超薄晶片研磨盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及晶片切割領域，具體公開了一種超薄晶片研磨盤，其包括一研磨盤盤體，該研磨盤盤體的周邊設置有內齒型的外圈齒輪，該研磨盤盤體上設有一與其同心設置的外齒型的內圈齒輪，該外圈齒輪及內圈齒輪的中間位置處均設有一貫穿設置的軸孔；所述研磨盤盤體上沿內圈齒輪外側掏設有一圓環形凹槽，該圓環形凹槽內設有數道導流槽。本實用新型的超薄晶片研磨盤，其可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。
【專利說明】超薄晶片研磨盤
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及晶片研磨加工領域，尤其涉及一種用于對超薄光學晶片進行研磨加工的研磨盤。
【背景技術】
[0002]石英晶片是制造頻率發生和控制用的電子元器件，石英晶片的厚度同頻率成反t匕，石英晶體經過切割后的晶片，要根據晶片的設計要求，一道一道淹沒至固定厚度，再經過腐蝕達到固定頻率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的關鍵過程。
[0003]在對晶片進行研磨拋光處理時，通常需要用到研磨機。研磨盤是研磨機中最主要的工作部件，研磨晶片時，將復數晶片上蠟并黏置于研磨盤上，再以該研磨盤設置于相對應的研磨機中進行晶片研磨的減薄作業。各鏡片于研磨完畢后即可將研磨盤由機器中取出。
[0004]目前光學晶片在研磨加工的時候，行業內所采用的研磨盤都是由鑄鐵或碳鋼制成的，其重量較重，所以在加工的過程中，容易造成光學晶片的擠壓，產生刮痕，降低光學晶片的合格率。若不經過研磨加工這個工序，光學晶片將不能達到超薄的要求，因此，有必要對現有的研磨盤結構進行改良。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的在于，提出一種超薄晶片研磨盤，其可以減少晶片磨損，提高光學晶片的合格率。
[0006]為實現上述目的，本實用新型提供了一種超薄晶片研磨盤，其包括:一研磨盤盤體，該研磨盤盤體的周邊設置有內齒型的外圈齒輪，該研磨盤盤體上設有一與其同心設置的外齒型的內圈齒輪，該外圈齒輪及內圈齒輪的中間位置處均設有一貫穿設置的軸孔；所述研磨盤盤體上沿內圈齒輪外側掏設有一圓環形凹槽，該圓環形凹槽內設有數道導流槽。
[0007]其中，所述研磨盤盤體可以采用鐵質材料制作而成。
[0008]或者，所述研磨盤盤體可以采用合成塑料制作而成。
[0009]本實用新型中，所述研磨盤盤體厚度約為23mm-25mm,內圈齒輪高度約為19mm-25mm,圓環形凹槽的深度約為4mm-7mm。
[0010]具體的，所述研磨盤盤體厚度可以為24mm，內圈齒輪高度可以為22mm，圓環形凹槽的深度可以為6mm。
[0011]再者,所述研磨盤盤體的直徑約為370mm-390mm,內圈齒輪直徑約為200mm-205mm,軸孔的直徑約為138mm-142mm,圓環形凹槽的內徑與內圈齒輪直徑相同，該圓環形凹槽的外徑約為 350mm-355mm。
[0012]具體的，所述研磨盤盤體的直徑可以為385mm，內圈齒輪直徑可以為204mm，軸孔的直徑可以為139mm，圓環形凹槽的內徑與內圈齒輪直徑相同，該圓環形凹槽的外徑可以為352mm。
[0013]本實用新型中，所述導流槽包括沿圓環形凹槽的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
[0014]選擇性的，所述圓環形凹槽上還可以設有一研磨層，所述數道導流槽設于該研磨層上，該導流槽包括沿圓環形凹槽的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
[0015]本實用新型中所述的數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置，所述數道徑向槽之間呈等距離設置，該環形槽和徑向槽的深度為2.5mm-2.8mm。
[0016]本實用新型的超薄晶片研磨盤，其在確保原有研磨盤精度的前提下，通過在研磨盤盤體的上表面用數控車床車掉部分環形區域，達到減輕研磨盤重量的目的，大大提升了超薄晶片研磨的合格率；同時，其導流槽按照游星輪運行方向，采用環形槽及徑向槽的特殊設計，可以極大的減小光學晶片邊緣與原來的井字型導流槽碰擦產生的晶片破碎，從而可以減少晶片磨損，提聞光學晶片的合格率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本實用新型的超薄晶片研磨盤一種具體實施例的結構示意圖；
[0019]圖2為沿圖1中A-A方向的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0021]如圖1、2所示，本實用新型提供一種超薄晶片研磨盤，其包括:一研磨盤盤體10，該研磨盤盤體10的周邊設置有內齒型的外圈齒輪11，該研磨盤盤體10上設有一與其同心設置的外齒型的內圈齒輪20，該外圈齒輪11及內圈齒輪20中間位置處均設有一貫穿設置的軸孔30 ;所述研磨盤盤體10上沿內圈齒輪20外側掏設有一圓環形凹槽12，該圓環形凹槽12內設有數道導流槽(未圖示)。本實用新型在具體使用時，可以通過軸孔30與一研磨機的轉動軸(未圖示)相固定，該轉動軸上設有鍵槽，軸孔30內可以設置于該鍵槽相配合的花鍵，待加工的光學晶片放置于研磨盤盤體10的圓環形凹槽12上進行研磨拋光。
[0022]其中，所述研磨盤盤體10可以采用鐵質材料制作而成。或者，作為本實用新型的一種優選實施例，所述研磨盤盤體10可以采用合成塑料制作而成。該合成塑料是以樹脂(或在加工過程中用單體直接聚合)為主要成分，以增塑劑、填充劑、潤滑劑、著色劑等添加劑為輔助成分，在加工過程中能流動成型的材料，其相比現有技術中采用鑄鐵或碳鋼制成的研磨盤，極大的降低了材料的硬度和重量，可以減小在晶片研磨時作用于晶片表面的壓力與摩擦力，使得晶片在研磨時不容易出現劃痕及因受力過大成碎片的情況。
[0023]本實用新型中，所述研磨盤盤體10厚度約為23mm-25mm，內圈齒輪20高度約為19mm-25mm,圓環形凹槽12的深度約為4mm-7mm。作為本實用新型的一種選擇性的,所述研磨盤盤體10厚度可以為24mm，內圈齒輪20高度可以為22mm，圓環形凹槽12的深度可以為6_。由于研磨的重量對晶片在研磨時承受的壓力起決定性作用，為了提高超薄晶片加工的合格率，我們對研磨盤在確保原有精度的前提下，不斷反復設計、測試，通過在研磨盤盤體10的上表面，用數控車床車掉部分環形區域，以形成一圓環形凹槽12，從而達到減輕研磨盤重量的目的，大大提升了超薄晶片研磨的合格率。
[0024]在本實用新型具體實施例中，所述研磨盤盤體10的直徑約為370mm-390mm，內圈齒輪20直徑約為200mm-205mm,軸孔30的直徑約為138mm-142mm,圓環形凹槽12的內徑與內圈齒輪20直徑相同，該圓環形凹槽12的外徑約為350mm-355mm。選擇性的,所述研磨盤盤體10的直徑可以為385mm,內圈齒輪20直徑可以為204mm,軸孔30的直徑可以為139mm,圓環形凹槽12的內徑與內圈齒輪20直徑相同，該圓環形凹槽12的外徑可以為352mm。
[0025]由于研磨盤需要與研磨液配合使用，因此現有技術中通常在研磨盤上表面設置有數道井字型設置的凹槽以作導流作用，這種井字型結構設置的凹槽數量非常多，從而增加了晶片邊緣與井字型凹槽之間碰擦產生的晶片破碎。而本實用新型中的導流槽包括沿圓環形凹槽12的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽12的半徑方向設置的數道徑向槽(未圖示)，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。本實用新型這種采用新型的環形槽與徑向槽的結構設置，其導流槽改成按游星輪運行方向設置，可以極大的減小光學晶片邊緣與原來的井字型導流槽碰擦產生的晶片破碎，從而減少了晶片磨損，提高光學晶片的合格率。在本實用新型具體實施例中，所述數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置。所述數道徑向槽之間呈等距離設置。在本實用新型具體實施例中，所述環形槽和徑向槽的深度約為2.5mm-2.8mm。優選的，所述環形槽和徑向槽的深度均可以為2.6mm。作為本實用新型的一種選擇性實施例，所述環形槽和徑向槽可以采用直角結構的方形槽方式設置。作為本實用新型的另一種選擇性實施例，該環形槽和徑向槽還可以采用內部圓滑設置的U型槽的方式設置，這樣可以在一定程度上減小晶片邊緣與導流槽之間的碰擦。
[0026]再者，由于研磨盤在使用一段時間后均會產生磨損，影響研磨質量，若整體更換研磨盤，則代價較高，造成成本上的提高。基于上述考慮，本實用新型可以在所述圓環形凹槽12上還可以設有一研磨層(未圖示)，所述數道導流槽設于該研磨層上，該導流槽包括沿圓環形凹槽的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。本實用新型這種采用獨立的研磨層的設計方式，當產生磨損時，只需要單獨更換研磨層即可，這樣可以在很大程度上降低生產成本，避免材料浪費。作為本實用新型的一種優選實施例，還可以通過在研磨層上涂設一層高分子環氧樹脂層作為保護層的方式，進一步延長研磨盤的使用壽命。
[0027]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種超薄晶片研磨盤，其特征在于，包括一研磨盤盤體，該研磨盤盤體的周邊設置有內齒型的外圈齒輪，該研磨盤盤體上設有一與其同心設置的外齒型的內圈齒輪，該外圈齒輪及內圈齒輪的中間位置處均設有一貫穿設置的軸孔；所述研磨盤盤體上沿內圈齒輪外側掏設有一圓環形凹槽，該圓環形凹槽內設有數道導流槽。
2.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體采用鐵質材料制作而成。
3.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體采用合成塑料制作而成。
4.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體厚度為23mm-25mm,內圈齒輪高度為19mm-25mm,圓環形凹槽的深度為4mm-7mm。
5.如權利要求4所述的超薄晶片研磨盤,其特征在于,所述研磨盤盤體厚度為24mm,內圈齒輪高度為22mm,圓環形凹槽的深度為6mm。
6.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體的直徑為370mm-390mm,內圈齒輪直徑為200mm-205mm,軸孔的直徑為138mm-142mm,圓環形凹槽的內徑與內圈齒輪直徑相同，該圓環形凹槽的外徑為350mm-355mm。
7.如權利要求6所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述研磨盤盤體的直徑為385mm,內圈齒輪直徑為204mm,軸孔的直徑為139mm,圓環形凹槽的內徑與內圈齒輪直徑相同，該圓環形凹槽的外徑為352mm。
8.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述導流槽包括沿圓環形凹槽的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
9.如權利要求1所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述圓環形凹槽上設有一研磨層，所述數道導流槽設于該研磨層上，該導流槽包括沿圓環形凹槽的圓心向外延伸設置的數道環形槽，以及沿圓環形凹槽的半徑方向設置的數道徑向槽，該環形槽和徑向槽之間相連接設置。
10.如權利要求8或9任一項所述的超薄晶片研磨盤，其特征在于，所述數道環形槽呈同心圓設置，每道環形槽之間均等距離設置，所述數道徑向槽之間呈等距離設置，該環形槽和徑向槽的深度為2.5mm-2.8mm。
【文檔編號】B24B37/12GK203665304SQ201320684462
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年10月31日 優先權日:2013年10月31日
【發明者】侯明永 申請人:重慶晶宇光電科技有限公司