用于晶片研磨的雙面研磨機的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于晶片研磨的雙面研磨機。
【背景技術】
[0002]通常，在進行半導體晶片研磨的過程中，根據不同的需要，分別使用雙面研磨機和單面研磨機進行雙面研磨和單面研磨。一般來說，雙面研磨機加工出的晶片的平整度比單面拋光的要好。
[0003]現有的雙面研磨機中存在，上研磨盤和外盤是分開轉動的，上研磨盤由于存在設計上的缺陷，在轉動的時候平穩性較差，因此，傳統研磨出來的晶片表面存在不規則的弧度，易出現次品。
【發明內容】
[0004]本發明要解決的技術問題是:克服現有技術的不足，提供一種用于晶片研磨的雙面研磨機。
[0005]本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種用于晶片研磨的雙面研磨機，包括外盤以及上研磨盤，所述上研磨盤位于外盤上端，并且上研磨盤與外盤相對轉動設置；
[0006]所述的上研磨盤的邊緣設置有第一擋銷，所述外盤的上端設置有第二擋銷，所述第一擋銷和第二擋銷配合阻擋。
[0007]進一步的，所述上研磨盤的邊緣設置有第一基座，所述第一擋銷與第一基座固定連接；所述外盤的上端設置有第二基座，所述第二擋銷與第二基座固定連接。
[0008]進一步的，所述上研磨盤的上方設置有藥液分散裝置，所述藥液分散裝置包括凹形水箱，所述水箱的上端開設進水口，所述水箱的下端開設有若干出水孔。
[0009]本發明的有益效果是:依靠外盤與上研磨盤之間的擋銷配合，使得上研磨盤與外盤同速轉動，從而使上研磨盤的轉動更加平穩，提高研磨機的研磨質量。
[0010]藥液分散裝置的設置，可以為研磨盤研磨添加藥液，便于更好的研磨。
【附圖說明】
[0011]下面結合附圖對本發明進一步說明。
[0012]圖1是本發明研磨機的示意圖；
[0013]圖2是藥液分散裝置的示意圖；
[0014]其中，1、上研磨盤，2、外盤，3、第一基座，4、第一擋銷，5、第二基座，6、第二擋銷，7、藥液分散裝置，71、進水口，72、出水孔。
【具體實施方式】
[0015]現在結合附圖對本發明作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。
[0016]如圖1圖2所示，一種用于晶片研磨的雙面研磨機，包括外盤2以及上研磨盤1，上研磨盤1位于外盤2上端，并且上研磨盤1與外盤2相對轉動設置；上研磨盤1的邊緣設置有第一擋銷4，外盤2的上端設置有第二擋銷6，第一擋銷4和第二擋銷6配合阻擋。
[0017]上研磨盤1的邊緣設置有第一基座3，第一擋銷4與第一基座3固定連接；外盤2的上端設置有第二基座5，第二擋銷6與第二基座5固定連接。
[0018]依靠外盤2與上研磨盤1之間的擋銷配合，使得上研磨盤1與外盤2同速轉動，從而使上研磨盤1的轉動更加平穩，提高研磨機的研磨質量。
[0019]上研磨盤1的上方設置有藥液分散裝置7，藥液分散裝置7包括凹形水箱，水箱的上端開設進水口 71，水箱的下端開設有若干出水孔72。
[0020]藥液分散裝置7的設置，可以為研磨盤研磨添加藥液，便于更好的研磨。
[0021]以上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。
【主權項】
1.一種用于晶片研磨的雙面研磨機，其特征是，包括外盤(2)以及上研磨盤(1)，所述上研磨盤(I)位于外盤(2)上端，并且上研磨盤(I)與外盤(2)相對轉動設置； 所述的上研磨盤(I)的邊緣設置有第一擋銷(4)，所述外盤(2)的上端設置有第二擋銷(6)，所述第一擋銷(4)和第二擋銷(6)配合阻擋。2.根據權利要求1所述的用于晶片研磨的雙面研磨機，其特征是，所述上研磨盤(I)的邊緣設置有第一基座(3)，所述第一擋銷(4)與第一基座(3)固定連接；所述外盤(2)的上端設置有第二基座(5)，所述第二擋銷(6)與第二基座(5)固定連接。3.根據權利要求1所述的用于晶片研磨的雙面研磨機，其特征是，所述上研磨盤(I)的上方設置有藥液分散裝置(7)，所述藥液分散裝置(7)包括凹形水箱，所述水箱的上端開設進水口(71)，所述水箱的下端開設有若干出水孔(72)。
【專利摘要】本發明涉及一種用于晶片研磨的雙面研磨機，包括外盤以及上研磨盤，所述上研磨盤位于外盤上端，并且上研磨盤與外盤相對轉動設置；所述的上研磨盤的邊緣設置有第一擋銷，所述外盤的上端設置有第二擋銷，所述第一擋銷和第二擋銷配合阻擋。依靠外盤與上研磨盤之間的擋銷配合，使得上研磨盤與外盤同速轉動，從而使上研磨盤的轉動更加平穩，提高研磨機的研磨質量。
【IPC分類】B24B37/34, B24B37/08, B24B57/02
【公開號】CN105328561
【申請號】CN201510622216
【發明人】戚林
【申請人】江蘇中科晶元信息材料有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年9月25日