電子束蒸鍍裝置制造方法

電子束蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供電子束蒸鍍裝置，能抑制因電子束蒸鍍產生的二次電子和反射電子入射到基板及進行電子屏蔽的磁體本身成為屏蔽物而妨礙蒸鍍這兩者。使蒸鍍材料的收容容器(坩堝(2))位于進行蒸鍍的基板(1)的下方，在比收容容器的中心靠向基板(1)中心方向的上方空間，夾著收容容器的中心且隔開規定的間隔，將一對磁體(4(4A、4B))各自的基板中心側端部配置成比另一個端部向下方傾斜。在與電子束蒸鍍的同時向先形成在基板上的有機薄膜上照射電子束蒸鍍時產生的反射電子和二次電子的情況下，能抑制有機器件的特性下降，能得到與用電阻加熱式金屬蒸鍍制作的有機器件同等的特性。此外，所述機構本身不會成為蒸鍍的屏蔽物，能在基板整個區域進行蒸鍍。
【專利說明】電子束蒸鍍裝置

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及一種使用了電子束的蒸鍍裝置。

【背景技術】
[0002] 使用了電子束的蒸鍍裝置通過向配置在真空容器內的坩堝內的材料照射用規定 電壓加速了的電子來對所述材料進行加熱，使坩堝內的材料蒸發，并且使蒸發了的材料附 著在配置于真空容器內的、作為被蒸鍍構件的基板的表面，由此形成薄膜。
[0003] 由于所述蒸鍍裝置能對多種材料進行高速成膜，所以適合于各種用途，因向坩堝 內的材料照射電子束而產生的二次電子和反射電子入射到成膜部，有時會引起成膜部的組 成變化。特別是在有機器件的成膜工序中對基板進行電子束蒸鍍時，有時因所述二次電子 和反射電子而使有機薄膜表面的組成變化，從而導致作為有機器件的特性下降。
[0004] 為了抑制二次電子和反射電子，公知的有例如專利文獻1。專利文獻1中公開了如 下內容：在基板和i甘禍相對的空間內，以使磁場的方向為橫向的方式相對配置一對電磁體， 并且在基板的附近設置探針，邊觀察流過該探針的電子電流邊調整針對一對電磁體的勵磁 電流。
[0005] 但是，在所述專利文獻1中，如果考慮磁體對電子束偏轉磁場的干擾，則需要以不 影響電子束偏轉的方式在磁體和電子束之間設置規定的距離，不得不將磁體設置成靠近基 板，但是由于在坩堝和基板相對的空間內由一對磁體形成磁場區域，所以磁體本身成為屏 蔽物，從而限制了蒸鍍范圍，因此專利文獻1公開的技術難以應用于例如G2?G4尺寸的大 型玻璃基板。
[0006] 此外，即使從坩堝直接向基板入射的二次電子和反射電子能夠被磁體屏蔽，但是 存在因磁場區域而從基板方向偏轉的二次電子和反射電子由于被真空容器的內壁等反射 而繞過磁場區域并且到達基板的可能性，所以存在僅通過一對磁體不能完全屏蔽向基板成 膜面入射的電子的問題。
[0007] 現有技術文獻
[0008] 專利文獻1 :日本專利公開公報特開平5-156428號 實用新型內容
[0009] 本實用新型要解決的技術問題是：用于在基板和坩堝相對的空間內形成磁場區域 的磁體本身成為屏蔽物從而限制了能夠蒸鍍的范圍，并且防止二次電子和反射電子向基板 入射的效果差。
[0010] 本實用新型提供一種電子束蒸鍍裝置，其形成磁場，并且使被加速后的電子照射 而被加熱從而蒸發了的材料附著在基板表面，由此形成薄膜，所述磁場對產生的電子向所 述基板的入射進行屏蔽，使蒸鍍材料的收容容器位于進行蒸鍍的所述基板的下方，在比所 述收容容器的中心靠向所述基板的中心方向的上方空間，夾著所述收容容器的中心且隔開 規定的間隔配置有一對磁體，并且所述一對磁體配置成：各個磁體的基板中心側的端部比 另一個端部向下方傾斜。
[0011] 所述本實用新型的電子束蒸鍍裝置通過以與使蒸鍍材料的收容容器位于進行蒸 鍍的基板下方對應地形成最佳磁場的方式配置磁體，使磁體不會成為妨礙蒸鍍的屏蔽物。
[0012] 此外，關于磁體的配置，通過夾著收容容器的中心且隔開規定的間隔配置一對磁 體，并且將所述一對磁體配置成：使各個磁體的基板中心側的端部比另一個端部向下方傾 斜，由此磁體不會成為蒸鍍的妨礙物，此外，能夠防止由朝向收容容器照射的電子束產生的 二次電子和反射電子直接入射到基板的成膜部。
[0013] 在所述電子束蒸鍍裝置中，在所述收容容器的周圍設置有接地的電子屏蔽板。如 果在收容容器的周圍且在不會成為蒸鍍屏蔽物的范圍內設置接地的電子屏蔽板，則能夠通 過使二次電子和反射電子通過內壁等流向大地，從而能夠抑制二次電子和反射電子入射到 基板成膜部。
[0014] 此外，在所述電子束蒸鍍裝置中，所述電子束蒸鍍裝置包括：收容容器升降機構， 改變從所述基板的蒸鍍面到所述收容容器的收容容器高度；磁體升降機構，改變所述收容 容器高度上的所述磁體的傾斜上端的高度；磁體傾斜變更機構，改變所述磁體的傾斜角度； 磁體間移動機構，改變所述一對磁體的間隔；以及控制部，基于蒸鍍材料種類、基板形狀以 及由設置在所述基板的轉動軌跡的直徑相對位置上的電子測量器測量到的電子量，控制所 述收容容器升降機構、所述磁體升降機構、所述磁體傾斜變更機構以及所述磁體間移動機 構的動作。由于所述電子束蒸鍍裝置具有所述結構，所以能夠基于蒸鍍材料種類、基板形狀 以及由設置在基板外側轉動軌跡的直徑相對位置上的電子測量器測量到的電子量，將磁體 配置在最佳位置上。
[0015] 按照本實用新型，能夠抑制起因于有機薄膜的組成變化所導致的有機器件的特性 下降，因電子束蒸鍍時產生的反射電子和二次電子入射到電子束蒸鍍前形成的有機薄膜表 面而產生所述的有機薄膜的組成變化，能夠將曾經被永久磁體妨礙的蒸鍍范圍擴大至G4 基板尺寸的基板的整個區域，此外，在原理上能夠得到與通過電阻加熱式蒸鍍形成的有機 器件同等的特性，所述電阻加熱式蒸鍍不會產生二次電子和反射電子且不會因所述二次電 子和反射電子引起特性下降，此外，使與該電阻加熱式的情況相比高速成膜容易的電子束 蒸鍍裝置的使用成為可能。
[0016] 此外，當使用電磁體作為進行電子屏蔽的磁體時，本實用新型不需要在使用永久 磁體的情況下按照用于蒸鍍的材料改變磁體間隔時所必須的使裝置停止來進行磁場調整， 在對多種材料進行連續蒸鍍時能夠形成合適的電子屏蔽用磁場并具有均勻的膜厚分布，并 且能夠高速成膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1是表示本實用新型的電子束蒸鍍裝置的簡要結構的圖。
[0018] 圖2的（a)和圖2的（b)是表示本實用新型電子束蒸鍍裝置的磁體的最佳配置的 圖。
[0019] 圖3的（a)和圖3的（b)是表示本實用新型電子束蒸鍍裝置的磁體和收容容器相 對于基板的配置關系的圖。
[0020] 圖4是表示本實用新型電子束蒸鍍裝置的電子屏蔽板的配置的圖。
[0021] 圖5是用于說明磁場對蒸鍍速率的影響量的圖。
[0022] 圖6是表示在用于確認本實用新型效果而進行的實驗中有機EL元件的蒸鍍范圍 內位置的圖。
[0023] 附圖標記說明
[0024] 1 基板
[0025] 2 坩堝
[0026] 21坩堝升降機構
[0027] 3 電子槍
[0028] 4 磁體
[0029] 4A、4B 磁體
[0030] 41磁體升降機構
[0031] 42磁體傾斜變更機構
[0032] 43磁體間移動機構
[0033] 45電子測量器
[0034] 5電子屏蔽板
[0035] 5A?5E 電子屏蔽板
[0036] 10控制部

【具體實施方式】
[0037] 在本實用新型中，抑制二次電子和反射電子向基板入射、以及磁體本身成為屏蔽 物而妨礙蒸鍍這兩者的目的可以通過以下方式實現：使蒸鍍材料的收容容器位于蒸鍍的基 板下方，此外，在比收容容器的中心靠向基板中心方向的上方空間內，夾著收容容器的中心 且隔開規定的間隔配置有一對磁體，并且一對磁體配置成：各磁體的基板中心側的端部比 另一個端部向下方傾斜。
[0038] [實施例]
[0039] 下面，參照附圖對用于實施本實用新型的方式進行詳細說明。
[0040] 在附圖中，僅表示成為本實用新型的電子束蒸鍍裝置特征的主要部分，在以下的 說明中，對于省略圖示的構件未賦予附圖標記。
[0041] 本例的電子束蒸鍍裝置將在表面形成薄膜的例如矩形的基板1設置在真空容器 的內部上方，并且邊使該基板1的面中心轉動邊進行蒸鍍。
[0042] 基板1將到例如G4尺寸為止的基板作為對象，用于所謂的有機器件，該有機器件 是由有機膜和金屬或透明電極構成的有機EL照明、有機EL顯示器、有機TFT、有機太陽能電 池等。
[0043] 坩堝2是裝入有蒸鍍材料（以下記載為材料）的收容容器。坩堝2配置在基板的 端部，在本例中配置在矩形的基板1的轉動圓軌道的下方。
[0044] 在本例中，通過坩堝升降機構21能夠改變坩堝2的高度和距基板1的蒸鍍面的距 離（后述的高度Η :參照圖3)。坩堝2有時采用所謂的轉臺方式，所述轉臺方式例如在一個 蒸發源位置切換使用多個材料。此時，由于每種材料分別具有固有的蒸鍍分布，所以如上所 述地通過坩堝升降機構21，按照在蒸鍍源使用的材料改變坩堝的高度Η來維持膜厚的均勻 性。
[0045] 另外，不以移動距基板1中心軸的距離的方式調整坩堝的理由如下：在如上所述 地對多種材料進行蒸鍍的轉臺方式中，在結構上難以移動坩堝2和坩堝中心在水平方向上 的距離R。
[0046] 通過磁體使從作為電子束源的電子槍3照射的電子的前進路線偏轉并將電子導 向坩堝2,并且通過到達了坩堝2的電子的碰撞，對裝入所述坩堝2內的材料進行加熱蒸發。 省略了電子束前進路線偏轉用磁體的結構的圖示和說明。
[0047] 關于電子束源，在本例中由于使依存于加速電壓的X射線量降低，所以能夠進行 低加速電壓（例如一 6kV以上）的調整。在向作為蒸鍍對象的有機器件的蒸鍍中，以加速 電壓一 2kV以上的方式進行蒸鍍。
[0048] 例如釹磁體、杉鈷（samarium-cobalt)磁體等磁體4(4A、4B)用于使向;t甘禍2內的 材料照射后產生的二次電子、反射電子偏轉，在本例中，如圖2的（a)所示，在坩堝2的基板 1方向的空間內，夾著該坩堝2的中心，從該中心朝向相互離開的方向隔開規定的等間隔使 N極和S極相對，并且使一端相對于另一端傾斜，以該方式配置磁體4 (4A、4B)。
[0049] 如圖2的（b)所示，磁體4的N極和S極的配置為：朝向基板1的中心，使右側為 N極，使左側為S極。在本實施例中，將磁體4A作為S極，將磁體4B作為N極，磁場的方向 成為從磁體4B朝向磁體4A的方向。此時，如果由電子束蒸鍍裝置產生的電子進入磁體4A 和磁體4B內的磁場，則電子被向基板1外引導（相反，如果將磁體4A作為N極，將磁體4B 作為S極，則電子被向基板側引導）。
[0050] 在本例中，如圖1所示，磁體4(4A、4B)能夠利用磁體升降機構41改變距后述的坩 堝2上側的面的高度H'，能夠利用磁體傾斜變更機構42改變后述的磁體4的傾斜度Θ的 角度，并且能夠利用磁體間移動機構43改變夾著后述的坩堝2的磁體4A和磁體4B間的距 離C。
[0051] 另外，如上所述，坩堝2利用坩堝升降機構21改變坩堝2的高度和距基板1的蒸 鍍面的距離（后述的高度H)，但是不改變在水平方向上的距離R。在此，在本例中，根據使 用的材料，為了使針對基板1的蒸鍍分布變化，需要改變坩堝2的高度H，但是有時磁體4不 能完全覆蓋蒸鍍范圍而使電子屏蔽變得困難、或者有時磁體4本身妨礙蒸鍍。
[0052] 因此，在本例中，如圖1所示，通過設置在基板1的轉動軌跡的直徑相對位置上的 電子測量器45,監測到達基板1的電子量，以成為后述的磁體配置條件的方式，通過磁體升 降機構41改變磁體4的高度H'，通過磁體傾斜變更機構42改變傾斜度Θ，并且通過磁體 間移動機構43改變距離C。
[0053] 在控制部10中，本實用新型的電子束蒸鍍裝置基于從未圖示的輸入部輸入的蒸 鍍材料種類和基板1的形狀（基板1的長X寬），控制坩堝升降機構21、磁體升降機構41、 磁體傾斜變更機構42和磁體間移動機構43的初始動作，如果蒸鍍開始，則將來自所述電子 測量器45的輸出向控制部10發送來進行線性控制。
[0054] 如圖4所示，電子屏蔽板5用于防止反射電子和二次電子到達基板1。由于磁體4 的磁場，磁體4A和磁體4B間的電子束的電子在該處被屏蔽，但是電子束的電子有時在通過 磁體4的下方后，因磁場而彎曲的電子會入射到基板1。此外，有時飛到基板1外并在真空 容器內反射的電子也會到達基板1。
[0055] 因此，在本例中，在磁體4和坩堝2所在位置的磁場下方以包圍坩堝2的方式設置 有電子屏蔽板5。電子屏蔽板5接地，并且在坩堝2的周圍設置在基板1的中心方向（將其 作為前方）、圓軌跡的外側方向（將其作為后方）、磁體4A和磁體4B的分開寬度方向（將 其作為側方）、以及從坩堝2看到的基板1方向（將其作為上方）上。
[0056] 具體地說，在本例中，以圖4所示方式配置電子屏蔽板5。將前方的電子屏蔽板5A 以沒有間隙的方式配置在磁體4A和磁體4B彼此的下端和下端之間，將上方的電子屏蔽板 5B以沒有間隙的方式設置在磁體4A和磁體4B彼此的上端和上端之間，將側方的電子屏蔽 板5C和?以沒有間隙的方式設置在磁體4A和磁體4B彼此的外側部上，并且將電子屏蔽 板5E以沒有間隙的方式設置在坩堝2的后方，由電子屏蔽板5構成箱體，該箱體覆蓋將磁 體4A和磁體4B的間隔作為開口的坩堝2。
[0057] 另外，當以所述方式通過坩堝升降機構21、磁體升降機構41、磁體傾斜變更機構 42以及磁體間移動機構43各機構改變坩堝2和磁體4的配置時，有時不能以沒有間隙的方 式設置所述電子屏蔽板5,但是當利用磁體4能夠充分地進行電子屏蔽時，可以存在坩堝2 和磁體4的移動行程部分的間隙。
[0058] 由于通過以所述方式設置電子屏蔽板5,能夠屏蔽反射電子，并且通過電子屏蔽板 5將飛向其他方向的電子也封入封閉的箱體空間內并最終導向大地，所以能夠非常有效地 防止電子到達基板1的蒸鍍范圍。
[0059] 接著，參照圖2和圖3具體說明基于基板1和謝禍2的位直的磁體4A和磁體4B 的配置。此外，下述的磁體4的配置條件也是電子屏蔽效果成為最佳的磁場產生范圍的條 件。
[0060] 另外，本實用新型的目的在于，為了進行電子屏蔽，不進行將磁體4作為電磁體情 況下的磁場產生輸出的調整，在使磁體4在蒸鍍期間的磁場產生輸出固定的情況下，通過 將磁體4的配置設為合適的條件，能夠實現電子屏蔽以及均勻且高速的成膜。
[0061] 磁場對電子束的影響
[0062] 當以電子屏蔽作為目的的磁體4的磁場達到電子束軌道上時，對電子束的偏轉、 會聚產生影響，導致不能對材料進行集中的電子束照射，從而引起蒸鍍速率下降。當觀察圖 5時可以判明，當電子束軌道上的磁通密度為0. 5mT時，蒸鍍速率下降10 %，在本實施例中， 將磁體配置成：以電子屏蔽為目的形成的磁場在電子束軌道上的磁通密度不成為0. 5mT以 上。
[0063] 磁體配置
[0064] 基本上說，按照蒸鍍材料和基板的蒸鍍面積，調整例如磁體4的磁場產生輸出和 電子束的輸出，由此能夠應對任意情況，但是在本例中不是將通過所述的電氣控制來進行 應對作為目的，本例的目的在于，找到與成膜條件相配的"使磁體4的磁場產生輸出固定情 況下的、與基板1的蒸鍍面積對應的磁體4的最佳配置條件"。
[0065] 如上所述，坩堝2位于基板1的下方。由于各個蒸鍍材料分別具有固有的蒸鍍分 布，所以將基板1的下側的面（成膜部）與坩堝2的上側的面的距離變更并決定為能夠得 到規定的膜厚均勻性的高度。此外，在本例中，使用電子測量器45的輸出來測量到達基板 1的電子量，根據基板1的下側的面（成膜部）與坩堝2的距離來決定磁體的配置。下面， 將坩堝2相對于基板1的位置作為基準來決定磁體4的各個配置。
[0066] 如圖3所示，關于磁體4,只要使距坩堝2上側的面的高度Η'、磁體4的長度B、磁 體4的傾斜度Θ以及磁體4A和磁體4B間的距離C成為如下所述的即可。
[0067] 高度 H，：200mm <高度 H，< 400mm
[0068] 只要使從坩堝2的上側的面到傾斜配置的磁體4的基板1外周側的端部亦即上 端的高度H'（距離）成為200mm彡高度H'彡400mm即可。如果磁體4的上端高度低于 200_(接近坩堝2)，則會對電子束向蒸發源上的偏轉、會聚產生干擾，不能有效地對材料 進行加熱，導致成膜速度下降。另一方面，如果磁體4的上端高度高于400mm(遠離坩堝2)， 則會成為蒸鍍的屏蔽物。
[0069] 長度 B
[0070] 將磁體4的長度B設為在與基板1垂直的同一平面上連接基板1的轉動軌跡的直 徑相對位置和坩堝2的中心的虛擬線P、P'所描繪出的范圍（虛線）以上的長度。所述磁 體4的長度B將基板1的轉動直徑、坩堝2相對于基板1的高度、磁體4的高度H'、后述的 傾斜度Θ作為主要原因而改變，反過來說，如果即使將磁體4的長度B固定時改變所述主 要原因也處于能夠應對的范圍，則磁體4的長度B也可以是固定長度。
[0071] 磁體傾斜度Θ :5° <磁體傾斜度Θ < 45°
[0072] 磁體4設置成：不影響電子束，并且磁體4的向下方傾斜的下端面A不超過基板1 轉動中心的范圍、且大體位于在垂直的同一平面上連接坩堝2的中心和該基板1的轉動軌 道的直徑最遠部的虛擬線P'上。另一方面，用所述高度H'規定磁體4的傾斜的上端面。因 此，對應于磁體4的長度B，以成為磁體4的上端面為高度H'且下端面為虛擬線P'的、規定 位置的方式傾斜的磁體4的傾斜度Θ，大體為5° <磁體傾斜度Θ <45°。
[0073] 如果傾斜度Θ小于5°，則磁體4成為基板1的蒸鍍的屏蔽物，并且例如相對于基 板1的中心在相反側設置其他蒸鍍源或機構時，作為它們的屏蔽物或干擾物而成為妨礙蒸 鍍主要原因的可能性增大。另一方面，如果傾斜度Θ大于45°，則不能用磁體覆蓋虛擬線 P-P'的范圍，電子從反射電子或二次電子的偏轉所需要的磁場形成區域外通過并到達基板 1，或者當電子束從所述前方向后方前進時，所述電子屏蔽用磁場對電子束軌道的干擾發生 的可能性增大。
[0074] 距離 C : 100mm 彡距離 C 彡 400mm
[0075] 將使間隔成為不妨礙對基板1的蒸鍍的間隔作為前提，如果夾著坩堝2的磁體4A 和磁體4B的間隔比100mm短，則磁體4成為蒸鍍的屏蔽物。另一方面，如果夾著坩堝2的 磁體4A和磁體4B的間隔比400mm長，則難以形成電子屏蔽所需要的磁場，或者是存在有在 真空容器內成為其他蒸鍍源的屏蔽物或其他機構干擾物的可能性。
[0076] 接著，表示在滿足磁體4的所述配置條件的下述結構中，用于確認本實用新型效 果而進行的實驗的結果。首先，作為基礎要件，電子束的加速電壓在一 2kV以下，例如為一 2kV，并且使磁體4的磁體4A和磁體4B間的磁通密度在5mT以上，例如通過永久磁體設定 為 5mT。
[0077] 此外，坩堝2在水平方向上的距離R配置成：當進行基板轉動時，坩堝中心位于轉 動軌跡的半徑D的0. 5倍以上的位置，例如坩堝中心位于轉動軌跡的半徑D的1倍的位置 亦即位于轉動軌跡的正下方。
[0078] 從基板1的蒸鍍面到坩堝2中心的距離Η與所述磁體4的高度H'的關系，當然為 磁體4的高度Η' <距離H，配合使從坩堝2的中心到基板1中心的距離Y成為1500mm以下 這點來最終決定從基板1的蒸鍍面到坩堝2中心的距離H。
[0079] 從基板1的蒸鍍面到坩堝2中心的距離Η與坩堝2在水平方向上的距離R，只要是 能使目標膜厚成為均勻性膜厚的配置則沒有特別的上限，但是由于如果從坩堝2的中心到 基板1中心的距離Υ比1500mm長，則蒸鍍速率下降，所以將能夠獲得1 ()Α /s以上蒸鍍速率 的1500mm設定為從坩堝2的中心到基板1中心的距離Υ的上限。
[0080] 下面，表示用于確認本實用新型效果而進行的實驗的結果。實驗通過對在以下的 條件下制作出的有機EL元件進行評價來進行。
[0081] 在370mmX470mm、550mmX650mm的基板1的蒸鍍范圍內的中央（距基板中心的距 離0mm)以及端部（距基板中心的距離250mm和375mm)的兩個部位，在邊長50mm方形的玻 璃基板上通過圖案化形成了 ΙΤ0并進行了有機薄膜的蒸鍍，然后以成為邊長2mm方形的元 件的方式使用蒸鍍掩模以蒸鍍速率l〇A /s、膜厚2000A對鋁進行了電子束蒸鍍，由此制成 了評價用的有機EL元件。以下，如圖6所示，將在蒸鍍范圍的中央制作出的有機EL元件記 載為"中央元件"，將在端部制作出的有機EL元件記載為"端部元件"。
[0082] 在下述的表1中，表示以使磁體4的高度H'、長度B、傾斜度Θ和間隔C成為符合 所述條件的表1的記載的方式進行蒸鍍，對向基板1入射的電子量（電流密度）和發光效 率進行評價的結果。另一方面，在下述的表2中，表示在不符合所述條件的條件下或在所述 條件以外的條件下進行蒸鍍的結果。
[0083] [表 1]
[0084]

【權利要求】
1. 一種電子束蒸鍍裝置，其形成磁場，并且使被加速后的電子照射而被加熱從而蒸發 了的材料附著在基板表面，由此形成薄膜，所述磁場對產生的電子向所述基板的入射進行 屏蔽， 所述電子束蒸鍍裝置的特征在于， 使蒸鍍材料的收容容器位于進行蒸鍍的所述基板的下方， 在比所述收容容器的中心靠向所述基板的中心方向的上方空間，夾著所述收容容器的 中心且隔開規定的間隔配置有一對磁體，并且所述一對磁體配置成：各個磁體的基板中心 側的端部比另一個端部向下方傾斜。
2. 根據權利要求1所述的電子束蒸鍍裝置，其特征在于，在所述收容容器的周圍設置 有接地的電子屏蔽板。
3. 根據權利要求1或2所述的電子束蒸鍍裝置，其特征在于， 所述電子束蒸鍍裝置包括： 收容容器升降機構，改變從所述基板的蒸鍍面到所述收容容器的收容容器高度； 磁體升降機構，改變所述收容容器高度上的所述磁體的傾斜上端的高度； 磁體傾斜變更機構，改變所述磁體的傾斜角度； 磁體間移動機構，改變所述一對磁體的間隔；以及 控制部，基于蒸鍍材料種類、基板形狀以及由設置在所述基板的轉動軌跡的直徑相對 位置上的電子測量器測量到的電子量，控制所述收容容器升降機構、所述磁體升降機構、所 述磁體傾斜變更機構以及所述磁體間移動機構的動作。
【文檔編號】C23C14/30GK203999792SQ201420405903
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月22日 優先權日:2013年7月31日
【發明者】清水祐輔, 山成淳一 申請人:日立造船株式會社