專利名稱:Pcvd成膜工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種PCVD成膜工藝。
背景技術：
PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition，等離子增強氣相沉積)技術是制造TFT(thin film transistor，薄膜晶體管)-LCD(liquid crystaldisplayer，液晶顯示器)制造中普遍采用的成膜技術。
目前的PCVD成膜工藝中，通常氮化硅成膜的工作功率為2000W～5000W，所以RF(射頻)從0瓦突然增加到高功率時Plasma(等離子體)不是很安定，所以容易導致異常放電。
針對PCVD設備異常放電，現在通常的對策是分析通過研究異常放電產生的機理，分析設備硬件上的設計缺陷，然后通過設備硬件的改進來減少或者避免異常放電。通過改造設備的缺點是改造的成本大，周期長；設備硬件結構變化可能會帶來新的問題；對于正在生產的設備進行改造，會嚴重影響公司的生產計劃。
發明內容本發明的目的是通過工藝的改進避免由于RF從0瓦突然增加到高功率是導致的異常放電。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的一種PCVD成膜工藝，先將RF功率設定為一第一功率值，然后再將RF功率設定到工作功率。
其中，該第一功率低于工作功率。所述第一功率為300瓦特。
并且，RF為該第一功率的持續時間為5秒。
本發明的積極進步效果在于增加一步RF低功率的步驟，降低Plasma的不安定性，避免出現異常放電，并且由于較低功率所產生的電場較弱，在氮化硅分子濃度較低的情況下，能夠減少工作對象上附著的雜質，并且可以利用現有的設備完成。
具體實施方式下面給出本發明較佳實施例，以詳細說明本發明的技術方案。
一種PCVD成膜工藝，在將RF的功率調到工作功率之前，先將其功率設定為一個低于工作功率的第一功率，如300瓦特，持續時間為5秒。
低功率時形成一個相對穩定的等離子體系統，然后再增加電源的功率可以避免現有技術中異常放電的缺陷。
在處理的初期，設備中氮化硅分子濃度較低，此時將RF的功率直接設定為工作功率，就可能使設備中的雜質分子附著在工作對象上。現將RF功率設定為一個較低的功率時，此時電場較弱，可以減少工作對象上附著的雜質。
權利要求
1.一種PCVD成膜工藝，其特征在于，先將RF功率設定為一第一功率值，然后再將RF功率設定到工作功率。
2.根據權利要求
1所述的PCVD成膜工藝，其特征在于，該第一功率低于工作功率。
3.根據權利要求
2所述的PCVD成膜工藝，其特征在于，所述第一功率為300瓦特。
4.根據權利要求
3所述的PCVD成膜工藝，其特征在于，RF為該第一功率的持續時間為5秒。
專利摘要
本發明公開了一種PCVD成膜工藝，先將RF功率設定為一第一功率值，然后再將RF功率設定到工作功率。本發明中，增加一步RF低功率的步驟，降低Plasma的不安定性，避免出現異常放電，并且由于較低功率所產生的電場較弱，在氮化硅分子濃度較低的情況下，能夠減少工作對象上附著的雜質。
文檔編號C23C16/52GK1995453SQ200510112256
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日
發明者馬哲國 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan