一種移動(dòng)式噴嘴的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種移動(dòng)式噴嘴，用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧,其包括：管狀噴嘴及噴嘴移動(dòng)裝置；所述管狀噴嘴設(shè)置于所述噴嘴移動(dòng)裝置上,能夠在所述噴嘴移動(dòng)裝置的作用下左右移動(dòng)。本發(fā)明通過使噴嘴為管狀,并且設(shè)置噴嘴移動(dòng)裝置使噴嘴左右移動(dòng),可以使硅片背面噴砂形成的損傷均勻可控。
【專利說明】一種移動(dòng)式噴嘴
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及IC級(jí)硅單晶拋光片【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧的移動(dòng)式噴嘴。
【背景技術(shù)】
[0002]IC級(jí)硅單晶拋光片是制造大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的核心材料，主要用于高速計(jì)算機(jī)、航空航天等高科技領(lǐng)域。硅單晶拋光片的微缺陷“氧化霧”一直困擾著高可靠性器件用硅單晶拋光片的質(zhì)量。長期以來，人們采用多種方法以消除硅拋光片表面的氧化霧。所采用的方法主要是通過吸雜的方式，有內(nèi)吸雜和外吸雜兩種。內(nèi)吸雜主要是利用硅片中的氧沉淀產(chǎn)生吸雜區(qū)消除硅拋光表面的氧化霧，因其設(shè)備昂貴，工藝復(fù)雜，要求硅片內(nèi)氧沉淀分布均勻，不易控制，重復(fù)性差，因此在國內(nèi)外應(yīng)用較少。外吸雜主要是利用外部手段在硅片背面形成損傷或應(yīng)力，具體方式有在硅片背面用金鋼砂帶損傷、激光損傷或LPCVD生長多晶硅層等，或者采用輻照、加熱預(yù)處理、硅片背面軟損傷等方法對(duì)硅片的氧化霧進(jìn)行消除。
[0003]對(duì)硅片的背面采用干法噴砂制造吸雜源消除硅拋光表面的氧化霧是近年來新興的一種可有效消除硅拋光片表面的氧化霧，同時(shí)又工藝簡單合理，投資小，可操作性強(qiáng)，易于實(shí)施的外吸雜方法。其是根據(jù)背損吸雜原理，在硅片背面干法噴砂，產(chǎn)生晶格損傷或畸變，制造吸雜源，通過對(duì)噴砂粒度、噴砂壓力、作業(yè)片距、時(shí)間過程的控制和調(diào)制，在硅片背面制造均勻的層錯(cuò)密度，即在硅片背面產(chǎn)生6-38X 104個(gè)/ cm2的損傷層錯(cuò)，誘生堆雜層錯(cuò)，使硅片具有非本征的吸雜能力。在高溫下，硅片的雜質(zhì)會(huì)移位，并且轉(zhuǎn)移到硅片里面和背面的非要害部位，在拋光片表面的制作集成電路區(qū)域，形成厚度幾個(gè)um的潔凈區(qū)，從而獲得無“氧化霧”的高品質(zhì)硅拋光片，確保IC產(chǎn)品電路特性不受影響。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中常用的對(duì)硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧的噴嘴為固定不動(dòng)的喇叭形噴嘴1，如圖1所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的喇叭形噴嘴的示意圖。采用這種固定不動(dòng)的喇叭形噴嘴對(duì)硅片背面噴灑金剛砂，通常無法使金剛砂分散均勻，會(huì)造成硅片背面損傷層不均勻，這對(duì)于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧所不希望得到的結(jié)果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有技術(shù)的噴嘴存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的移動(dòng)式噴嘴，所要解決的技術(shù)問題是使其通過使噴嘴為管狀，并且設(shè)置噴嘴移動(dòng)裝置使噴嘴左右移動(dòng)，可以使硅片背面噴砂形成的損傷均勻可控，非常適于實(shí)用。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種移動(dòng)式噴嘴，用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧，其包括:管狀噴嘴及噴嘴移動(dòng)裝置；所述管狀噴嘴設(shè)置于所述噴嘴移動(dòng)裝置上，能夠在所述噴嘴移動(dòng)裝置的作用下左右移動(dòng)。[0007]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0008]前述的移動(dòng)式噴嘴，其中所述噴嘴移動(dòng)裝置為汽缸，所述管狀噴嘴設(shè)置于所述汽缸的活塞上。
[0009]前述的移動(dòng)式噴嘴，其中所述管狀噴嘴在所述噴嘴移動(dòng)裝置的作用下左右移動(dòng)的距離為0_200mm。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種移動(dòng)式噴嘴至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:本發(fā)明通過使噴嘴為管狀，并且設(shè)置噴嘴移動(dòng)裝置使噴嘴左右移動(dòng)，可以使硅片背面噴砂形成的損傷均勻可控。
[0011]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的喇叭形噴嘴的示意圖。
[0013]圖2是本發(fā)明的移動(dòng)式噴嘴的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的一種移動(dòng)式噴嘴其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0015]有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過【具體實(shí)施方式】的說明，應(yīng)當(dāng)可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0016]請(qǐng)參閱圖2所示，是本發(fā)明的移動(dòng)式噴嘴的示意圖。本發(fā)明的移動(dòng)式噴嘴用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧，其主要由管狀噴嘴2和噴嘴移動(dòng)裝置3構(gòu)成，其中管狀噴嘴2設(shè)置于噴嘴移動(dòng)裝置3上，能夠在噴嘴移動(dòng)裝置3的作用下左右移動(dòng)。
[0017]本發(fā)明的噴嘴移動(dòng)裝置3可以為汽缸，此時(shí)管狀噴嘴2設(shè)置于汽缸的活塞上。管狀噴嘴2在噴嘴移動(dòng)裝置3的作用下左右移動(dòng)的距離可以為0-200mm。
[0018]本發(fā)明通過采用管狀噴嘴2和噴嘴移動(dòng)裝置3可以使管狀噴嘴2在噴嘴移動(dòng)裝置3的作用下左右移動(dòng)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)常用的固定不動(dòng)的喇叭形噴嘴來分散噴灑金剛砂，可以避免采用喇叭形噴嘴噴砂造成的硅片背面損傷層不均勻，使硅片背面的損傷均勻可控，硅片背面的中心和邊緣的損傷層密度一致。
[0019]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種移動(dòng)式噴嘴，用于硅片背面干法噴砂制造吸雜源以消除硅拋光表面氧化霧，其特征在于其包括:管狀噴嘴及噴嘴移動(dòng)裝置；所述管狀噴嘴設(shè)置于所述噴嘴移動(dòng)裝置上，能夠在所述噴嘴移動(dòng)裝置的作用下左右移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)式噴嘴，其特征在于其中所述噴嘴移動(dòng)裝置為汽缸，所述管狀噴嘴設(shè)置于所述汽缸的活塞上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移動(dòng)式噴嘴，其特征在于其中所述管狀噴嘴在所述噴嘴移動(dòng)裝置的作用下左右移動(dòng)的距離為0-200mm。
【文檔編號(hào)】B24C5/04GK103846814SQ201310502818
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】郭金娥, 徐信富, 徐力, 陳興邦 申請(qǐng)人:洛陽市鼎晶電子材料有限公司