一種裝置及其應用的制作方法

本文涉及半導體制造工藝，尤其涉及一種裝置及其應用。

背景技術：

1、在半導體制造工藝中，化學氣相沉積(cvd)工藝、原子層沉積(ald)工藝使用載氣或稀釋劑(例如，但不限于，氦、氫、氮等)將前驅體輸送反應室中，在基底上沉積前驅體以形成薄膜。

2、現有技術往往僅依靠載體的升華或鼓泡作用來輸送前驅體，然而這導致前驅體利用率低、顆粒物或液滴過多、前驅體濃度不均勻等問題。而且，一些前驅體材料是具有低蒸氣壓且常溫下為固態/粘稠液態的材料。這導致向反應室輸送前驅體材料存在困難。另外，隨著先進制程工藝(5納米及以下)的發展，要求輸送的前驅體材料具有更高的濃度、更穩定的流量和更好的潔凈程度(例如減少的顆粒)。

3、因此，本領域對于能夠輸送均勻、潔凈的前驅體的裝置存在需求。

技術實現思路

0、發明簡述

1、本文涉及一種裝置，包括：

2、容器(100)，所述容器包括容器側壁(101)、容器底部(102)、蓋(103)和內部空間(104)，所述蓋(103)包括進氣通道(1031)和出氣通道(1032)；

3、托盤(200)，所述托盤(200)包括托盤底面(201)及托盤側壁(202)，所述托盤側壁(202)設置進氣孔(203)和出氣孔(204)，并且所述托盤底面(201)包括凹陷區域(205)；以及，

4、位于托盤側壁(202)內側且相對于所述托盤側壁(202)成α角度的擾流部件(207)，所述α角度為大于或等于0度至小于或等于180度。

5、本文裝置能夠：控制載氣的流動路線、流速；高效、穩定地輸送前驅體；輸送均勻、潔凈的前驅體，可以有利地用于化學氣相沉積或原子層沉積應用過程；輸送改善濃度的前驅體。

技術特征：

1.一種裝置，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述擾流部件(207)臨近所述進氣孔(203)。

3.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括豎向取向的擋板(206)，所述擋板(206)與從所述進氣孔(203)到所述出氣孔(204)的方向不平行，且所述擋板(206)的底部與所述托盤底面(201)之間存在間隙。

4.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括具有篩孔(210)的篩板(211)，其被設置在所述托盤(200)的所述凹陷區域(205)的上方。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述篩板(211)的邊緣包括缺口(212)。

6.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述托盤側壁(202)在頂部具有厚度減少的頂部邊緣(208)，和/或所述托盤側壁(202)在底部具有厚度減少的底部邊緣(209)；優選地，所述頂部邊緣(208)和所述底部邊緣(209)具有互補的形狀。

7.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述容器(100)的容積為0.5-5l，優選1-4l，更優選2-3l。

8.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述進氣通道(1031)和/或出氣通道(1032)的直徑為3-13mm，優選5-11mm，更優選7-9mm。

9.根據前述權利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述擾流部件(207)包括連接結構(2071)和凸緣(2072)，所述連接結構(2071)連接托盤側壁(202)，所述凸緣(2072)接合所述連接結構(2071)并相對于所述連接結構(2071)成β角度，所述β角度為大于或等于0度至小于或等于180度；優選地，連接結構(2071)和凸緣(2072)具有相同的高度。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述連接結構(2071)接合一個或多個凸緣(2072)。

11.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述連接結構(2071)和/或所述凸緣(2072)分別具有15-30mm的高度，優選還具有5-40mm的長度。

12.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述連接結構(2071)還具有一個或多個穿孔(2073)，所述一個或多個穿孔(2073)允許流體通過；優選地，所述凸緣(2072)臨近所述一個或多個穿孔(2073)中的一個或更多個。

13.根據權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述一個或多個穿孔(2073)中至少一個的相對兩側分別具有延伸部件(2074)；優選地，所述延伸部件的端部連接在一起形成阻擋結構(2075)，所述阻擋結構(2075)允許改變通過穿孔(2073)的流體的方向；更優選地，該穿孔(2073)另外相對兩側不具有延伸部件(2074)。

14.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述篩板(211)厚度為0.5-2mm。

15.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述篩板(211)的篩孔(210)之間呈正三角形排布，孔徑為1-4mm，孔距為5-7mm。

16.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述擋板(206)的高度為15-30mm；優選地，所述擋板(206)的厚度為0.5-2mm；更優選地，各個擋板(206)之間的間距為20-30mm。

17.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述進氣孔(203)直徑為1-5mm。

18.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述出氣孔(204)直徑為1-7mm。

19.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述進氣孔(203)可以為長方形開孔，面積為50-300mm2。

20.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述出氣孔(204)可以為長方形開孔，面積為50-300mm2。

21.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述凹陷區域(205)是豎向向下的凹陷；優選地，所述凹陷區域(205)的沿容器徑向方向的尺寸為5-15mm；更優選地，所述凹陷區域(205)的沿豎向方向的深度為3-7mm。

22.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述擾流部件(207)包括擾流板(2076)，所述擾流板(2076)連接所述篩板(211)，所述擾流板(2076)相對于所述托盤側壁(202)成γ角度，所述γ角度為大于或等于0度至小于或等于180度。

23.根據權利要求1-22中任一項所述的裝置用于化學氣相沉積工藝的用途。

24.根據權利要求1-22中任一項所述的裝置，其特征在于，用于原子層沉積工藝的用途。

技術總結
本文涉及半導體制造工藝技術領域，尤其涉及一種裝置及其應用。本文所述裝置包含具有底部、側壁、和密封蓋的容器以及設置于其中的托盤。本文所述裝置可以有利地用于化學氣相沉積或原子層沉積應用過程。

技術研發人員：王拓,龐子凡,巫樟泉,張菁,蒙韜,徐華力
受保護的技術使用者：華為技術有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21