專利名稱：一種氣體分流面板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種有機分子束沉積系統(OMBD)中的氣體分流面板。
背景技術：
在有機分子束沉積的過程中，氣體通過一個氣體分流面板沉積到晶圓上，請參考圖1，所述氣體分流面板100上設有若干通孔101，若干所述通孔101平行排列，形成若干通孔排102，若干通孔排102沿著直徑對稱分布，即在圖1中，沿著水平的直徑，上下對稱分布。圖1中僅顯示了通孔101和通孔排102的分布方式，為了顯示方便，其尺寸、大小比例和通孔數量等均非采用真實數據，通常，通孔101的孔徑為3.85mm，通孔101的數量為5008個。然而，平行排列的通孔排102會導致沉積的厚度不均勻，沉積厚度的范圍較大，同時，由于沉積設備的固有特性，氣體的沉積是從中心向外擴散的，很容易導致晶圓邊緣的沉積無法達到需求。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠實現沉積厚度均勻的氣體分流面板。為了解決這個問題，本發明提供了一種氣體分流面板，用于有機分子束沉積，所述氣體分流面板為圓形， 所述氣體分流面板上設有若干通孔，若干所述通孔形成若干與所述氣體分流面板同心的通孔圈，若干所述通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外遞增。除最外層通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外等差遞增，且最外層通孔圈的通孔的數量與相鄰的通孔圈的通孔的數量的差值大于該等差遞增的公差。除最外層通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外等差遞增的公差為6個。所述最外層通孔圈的通孔的數量與相鄰的通孔圈的通孔的數量的差值為15。最外層通孔圈的通孔的數量為相鄰的通孔圈的通孔的數量的1.03倍。所述通孔的數量為7966個。所述最外層通孔圈距離所述氣體分流面板邊緣的距離小于10毫米。所述最外層通孔圈距離所述氣體分流面板邊緣的距離為4至5毫米。所述通孔的孔徑小于1mm，所述通孔的孔徑為0.71mm。若干所述通孔圈之間的間距相同。本實用新型通過將若干通孔呈圈狀排列，形成若干通孔圈，以適應沉積設備中氣體從中心向外擴散的氣流分布方式，進而使得晶圓表面的沉積的效果更佳，沉積的厚度相對均勻了，同時，通過將通孔圈內的通孔數量沿所述氣體分流面板的徑向向外遞增實現沉積的厚度分布更加均勻。提供了一種能夠實現沉積厚度均勻的氣體分流面板。
圖1是現有技術中的氣體分流面板的結構示意圖；圖中，100一氣體分流面板；101—通孔；102—通孔排；圖2是本實用新型一實施例提供的氣體分流面板的結構示意圖；圖中，200—氣體分流面板；201—通孔；202—通孔圈。
具體實施方式
以下將結合圖2對本實用新型提供的氣體分流面板及其作用進行詳細的描述，其為本實用新型一可選的實施例，可以認為本領域的技術人員可以根據公知的常識在不修改本實用新型內容和精神的范圍內對其進行修改和潤色。請參考圖2，圖2中僅顯示了通孔201和通孔排202的分布方式，為了顯示方便，其尺寸、大小比例和通孔數量等均非采用真實數據，本實施例提供了一種氣體分流面板200，用于有機分子束沉積，所述氣體分流面板200為圓形，所述氣體分流面板200上設有若干通孔201，若干所述通孔201形成若干與所述氣體分流面板200同心的通孔圈202，若干所述通孔圈202的通孔201的數量沿所述氣體分流面板200的徑向向外遞增。除了形成通孔圈202的通孔201外，在氣體分流面板200的圓心位置上還設有一個通孔。本實施例通過將若干通孔201呈圈狀排列，形成若干通孔圈202，以適應沉積設備中氣體從中心向外擴散的氣流分布方式，進而使得晶圓表面的沉積的效果更佳，沉積的厚度相對均勻了，同時，通過將通孔圈202內的通孔201數量沿所述氣體分流面板200的徑向向外遞增實現沉積的厚度分布更加均勻。提供了一種能夠實現沉積厚度均勻的氣體分流面板。·除最外層通孔圈202以外的其他通孔圈202的通孔201的數量沿所述氣體分流面板200的徑向向外等差遞增，且最外層通孔圈202的通孔的數量與相鄰的通孔圈202的通孔201的數量的差值大于該等差遞增的公差。這是因為在沉積過程中，由于沉積設備本身的特性，邊緣區域的沉積氣體流通的較少，故而本實施例在最外層通孔圈202設置更多數量的通孔，使得此處流通足夠的沉積氣體，從而使得沉積的效果更佳，沉積的厚度分布更加均勻。除最外層通孔圈202以外的其他通孔圈202的通孔201的數量沿所述氣體分流面板200的徑向向外等差遞增的公差為6個。所述最外層通孔圈202的通孔201的數量與相鄰的通孔圈202的通孔201的數量的差值為15。在本實施例中，最外層通孔圈202的通孔201的數量為相鄰的通孔圈202的通孔的數量的1.03倍。所述通孔的數量為7966個。下表為本實施例所采用的每一圈的通孔201的數量的具體設置。其中，編號I對應為氣體分流面板200圓心位置的一個通孔201，編號2為第一層通孔圈，編號52則對應最外層通孔圈，即第51層通孔圈，其通孔數量為315，其與相鄰的通孔圈數量差值為15，其他通孔圈之間的數量差值為6，同時，最外層通孔圈202的數量為相鄰通孔圈202通孔201數量的1.03倍。
權利要求1.一種氣體分流面板，用于有機分子束沉積，所述氣體分流面板為圓形，所述氣體分流面板上設有若干通孔，其特征在于:若干所述通孔形成若干與所述氣體分流面板同心的通孔圈，若干所述通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外遞增。
2.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:除最外層通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外等差遞增，且最外層通孔圈的通孔的數量與相鄰的通孔圈的通孔的數量的差值大于該等差遞增的公差。
3.如權利要求2所述的氣體分流面板，其特征在于:除最外層通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外等差遞增的公差為6個。
4.如權利要求3所述的氣體分流面板，其特征在于:所述最外層通孔圈的通孔的數量與相鄰的通孔圈的通孔的數量的差值為15。
5.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:最外層通孔圈的通孔的數量為相鄰的通孔圈的通孔的數量的1.03倍。
6.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:所述通孔的數量為7966個。
7.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:所述最外層通孔圈距離所述氣體分流面板邊緣的距離小于10毫米。
8.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:所述最外層通孔圈距離所述氣體分流面板邊緣的距離為4至5毫米。
9.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:所述通孔的孔徑為0.71mm。
10.如權利要求1所述的氣體分流面板，其特征在于:若干所述通孔圈之間的間距相同。
專利摘要本實用新型提供了一種氣體分流面板，用于有機分子束沉積，所述氣體分流面板為圓形，所述氣體分流面板上設有若干通孔，若干所述通孔形成若干與所述氣體分流面板同心的通孔圈，若干所述通孔圈的通孔的數量沿所述氣體分流面板的徑向向外遞增。本實用新型通過將若干通孔呈圈狀排列，形成若干通孔圈，以適應沉積設備中氣體從中心向外擴散的氣流分布方式，進而使得晶圓表面的沉積的效果更佳，沉積的厚度相對均勻了，同時，通過將通孔圈內的通孔數量沿所述氣體分流面板的徑向向外遞增實現沉積的厚度分布更加均勻。提供了一種能夠實現沉積厚度均勻的氣體分流面板。
文檔編號C23C16/52GK203128655SQ20132009404
公開日2013年8月14日 申請日期2013年3月1日 優先權日2013年3月1日
發明者黃濤, 胡平 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司