:銦鋅氧化物)、鎵添加氧化鋅(GZ0)等透明導電材料；和金(Au)、鎳(Ni)、鈾(Pt)等金屬材料。
[0142]此外，導電膜的層疊方法，在噴派法以外可以使用真空蒸鍍法、CVD (ChemicalVapor Deposit1n，化學蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。
[0143]第一電極21的厚度沒有特別限定，如上述那樣，例如可以為lOOnm。
[0144]接著，通過與層間膜13同樣的方法，將邊緣罩15以例如大致1 ym的膜厚形成。作為邊緣罩15的材料，可以使用與層間膜13同樣的絕緣材料。
[0145]通過以上的工序，制作TFT基板10和第一電極21 (S1)。
[0146]接著，對經歷了上述工序的TFT基板10實施用于脫水的減壓烘烤和用于第一電極21的表面洗滌的氧等離子體處理。
[0147]接著，使用一般的蒸鍍裝置，在TFT基板10上將空穴注入層和空穴輸送層(本實施方式中為空穴注入層兼空穴輸送層22)蒸鍍到TFT基板10的顯示區域整個面(S2)。
[0148]具體而言，將與顯示區域整個面對應地開口的開放式掩模(open mask)，相對于TFT基板10進行了對準調整后，緊密貼合在該TFT基板10上。然后，一邊使TFT基板10和開放式掩模一起旋轉，一邊使從蒸鍍源飛散的蒸鍍顆粒通過開放式掩模的開口部均勻地蒸鍍在顯示區域整個面。
[0149]另外，對顯示區域整個面的蒸鍍是指，在相鄰的顏色不同的子像素間不中斷地蒸鍍。
[0150]作為空穴注入層和空穴輸送層的材料，例如可以列舉:揮發油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮雜苯并菲以及它們的衍生物；聚硅烷類化合物；乙烯基咔唑類化合物；和噻吩類化合物、苯胺類化合物等雜環共軛類的單體、低聚物或聚合物等。
[0151]空穴注入層和空穴輸送層可以如上述那樣形成為一體，也可以作為獨立的層形成。各自的膜厚例如為10?lOOnm。
[0152]在形成空穴注入層兼空穴輸送層22作為空穴注入層和空穴輸送層的情況下，作為空穴注入層兼空穴輸送層22的材料，例如可以使用4，4’ -雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(a -NPD)。此外，空穴注入層兼空穴輸送層22的膜厚例如可以為30nm。
[0153]接著，在空穴注入層兼空穴輸送層22上以覆蓋邊緣罩15的開口部15R、15G和15B的方式分別與子像素2R、2G和2B對應地獨立形成發光層23R、23G和23B (圖案形成)(S3)。
[0154]如上述那樣，各發光層23R、23G、23B使用低分子熒光色素、金屬絡合物等發光效率高的材料。
[0155]作為發光層23R、23G和23B的材料，例如可以列舉:蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、二萘嵌苯、茜、熒蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、暈苯、丁二烯、香豆素、B丫啶、芪和它們的衍生物；三(8-羥基喹啉)鋁絡合物；雙(羥基苯并喹啉)鈹絡合物；三(聯苯甲酰甲基)菲啰啉銪絡合物；和二甲苯酰乙烯基聯苯等。
[0156]各發光層23R、23G、23B的膜厚例如為10?lOOnm。
[0157]本發明的制造方法能夠特別適用于這樣的發光層23R、23G和23B的形成。
[0158]對使用了本發明的制造方法的各發光層23R、23G、23B的圖案的形成方法將在后文詳細敘述。
[0159]接著，通過與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2同樣的方法，將電子輸送層24以覆蓋空穴注入層兼空穴輸送層22以及發光層23R、23G和23B的方式蒸鍍在TFT基板10的顯示區域整個面(S4)。
[0160]接著，通過與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2同樣的方法，將電子注入層25以覆蓋電子輸送層24的方式蒸鍍在TFT基板10的顯示區域整個面上(S5)。
[0161]作為電子輸送層24和電子注入層25的材料，例如舉出:喹啉、二萘嵌苯、菲啰啉、聯苯乙稀、吡嘆、三挫、噁挫、噁二挫、芴酮以及它們的衍生物或金屬絡合物；和LiF(氟化鋰)等。
[0162]更具體而言，可以舉出:Alq3(三(8_羥基喹啉)鋁)、蒽、萘、菲、芘、蒽、茈、丁二烯、香豆素、B丫啶、芪、1，10-菲咯啉和它們的衍生物、金屬絡合物；和LiF等。
[0163]如上述那樣，電子輸送層24和電子注入層25可以形成為一體，也可以作為獨立的層形成。各自的膜厚例如為1?lOOnm，優選為10?lOOnm。此外，電子輸送層24和電子注入層25的合計膜厚例如為20?200nmo
[0164]代表性地，使用Alq3作為電子輸送層24的材料，使用LiF作為電子注入層25的材料。此外，例如電子輸送層24的膜厚為30nm，電子注入層25的膜厚為lnm。
[0165]接著，通過與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序(S2)同樣的方法，將第二電極26以覆蓋電子注入層25的方式蒸鍍在TFT基板10的顯示區域整個面(S6)。其結果是，在TFT基板10上形成包含有機EL層、第一電極21和第二電極26的有機EL元件20。
[0166]作為第二電極26的材料(電極材料)，優選使用功函小的金屬等。作為這樣的電極材料，例如可以舉出鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlL1、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第二電極26的厚度例如為50?lOOnm。
[0167]代表性地，第二電極26由厚度50nm的鋁薄膜形成。
[0168]接著，如圖1所示，使用粘接層30將形成有有機EL元件20的TFT基板10與密封基板40貼合，進行有機EL元件20的封入(S7)。
[0169]作為密封基板40，例如使用厚度為0.4?1.1mm的玻璃基板或塑料基板等的絕緣基板。
[0170]另外，密封基板40的縱向長度和橫向長度可以根據作為目標的有機EL顯示裝置1的尺寸適當調整，也可以使用與TFT基板10的絕緣基板11大致相同的尺寸的絕緣基板，將有機EL元件20密封后，按照作為目標的有機EL顯示裝置1的尺寸進行分割。
[0171]此外，有機EL元件20的密封方法不特別限定于上述的方法，能夠采用其他所有的密封方法。作為其他的密封方式，例如可以舉出將雕刻玻璃(carved glass，形成有凹部的玻璃)作為密封基板40使用，利用密封樹脂、燒結玻璃等框狀地進行密封的方法，和在TFT基板10與密封基板40之間填充樹脂的方法等。
[0172]此外，可以在第二電極26上以覆蓋第二電極26的方式為了阻止氧、水分從外部浸入到有機EL元件20內而設置保護膜(未圖示)。
[0173]保護膜能夠由絕緣性或導電性的材料形成。作為這樣的材料，例如可以舉出氮化硅、氧化硅等。保護膜的厚度例如為100?lOOOnm。
[0174]上述工序后，有機EL顯不裝置1完成。
[0175]在該有機EL顯示裝置1中，當通過來自配線14的信號輸入使TFT12導通(ON)時，從第一電極21向有機EL層注入正穴(空穴)。另一方面，從第二電極26向有機EL層注入電子，空穴和電子在各發光層23R、23G、23B內再結合。利用空穴和電子的再結合帶來的能量激發發光材料，當該激發狀態返回基態時，射出光。通過控制各子像素2R、2G、2B的發光亮度來顯示規定的圖像。
[0176]接著，對發光層蒸鍍工序S3進行說明。
[0177]圖5是實施方式1的蒸鍍裝置的立體示意圖。圖6是實施方式1的蒸鍍裝置的剖面示意圖，示出與基板的掃描方向垂直的剖面。
[0178]如圖5和圖6所示，發光層蒸鍍工序S3利用實施方式1的蒸鍍裝置101進行。蒸鍍裝置101具有真空腔室(未圖示)和與真空腔室連接的真空栗(未圖示)。此外，蒸鍍裝置101在真空腔室內設置有:包含蒸鍍源60、限制部件70和掩模(蒸鍍掩模)65的蒸鍍單元50 ;能夠保持基板(被成膜基板)90的保持機構(保持裝置)51 ;能夠使基板90在XY面內即水平方向上移動的移動機構(移動裝置)52 ;和對準機構(對準裝置、未圖示)。
[0179]蒸鍍源60、限制部件70和掩模65作為一個蒸鍍單元50形成為一體。掩模65配置在蒸鍍源60與基板90之間，限制部件70配置在蒸鍍源60與掩模65之間。換言之，蒸鍍源60、限制部件70、掩模65和基板90按照此順序配置。此外，蒸鍍源60與限制部件70在Z軸方向上隔開間隔，限制部件70與掩模65在Z軸方向上隔開間隔。
[0180]另外，蒸鍍源60與限制部件70之間的間隔沒有特別限定，能夠適當設定，限制部件70與掩模65之間的間隔也沒有特別限定，能夠適當設定。前者例如可以設定為與現有的掃描蒸鍍法中采用的蒸鍍源與限制板之間的間隔相同程度，后者例如可以設定為與現有的掃描蒸鍍法中采用的限制板與掩模之間的間隔相同程度。
[0181]保持機構51的具體結構沒有特別限定，作為具體例，例如可以舉出靜電卡盤等。移動機構52的具體結構沒有特別限定，作為移動機構52，例如可以使用由發動機使進給螺桿旋轉的進給螺桿機構、直線電機等一般的輸送驅動機構。對準機構是用于對基板90相對于蒸鍍單元50的相對位置進行控制的機構，例如包含CCD攝影機等的位置檢測單元和與該位置檢測單元連接的控制電路。
[0182]基板90與本發明的蒸鍍裝置中的上述基板對應。基板90是經TFT基板和第一電極制作工序S1以及空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2制作而成的基板，是如上所述那樣在絕緣基板11上形成有TFT12、配線14、層間膜13、第一電極21、邊緣罩15和空穴注入層兼空穴輸送層22的基板。
[0183]蒸鍍源60是內部收納蒸鍍材料的容器，具有對蒸鍍材料進行加熱的加熱機構(未圖示)。蒸鍍源60的與限制部件70相對的部分、即上部周期性地設置有m個(m為2以上的整數)射出口 61。射出口 61是設置于蒸鍍源60的開口，配置在與X軸方向平行的同一直線上。另外，m的上限沒有特別限定，可以適當地設定。蒸鍍材料被加熱機構加熱而成為蒸氣，該蒸氣在蒸鍍源60內擴散，然后從射出口 61向上方噴出。其結果是，從各射出口 61產生蒸鍍顆粒的流，即蒸鍍流56。
[0184]另外，各射出口 61的平面形狀(俯視形狀)沒有特別設定，可以適當地設定。作為具體例，例如可以舉出圓形、橢圓形、矩形、正方形等。此外，射出口 61的平面形狀能夠相互獨立地設定，通常所有射出口 61被設定為相同的平面形狀。各射出口 61的大小(面積)也沒有特別限定，可以適當地設定。射出口 61的大小(面積)能夠相互獨立地設定，通常，所有射出口 61被設定為相同的大小。
[0185]各射出口 61如圖5和圖6所示，可以形成在設置于蒸鍍源60的上部的噴嘴62的前端。
[0186]限制部件70是用于從由射出口 61噴出的蒸鍍流56中排除不需要的成分(蒸鍍顆粒)的部件。限制部件70的結構概括來說，限制部件70為中空的大致長方體的結構體，與m個射出口 61對應地設置有m個貫通口 71。在各貫通口 71的側方設置有多個開口 72，而且在限制部件70的外周部設置有多個開口 73和多個開口 74。
[0187]以下，對限制部件70進行詳細敘述。
[0188]圖7是示意性地表示實施方式1的蒸鍍裝置的限制部件的立體圖。圖8是示意性地表示實施方式1的蒸鍍裝置的限制部件的切去一部分后的立體圖。圖9是實施方式1的蒸鍍裝置的限制部件的俯視圖、正視圖和右側視圖。另外，在本說明書中，以2個第二壁部中的一個的面為正面，以第一板部的面為頂面，以2個第三壁部的面為側面，以第二板部的面為底面。圖10是實施方式1的蒸鍍裝置的剖面示意圖，示出與基板的掃描方向垂直的剖面。圖11是實施方式1的蒸鍍裝置的剖面示意圖，示出與基板的掃描方向平行的剖面。
[0189]如圖7?11所示，限制部件70包含第一板部75、第二板部76和連接部80。板部75和76是設置有多個開口的平板狀的部件，由第一板部75和第二板部76分別形成限制部件70的上