專利名稱：多弧-磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及金屬材料鍍覆設(shè)備，特別是真空蒸發(fā)、濺射的鍍覆設(shè)備。
近年來(lái)廣泛應(yīng)用于機(jī)械、航天、航空、紡織、石化、儀表、輕工、電子、建材等方面的多弧離子鍍?cè)O(shè)備，雖具有鍍膜速率高、工藝參數(shù)易于控制等優(yōu)點(diǎn)，但不能進(jìn)行鍍多層膜及合金膜，而且由于鍍膜時(shí)，多弧離子流強(qiáng)，往往使被鍍工件加熱至300℃以上，因此對(duì)于塑料以及其他低熔點(diǎn)金屬與非金屬，一般不能應(yīng)用這種設(shè)備進(jìn)行鍍膜，使設(shè)備的應(yīng)用面具有很大的局限性。
本實(shí)用新型是對(duì)多弧離子鍍?cè)O(shè)備的改進(jìn)和發(fā)展，目的在于提供一種既能進(jìn)行高溫多弧鍍膜，又可在塑料等低熔點(diǎn)的金屬或非金屬工件上進(jìn)行低溫鍍膜，而且還可進(jìn)行鍍多層膜及合金膜。
本實(shí)用新型的目的可通過(guò)以下措施達(dá)到一般多弧離子鍍?cè)O(shè)備主要由接真空機(jī)組的法蘭、安裝被鍍工件的旋轉(zhuǎn)工件架、真空室、裝在真空室壁上的多弧蒸發(fā)源、帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)工件架的旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)輪、鍍膜用的充氣孔等組成。該設(shè)備在此基礎(chǔ)上，增加同軸磁控濺射部件，便可在塑料及低熔點(diǎn)的金屬與非金屬上鍍膜，此時(shí)真空室四壁上的弧源應(yīng)加擋板，以避免濺射時(shí)污染弧源。當(dāng)需進(jìn)行高溫鍍膜或進(jìn)行鍍多層膜、合金膜時(shí)，去掉擋板，同時(shí)進(jìn)行弧光與輝光放電，便可得到不同材質(zhì)及不同結(jié)構(gòu)的多層膜或合金膜。
在進(jìn)行高溫鍍膜時(shí)，為了提高鍍膜質(zhì)量及膜－基結(jié)合力，需對(duì)被鍍工件進(jìn)行預(yù)加熱，此時(shí)只要將磁控濺射靶從密封法蘭處拆下，換上具有同樣尺寸與結(jié)構(gòu)的密封法蘭的加熱器即可。
該實(shí)用新型由于只需在原多弧離子鍍?cè)O(shè)備上增加了一個(gè)同軸濺射部件，就不僅能進(jìn)行高溫多弧鍍膜，又可在塑料等低熔點(diǎn)的金屬與非金屬工件上進(jìn)行低溫鍍膜，而且還可鍍不同成分及結(jié)構(gòu)的多層膜或合金膜，因此可非常方便的實(shí)現(xiàn)一臺(tái)設(shè)備多種功能，大大地拓寬了多弧離子鍍?cè)O(shè)備的使用范圍，增加了使用功能，節(jié)約了開(kāi)支。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)及工作情況作進(jìn)一步詳述。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理示意圖圖2為裝有加熱器的多弧離子鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)原理示意圖參考附
圖1，該設(shè)備主要由接真空機(jī)組(圖中未畫(huà)出)的法蘭盤(pán)(1)，用于安裝被鍍工件(2)的旋轉(zhuǎn)工件架(3)，真空室(8)，裝在真空室壁上的多弧蒸發(fā)源(10)，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)工件架(3)的旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)輪(11)，鍍膜用的充氣孔(12)等組成。其特點(diǎn)是在真空室(8)的中軸裝有磁控濺射靶(7)，該靶通過(guò)法蘭盤(pán)(5)固定在真空室的頂部或底部，用密封圈(4)密封，由0～1200V直流電源(6)驅(qū)動(dòng)磁控靶(7)，形成輝光放電，便可鍍塑料工件及低熔點(diǎn)的金屬及非金屬，此時(shí)為了避免濺射時(shí)污染弧源表面，每個(gè)弧源(10)處應(yīng)加擋板(9)。當(dāng)須進(jìn)行高溫鍍膜或?yàn)榱耸贡诲児ぜ砻嫘纬刹煌馁|(zhì)及不同結(jié)構(gòu)的多層膜、合金膜時(shí)，可去掉擋板(9)，同時(shí)開(kāi)動(dòng)弧源與磁控濺射靶。
參考附圖2，在進(jìn)行高溫鍍膜時(shí)，為提高鍍膜質(zhì)量及膜－基結(jié)合力，須對(duì)被鍍工件進(jìn)行預(yù)加熱，此時(shí)只要將磁控濺射靶(7)從結(jié)合密封法蘭處拆下，換上同樣尺寸與結(jié)構(gòu)的法蘭密封的加熱器(14)，將磁控濺射靶(7)的驅(qū)動(dòng)電源(6)加在被鍍工件架上，此時(shí)加熱器(14)電源(13)為5～25Kw，當(dāng)然應(yīng)將擋板(9)拿掉?；谶@種設(shè)備的原理，對(duì)現(xiàn)有裝有加熱器的多弧離子鍍?cè)O(shè)備，只要將加熱器換成磁控靶，便有即可進(jìn)行高溫鍍膜，又可在低熔點(diǎn)金屬與非金屬及塑料制品上鍍膜，也可鍍不同材質(zhì)及不同結(jié)構(gòu)的多層膜或合金膜的多種功能。
權(quán)利要求1.一種多弧-磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備，主要由接真空機(jī)組的法蘭盤(pán)(1)，用于安裝被鍍工件(2)的旋轉(zhuǎn)工件架(3)、真空室(8)，裝在真空室壁上的多弧蒸發(fā)源(10)，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)工件架(3)的旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)輪(11)，鍍膜用的充氣孔(12)等組成，其特征在于a.在真空室(8)的軸線上裝有磁空濺射靶(7)，該靶通過(guò)法蘭盤(pán)(5)固定在真空室(8)的頂部或底部，用密封圈(4)密封，由D～1200V直流電源(6)驅(qū)動(dòng)磁空靶(7)；b.在每個(gè)弧源(10)處裝有擋板(9)。
2.一種多弧－磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備，主要由接真空機(jī)組的法蘭盤(pán)(1)，用于安裝被鍍工件(2)的旋轉(zhuǎn)工件架(3)、真空室(8)，裝在真空室壁上的多弧蒸發(fā)源(10)，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)工件架(3)的旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)輪(11)，鍍膜用的充氣孔(12)等組成，其特征在于真空室(8)的軸線上裝有加熱器(14)，通過(guò)法蘭盤(pán)(5)固定在真空室(8)的頂部或底部，用密封圈(4)密封，由5～25Kw電源(13)驅(qū)動(dòng)加熱器(14)。
專利摘要多弧-磁控濺射多功能鍍膜設(shè)備，屬于一種鍍覆設(shè)備。該設(shè)備在多弧離子鍍?cè)O(shè)備中通過(guò)法蘭密封在真空室的頂部或底部的軸線上裝有磁控濺射靶(或加熱器)，每個(gè)弧源處裝有擋板(或拿掉擋板)。因此它不僅能進(jìn)行高溫鍍膜，又可在輝光放電下進(jìn)行低熔點(diǎn)的金屬與非金屬及塑料的高速低溫鍍膜，還可同時(shí)開(kāi)動(dòng)弧源及磁控濺射靶進(jìn)行鍍不同材質(zhì)、不同結(jié)構(gòu)的多層膜或合金膜，大大拓寬了多弧離子鍍?cè)O(shè)備的使用范圍，增加了使用功能，節(jié)約了開(kāi)支。
文檔編號(hào)C23C14/35GK2086749SQ9022614
公開(kāi)日1991年10月16日 申請(qǐng)日期1990年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1990年12月25日
發(fā)明者張寶復(fù), 王福柱, 張琦, 張?jiān)茲h 申請(qǐng)人:航空航天工業(yè)部第五研究院五一一研究所