專利名稱：矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置。
背景技術：
如今，真空鍍膜在機械、電子、能源、信息等領域已經得到了廣泛應用。而在真空鍍膜中，生產效率非常受人關注。磁控濺射的方法在沉積速率上要比非磁控濺射的方法高的多，所以越來越受到青睞。在磁控濺射鍍膜中，矩形平面多弧靶是極為重要的組件。現有的矩形平面多弧靶，具備了沉積速率大的優點，能夠帶來較高的生產效率，但由于缺乏合適的滅弧裝置的設置，所以在生產中容易出現跑弧(也稱為偏弧)的情況，即引弧后電弧有時會偏離正常工作的區域。跑弧的發生會影響濺射鍍膜的穩定性和效率，制約了生產效率的提聞。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術中的矩形平面多弧靶缺乏合適的滅弧裝置，導致容易發生跑弧、即電弧偏離正常工作的區域，導致了矩形平面多弧靶的工作不穩定的缺陷，提出一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置，通過設置絕緣的外圈陶瓷壓條和中心陶瓷壓條一方面固定靶材，另一方面通過絕緣的陶瓷件起到滅弧作用，提高了濺射鍍膜的穩定性和效率。本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題的:本實用新型提供了一種矩形平面多弧靶，包括一靶座，其特點在于，該矩形平面多弧靶還包括一外圈陶瓷壓條和一中心陶瓷壓條，該外圈陶瓷壓條圍設于該靶座的頂端面的邊緣，并形成用于容納固定一靶材的 一靶材區域，該中心陶瓷壓條設于該靶材區域的中間并用于固定該靶材。該外圈陶瓷壓條和該中心陶瓷壓條除了固定該靶材的位置外，陶瓷的絕緣性還使其能夠起到滅弧作用，即通過增大弧隙間的電絕緣強度避免了跑弧的發生，提高了該矩形平面多弧靶工作的穩定性和效率。同時，該外圈陶瓷壓條和該中心陶瓷壓條起到了固定和滅弧的作用，在結構上也非常精簡，便于維護。較佳地，該靶材的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材的形狀相適配。較佳地，該中心陶瓷壓條的形狀為桿狀。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括一極板、一組導磁鐵和一永磁體，該永磁體設于該靶材區域的中央的下方，該組導磁鐵包括至少兩個導磁鐵并圍設于該靶材區域的邊緣的下方，該極板設于該組導磁鐵下方并與該組導磁鐵分別形成極靴。其中，極靴是電磁鐵、永磁體和電機磁極的一種結構,在通過采用兩個結構相同的磁路在磁極端面形成極靴，通過這樣的設置能夠獲得較好線性分布的磁場、并屏蔽多余的磁場。較佳地，該組導磁鐵為一對導磁鐵，該對導磁鐵對稱地圍設于該靶材區域的邊緣的下方。對稱的設置該對導磁鐵能夠更容易獲得對離子的更好的磁場約束效果。較佳地，該永磁體為磁鋼。較佳地，該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該氣動裝置控制該引弧針起弧。氣動裝置結構簡單、輕便、安裝維護簡單，并且容易調節。本實用新型還提供了一種包括上述矩形平面多弧靶的真空鍍膜裝置。在符合本領域常識的基礎上，上述各優選條件，可任意組合，即得本實用新型各較佳實例。本實用新型的積極進步效果在于:本實用新型的矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置，通過設置絕緣的陶瓷件在固定靶材的同時起到滅弧作用，提高了濺射鍍膜的穩定性和效率。
圖1為本實 用新型實施例1的矩形平面多弧靶的剖視圖。圖2為本實用新型實施例2的真空鍍膜裝置的剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖給出本實用新型較佳實施例，以詳細說明本實用新型的技術方案，但并不因此將本實用新型限制在所述的實施例范圍之中。實施例1如圖1所示，本實施例的矩形平面多弧靶，包括一靶座4，還包括一外圈陶瓷壓條12和一中心陶瓷壓條15，該外圈陶瓷壓條12圍設于該靶座4的頂端面的邊緣，并形成用于容納固定一靶材14的一靶材區域，該中心陶瓷壓條15設于該靶材區域的中間并用于固定該靶材14。該外圈陶瓷壓條12和該中心陶瓷壓條15除了固定該靶材14的位置外，陶瓷的絕緣性還使其能夠起到滅弧作用，即通過增大弧隙間的電絕緣強度避免了跑弧的發生，提高了該矩形平面多弧靶工作的穩定性和效率。同時，該外圈陶瓷壓條12和該中心陶瓷壓條15起到了固定和滅弧的作用，在結構上也非常精簡，便于維護。本實施例的該靶材14的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材14的形狀相適配。該外圈陶瓷壓條12圍設形成與該靶材14的形狀一致的矩形。該中心陶瓷壓條15的形狀為桿狀。在一個優選實施例中，該矩形平面多弧靶還包括一極板7、一組導磁鐵5和一永磁體6,該永磁體6設于該祀材區域的中央的下方,該組導磁鐵5包括至少兩個導磁鐵并圍設于該靶材區域的邊緣的下方，該極板設于該組導磁鐵下方并與該組導磁鐵5分別形成極靴。該組導磁鐵5可以為一對導磁鐵5，該對導磁鐵5對稱地圍設于該靶材區域的邊緣的下方。對稱的設置該對導磁鐵5能夠更容易獲得對離子的更好的磁場約束效果。該永磁體采用磁鋼。優選地，該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該氣動裝置控制該引弧針起弧。氣動裝置結構簡單、輕便、安裝維護簡單，并且容易調節。實施例2[0028]如圖2所示，本實施例的真空鍍膜裝置包括了實施例1的矩形平面多弧靶。該真空鍍膜裝置還包括至少一真空室13，一絕緣件I把該矩形平面多弧靶和該至少一真空室13絕緣分隔。一第一密封圈2密封絕緣件I與真空室13的室壁之間的間隙，一第二密封圈3密封絕緣件I與該靶座4之間的間隙。優選地，該真空鍍膜裝置還包括用于固定該靶座4的螺栓9和用于冷卻靶材14的水冷接頭8。該真空鍍膜裝置還包括一螺釘絕緣套10和一防護罩11，該螺釘絕緣套10用于將該靶座4和真空室13的室壁絕緣分隔，該防護罩11用于放置人員接觸帶電器件。為保障真空室13的室壁與靶材14的分隔，該真空鍍膜裝置還包括多個屏蔽板16，用于防止基體17上的膜層沉積到該絕緣件I上面。雖然以上描述了本實用新型的具體實施方式
，但是本領域的技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，本實用新型的保護范圍是由所附權利要求書限定的。本領域的技術人員在不背離本實用新型的原理和實質的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本 實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種矩形平面多弧靶，包括一靶座，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一外圈陶瓷壓條和一中心陶瓷壓條，該外圈陶瓷壓條圍設于該靶座的頂端面的邊緣，并形成用于容納固定一靶材的一靶材區域，該中心陶瓷壓條設于該靶材區域的中間并用于固定該靶材。
2.如權利要求1所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該靶材的形狀為矩形，該靶材區域的形狀與該靶材的形狀相適配。
3.如權利要求1所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該中心陶瓷壓條的形狀為桿狀。
4.如權利要求1-3中任意一項所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一極板、一組導磁鐵和一永磁體，該永磁體設于該靶材區域的中央的下方，該組導磁鐵包括至少兩個導磁鐵并圍設于該靶材區域的邊緣的下方，該極板設于該組導磁鐵下方并與該組導磁鐵分別形成極靴。
5.如權利要求4所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該組導磁鐵為一對導磁鐵，該對導磁鐵對稱地圍設于該靶材區域的邊緣的下方。
6.如權利要求4所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該永磁體為磁鋼。
7.如權利要求1所述的矩形平面多弧靶，其特征在于，該矩形平面多弧靶還包括一引弧針和一氣動裝置，該 氣動裝置控制該引弧針起弧。
8.一種包括如權利要求1-7中任意一項所述的矩形平面多弧靶的真空鍍膜裝置。
專利摘要本實用新型公開了一種矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置。該矩形平面多弧靶包括一靶座、一外圈陶瓷壓條和一中心陶瓷壓條，該外圈陶瓷壓條圍設于該靶座的頂端面的邊緣，并形成用于容納固定該靶材的一靶材區域，該中心陶瓷壓條設于該靶材區域的中間并用于固定該靶材。本實用新型的矩形平面多弧靶及真空鍍膜裝置通過設置絕緣的陶瓷件在固定靶材的同時起到滅弧作用，提高了濺射鍍膜的穩定性和效率。
文檔編號C23C14/35GK203096160SQ201320025570
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月17日 優先權日2013年1月17日
發明者王叔暉, 劉竹楊 申請人:上海法德機械設備有限公司