含Cr奧氏體合金及其制造方法

含Cr奧氏體合金及其制造方法
【專利摘要】本發明涉及含Cr奧氏體合金，其為在表面形成有鉻氧化物覆膜的含Cr奧氏體合金，母材的Mn含量以質量％計不足0.1%。母材的化學組成理想的是以質量％計包含C:0.15%以下、Si：1.00%以下、Mn:不足0.1%、P:0.030%以下、S:0.030%以下、Cr：10.0?40.0%、Ni:8.0?80.0%、Ti：0.5%以下、Cu：0.6%以下、Al:0.5%以下以及N:0.20%以下、和余量Fe以及雜質。
【專利說明】含Cr奧氏體合金及其制造方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及即便在高溫水環境下持續長時間使用，Ni的溶出也少的含Cr奧氏體 合金及其制造方法，尤其涉及適宜于原子能設備用構件等用途的含Cr奧氏體合金及其制 造方法。

【背景技術】
[0002] 含Cr奧氏體合金由于機械性質優異，因此用作各種構件。尤其是反應堆的構件由 于暴露于高溫水中，因此使用耐腐蝕性優異的含Cr奧氏體合金。例如，壓水堆（PWR)的蒸 汽發生器的構件使用60% Ni-30% Cr-IO% Fe合金等。
[0003] 這些構件可以在反應堆水環境的300°C左右的高溫水的環境下使用數年至數十 年。用作原子能設備用的蒸汽發生器用傳熱管的含Cr奧氏體合金含有大量的Ni、耐腐蝕性 優異而腐蝕速度慢，但長時間的使用導致微量的Ni從母材中溶出。
[0004] 在反應堆水循環的過程中，溶出的Ni被運輸至堆芯部分，并在燃料的附近受到中 子的照射。Ni受到中子照射時，會因核反應而變換為放射性Co。該放射性Co的半衰期非 常長，因此長時間連續放出放射線。因此，Ni的溶出量增多時，由于直至所放出的放射線量 降低至適當值之前不能著手定期檢查，因此定期檢查的周期延長，蒙受經濟損失。
[0005] 減少Ni的溶出量在長期持續使用輕水堆的方面是非常重要的課題。因此，目前為 止采用通過改善材料方面的耐腐蝕性、控制反應堆水的水質來防止含Cr奧氏體合金中的 Ni的溶出的對策。
[0006] 專利文獻1中公開了在KT2?KT4托的真空度氣氛中、在400?750°C的溫度域 對Ni基合金傳熱管進行退火，形成以鉻氧化物為主體的氧化物覆膜，從而改善耐整面腐蝕 性的方法。
[0007] 專利文獻2中公開了如下的原子能設備用構件的制造方法，在Ni基析出強化型合 金的溶體化處理后，在1〇_ 3托?大氣壓空氣下的氧化氣氛中實施用來時效硬化處理并兼顧 至少部分的氧化物覆膜形成處理所進行的加熱處理。
[0008] 專利文獻3中公開了在露點為-60°C?+20°C的氫氣或氫氣與氬氣的混合氣氛中 對Ni基合金制品進行熱處理的Ni基合金制品的制造方法。
[0009] 專利文獻4中公開了將含有鎳和鉻的合金工件暴露于水蒸氣與至少1種的非氧化 性氣體的氣體混合物中，形成鉻富集層的方法。
[0010] 專利文獻5以及6中公開了在由含有氧化性氣體的非氧化性氣體構成的氣氛中對 含Cr鎳基合金管進行處理，從而在管內表面形成具有規定厚度的鉻氧化物覆膜的制造方 法。
[0011] 現有技術文獻
[0012] 專利文獻
[0013] 專利文獻1 :日本特開昭64-55366號公報
[0014] 專利文獻2 :日本特開平8-29571號公報
[0015] 專利文獻3 :日本特開2002-121630號公報
[0016] 專利文獻4 :日本特開2002-322553號公報
[0017] 專利文獻5 :國際公開第2012/026344號
[0018] 專利文獻6 :日本特開2007-284704號公報


【發明內容】

[0019] 發明要解決的問是頁
[0020] 根據專利文獻1中所述的方法而形成的覆膜通過利用氧化電位高的氧的氧化而 形成覆膜。因此，如后所述，覆膜內大量生成包含Mn的氧化物，不能得到足夠的溶出防止效 果。專利文獻2中所述的方法存在氧化的Ni容易進入到覆膜中，在使用中該Ni溶出的問 題。
[0021] 作為將管氧化的氧化性氣體，可以列舉出水蒸氣、氧氣等，從安全性、成本等方面 出發認為水蒸氣是最合適的。專利文獻3?5所述的方法中通過使用水蒸氣而形成覆膜， 從而得到較高的溶出防止效果。然而，由于形成厚的覆膜，因此擔心產生覆膜的開裂、剝離 等。
[0022] 專利文獻6中，使用二氧化碳作為氧化氣體使鉻氧化覆膜形成于Ni基合金上。然 而，二氧化碳在金屬氧化后產生有害的一氧化碳。此外，由于生成的一氧化碳根據條件而有 可能使Ni基合金滲碳，因此稱不上提供安全且高品質的制品的方法。
[0023] 具有鉻氧化物覆膜的含Cr奧氏體合金的制品中，覆膜厚時，擔心產生開裂、剝離 等的問題，此外損壞外觀，因此覆膜厚度優選盡量小。然而，通常減薄覆膜時，存在耐腐蝕性 降低的傾向。
[0024] 本發明人等對于具有鉻氧化物覆膜的含Cr奧氏體合金，深入研究雖然進一步減 小覆膜的厚度卻可提高金屬溶出防止效果的方法，結果得到以下的見解。
[0025] 對含有錳的含Cr奧氏體合金進行熱處理時，錳容易擴散，因此擴散到表層。而且， 錳為與鉻相比容易氧化的元素，因此在鉻氧化物覆膜內以MnCr 2O4等氧化物顆粒的形式存 在。
[0026] 可知形成有鉻氧化物覆膜的合金暴露于高溫水中時，覆膜中存在的包含錳的氧化 物顆粒越多，Ni的流出量越增加。究其原因是，在包含錳的氧化物顆粒界面形成金屬離子 的路徑（path)，使溶出到溶液中的合金母材中的金屬離子量加速。
[0027] 若抑制含Cr奧氏體合金母材中包含的錳量，則降低熱處理中擴散到覆膜的錳量， 形成純度更高的鉻氧化物的覆膜，因此即便為薄的覆膜也可以得到高的溶出防止效果。
[0028] 用于解決問題的方案
[0029] 本發明是基于上述的見解而完成的，主要內容是下述的（1)?（6)所示的含Cr奧 氏體合金以及下述的（7)和（8)所示的含Cr奧氏體合金的制造方法。
[0030] (1) -種含Cr奧氏體合金的特征在于，其為在表面形成有厚度為5nm以上的鉻氧 化物覆膜的含Cr奧氏體合金，母材的Mn含量以質量％計不足0. 1 %。
[0031] (2)根據上述⑴所述的含Cr奧氏體合金的特征在于，母材的化學組成以質量％ 計包含 C :0. 15% 以下、Si :1. 00% 以下、Mn :不足 0. 1%、P :0.030% 以下、S :0.030% 以下、 0:10.0?40.0%、附：8.0?80.0%、11:0.5%以下、(：11 :0.6%以下、六1:0.5%以下以及 N :0. 20%以下、和余量Fe以及雜質。
[0032] (3)根據上述（1)或⑵所述的含Cr奧氏體合金的特征在于，鉻氧化物覆膜的厚 度不足180nm。
[0033] (4)根據上述（1)?（3)中任一項所述的含Cr奧氏體合金的特征在于，鉻氧化物 覆膜的厚度為50nm以下。
[0034] (5)根據上述⑴?⑷中任一項所述的含Cr奧氏體合金的特征在于，鉻氧化物 覆膜中的表層中的Mn/Cr比以原子比計為0. 00001以上且不足0. 05。
[0035] (6)根據上述⑴?（5)中任一項所述的含Cr奧氏體合金的特征在于，含Cr奧氏 體合金用作原子能設備用構件。
[0036] (7) -種含Cr奧氏體合金的制造方法，其為制造上述（1)?（6)中任一項所述的 含Cr奧氏體合金的方法，特征在于在使非氧化性氣體中含有水蒸氣的混合氣體氣氛中將 母材的Mn含量以質量％計不足0. 1 %的含Cr奧氏體合金的表面加熱至600?1200°C的溫 度域，在含Cr奧氏體合金的表面形成鉻氧化物覆膜。
[0037] (8)根據上述（7)所述的含Cr奧氏體合金的制造方法的特征在于，水蒸氣濃度為 IOOOppm 以下。
[0038] 需要說明的是，"鉻氧化物覆膜"意味著以Cr2O3為主體的氧化物覆膜，也可以含有 Cr 2O3以外的氧化物，例如MnCr204、Ti02、Al 203、Si02等氧化物。此外，只要在含Cr奧氏體合 金的表面具有包含鉻氧化物的氧化物覆膜，則也可以在鉻氧化物層的上層（外側的層）和 /或下層（內側的層）形成其它的氧化物層。
[0039] 發明的效果
[0040] 根據本發明，可以在含Cr奧氏體合金的表面廉價且均勻地形成鉻氧化物覆膜。根 據本發明方法而制造的含Cr奧氏體合金即便在高溫水環境、例如原子能發電設備中的高 溫水環境中持續長時間使用，Ni的溶出也極少，因此適宜于蒸汽發生器用傳熱管等的在高 溫水中使用的構件、特別是原子能設備用構件。

【具體實施方式】
[0041] 1 ?化學組成
[0042] 本發明的含Cr奧氏體合金的母材中含有的Mn量以質量％計有必要不足0. 1%。
[0043] Mn:不足 0.1%
[0044] 通過抑制Mn的含量，從而減少覆膜內的Mn量，得到高的溶出防止效果。因此，Mn 含量有必要不足0. 1%。Mn從原料混入，但通過選擇Mn含量少的原料，從而可以使合金母 材中的Mn含量不足0.1%。Mn含量期望為0.05%以下。此外，Mn含量越低越好，因此沒有 特別存在下限，為了使Mn含量不足0. 0001 %，從而需要另外的去除不可避地含有的Mn的工 序，因此在成本方面不優選。因此，Mn含量期望設為0. 0001 %以上、更期望設為0. 001 %以 上。
[0045] 此外，母材的化學組成理想的是以質量％計包含C :0. 15%以下、Si :1. 00%以下、 Mn :不足 0? 1%、P :0? 030% 以下、S :0? 030% 以下、Cr :10. 0 ?40. 0%、Ni :8. 0 ?80. 0%、 Ti :0.5%以下、Cu :0.6%以下、Al :0.5%以下以及N:0. 20%以下、和余量Fe以及雜質。
[0046] 在此，"雜質"意味著工業上地制造合金時由于礦石、廢料等原料、制造工序的各種 因素而混入的成分，在不對本發明產生不良影響的范圍內是允許的。
[0047] 各元素的限定理由如下所述。需要說明的是，以下的說明中含量的"％"意味著 "質量％"。
[0048] C :0.15 % 以下
[0049] C具有提高合金的晶界強度的效果，因此可以含有。但是，含有超過0. 15%時，擔 心應力腐蝕開裂耐性劣化。因此，含有C時，期望將其含量設為0.15%以下。C含量更期望 設為0. 06%以下。另外，為了得到上述的效果，C的含量期望設為0. 01 %以上。
[0050] Si :1. 00 % 以下
[0051] Si用作冶煉時的脫氧材料，合金中作為雜質殘留。其含量過量時，存在合金的純 度降低的情況，因此Si的含量期望設為1. 00%以下、更期望設為0. 50%以下。需要說明的 是，Si的含量為0. 05%以上時Si作為脫氧劑的效果顯著。
[0052] P :0.030% 以下
[0053] P為在合金中作為雜質存在的元素。其含量超過0.030%時，存在對耐腐蝕性產生 不良影響的情況。因此，P含量期望設為0.030%以下。
[0054] S :0.030% 以下
[0055] S為在合金中作為雜質存在的元素。其含量超過0.030%時，存在對耐腐蝕性產生 不良影響的情況。因此，S含量期望設為0. 030%以下。
[0056] Cr :10. 0 ?40. 0 %
[0057] Cr為用于生成包含鉻氧化物的氧化物覆膜的必要元素。為了在合金表面生成這種 氧化物覆膜，期望含有10.0%以上。然而，超過40.0%時，擔心加工性劣化。因此，Cr的含 量期望設為10. 〇?40. 0%。
[0058] Ni :8. 0 ?80.0%
[0059] Ni是用于確保奧氏體合金的耐腐蝕性的必要元素，期望含有8. 0%以上。另一方 面，Ni是昂貴的，因此根據用途含有必要最小限量即可，期望設為80.0%以下。Ni的含量 更期望設為45.0%以上。
[0060] Ti :0.5 % 以下
[0061] Ti對于提高合金的加工性、抑制焊接時的顆粒生長來說是有效的元素。然而，其含 量超過0.5%時，擔心使合金的純凈性劣化。因此，Ti的含量期望設為0.5%以下、更期望 設為0. 4%以下。另外，為了得到上述的效果，Ti含量期望設為0. 1 %以上。
[0062] Cu :0.6% 以下
[0063] Cu為在合金中作為雜質存在的元素。其含量超過0.6%時，存在合金的耐腐蝕性 降低的情況。因此，Cu含量期望設為0.6%以下。
[0064] Al :0.5 % 以下
[0065] Al用作制鋼時的脫氧材料，在合金中作為雜質殘留。殘留的Al在合金中成為氧 化物系夾雜物，擔心使合金的純度劣化、對合金的耐腐蝕性以及機械性質產生不良影響。因 此，Al含量期望設為0. 5%以下。
[0066] N :0.20% 以下
[0067] N也可以不含有，作為本發明對象的含Cr奧氏體合金中通常以雜質形式含有 0.01%左右的N。然而，如果積極地含有N，則可以提高強度但不使耐腐蝕性劣化。但是，含 有超過0. 20%時，耐腐蝕性降低，因此含有時的上限設為0. 20%。
[0068] 作為上述含Cr奧氏體合金的組成，代表性的有以下兩種。
[0069] (a)含有 C :0? 15% 以下、Si :1. 00% 以下、Mn :不足 0? 1 %、P :0? 030% 以下、S : 0? 030% 以下、Cr :14. 0 ?17. 0%、Fe :6. 0 ?10. 0%、Ti :0? 5% 以下、Cu :0? 5% 以下以及 Al :0. 5%以下、和余量Ni以及雜質的Ni基合金。
[0070] (b)含有 C :0? 06% 以下、Si :1. 00% 以下、Mn :不足 0? 1 %、P :0? 030% 以下、S : 0? 030% 以下、Cr :27. 0 ?31. 0%、Fe :7. 0 ?11. 0%、Ti :0? 5% 以下、Cu :0? 5% 以下以及 Al :0. 5%以下、和余量Ni以及雜質的Ni基合金。
[0071] 上述（a)的合金含有14.0?17.0%的Cr、含有70?80%的Ni,因此為在包含氯 化物的環境下的耐腐蝕性優異的合金。該合金中，從Ni含量與Cr含量的平衡的觀點出發， Fe的含量期望設為6. 0?10. 0%。
[0072] 上述（b)的合金含有27.0?31.0%的Cr、含有55?65%的Ni,因此為除在包含 氯化物的環境之外、在高溫的純水以及堿性環境下的耐腐蝕性也優異的合金。該合金中，也 從Ni含量與Cr含量的平衡的觀點出發，Fe的含量期望設為7. 0?11. 0%。
[0073] 2?氧化物覆膜
[0074] 為了得到良好的Ni溶出防止效果，氧化物覆膜的厚度需要設為5nm以上。覆膜厚 度期望設為為IOnm以上。另一方面，考慮覆膜的開裂、剝離等的問題時，覆膜越薄越優選， 期望為1500^1(1.51! m)以下。這是因為為其以上時，覆膜的開裂變得顯著，加速金屬離子 透過開裂部的溶出。此外，熱處理中，由于母材氧化而形成的鉻氧化物覆膜的形成中，覆膜 厚度過量時，容易引起母材中缺鉻，晶界開裂的可能性增加。
[0075] 本發明的含Cr奧氏體合金通過抑制母材中的Mn含量，即便由熱處理形成的鉻氧 化物覆膜薄，也可以得到足夠的Ni溶出防止效果。具體而言，為了兼具覆膜開裂減少及溶 出防止效果，期望覆膜厚度不足180nm、更期望為170nm以下。此外，覆膜厚度若為50nm以 下，則覆膜開裂、剝離或母材中缺鉻的可能性低，另外熱處理自身也可以在溫和的條件下實 施，因此覆膜厚度更期望為50nm以下。需要說明的是，覆膜的厚度也可以通過掃描電子顯 微鏡（SEM)或透射電子顯微鏡（TEM)直接測定，也可以利用X射線光電子能譜（XPS)、俄歇 電子能譜（AES)、輝光放電光譜法（GDS)等深度方向分析來測定。
[0076] 形成于本發明的含Cr奧氏體合金表面的鉻氧化物覆膜為一定的（氧化物）組成 時，顯示出更顯著的Ni溶出防止效果。由含Cr奧氏體合金的氧化生成鉻氧化物覆膜時，根 據熱處理的條件，覆膜厚度產生變化，擴散到母材表層、在鉻氧化物膜內以氧化物形式生成 的Mn量同樣也產生變化。覆膜中的Mn量越低越優選，鉻氧化物覆膜中的Mn/Cr比以原子 比計為0. 00001以上且不足0. 05時，得到更高的Ni溶出防止效果，因此是理想的。需要說 明的是，Mn/Cr比的測定在覆膜的表層中進行，具體而言，是指自覆膜表層至深度50nm的范 圍。利用XPS、AES、GDS等深度方向分析，測定50nm以內的范圍中的氧化物覆膜內的Cr以 及Mn量，設為Mn/Cr比。鉻氧化物覆膜自身不足50nm時，對于該覆膜的總深度來確定Mn/ Cr比。
[0077] 3?制造方法
[0078] 關于本發明的含Cr奧氏體合金，在非氧化性氣體中含有一定的水蒸氣作為氧化 劑的混合氣體氣氛下對于規定了 Mn含量的母材進行熱處理從而形成鉻氧化物覆膜。
[0079]〈氣氛氣體〉
[0080] 即便含有微量的水蒸氣，也可形成鉻氧化物覆膜，因此沒有設置水蒸氣濃度的下 限，但含有5ppm以上時其效果顯著。水蒸氣濃度超過15000ppm時，覆膜變得過厚、而且不 經濟，因此期望設為15000ppm以下、更期望設為IOOOOppm以下、進一步期望設為IOOOppm 以下。水蒸氣濃度若為IOOOppm以下，則在600?1200°C的溫度域的適當的熱處理溫度條 件下，容易使覆膜厚度不足180nm，容易得到由于Mn的減少產生的Ni溶出防止效果。
[0081] 本發明中，作為氧化劑除水蒸氣之外還可以添加氧氣、或單獨使用氧氣。氧氣與水 蒸氣同樣可以形成鉻氧化物。使用氧氣時的含量期望為IOOOOppm以下。這是由于大量地 含有氧氣時，促進鉻氧化物覆膜的形成，使母材中的Cr濃度降低，使耐腐蝕性劣化。即便含 有微量的氧氣，也可發揮上述的效果，因此沒有特別規定下限，但含有Ippm以上時其效果 變得顯著。
[0082] 作為非氧化性氣體，例如，可以列舉出氫氣、稀有氣體（Ar、He等）、一氧化碳氣體、 氮氣、烴氣體等。這些非氧化性氣體之中，使用一氧化碳氣體、氮氣、烴氣體時，擔心滲碳、氮 化，因此期望使用選自氫氣以及稀有氣體中的1種以上。
[0083] 需要說明的是，氫氣在工業上經常作為熱處理的氣氛氣體利用，若將其用于水蒸 氣氣體的稀釋，則可以降低制造成本。因而，最期望以由水蒸氣氣體和氫氣組成的氣氛作為 氣氛氣體進行熱處理。
[0084] 至少一部分使用氫氣時，可以通過供給氧氣作為氧化氣體，從而使氫氣與氧氣反 應生成水，用于氧化。此時需要注意爆炸。
[0085] 含有水蒸氣時的氣氛氣體的濃度可以通過基于露點管理調整水蒸氣濃度來管理。 此外，使用非氧化性氣體調整露點之后，可以添加水蒸氣氣體或進一步添加氧氣。
[0086]〈供給的氣氛氣體的流量〉
[0087]用來形成鉻氧化物覆膜的合金為管時，向內表面供給的氣氛氣體與管內表面接觸 即可，但以一定的流量流動時容易在管內表面均勻地形成覆膜，因此優選。流量期望設為 I. 0?50L/分鐘。這是由于不足I. OL/分鐘時，難以調整水蒸氣濃度、加熱條件等以保證在 整個管長均勻地形成覆膜。另一方面，超過50L/分鐘時，氧化物覆膜變得過厚。
[0088]〈加熱處理溫度以及加熱處理時間〉
[0089] 對于加熱處理溫度，若為可以得到適當的鉻氧化物覆膜的厚度和組成以及合金的 強度特性的范圍即可。加熱處理溫度期望設為600?1200°C的溫度域。
[0090] 加熱溫度不足600°C時，存在鉻的氧化變得不充分的情況。期望為600°C以上以保 證以恰當時間得到具有恰當的膜厚的覆膜。加熱溫度更期望為700°C以上。另一方面，超過 1200°C時，擔心不能確保含Cr奧氏體合金的強度。因此，加熱溫度期望設為1200°C以下。
[0091] 對于加熱時間，若設定在可以得到適當的氧化物覆膜的厚度及組成的范圍即可。 艮P，為了形成以鉻氧化物為主體的氧化物覆膜，期望加熱1分鐘以上。上限沒有特別限定， 盡管在至少是本發明期望的溫度范圍的600?1200°C的溫度域加熱超過24小時，氧化物覆 膜卻基本不生長，而且從制造成本方面來看也變得不利。因此，加熱時間可以設為1分鐘? 24小時的范圍。
[0092] 〈含Cr奧氏體合金的原材料的制造方法〉
[0093] 作為本發明對象的含Cr奧氏體合金可以以各種形狀來利用。將具有規定的化學 組成的含Cr奧氏體合金熔煉制成鑄錠之后，通常采用熱加工-退火的工序、或熱加工-冷 加工-退火的工序來制造。此外，為了使母材的耐腐蝕性提高，也可以實施被稱為TT處理 的特殊熱處理。
[0094] 本發明的熱處理方法可以在上述的退火之后進行，此外也可以同時進行退火。若 同時進行退火，則不需要在以往的制造工序的基礎上追加用于形成氧化物覆膜的熱處理工 序，制造成本不增加。此外，如前所述，在退火后進行TT處理時，也可以使其與形成氧化物 覆膜的熱處理同時進行。進而，也可以將退火及TT處理這兩者作為形成氧化物覆膜的處 理。
[0095] 以下，根據實施例更具體地說明本發明，但本發明并不限定于這些實施例。
[0096] 實施例1
[0097] (1)對含Cr奧氏體合金的氧化物覆膜的形成
[0098] 供于實驗的原材料通過下述的制造方法來制造。首先，在真空中將表1所示的化 學組成的合金熔化，得到鑄錠。按照以下的工序將該鑄錠制成板材。首先，對鑄錠進行熱鍛 之后，加熱至1250°C、乳制至IOmm厚。然后，在大氣中、IKKTC下實施熱處理，機械性地去除 表面的氧化物覆膜之后，余下的部分進一步進行冷軋，制成2. 5mm厚的板材。
[0099] 表 1

【權利要求】
1. 一種含Cr奧氏體合金，其特征在于，其為在表面形成有厚度為5nm以上的鉻氧化物 覆膜的含Cr奧氏體合金，母材的Mn含量以質量％計不足0. 1 %。
2. 根據權利要求1所述的含Cr奧氏體合金，其特征在于，母材的化學組成以質量％計 包含 C :0? 15% 以下、Si :1. 00% 以下、Mn :不足 0? 1%、P :0? 030% 以下、S :0? 030% 以下、Cr : 10. 0 ?40. 0%、Ni :8. 0 ?80. 0%、Ti :0? 5% 以下、Cu :0? 6% 以下、Al :0? 5% 以下以及 N : 0. 20%以下、和余量Fe以及雜質。
3. 根據權利要求1或2所述的含Cr奧氏體合金，其特征在于，鉻氧化物覆膜的厚度不 足 180nm。
4. 根據權利要求1?3中任一項所述的含Cr奧氏體合金，其特征在于，鉻氧化物覆膜 的厚度為50nm以下。
5. 根據權利要求1?4中任一項所述的含Cr奧氏體合金，其特征在于，鉻氧化物覆膜 中的表層中的Mn/Cr比以原子比計為0. 00001以上且不足0. 05。
6. 根據權利要求1?5中任一項所述的含Cr奧氏體合金，其特征在于，含Cr奧氏體合 金用作原子能設備用構件。
7. -種含Cr奧氏體合金的制造方法，其為制造權利要求1?6中任一項所述的含Cr 奧氏體合金的方法，其特征在于，在使非氧化性氣體中含有水蒸氣的混合氣體氣氛中將母 材的Mn含量以質量％計不足0. 1 %的含Cr奧氏體合金的表面加熱至600?1200°C的溫度 域，在含Cr奧氏體合金的表面形成鉻氧化物覆膜。
8. 根據權利要求7所述的含Cr奧氏體合金的制造方法，其特征在于，水蒸氣濃度為 IOOOppm 以下。
【文檔編號】C22C19/05GK104220631SQ201380017139
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年2月27日 優先權日:2012年3月28日
【發明者】正木康浩, 神崎學, 日高康善, 上平明弘, 宮原整 申請人:新日鐵住金株式會社