，隨后取出轉接盤和陶瓷盤即可。
[0013]本發明上圓盤和下圓盤與軸盤和加工軸同軸設置，防止轉動偏心；通過固定孔將頂出板固定，防止機構旋轉時頂出板甩脫;上圓盤直徑為355，保證第一凹槽可置直徑355mm的陶瓷盤，提高多用性;上圓盤和第二凹槽頂表面為水平面或略下凹面，保證轉接盤與陶瓷盤的接觸面緊密，避免因為某出凸起導致加壓不均;十字方槽避免接觸面與陶瓷盤之間完全密合而形成真空增加取陶瓷盤的難度;第二凹槽深度為12mm，小于陶瓷盤的厚度，防止對銅拋機盤面造成劃傷;轉接盤為尼龍材料，硬度高，不易變形，較輕便。
[0014]綜上，本發明結構合理，拆裝方便，實用性高，針對小型機和大型機之間的存在的差異，可將大陶瓷盤轉接到小機型上進行修整，以降低晶片TTV，實現平坦度要求，同時提高加工效率。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發明結構示意圖。
[0016]圖2為本實用剖視示意圖。
[0017]圖3為本發明俯視圖。
[0018]圖4為本發明轉接盤仰視圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】作進一步說明。
[0020]一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，包括加工軸1、軸盤2、由尼龍材料制成的轉接盤3和螺栓4，其中，所述加工軸I底部設有連接法蘭5，所述連接法蘭5上設有若干連接孔6，所述若干連接孔6繞連接法蘭5—周均勻間隔設置，通過螺栓4穿過連接孔6和軸盤2實現加工軸I和軸盤5相連，所述軸盤5底部設有第一凹槽7，所述軸盤7外設有若干緊固板8和頂出機構9，所述若干緊固板8繞軸盤2—周均勻間隔設置，所述緊固板8上設有緊固螺釘10，所述緊固螺釘10端部置于第一凹槽7內；
所述頂出機構9位于軸盤2頂部兩側，所述頂出機構9包括支撐座11、頂出板12和限位塊13，所述支撐座11內設有空腔14，所述空腔14與第一凹槽7連通，所述支撐座11兩側設有導板15，所述導板15上設有通孔16，所述限位塊13位于導板15—側，且與支撐座11相連，所述頂出板12位于導板15另一側，所述頂出板12上設有若干固定孔16，所述頂出板12—側設有轉板17，所述轉板17置于導板15之間，且兩側設有凸桿18，所述凸桿18置于通孔16內，所述轉板17上設有傾斜面19，所述傾斜面19與限位塊13配合；
所述轉接盤3包括上圓盤20和下圓盤21，所述上圓盤20和下圓盤31與軸盤2和加工軸I同軸設置，所述上圓盤20底部與下圓盤21頂部相連，所述上圓盤20外壁與第一凹槽7內壁間隙配合，所述上圓盤20直徑dl為355mm，厚度hi為15mm;
所述下圓盤21置于若干緊固板8之間，所述下圓盤21厚度h2為32mm，所述下圓盤21底部設有第二凹槽22，所述上圓盤20和第二凹槽22頂表面為水平面或略下凹面，所述第二凹槽22為圓柱形槽，所述第二凹槽22直徑d2為485mm，深度h3為12mm，所述第二凹槽22內設有十字方槽23，所述十字方槽23的交叉點位于第二凹槽22頂表面圓心處，所述十字方槽寬度d3為10mm，深度h4為5mm。
[0021]所述尼龍材料由尼龍612、尼龍66、碳纖維、石墨烯、納米二氧化硅、二乙基次膦酸鋁、甲基環己二胺、甲苯二異氰酸酯按質量比40:50:14:10:7:9:3:2調和而成。
[0022]本發明的工作方式為:
將加工軸底部與小機型相連，第二凹槽內可置直徑為485mm的陶瓷盤，通過軸壓壓緊實現轉接盤和陶瓷盤壓緊安裝，旋緊緊固板上的緊固螺釘即可，當加工軸旋轉時可帶動陶瓷盤旋轉，實現晶片銅拋修整;拆卸時，旋松緊固螺釘，通過拉起頂出機構的頂出板，轉板端部轉至支撐座的空腔內，當傾斜面與限位塊配合時，可置于第一凹槽內抵出轉接盤，隨后取出轉接盤和陶瓷盤即可。
[0023]本發明所述的尼龍材料具有超高硬度高，抗沖擊性，不易變形，同時較輕便，耐熱阻燃性能好。
[0024]以上所述，僅為本發明較佳的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，包括加工軸、軸盤、由尼龍材料制成的轉接盤和螺栓，其特征為，所述加工軸底部設有連接法蘭，所述連接法蘭上設有若干連接孔，所述若干連接孔繞連接法蘭一周均勻間隔設置，通過螺栓穿過連接孔和軸盤實現加工軸和軸盤相連，所述軸盤底部設有第一凹槽，所述軸盤外設有若干緊固板和頂出機構，所述若干緊固板繞軸盤一周均勻間隔設置，所述緊固板上設有緊固螺釘，所述緊固螺釘端部置于第一凹槽內； 所述頂出機構位于軸盤頂部兩側，所述頂出機構包括支撐座、頂出板和限位塊，所述支撐座內設有空腔，所述空腔與第一凹槽連通，所述支撐座兩側設有導板，所述導板上設有通孔，所述限位塊位于導板一側，且與支撐座相連，所述頂出板位于導板另一側，所述頂出板一側設有轉板，所述轉板置于導板之間，且兩側設有凸桿，所述凸桿置于通孔內，所述轉板上設有傾斜面，所述傾斜面與限位塊配合； 所述轉接盤包括上圓盤和下圓盤，所述上圓盤和下圓盤與軸盤和加工軸同軸設置，所述上圓盤底部與下圓盤頂部相連，所述上圓盤外壁與第一凹槽內壁間隙配合，所述下圓盤置于若干緊固板之間，所述下圓盤底部設有第二凹槽，所述第二凹槽為圓柱形槽，所述第二凹槽內設有十字方槽，所述十字方槽的交叉點位于第二凹槽頂表面圓心處。2.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述頂出板上設有若干固定孔。3.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述上圓盤和第二凹槽頂表面為水平面或略下凹面。4.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述上圓盤直徑dl 為355mm，厚度hi 為 15mm。5.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述下圓盤厚度h2為32mm。6.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述第二凹槽直徑d2為485mm，深度h3為12mm。7.如權利要求1所述的一種用于晶片銅拋修整的轉接機構，其特征為，所述十字方槽寬度d3為I Omm，深度h4為5mm。
【文檔編號】B24B53/017GK105881216SQ201610391751
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年6月6日
【發明人】姚欽, 王祿寶
【申請人】江蘇吉星新材料有限公司