一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，首先成釹鐵硼稀土永磁毛坯，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁體，之后進行鍍膜工序制成釹鐵硼稀土永磁器件，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.02-2μm，第二層為磁控濺射鍍一種以上靶材的混合鍍層，鍍層厚度為：1-20μm，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.1-5μm；采用本發明的磁控濺射鍍膜作稀土永磁器件的表面處理工序，不僅提高了稀土永磁器件的抗腐蝕能力，同時也提高了稀土永磁器件的磁性能。
【專利說明】一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于永磁器件領域，特別是涉及一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法。
【背景技術】
[0002]釹鐵硼稀土永磁材料，以其優良的磁性能得到越來越多的應用，被廣泛用于醫療的核磁共振成像，計算機硬盤驅動器，音響、手機等；隨著節能和低碳經濟的要求，釹鐵硼稀土永磁材料又開始在汽車零部件、家用電器、節能和控制電機、混合動力汽車，風力發電等領域應用。[0003]現有技術的稀土永磁器件的表面處理工藝主要有電鍍N1-Cu-N1、電鍍Zn、電泳、噴涂等技術，也有采用真空鍍鋁的方法，如中國專利ZL96192129.3，揭示了真空鍍Ti和AlN的方法；另一個中國專利ZL01111757.5揭示了采用真空蒸發鍍鋅、鋁、錫、鎂的方法。
[0004]現有技術如圖1所示，在真空處理腔I內部的上區有兩個支撐件7并排設置，可以繞一個水平旋轉軸線上的轉軸6轉動。由不銹鋼絲網形成的六個圓筒5裝入磁件14，由轉軸8在支撐件7的轉軸6的外側圓周方向中并支撐為一個環形，用于繞轉軸6旋轉。作為用于蒸發的材料鋁絲9的蒸發段的多個加熱舟2設置在一個在處理腔I下區中的支撐平臺3上升起的加熱舟支撐基座4上。鋁絲9固定和纏繞在支撐平臺3之下的一個供給輥子10上。鋁絲9的前端由面向加熱舟2的一個內表面的熱阻保護管11導向達到加熱舟2上，一個凹口 12設置在保護管11的一部分中，而進給齒輪13對應于凹口 12安裝，并直接與鋁絲9接觸，這樣通過進給鋁絲9可以恒定地將鋁絲供入加熱舟2中，加熱蒸發沉積到轉動的料筒5中的磁件14上完成其表面鍍鋁。
[0005]現有技術采用蒸發鍍膜，膜層與基體的結合力差，提高稀土永磁器件的抗腐蝕能力存在不足；現有技術也有采用磁控濺射鍍膜，由于磁控濺射的效率低，不適合低成本大批量生產，由于沒有解決稀土永磁器件的裝卡技術，不易裝卡，生產麻煩；現有技術也有采用多弧離子鍍膜，由于多弧離子鍍膜時存在大顆粒，不能達到稀土永磁器件的耐腐蝕性要求；為了解決多弧離子鍍的缺點，現有技術也有人想到了采用多弧離子鍍與磁控濺射鍍復合鍍膜，但都沒有解決高效率、低成本、大批量生產技術，設備結構存在不足；特別是現有技術稀土永磁器件的電鍍化學處理工藝，能耗高有污染，要求昂貴的水處理設備，處理不當對生態環境有嚴重影響。因本發明的生產工藝過程在真空中進行，不使用對環境污染物質，不會給生態環境造成污染，同時還消除在電鍍工藝過程中的“電池”作用對磁性能的降低的影響。為此，本發明提供一種新型稀土永磁器件的真空磁控鍍膜設備及制造方法彌補了現有技術的不足；另外采用本發明的設備生產的釹鐵硼稀土永磁器件不僅提高了稀土永磁器件的抗腐蝕能力，還提高了稀土永磁器件的磁性能，明顯提高稀土永磁器件的磁能積和矯頑力，節約稀缺的稀土資源，尤其是節約了更稀缺的重稀土用量。
【發明內容】
[0006]本發明是提供一種釹鐵硼稀土永磁器件的真空鍍膜設備及制造方法，通過以下技術方案實現提聞稀土永磁器件的磁性能和提聞抗腐蝕能力:
一種釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，包括真空鍍膜室、圓柱陰極磁控靶、陽極層線性離子源、加熱裝置、轉架和網狀料筐；所述的真空鍍膜室由臥式真空殼體、前門和后蓋組成，前門和真空殼體通過橡膠密封圈密封，后蓋或者焊接在臥式真空殼體上或者通過連接件連接，轉架的傳動裝置安裝在后蓋上，真空室外的電機傳動軸通過動密封裝置傳送到真空鍍膜室內；轉架設計在真空鍍膜室內，通過轉軸支撐在框架上，框架固定在真空殼體上；轉架的軸線與臥式真空殼體的軸線平行，網狀料筐兩端有轉軸安裝在轉架上，轉軸的軸線與轉架的軸線平行，轉架圍繞真空殼體的軸線公轉，網狀料筐即隨轉架一起公轉又自轉。
[0007]所述的圓柱磁控靶安裝在真空鍍膜室內的后蓋上，電源、冷卻水和傳動裝置由外部引入，軸線與轉架軸線平行。
[0008]在真空鍍膜室內安裝有一個以上的圓柱磁控靶，所述的圓柱磁控靶分別安裝在轉架的內部和外部。[0009]安裝在轉架內部的圓柱磁控靶的數量為一個以上，安裝在轉架外部的圓柱磁控靶的數量二個以上。
[0010]安裝在轉架內部的圓柱磁控靶的數量η個，安裝在轉架外部的圓柱磁控靶的數量2η個，η為大于3的整數。
[0011]安裝在轉架內部的圓柱磁控靶的數量為3個，安裝在轉架外部的圓柱磁控靶的數量為6個。
[0012]所述的圓柱磁控靶內裝有多個軸向充磁的磁環，磁環間有導磁環，磁環相對于圓柱磁控靶軸向往復移動。
[0013]所述的圓柱磁控靶內或者裝有多條徑向充磁的磁條，磁條在圓柱磁控靶內沿著圓周分布，磁條間有間隔，磁條的數量為3條或者3條以上，磁條相對于圓柱磁控靶同軸轉動。
[0014]所述的磁環或者磁條由釹鐵硼稀土永磁制造。
[0015]所述的陽極層線性離子源安裝在真空鍍膜室內的后蓋上，分布在轉架內或轉架的外圍。
[0016]一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，首先進行合金熔煉，在熔融狀態下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，成形后在保護箱內封裝，然后取出進行等靜壓，之后送入燒結設備燒結和時效制成釹鐵硼稀土永磁毛坯，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁體，之后進行鍍膜工序制成釹鐵硼稀土永磁器件，鍍膜共分3層,第一層為磁控派射鍍層,鍍層厚度為:0.02-2 μ m,第二層為磁控濺射鍍一種以上靶材的混合鍍層，鍍層厚度為:1-20 μ m,第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1-5 μ m。
[0017]所述的鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍Dy-Al層，第二層為磁控濺射鍍Al和N1-Cr混合鍍層，Al和N1-Cr交替疊加，第三層為磁控濺射鍍Al層。
[0018]所述的鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、Dy-Al, Tb-Al,Dy-Fe, Tb-Fe中的一種以上，第二層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、N1-Cr, T1、Mo、S1、A1203、Zr02、AZO中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3^ZrO2, AZO 中的一種以上。[0019]所述的鍍膜工序前還有噴砂工序，噴砂采用的材料是石英或玻璃微珠、氧化鋁、氧化鈰、氧化鑭、氧化鈰和氧化鑭的混合物、氧化鋯的一種以上。鍍膜工序前或者還有噴涂工序，噴涂材料為鋁或含鋁的化合物、電泳漆中的一種。
[0020]所述的鍍膜過程中還有釹鐵硼稀土永磁器件加熱工序，加熱溫度范圍在30-600。。。
[0021]所述的鍍膜工序后還有熱處理工序，熱處理溫度60-900°C。
[0022]所述的鍍膜靶材為Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3^ZrO2,AZO中的一種以上。
[0023]所述的釹鐵硼稀土永磁器件鍍膜膜系為Al、N1-Cr、Al2O3中的一種以上。[0024]所述的釹鐵硼稀土永磁器件鍍膜膜系為Al、Ni_Cr、AZ0中的一種以上。
[0025]所述的釹鐵硼稀土永磁器件鍍膜膜系為Dy-Al ,AUN1-Cr中的一種以上。
[0026]所述的釹鐵硼稀土永磁器件鍍膜膜系為Al、T1、Ni_Cr中的一種以上。
[0027]所述的釹鐵硼稀土永磁器件鍍膜膜系為Al。
[0028]所述的充氣系統或者充入一種氣體或者充入一種以上的氣體。
[0029]所述的充氣系統充入的氣體為氬氣、氮氣、氧氣、氫氣中的一種以上。
[0030]所述的充氣系統充入的氣體為IS氣。
[0031]所述的鍍膜過程中還充入氧氣，氧氣的體積含量為氬氣的0.1_5%。
[0032]所述的真空泵為機械真空泵、羅茨真空泵、油擴散真空泵、分子泵中的一種以上。
[0033]所述的磁控濺射鍍膜條件為，溫度3(T600°C，沉積壓強為氬氣條件下0.riPa,功率密度為I~20w/cm2。線性離子源的放電電壓10(T3000V，離子能量10(T2000eV，氬氣條件下工作氣壓0.01~IPa。
[0034]所述的鍍膜工序中多個圓柱磁控靶可以采用單獨工作、部分工作、交替工作或同時工作的工作模式。
[0035]稀土永磁器件在機械加工工序之后進行鍍膜工序，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍Dy-Al層，鍍層厚度為:0.02-5 μ m,第二層為磁控濺射鍍Al和N1-Cr混合鍍層，Al和N1-Cr交替疊加，鍍層厚度為:1-10 μ m,第三層為磁控濺射鍍Al層，鍍層厚度為:
0.1-5 μ m0
[0036]或者稀土永磁器件在機械加工工序之后進行鍍膜工序，真空鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍Al層，鍍層厚度為:0.02-5 μ m,第二層為磁控濺射鍍Al和N1-Cr混合鍍層，Al和N1-Cr交替疊加，鍍層厚度為:1-10 μ m，第三層為磁控濺射鍍Al層，鍍層厚度為:
0.1-5 μ m0
[0037]鍍膜工序前稀土永磁器件要進行噴砂工序，噴砂采用的材料是石英、玻璃微珠、氧化招、氧化鋪、氧化鑭、氧化鋪和氧化鑭的混合物、氧化錯的一種以上。
[0038]鍍膜工序前或者有噴涂工序，噴涂材料為鋁或含鋁的化合物、電泳漆中的一種。
[0039]鍍膜工序中或者有控制鍍膜過程的器件加熱工序，溫度范圍在30_600°C。
[0040]鍍膜工序后或者有熱處理工序，熱處理溫度60-900°C。
[0041]所述的熱處理工序在真空或保護氣氛下進行。
[0042]真空鍍膜設備或者安裝在潔凈廠房中，廠房的潔凈度在10，000級以上。
[0043]金相分析顯示，所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件從器件表面向內延伸Imm范圍內主相晶粒中重稀土的含量高于器件主相晶粒中重稀土的平均含量，含量高的重稀土分布在主相R2T14B的外圍，形成RH2T14B包圍R2T14B的新主相結構，RH2T14B相與R2T14B相間無晶界相；其中，R代表在釹鐵硼稀土永磁體金相結構中主相中的稀土, T代表元素Fe和Co，RH表示主相中重稀土的含量高于平均值的稀土。
[0044]本發明找到了一種釹鐵硼稀土永磁器件大批量生產的磁控鍍膜設備及一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，明顯提高釹鐵硼稀土永磁器件的耐腐蝕性能，使釹鐵硼稀土永磁器件能用于海上風電、混合動力汽車等高耐蝕性要求的領域，擴大了釹鐵硼稀土永磁的用途；一般情況下，釹鐵硼稀土永磁的表面涂層都會降低磁性能，本發明發現采用本發明的設備和工藝生產的釹鐵硼稀土永磁器件的磁性能，尤其是磁能積和矯頑力得到明顯提高，為提高釹鐵硼稀土永磁的磁性能找到了新方法，對減少稀土用量，保護稀缺的自然資源具有重要意義。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0045]下面通過附圖進一步說明本發明: 圖1為現有技術的的真空鍍膜示意圖 圖2為本發明的的真空鍍膜示意圖
圖中:1、真空處理腔；2、加熱舟；3、支撐平臺；4、加熱舟支撐基座；5、裝料圓筒；6、繞轉軸；7、支撐件；8、轉軸；9、鋁絲；10、輥子；11、熱阻保護管；12、凹口 ；13、進給齒輪；14、磁件；15、真空殼體；16、線性陽極離子源；17、內部圓柱磁控祀；18、真空泵；19、外部圓柱磁控靶；20、濺射沉積區；21、I級自動齒輪；22、I級從動齒輪；23、II級主動齒輪；24、II級從動齒輪；25、轉架；26、料筐；27、永磁器件；28、隔板；29、轉軸I ;30、轉軸II ;31、抽真空管路；32、加熱裝置。
[0046]如圖2所示，本發明為真空磁控濺射鍍膜設備。一個臥式真空殼體15，一個轉架25以轉軸I 29支撐在框架上，框架固定在真空殼體15內，轉架25以轉軸I 29為中心的圓周上布置有多個(圖中為8個)不銹鋼網制成的料筐26，料筐26內裝有永磁器件27。真空室外的驅動電機(未標出)通過動密封傳動軸連接I級主動齒輪21，帶動固定在轉架25上的I級從動齒輪22完成轉架25繞轉軸I 29 (真空殼體15的中心軸線)做太陽公轉。在料筐26公轉軌跡范圍之內，以轉軸I 29為圓心的圓周上設有三個固定在真空殼體15后蓋上的3套內部圓柱磁控靶源17。在真空殼體15內轉架25外圍圓周上設有I套陽極線性離子源16和6套外部圓柱磁控靶源19，在轉架25內圍圓周上設有I套陽極線性離子源16，陽極離子源和磁控靶源安裝在真空鍍膜室內的后蓋上；在真空殼體15外壁上有連接真空泵18的抽真空管路31，在真空殼體15內設有隔板28和加熱裝置32 ;其中隔板28將I套內部圓柱磁控靶源和2套外部圓柱磁控靶源組合成3個氣氛獨立的真空磁控鍍膜濺射沉積區域20。固定在真空殼體15上的II級主動齒輪23通過轉架25的公轉帶動II級從動齒輪24繞轉軸
II30自轉，料筐26的兩端設有轉軸與轉軸II 30聯接，因此料筐26可以達到公轉加自轉目的，使永磁器件27在料筐26內翻炒被均勻沉積上靶材材料。
[0047]鍍膜工序前真空室抽真空達到E_4Pa量級，回充氬氣，工作氣壓0.01-1Ρβ,料筐26公轉加自轉，啟動線性陽極離子源，放電電壓10(T3000V，離子轟擊永磁器件27，經過5~10分鐘停止轟擊。料筐26是絕緣的，也可以接負壓-5(T-200V。先期離子轟擊清洗的目的，是清洗永磁器件27表面的氧化物、含碳氫化物，使其表面粗化增加表面能和離子輔助沉積等作用。加熱裝置32對料筐26和料筐26內永磁器件27加熱到12(T600°C，起到除去水汽，提高膜層附著力作用。鍍膜工序是在加熱到200°C時，料筐26公轉加自轉并經高壓離子清洗后，真空室15再次抽真空達到E-4Pa量級，回充氬氣，工作氣壓0.flPa，分別或同時內部圓柱型磁控靶源17和外部圓柱型磁控靶源28，3個濺射沉積區分別單獨工作或交替工作或同時工作，將靶材材料濺射沉積到永磁器件27上形成單質膜和介質膜的涂層。
【具體實施方式】
[0048]下面通過實施例的對比進一步說明本發明的顯著效果。
實施例
[0049]按如下工藝制造:
1、分別按表一 A1、A2、A3、A4成分選取合金600Kg熔煉，在熔融狀態下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，取向磁場強度2.0T，磁塊尺寸62 X 52 X 42mm,取向方向為42尺寸方向，成形后在保護箱內封裝，然后取出進行等靜壓，等靜壓壓力200MPa，之后送入燒結設備燒結和時效。
[0050]2、時效后進行機械加工，加工成方片40X20X5 mm尺寸，將工件選擇性進行倒角、噴砂、噴鋁、電泳、噴涂、之后進行真空鍍膜，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:
0.02-5 μ m,第二層 為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:1-10 μ m,第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1_5μπι，各層選用的材料、磁性能和耐腐蝕性能的測量結果列入表二。
[0051]表一、現有技術的稀土永磁合金的成分_
【權利要求】
1.一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:首先進行合金熔煉，在熔融狀態下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉銅輥上冷卻形成合金片，接著進行氫破碎，氫破碎后進行混料，混料后進行氣流磨，之后在氮氣保護下用混料機混料后送到氮氣保護磁場取向壓機成型，成形后在保護箱內封裝，然后取出進行等靜壓，之后送入燒結設備燒結和時效制成釹鐵硼稀土永磁毛坯，之后進行機械加工制成釹鐵硼稀土永磁體，之后在真空鍍膜室內進行磁控濺射鍍膜工序制成釹鐵硼稀土永磁器件，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.02-2 μ m，第二層為磁控濺射鍍一種以上靶材的混合鍍層，鍍層厚度為:1-20 μ m，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為:0.1-5 μ m。
2.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍Dy-Al層，第二層為磁控濺射鍍Al和N1-Cr混合鍍層，Al和N1-Cr交替疊加，第三層為磁控濺射鍍Al層。
3.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe中的一種以上，第二層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、N1-Cr、T1、Mo、S1、Al2O3、ZrO2、AZO中的一種以上，第三層為磁控濺射鍍層，鍍膜靶材為Al、N1-Cr、T1、Mo、S1、A1203、Zr02、AZO中的一種以上。
4.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的鍍膜工序前還有噴砂工序，噴砂采用的材料是石英或玻璃微珠、氧化鋁、氧化鈰、氧化鑭、氧化鈰和氧化鑭的混合物、氧化鋯的一種以上，鍍膜工序前或者還有噴涂工序，噴涂材料為鋁或含鋁的化合物、電泳漆中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的鍍膜過程中還有釹鐵硼稀土永磁器件加熱工序，加熱溫度范圍在30-600°C。
6.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的鍍膜工序后還有熱處理工序，熱處理溫度60-900°C。
7.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的真空鍍膜室內還設置有陽極層線性離子源，所述的磁控濺射鍍膜條件為，溫度3(T600°C，沉積壓強為氬氣條件下0.riPa,功率密度為f20w/cm2，陽極層線性離子源的放電電壓10(T3000V，離子能量10(T2000eV，氬氣條件下工作氣壓0.01~IPa，所述的鍍膜工序中采用不同靶材一個以上的圓柱陰極磁控靶單獨鍍膜、交替鍍膜或同時鍍膜。
8.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的磁控濺射鍍膜過程中還充入氧氣，氧氣的體積含量為氬氣的0.1-5%。
9.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于:所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件從器件表面向內延伸Imm范圍內主相晶粒中重稀土的含量高于器件主相晶粒中重稀土的平均含量，含量高的重稀土分布在主相R2T14B的外圍，形成RH2T14B包圍R2T14B的新主相結構，RH2T14B相與R2T14B相間無晶界相。
10.一種如權利要求1所述的釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，其特征在于:該鍍膜設備包括真空鍍膜室、圓柱陰極磁控靶、陽極層線性離子源、轉架和料筐；所述的真空鍍膜室由臥式真空殼體、前門和后蓋組成，前門和真空殼體通過橡膠密封圈密封，后蓋或者焊接在真空殼體上或者通過連接件連接，轉架的傳動裝置安裝在后蓋上，真空室外的電機傳動軸通過動密封裝置傳送到真空鍍膜室內；轉架設計在真空鍍膜室內，支撐在框架上，框架安裝在真空殼體上；轉架的軸線與真空殼體的軸線平行，料筐兩端有轉軸安裝在轉架上，轉軸的軸線與轉架的軸線平行，轉架圍繞真空殼體的軸線公轉，料筐即隨轉架一起公轉又自轉；所述的圓柱磁控靶安裝在真空鍍膜室內的后蓋上，其軸線與轉架軸線平行。
11.根據權利要求10所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，其特征在于:該鍍膜設備還包括陽極層線性離子源，所述的陽極層線性離子源安裝在真空鍍膜室內的后蓋上，其軸線與轉架軸線平行。
12.根據權利要求10所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，其特征在于:在所述的真空鍍膜室內安裝有一個以上的圓柱陰極磁控靶，所述的圓柱陰極磁控靶分別安裝在轉架的內部和外部，安裝在所述的轉架內部的圓柱陰極磁控靶的數量為一個以上，安裝在轉架外部的圓柱陰極磁控靶的數量二個以上；磁控靶或者為單靶結構或者為孿生靶結構，安裝在真空鍍膜室內的后蓋上。
13.根據權利要求10所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，其特征在于:所述的圓柱陰極磁控靶內裝有多個軸向充磁的磁環，磁環間有導磁環，磁環相對于圓柱陰極磁控靶軸向往復移動，所述的磁環由釹鐵硼稀土永磁制造。
14.根據權利要求10所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的磁控鍍膜設備，其特征在于:所述的圓柱陰極磁控靶內或者裝有多條徑向充磁的磁條，磁條在圓柱陰極磁控靶內沿著圓周分布，磁條間有間隔，磁條的數量為3條以上，磁條相對于圓柱陰極磁控靶材套管同軸轉動，所述的磁條由釹鐵硼稀土永磁制造。
【文檔編號】C23C14/06GK103839671SQ201410107557
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年3月22日 優先權日:2014年3月22日
【發明者】孫寶玉, 陳曉東 申請人:沈陽中北通磁科技股份有限公司