本申請涉及芯片制造,尤其涉及一種金屬靶材蒸鍍方法、電子器件。
背景技術:
1、在芯片制造流程中會制備導電電極,導電電極通常會使用貴金屬作為導電金屬,在使用電子束蒸鍍機制備金屬電極時所使用到的貴金屬通常會使用鎢坩堝進行承載,使用過程中金屬靶材內部會溢出碳物質,導致出現碳含量較多的情況。
2、現有技術中金屬源靶材在蒸鍍前沒有進行前處理,且使用的鎢材質坩堝承載靶材,金屬會與鎢坩堝發生粘連,無法取出更換等操作;靶材表面不做前處理的話,內部碳含量較多,蒸鍍作業時會將靶材表面雜質蒸鍍到晶圓上,從而影響晶圓可靠性。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種金屬靶材蒸鍍方法、電子器件,旨在解決現有技術存在的問題。
2、為實現以上目的,本申請第一方面提供一種金屬靶材蒸鍍方法,包括:
3、將金屬靶材放置于第一坩堝;
4、對所述金屬靶材進行預熔,得到熔融錠狀靶材;
5、取出所述熔融錠狀靶材并擦拭其表面的碳膜,得到前處理金屬靶材;
6、將所述前處理金屬靶材放置于第二坩堝;
7、對所述前處理金屬靶材進行蒸鍍。
8、優選地,取出所述熔融錠狀靶材并擦拭其表面的碳膜之后還包括:將擦拭后的熔融錠狀靶材放回所述第一坩堝,重復所述預熔和所述擦拭步驟至少一次,得到所述前處理金屬靶材。
9、優選地,所述第一坩堝為氮化硼坩堝,所述第二坩堝為鎢坩堝。
10、優選地,所述金屬靶材選自金、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥、鈦、鋁、鎳中的任一種。
11、優選地,所述金屬靶材選自金、鉑、鈀。
12、優選地,所述預熔包括:先對所述金屬靶材的幾何中心以第一階段功率進行預熔,再對所述金屬靶材上以所述幾何中心為中心對稱的至少三個位點以第二階段功率進行預熔。
13、優選地,所述第一階段功率階段式逐漸提高。
14、優選地,所述第一階段功率包括逐漸提高的第一功率、第二功率、第三功率和第四功率。
15、優選地,所述第四功率與所述第二階段功率相同。
16、本申請還提供一種電子器件,所述電子器件的導電電極由上述的金屬靶材蒸鍍方法蒸鍍得到。
17、與現有技術相比,本申請的有益效果包括:
18、本申請提供的金屬靶材蒸鍍方法通過使用氮化硼坩堝與預熔程序處理金屬靶材,選用氮化硼坩堝可以保證金屬與氮化硼不會粘連,在金屬靶材熔融成錠狀冷卻后,可隨時取出擦拭清潔及其他操作,有效減少金屬靶材內部碳物質含量,實現金屬靶材內部基本不存在碳雜質,避免芯片制造流程中產品污染。在蒸鍍作業時不會將靶材表面雜質蒸鍍到晶圓上,不會影響晶圓可靠性。
1.一種金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,取出所述熔融錠狀靶材并擦拭其表面的碳膜之后還包括:將擦拭后的熔融錠狀靶材放回所述第一坩堝,重復所述預熔和所述擦拭步驟至少一次,得到所述前處理金屬靶材。
3.根據權利要求1所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述第一坩堝為氮化硼坩堝,所述第二坩堝為鎢坩堝。
4.根據權利要求1所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述金屬靶材選自金、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥、鈦、鋁、鎳中的任一種。
5.根據權利要求4所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述金屬靶材選自金、鉑、鈀。
6.根據權利要求1所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述預熔包括:先對所述金屬靶材的幾何中心以第一階段功率進行預熔,再對所述金屬靶材上以所述幾何中心為中心對稱的至少三個位點以第二階段功率進行預熔。
7.根據權利要求1所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述第一階段功率階段式逐漸提高。
8.根據權利要求7所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述第一階段功率包括逐漸提高的第一功率、第二功率、第三功率和第四功率。
9.根據權利要求8所述的金屬靶材蒸鍍方法,其特征在于,所述第四功率與所述第二階段功率相同。
10.一種電子器件,其特征在于,所述電子器件的導電電極由權利要求1至9任一項所述的金屬靶材蒸鍍方法蒸鍍得到。