一種PECVD鍍膜方法及裝置與流程

本發明主要涉及等離子體技術領域，特指一種pecvd鍍膜方法及裝置。

背景技術：

pecvd裝置是太陽能電池片生產過程中用于鍍減反射膜的設備，減反射膜能有效提高電池片的效率，一批電池片如果片間膜厚的均勻性不好，就會影響這批電池片的整體效率，所以控制好電池片膜厚的片間均勻性很重要，同一個石墨舟中電池片膜厚的均勻性受石英管中壓力場，溫度場，氣體流量等均勻性的影響，而其中溫度場的均勻性是最難控制的，它受外部環境、工藝氣體溫度、爐體加熱爐絲的加熱強度影響。做工藝時，工藝氣體一直是流動的，從石英管口進入，流過石英管發生化學反應，然后被真空泵抽走；由于工藝氣體進入石英管前溫度比石英管內部溫度低，所以工藝氣體進入石英管后必然影響石英管內的溫度，導致整個溫度場的不均勻。

現有的技術是通過提高石英管管口處的爐體爐絲的加熱強度，也就是提高爐絲的加熱電流，使工藝氣體在經過爐口處吸收更多的熱量來使氣體迅速升溫，從而盡量減小工藝氣體對整個石英管溫度場的影響。但這種方法有兩個顯著的缺點：

1、爐口（石英管口）處加熱爐絲的電流過高，導致在工藝過程中石英管口處溫度比石英管其他部位溫度稍高，對此電池片的鍍膜存在較大影響，這是加大爐絲電流后不可避免的。

2、爐口處爐絲的電流調節難度較大，每一管電流都需要調節到一個合適的值，要在多次工藝中反復實驗，使低溫工藝氣體對溫度場的影響降到很低，同時又不能使爐口處加熱能力過大而導致的爐口處溫度過高，導致工作效率低。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題就在于：針對現有技術存在的技術問題，本發明提供一種提高鍍膜均勻性的pecvd鍍膜方法，并相應提供一種結構簡單、操作簡便的pecvd裝置。

為解決上述技術問題，本發明提出的技術方案為：

一種pecvd鍍膜方法，在工藝氣體進入pecvd裝置的腔體之前，對工藝氣體進行預熱。

優選地，將工藝氣體預熱至與腔體內的溫度一致。

本發明還公開了一種pecvd裝置，包括腔體，所述腔體上設置有進氣口和出氣口，所述腔體的進氣口前端設置有用于對工藝氣體進行預熱的預熱組件。

作為上述技術方案的進一步改進：

所述腔體的進氣口前端設置有流量計，所述預熱組件安裝于所述流量計與腔體進氣口之間。

所述預熱組件包括加熱爐，所述加熱爐的兩端設置有端蓋，所述加熱爐的內部設置有加熱爐絲以及用于輸送工藝氣體的輸送管道。

所述輸送管道呈螺旋狀分布在加熱爐內。

所述加熱爐的外部包有金屬套。

所述加熱爐上設置有用于測量加熱爐內溫度的溫度檢測件。

與現有技術相比，本發明的優點在于：

本發明的pecvd鍍膜方法，對進入腔體的工藝氣體進行預熱，保證進入腔體內的工藝氣體溫度與腔體內的溫度接近或一致，從而保證腔體內工藝氣體溫度的均勻性，提高鍍膜的均勻性。本發明的pecvd裝置同樣具有如上方法所述的優點，而且結構簡單、操作簡便且易于實現。

附圖說明

圖1為本發明的方框結構示意圖。

圖2為本發明的預熱組件的剖視圖。

圖3為本發明的預熱組件的立體結構圖。

圖4為本發明的加熱爐的立體結構圖。

圖5為本發明的金屬套的立體結構圖。

圖6為本發明的端蓋立體結構圖之一。

圖7為本發明的輸送管道立體結構圖。

圖中標號表示：1、腔體；11、進氣口；12、出氣口；2、預熱組件；21、加熱爐；22、端蓋；23、加熱爐絲；24、輸送管道；25、金屬套；26、溫度檢測件；3、流量計。

具體實施方式

以下結合說明書附圖和具體實施例對本發明作進一步描述。

本實施例的pecvd鍍膜方法，在工藝氣體進入pecvd裝置的腔體1（如石英管）之前，對工藝氣體進行預熱。本發明的pecvd鍍膜方法，對進入腔體1的工藝氣體進行預熱，保證進入腔體1內的工藝氣體溫度與腔體1內的溫度接近或一致，保證腔體1內工藝氣體溫度的均勻性，從而提高鍍膜的均勻性。

本實施例中，將工藝氣體預熱至與腔體1內的溫度相近或一致，如400℃，進一步提高工藝氣體在腔體1內的均勻性。

如圖1至圖7所示，本發明還公開了一種pecvd裝置，包括腔體1，腔體1上設置有進氣口11和出氣口12，腔體1的進氣口11前端設置有用于對工藝氣體進行預熱的預熱組件2。本發明的pecvd裝置同樣具有如上方法所述的優點，而且結構簡單、操作簡便。

如圖1所示，本實施例中，腔體1的進氣口11前端設置有流量計3，預熱組件2安裝于流量計3與腔體1的進氣口11之間且靠近進氣口11。這樣工藝氣體經過流量計3時仍是常溫，對流量計3沒有損壞；而且預熱后的工藝氣體能及時進入至腔體1內，避免熱量損失。

如圖2至圖7所示，本實施例中，預熱組件2包括加熱爐21，加熱爐21的兩端設置有端蓋22，加熱爐21的內部設置有加熱爐絲23以及用于輸送工藝氣體的輸送管道24。其中，輸送管道24為螺旋管；加熱爐21通過加熱爐絲23進行加熱，螺旋管處于加熱爐21中而受熱，工藝氣體經螺旋管的一端進入，在螺旋管內被加熱，再經另一端進入至腔體1內。其中螺旋管能夠增加受熱面積且減少占用空間，保證工藝氣體加熱到預定溫度。加熱爐21上設置有用于測量加熱爐21內溫度的溫度檢測件26（如熱電偶），能夠對加熱爐21內的溫度進行實時監控，從而方便控制加熱爐絲23的加熱電流對溫度進行調節。

如圖3所示，本實施例中，加熱爐21采用保溫隔熱材料做成；如圖5所示，加熱爐21的外部包有金屬套25，而且加熱爐21兩端的端蓋22為隔熱端蓋22（如圖6所示），端蓋22和金屬套25通過法蘭連接，將加熱爐21和端蓋22固定，構成一個完整的保溫隔熱空間，使其對周圍元器件的溫度產生盡量小的影響，并保證加熱爐21內部溫度主要加熱爐絲23控制而較少受到外部溫度影響。

具體過程：加熱爐21經加熱爐絲23對螺旋管進行加熱，工藝氣體由螺旋管的一端進入，在中間螺旋部分受熱，溫度逐漸上升，氣體在中間螺旋部分有足夠長的行程，從而當其通過中間螺旋部分而到達另一端時，溫度達到腔體1內的溫度，然后進入腔體1。

以上僅是本發明的優選實施方式，本發明的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本發明思路下的技術方案均屬于本發明的保護范圍。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理前提下的若干改進和潤飾，應視為本發明的保護范圍。

技術特征：

技術總結
本發明公開了一種PECVD鍍膜方法，在工藝氣體進入PECVD裝置的腔體之前，對工藝氣體進行預熱。本發明還相應公開了一種PECVD裝置，包括腔體，所述腔體上設置有進氣口和出氣口，所述腔體的進氣口前端設置有用于對工藝氣體進行預熱的預熱組件。本發明的PECVD鍍膜方法及裝置均具有提高鍍膜均勻性等優點。

技術研發人員：肖潔;謝振勇;吳得軼;李斌;符慧能
受保護的技術使用者：湖南紅太陽光電科技有限公司
技術研發日：2017.04.17
技術公布日：2017.08.18