濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法
【專利摘要】本發明提供一種即使DC濺射也能夠制作高電阻的透明膜的濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法。本發明的濺射靶以氧化鋅為主要成分，由具有相對于總金屬成分含量含有0.005～0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素的成分組成的氧化物燒結體構成，所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上。高電阻透明膜使用上述濺射靶通過DC濺射成膜，體積電阻率為1×104Ω·cm以上。
【專利說明】濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種能夠以DC(直流)濺射形成高電阻的氧化鋅透明膜且具有較高的機械強度、適于長時間濺射的濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法。
[0002]本申請基于2012年3月13日申請的日本專利申請2012-055764號主張優先權，將其內容援用于本說明書中。
【背景技術】
[0003]近年來，由化合物半導體構成的薄膜太陽能電池被實用化，由該化合物半導體構成的薄膜太陽能電池具有如 下基本結構，即在鈉鈣玻璃基板上形成成為正極的Mo電極層，在該Mo電極層上形成由Cu-1n-Ga-Se四元系合金膜構成的光吸收層,在由該Cu-1n-Ga-Se四元系合金膜構成的該光吸收層上形成由ZnS、CdS、氧化鋅等構成的緩沖層，在該緩沖層上形成成為負極的透明電極層。
[0004]在上述緩沖層等中采用的氧化鋅膜要求均勻且致密的膜組織和高電阻。例如，在專利文獻I中記載有氧化鋅膜的體積電阻率為104Ω作為形成該氧化鋅膜的方法，主要已知有濺射法。例如，在專利文獻2中提出了靶中的氧化鋅的平均粒度為15~100 μ m,且能夠進行直流濺射的氧化鋅靶。
[0005]另一方面，在專利文獻3中提及了使用純氧化鋅靶，通過RF(高頻)濺射來制作呈現高電阻的1-ZnO膜的技術，另一方面，公開有使用添加了鋁等的氧化鋅靶而形成導電性相當低的透明導電氧化物層的方法。并且，作為優選實施方式，提出了通過同一靶材料的濺射而生成用于太陽能電池的高導電性層與低導電性層這兩者，且使高導電性層在惰性氣體氣氛中生成，使低導電性層在氧或混合惰性氣體-氧工藝氣氛中生成。
[0006]另外，作為形成太陽能電池用高導電性透明導電膜的靶，如專利文獻4所示，通常在氧化鋅中添加0.3%~若干原子％的鋁或鎵。
[0007]專利文獻1:日本專利公開2005-123272號公報
[0008]專利文獻2:日本專利公開2011-111642號公報
[0009]專利文獻3:日本專利公開2009-21607號公報
[0010]專利文獻4:日本專利公開2008-110911號公報
[0011]上述以往的技術中留有以下課題。
[0012]即，以往，為了形成高電阻的氧化鋅膜使用氧化鋅靶進行RF濺射，但存在RF濺射與DC濺射相比成膜速度較慢的不良情況。然而，以往的氧化鋅靶為高電阻，因此難以進行DC濺射。
[0013]另一方面，在能夠進行DC濺射的專利文獻2的技術中，通過將構成氧化鋅靶的氧化鋅顆粒設定為比以往大很多，從而晶界變少，與晶界數成比例的絕緣電壓降低而在恒定的高電壓下電阻急劇降低，從而實現DC濺射。然而，因氧化鋅靶的結晶組織的增大，靶的致密化變得不充分，會存在靶的機械強度降低的不良情況。另外，當長時間進行濺射時會產生團塊，且未能完全解決隨著濺射時間的增加而異常放電急速增加的問題。[0014]并且，在專利文獻3的技術中，提出有使用含有氧化鋅與鋁這兩者的陶瓷靶，或者由含有若干質量％的鋁的Zn-Al所構成的金屬靶，在含有氧的濺射工藝氣氛中，形成導電性相當低的氧化鋅層的方法。然而，通過該方法得到的膜的電阻最大也不過1.64Χ103Ω -cm而已，未能達成專利文獻I中所公開的氧化鋅膜的體積電阻率I X 104 Ω.cm。
【發明內容】
[0015]本發明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供即使DC濺射也可以制作體積電阻率:1Χ104Ω.cm以上的高電阻的氧化鋅膜且具有較高的機械強度，適于長時間濺射的濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法。
[0016]本發明人等進行了研究，想通過長時間的連續DC濺射并使用氧化鋅靶來制造氧化鋅膜。其結果，確認了通過對主成分的氧化鋅添加微量的選自In，Ga，Al，B的正三價元素群中的一種或一種以上的元素，且設為規定值以上的靶密度，由此能夠以較高的機械強度進行長時間DC濺射。另外，發現了通過使用該濺射靶，對濺射氣體中添加3體積％以上的氧，由此能夠獲得高體積電阻率及高透明性的氧化鋅膜。
[0017]因此，本發明是從上述見解所得到的，為解決上述課題采用了以下技術方案。gp，第I方案所涉及的濺射靶，其中，由具有相對于總金屬成分含量含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成的成分組成的氧化物燒結體構成，且所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上。
[0018]在該濺射靶中，由于由具有相對于總金屬成分含量含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成的成分組成的氧化物燒結體構成，且所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上，因此即使DC濺射也能夠獲得體積 電阻率:1Χ104Ω - cm以上的高電阻的氧化鋅膜，并且具有可長時間濺射的較高的機械強度。
[0019]專利文獻2的技術將構成氧化鋅靶的氧化鋅顆粒設定成比以往大很多來實現DC濺射，與此相對，在本發明的濺射靶中，則是通過微量添加作為IIIb族元素的In、Ga、Al、B，從而減少作為在氧化鋅顆粒的晶界產生的導電勢壘的肖特基勢壘(Schottky障壁)，即使在比較低的濺射電壓下也會有DC電流流動，從而使DC濺射成為可能。另外，這些添加元素在燒結中固溶于氧化鋅，從而使靶密度為5.3g/cm3以上，由此降低靶中的氣孔比例，增加成為電流流動通路的氧化鋅晶粒與晶粒接觸的界面的面積，從而實現穩定的DC濺射。SP，通過在靶中微量地添加能夠對氧化鋅顆粒的晶界層特性進行改性的IIIb族元素，從而促進靶的致密化，并能夠提高晶界的導電性，能夠實現穩定的DC濺射。在本發明中，與專利文獻2的單純增大氧化鋅顆粒的方法相比，大幅減少了靶組織中的氣孔發生，提高了靶的抗折強度，能夠實現異常放電較少的長時間穩定的DC濺射。
[0020]之所以添加0.005原子％以上的選自IIIb族元素群的上述元素(以下，也簡稱為IIIb族元素群)，是為了對氧化鋅顆粒的晶界供給充分的供體，降低肖特基勢壘。IIIb族元素群在靶的燒結過程中在晶界移動。通過該舉動集中到晶界的氣孔被排出至燒結體的外部，燒結體的密度得到提高，其結果，對靶的DC濺射穩定性做出貢獻。另外，若少于0.005原子％，則無法充分得到晶界的導電性，異常放電的發生次數會增加。
[0021]另一方面，若添加超過0.1原子％的上述IIIb族元素群，則即使對濺射條件加以調節，所得到的膜的電阻也會變低，無法實現104Ω.cm以上的體積電阻率。
[0022]另外，本發明的靶中添加IIIb族元素群的機制與專利文獻3所記載的技術的機制是不同的。即，在專利文獻3中，雖然公開了使用添加了鋁等的氧化鋅靶、或者由含有若干質量％的鋁的Zn-Al所構成的金屬靶來形成導電性相當低的透明導電氧化物層的方法，但作為其優選實施方式，通過同一靶材料的濺射而生成用于太陽能電池中的高導電性層與低導電性層這兩者，且使高導電性層在惰性氣體氣氛中生成，使低導電性層在氧或混合惰性氣體-氧的工藝氣體氣氛中生成。
[0023]通常如專利文獻4中所公開，使用于太陽能電池中的高導電性層形成用濺射靶為添加了 0.3原子％以上的鋁、鎵等元素的氧化鋅燒結體。并且，如在專利文獻3中所公開，使用由含有若干質量％的鋁的Zn-Al所構成的金屬靶通過反應濺射來制作。
[0024]然而，若添加0.3原子％以上的以鋁為代表的這些IIIb族元素，則在濺射膜中會發生基于正三價元素的Zn位置的置換，通過隨此產生的載體在膜中產生導電性。即使例如在濺射時添加大量的氧，也無法阻止因IIIb族元素導致的Zn位置的置換及載體的生成，其結果，無法得到具有104Ω.cm以上的體積電阻率的氧化鋅膜。
[0025]與此相對，本發明中將IIIb族元素的添加量限制在0.1原子％以下。如此在添加量較少的情況下，在膜中變成位于氧化鋅的晶界，對于形成載體做出的貢獻非常少，因此能夠實現104 Ω.cm以上的體積電阻率。
[0026]另外，將IIIb族元素群 的添加量設為0.1原子％以下時，在晶界含有多數氣孔的低密度靶中，存在導電性變得不充分而無法穩定地進行長時間DC濺射的情況。因此，在本發明中規定祀密度為5.3g/cm3以上。
[0027]添加于本發明的靶中的IIIb族元素，最優選全部固溶于ZnO中，也可一部分作為IIIb族的氧化物或復合氧化物存在于ZnO顆粒的晶界。
[0028]第2方案所涉及的濺射靶，其中，第I方案中所述氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑為8~50 μ m。
[0029]即，在該濺射靶中，氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑為8~50 μ m，因此若施加較低的濺射電壓，則在氧化鋅顆粒的晶界產生的導電勢壘會絕緣破壞而使電流流過，DC濺射成為可能，另外，能夠大幅降低起因于晶界氣孔的異常放電和團塊的形成。
[0030]另外，若上述氧化鋅顆粒的平均粒徑低于8 μ m,則DC濺射容易變得不穩定，若超過50 μ m，則因粒子生長導致的晶界氣孔變大，靶的抗折強度降低，導致容易破裂。
[0031]在上述第I方案中具有降低肖特基勢壘的效果，但添加量較少，因此無法如專利文獻4所記載的那樣使晶界完全導電化，若氧化鋅顆粒的平均粒徑小于8 μ m,則能夠濺射氧化鋅靶的濺射電壓變得非常大，難以進行穩定的異常放電較少的DC濺射。
[0032]第3方案所涉及的濺射靶，其中，第I或第2方案中比電阻為0.01 Ω.cm以上。
[0033]即，在該濺射靶中，比電阻為0.01 Ω.cm以上，因此容易得到具有104 Ω.cm以上的膜體積電阻率的氧化鋅膜。
[0034]第4方案所涉及的高電阻透明膜，其中，使用第I至第3的任一方案所涉及的濺射靶而通過DC濺射成膜，體積電阻率為I X 104 Ω.cm以上。
[0035]第5方案所涉及的高電阻透明膜的制造方法為制造第4方案所涉及的高電阻透明膜的方法，其中，在使用所述濺射靶進行DC濺射時的工藝氣氛中，相對于總氣體成分含有3體積％以上的氧。
[0036]即，在該高電阻透明膜的制造方法中，使用濺射靶進行DC濺射時的工藝氣氛中，相對于總氣體成分含有3體積％以上的氧，因此能夠穩定地得到具有104 Ω.cm以上的體積電阻率的高電阻氧化鋅膜。
[0037]另外，若相對于總氣體成分的氧含量低于3體積％，則所形成的膜中的氧缺陷導致的載體會無法完全去除，只能得到具有低于103 Ω._的體積電阻率的氧化鋅膜。另外，在此提及的DC濺射包括單純的DC濺射、脈沖DC濺射、來自雙重陰極的MF濺射以及重疊RF的DC濺射。
[0038]根據本發明，能夠得到以下效果。
[0039]即，根據本發明所涉及的濺射靶，由具有相對于總金屬成分含量含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成的成分組成的氧化物燒結體構成，所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上，因此即使DC濺射也能夠得到體積電阻率:1Χ104Ω.cm以上的高電阻的氧化鋅膜，并且具有可長時間濺射的高機械強度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040]圖1是表示在本發明所涉及的濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法的實施例6的(a)及比較例I的(b)中，以燒結溫度1400°C燒成的靶的截面的圖像質量圖的圖像。
[0041]圖2是表示在本發明所涉及的實施例6的(a)及比較例I的(b)中，以燒結溫度1400 V燒成的靶中的氧化鋅顆粒的粒徑分布的曲線圖。
[0042]圖3是表示在本發明所涉及的實施例6的(a)及比較例I的(b)中，6小時連續濺射中的異常放電次數的累積值的變化的曲線圖。
【具體實施方式】
[0043]以下，對本發明所涉及的濺射靶以及高電阻透明膜及其制造方法的一實施方式進行說明。
[0044]本實施方式的濺射靶為高電阻透明膜用濺射靶，由具有相對于總金屬成分含量含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群(IIIb族元素群)中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成的成分組成的氧化物燒結體構成，所述氧化物燒結體的密度設定為5.3g/cm3以上。
[0045]并且，關于該高電阻透明膜用濺射靶，氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑為8~50 μ m,并且，比電阻為0.01 Ω.cm以上。另外，上述元素群中In、Ga、Al以氧化物的形式含有于燒結體中。此外，含有的B至少表面為氧化物。這些元素以氧化物的形式含有的事實，能夠通過EPMA(電子射線顯微分析儀)的分析來確認。
[0046]另外，本實施方式的高電阻透明膜使用該濺射靶通過DC濺射成膜，且體積電阻率為 1Χ104Ω * cm 以上。
[0047]該高電阻透明膜在使用上述濺射靶進行DC濺射時的工藝氣氛中，通過使氧含量相對于總氣體成分為3體積％以上而進行成膜來獲得。
[0048] 另外，靶密度(氧化物燒結體的密度)由燒結體的重量和尺寸來計算。并且，氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑如下進行計算，即使用SEM觀察靶截面，通過圖像質量圖在使氧化鋅顆粒或固溶IIIb族元素群的氧化鋅顆粒的晶界清晰的狀態下，設為與由晶內的像素數來計算的面積相同面積的圓的直徑而求出，排除測定范圍周邊相關的晶粒而進行計算。另外，靶的比電阻以四探針法進行測定。
[0049] 如上所述，燒結體密度需為5.3g/cm3以上，更優選為5.35g/cm3以上。另外，若為
5.3g/cm3以下，則無法充分排出晶界中的氣孔，因晶界的導電不足而無法實現長時間穩定的DC濺射。為了使燒結體密度為5.3g/cm3以上，通過進行原料粉的粒徑的最佳化、提高用于燒結的成型體的密度、進行燒成溫度與燒成溫度分布條件的最佳化等而獲得。另外，為了可靠地實現氧化鋅顆粒的平均粒徑:8~50 μ m，優選分別設定氧化鋅原料粉末的一次粒徑為0.3~5 μ m、成型密度為3.3g/cm3以上、燒成溫度為1250~1450°C、燒成時間為I~10小時。
[0050]另外，靶比電阻大幅受到IIIb族元素群的添加量、燒結體的密度及燒結方法的影響。通過使用石墨模的真空熱壓這種使氧化鋅中的氧大量缺損的方法，雖然能夠制作比電阻低于0.01 Ω.Cm的靶，但在使用該靶的上述高電阻透明膜的成膜方法，在長期進行大量成膜時，難以使膜的體積電阻率穩定在1Χ104Ω因此，為了使靶的比電阻為0.01 Ω.Cm以上,優選為含有氧的氣氛下的燒成。
[0051]本實施方式的濺射靶的制造方法具有如下:在一次顆粒的平均粒徑為0.1~3 μ m的氧化鋅粉末中，均勻地混入例如一次顆粒的平均粒徑為0.001~I μ m的上述IIIb族元素群的氧化物粉末，成型而成為成型體的工序；以及將該成型體在1250~1450°C的燒結溫度下進行燒成而成為燒結體的工序。
[0052]即，在該濺射靶的制造方法中，通過將氧化鋅的一次顆粒的平均粒徑設為0.1~
3μ m，將上述IIIb族元素群的氧化物粉末的一次顆粒的平均粒徑設為0.001~I μ m，從而能夠穩定地使以指定溫度燒結的氧化鋅燒結體的平均粒徑成為8~50 μ m，能夠制作異常放電較少的高品質的直流濺射用的氧化鋅靶。
[0053]用于制作上述濺射靶的原料用氧化鋅的一次顆粒的平均粒徑通過將分散于水中的該原料通過激光衍射/散射光式顆粒分析裝置(例如日機裝(Nikkiso)公司制造的Microtrac series)來進行分析、計算。使用IIIb族元素群的氧化物粉末進行添加時的該氧化物的一次平均粒徑也能夠以同樣的方法進行測定。
[0054]并且，上述IIIb族元素群的氧化物能夠以在氧化鋅粉末或者容易分散于其漿料中的溶膠液或者其前驅體的溶膠液(例如，川研Fine Chemical株式會社制造的氫氧化鋁溶膠液AlumiSol-1OA)的形式、在燒結過程中分解的目標氧化物的前驅體物質(例如，IIIb族元素群的碳氧化物)的形式、或上述前軀體的水溶液的形式等進行添加。在本實施方式中，上述IIIb族元素群的添加量非常少，難以均勻地混入到氧化鋅粉末中，尤其是含有IIIb族元素群的溶膠液等，優選以容易均勻地分散于由氧化鋅粉末構成的漿料的形式進行添加。
[0055]針對B，添加由單體構成的粉末來代替氧化物也能夠得到同樣的效果。
[0056]作為上述制造方法的一例，能夠采用將規定的IIIb族元素群的氧化物經由溶劑均勻地混入到氧化鋅粉末中之后，添加粘結劑，通過噴霧干燥法造粒，且將該造粒粉以模具沖壓機加壓成型而制作成型體的有粘結劑成型法。以該有粘結劑成型法成型的成型體在脫模后，以150~550°C的熱處理溫度進行脫粘結劑處理，進而以高溫(1250~1450°C )燒結規定時間(I~6小時)，即可得到本實施方式的氧化鋅靶。
[0057]作為上述粘結劑，能夠使用聚乙烯醇、聚乙烯丁縮醛、甲基纖維素或者丙烯酸樹月旨。并且，作為有機溶劑，能夠使用乙醇或丙酮，作為無機溶劑，能夠使用純水。另外，通過添加溶劑稀釋粘結劑，能夠均勻地分散于粉末中。
[0058]上述加壓成型時的成型壓例如設定為50 (500kg/cm2)MPa。
[0059]并且，脫模后，燒成得到氧化物燒結體時的燒成溫度在1250~1450°C的范圍內，燒成時間I~10小時為適當。另外，燒成時間優選為3~6小時。并且,燒結氣氛可以是大氣、氧、惰性氣體和氧的混合氣體的任一種。
[0060]另外，燒成工序，作為以去除溶劑及水分等為目的的預備乾燥，在50~150°C下進行5~46小時的處理，作為以燒掉粘結劑為目的的脫粘結劑處理，在150~550°C下進行5~20小時的處理。
[0061]接著，對使用如此制作的本實施方式的濺射靶而通過DC濺射制作氧化鋅膜(高電阻透明膜)的方法進行說明。
[0062]首先，將加工成直徑125mm、厚度5mm后的上述濺射靶，使用In焊料結合于無氧銅制背板。該結合的靶供濺射使用。
[0063]該濺射使用DC濺射電源，作為濺射氣體在Ar氣體與02氣體的混合氣體中進行。此時的氣體壓力例如設定為0.67Pa。Ar氣體與02氣體的混合氣體中02/(Ar+02)的體積比通過氣體流量計的流量 設定來進行設定。并且，濺射時的投入功率密度，例如設定為2W/cm2。而且，以上述濺射靶形成的膜的厚度例如設為lOOnm。其中，所謂投入功率密度是指對靶施加的功率(W)除以靶面積(cm2)的值。
[0064]另外，通過改變上述濺射氣體的Ar氣體與02的混合比率，可以改變氧化鋅膜(高電阻透明膜)的膜電阻。例如，若將濺射氣體設定為Ar:90體積％、02:3體積％以上的比例，則能夠形成膜電阻:104~1010 Ω.cm(測量電壓10V)左右的高電阻氧化鋅膜。另外，若對上述濺射氣體不加入02而僅以Ar氣體進行濺射，則成為膜電阻:10-2 Ω.cm(測量電壓10V)的低電阻氧化鋅膜。
[0065]如此在本實施方式的濺射靶中，由具有相對于總金屬成分含量含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成的成分組成的氧化物燒結體構成，且所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上，因此即使DC濺射也能夠得到體積電阻率:1Χ104Ω * cm以上的高電阻的氧化鋅膜，并且具有可長時間濺射的高機械強度。
[0066]并且，氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑為8~50 μ m，因此施加比較低的濺射電壓時，在氧化鋅顆粒的晶界產生的導電勢壘會絕緣破壞而使電流流過，DC濺射成為可能，另外，能夠大幅降低起因于晶界氣孔的異常放電和團塊的形成。
[0067]另外，比電阻為0.01 Ω.cm以上，因此容易得到具有104 Ω.cm以上的膜體積電阻率的氧化鋅膜。
[0068]而且，在本實施方式的高電阻透明膜的制造方法中，在使用上述濺射靶進行DC濺射時的工藝氣氛中，相對于總氣體成分含有3體積％以上的氧，因此能夠穩定地得到具有104 Ω * cm以上的體積電阻率的高電阻氧化鋅膜。[0069]實施例
[0070]參考圖1至圖4針對根據上述實施方式制作的高電阻透明膜用濺射靶的實施例，對氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑等的評估結果進行說明。
[0071]<實施例的制作>
[0072]本實施例的制造，以如下條件進行。
[0073]將表1所示的平均一次粒徑的氧化鋅100kg，與純水35kg、用于分散氧化鋅二次顆粒的分散劑1.5kg(例如:高分子量的聚酯酸的酰胺胺鹽、楠本化成株式會社制造)、與表I所示的平均一次粒徑的IIIb族元素群的氧化物粉末或其溶膠液，填充于內容積500L的球磨機中。另外，在該球磨機中添加直徑Φ IOmm的氧化錯球500kg,以30rpm的轉速進行了 24小時的球磨。之后，添加聚乙烯醇系粘結劑IOkg(例如，變性PVA，JAPAN VAM&P0VALC0.，LTD.制造)，并進行I小時的球磨。
[0074][表 I]
[0075]
【權利要求】
1.一種濺射靶，其特征在于， 所述濺射靶由具有如下成分組成的氧化物燒結體構成，即相對于總金屬成分含量，所述氧化物燒結體含有0.005~0.1原子％的選自In、Ga、Al、B的元素群中的一種或兩種以上的元素，剩余部分由Zn及不可避免的雜質構成， 所述氧化物燒結體的密度為5.3g/cm3以上。
2.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于， 所述氧化物燒結體中的氧化鋅顆粒的平均粒徑為8~50 μ m。
3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于， 所述濺射靶的比電阻為0.01 Ω.Cm以上。
4.一種高電阻透明膜，其特征在于， 所述高電阻透明膜使用權利要求1至3中任一項所述的濺射靶通過DC濺射成膜，體積電阻率為I X 104 Ω * cm以上。
5.一種高電阻透明膜的制造方法，其特征在于， 所述高電阻透明膜的制造方法為制造權利要求4所述的高電阻透明膜的方法， 在使用所述濺射靶進行DC濺射時的工藝氣氛中，相對于總氣體成分含有3體積％以上的氧。
【文檔編號】C23C14/34GK103958729SQ201380003991
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年3月1日 優先權日:2012年3月13日
【發明者】張守斌, 近藤佑一, 森理惠, 山口剛 申請人:三菱綜合材料株式會社