一種反應腔室及等離子體加工設備的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種反應腔室及等離子體加工設備，包括上電極板、固定裝置和保護氣體源，固定裝置包括采用閉合的環形結構的裝置本體，裝置本體套置在上電極板的外周壁上，并與反應腔室的頂壁固定連接，以將上電極板固定在反應腔室頂部；并且裝置本體內形成有進氣通道，進氣通道的進氣口與保護氣體源連通，出氣口分布在暴露在反應腔室內的裝置本體的下表面上，且與反應腔室的內部連通；保護氣體源用于在工藝時經由進氣通道向反應腔室內提供保護氣體，以使其在裝置本體的下表面周圍形成阻擋反應副產物的保護氣層。本發明提供的反應腔室，其可以減少甚至消除反應副產物附著在裝置本體的下表面上，從而可以提高反應腔室的清潔度，進而可以提高工藝質量。
【專利說明】一種反應腔室及等離子體加工設備
【技術領域】
[0001] 本發明屬于微電子加工【技術領域】，具體涉及一種反應腔室及等離子體加工設備。
【背景技術】
[0002] 等離子體增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，以 下簡稱PECVD)技術是被廣泛用于沉積高質量薄膜的一種方法，該方法是將基片置于真空的 反應腔室中的間隔設置且相互平行的兩個電極板之間，兩個電極板中的其中一個電極板與 射頻電源連接，其中另一個電極板接地，而且，向兩個電極板之間通入工藝氣體，在射頻電 源開啟之后，工藝氣體被激發而在兩個電極板之間形成等離子體，等離子體會與基片發生 反應，從而在基片表面形成工藝所需的薄膜。
[0003] 圖1為現有的一種PECVD設備。請參閱圖1，其包括反應腔室10,在反應腔室10 內設置有接地的基座11，其作為下電極板且用以承載多個基片12 ;在反應腔室10內的頂部 設置有與基座11間隔平行設置的上電極板13,其與設置在反應腔室10外的射頻電源14電 連接，用以激發基座11與上電極板13之間的工藝氣體形成等離子體21，且上電極板13借 助固定裝置15與反應腔室10的頂壁16固定連接，具體地，固定裝置15采用閉合的環形結 構，且套制在上電極板13的外周壁上，并與反應腔室10的頂壁16固定連接；并且，在上電 極板13與基座11之間設置有均流板17,均流板17與上電極板13形成勻流腔室18,且在 均流板17上均勻分布有多個出氣口 19,用以將勻流腔室18和反應腔室10連通；而且，反 應腔室10還包括中央進氣口 20,其下端依次貫穿頂壁16和上電極板13,并與勻流腔室18 相連通，在進行工藝時，工藝氣體經由中央進氣口 20流入勻流腔室18,再經由多個出氣口 19流入反應腔室10內。
[0004] 在實際應用中，在使用上述PECVD設備時，反應腔室10內產生的反應副產物會在 反應腔室10的腔室內壁、勻流板17的下表面以及固定裝置15的下表面等的部件沉積，這 些反應副產物在累積一定的厚度之后會掉落污染顆粒，導致基片12被污染，從而降低了產 品質量。為此，就需要在完成預定次數的薄膜沉積工藝之后進行一次清洗工藝，以清除沉積 在反應腔室10內的部件外表面的反應副產物。目前，清洗工藝通常采用遠程等離子體法， 艮P，在反應腔室10的外部將清洗氣體激發形成等離子體，再將其經由中央進氣口 20輸送至 反應腔室10內。
[0005] 然而，上述PECVD設備不可避免地存在以下問題，S卩：在進行清洗工藝的過程中， 為了保證沉積在基片12上的薄膜均勻，通常使上電極板13下表面的面積大于基座11上表 面的面積，這會使得暴露在反應腔室10內的固定裝置15的下表面位于形成于上電極板13 與基座11之間的電場之外，而且，被輸送至反應腔室10內的等離子體因不受該電場的影響 而很難到達固定裝置15的下表面附近，從而無法對沉積在該下表面上的反應副產物22進 行清洗，進而導致在完成清洗工藝之后，反應腔室10的清潔度仍然很差，從而降低了工藝 質量。
【發明內容】
[0006] 本發明旨在解決現有技術中存在的技術問題，提供了一種反應腔室及等離子體加 工設備，其可以減少甚至避免反應副產物附著在固定裝置的暴露在反應腔室內的表面上， 從而可以提高反應腔室的清潔度，進而可以提高工藝質量。
[0007] 本發明提供一種反應腔室，包括上電極板和固定裝置，所述固定裝置包括裝置本 體，所述裝置本體采用閉合的環形結構，且套置在所述上電極板的外周壁上，并且所述裝置 本體與所述反應腔室的頂壁固定連接，以將所述上電極板固定在所述反應腔室內的頂部， 其特征在于，所述反應腔室還包括保護氣體源，并且在所述裝置本體內形成有進氣通道，所 述進氣通道的進氣口與所述保護氣體源連通，所述進氣通道的出氣口分布在暴露在所述反 應腔室內的裝置本體的下表面上，且與所述反應腔室的內部連通；所述保護氣體源用于在 工藝時經由所述進氣通道向所述反應腔室內提供保護氣體，以使其在所述裝置本體的下表 面周圍形成阻擋反應副產物的保護氣層。
[0008] 其中，所述出氣口均勻分布在所述裝置本體的下表面上。
[0009] 其中，所述出氣口的分布密度小于1個/立方厘米。
[0010] 優選地，所述出氣口的分布密度為〇. 2個/立方厘米。
[0011] 其中，每個所述出氣口的直徑小于5mm。
[0012] 優選地，每個所述出氣口的直徑為1mm。
[0013] 其中，所述固定裝置還包括兩個環形擋板，所述兩個環形擋板的上端均固定在所 述裝置本體的下表面上，且分別位于所述裝置本體的下表面的內緣和外緣，用以阻擋自所 述出氣口流出的保護氣體橫向流動。
[0014] 其中，所述固定裝置還包括過濾網，所述過濾網設置在所述裝置本體的下方，且位 于兩個所述環形擋板之間，并且所述過濾網、兩個環形擋板和裝置本體的下表面形成封閉 的空間。
[0015] 其中，所述固定裝置還包括多個固定柱，每個所述固定柱的上端固定在所述裝置 本體的下表面上，且位于兩個所述環形擋板之間的位置處，每個所述固定柱的下端與所述 過濾網固定連接；所述多個固定柱沿所述裝置本體的周向間隔設置。
[0016] 其中，所述固定裝置還包括勻流件，所述勻流件的上表面疊置在所述裝置本體的 下表面上，并且在所述勻流件的上表面上形成有凹部，所述凹部與所述裝置本體的下表面 形成勻流空間，且所有所述出氣口均與所述勻流空間連通；并且在所述凹部的底面上設置 有多個貫穿其厚度的通孔。
[0017] 其中，所述勻流件采用螺紋連接或焊接的方式與所述裝置本體固定連接。
[0018] 其中，多個所述通孔相對于所述凹部的底面均勻分布。
[0019] 其中，所述通孔的分布密度小于1個/立方厘米。
[0020] 優選地，所述通孔的分布密度為〇. 2個/立方厘米。
[0021] 其中，每個所述通孔的直徑小于5mm。
[0022] 優選地，每個所述通孔的直徑為1mm。
[0023] 其中，所述固定裝置還包括兩個環形擋板，所述兩個環形擋板的上端均固定在所 述勻流件的下表面上，且分別位于所述勻流件的下表面的內緣和外緣，用以阻擋自所述通 孔流出的保護氣體橫向流動。
[0024] 其中，所述固定裝置還包括過濾網，所述過濾網設置在所述勻流件的下方，且位于 兩個所述環形擋板之間，并且所述過濾網、兩個環形擋板和勻流件的下表面形成封閉的空 間。
[0025] 其中，所述固定裝置還包括多個固定柱，每個所述固定柱的上端固定在所述勻流 件的下表面上，且位于兩個所述環形擋板之間的位置處，每個所述固定柱的下端與所述過 濾網固定連接；所述多個固定柱沿所述勻流件的周向間隔設置。
[0026] 其中，所述過濾網采用大于50目的濾網結構。
[0027] 優選地，所述過濾網采用100目的濾網結構。
[0028] 其中，所述過濾網與每個所述固定柱的下端采用螺紋連接或焊接的方式固定連 接。
[0029] 其中，所述裝置本體采用螺紋連接或焊接的方式與所述反應腔室的頂壁固定連 接。
[0030] 本發明還提供一種等離子體加工設備，包括反應腔室，所述反應腔室采用本發明 提供的所述的反應腔室。
[0031] 本發明具有下述有益效果：
[0032] 本發明提供的反應腔室，其通過借助保護氣體源經由在固定裝置的裝置本體內形 成的進氣通道向反應腔室內提供保護氣體，并通過使該進氣通道的出氣口分布在暴露在反 應腔室內的裝置本體的下表面上，可以使保護氣體在該下表面周圍形成阻擋反應副產物的 保護氣層，從而可以減少甚至消除反應副產物附著在裝置本體的下表面上，從而可以提高 反應腔室的清潔度，進而可以提高工藝質量。
[0033] 本發明提供的等離子體加工設備，其通過采用本發明提供的反應腔室，可以提高 反應腔室的清潔度，進而可以提高工藝質量。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034] 圖1為現有的一種PECVD設備；
[0035] 圖2為本發明第一實施例提供的反應腔室的剖視圖；
[0036] 圖3為圖2中反應腔室的固定裝置沿A-A'線的俯視圖；
[0037] 圖4為圖2中反應腔室的固定裝置的徑向截面圖；
[0038] 圖5為圖4中沿B-B'線的剖視圖；
[0039] 圖6為本發明第二實施例提供的反應腔室的剖視圖；以及
[0040] 圖7為圖6中反應腔室的固定裝置的徑向截面圖。
【具體實施方式】
[0041] 為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提 供的反應腔室及等離子體加工設備進行詳細的描述。
[0042] 圖2為本發明第一實施例提供的反應腔室的剖視圖。圖3為圖2中反應腔室的固 定裝置沿A-A'線的俯視圖。圖4為圖2中反應腔室的固定裝置的徑向截面圖。請一并參 閱圖2、圖3和圖4,反應腔室100包括上電極板101、固定裝置102和保護氣體源。其中，固 定裝置102包括裝置本體112,裝置本體112采用閉合的環形結構，且套置在上電極板101 的外周壁上，如圖3所示，并且裝置本體112與反應腔室100的頂壁110固定連接，以將上 電極板101固定在反應腔室100內的頂部，在本實施例中，裝置本體112借助螺釘107與反 應腔室100的頂壁110螺紋連接，當然，在實際應用中，裝置本體112與反應腔室100的頂 壁110也可以采用焊接等的其他任意方式固定連接。
[0043] 而且，在裝置本體112內形成有進氣通道122,進氣通道122的進氣口 122a與保護 氣體源連通，出氣口 122b分布在暴露在反應腔室100內的裝置本體112的下表面上，且與 反應腔室100的內部連通；保護氣體源用于在工藝時經由進氣通道122向反應腔室100的 內部提供保護氣體。在實際應用中，保護氣體可以為諸如氮氣、氬氣等的不與工藝氣體發生 反應的氣體，以保證反應腔室100內的保護氣體不會對工藝過程產生影響。此外，為了進一 步使保護氣體不對工藝過程產生影響，可以使保護氣體的流量小于工藝氣體的流量，優選 地，保護氣體的流量可以為工藝氣體的流量的1/20?1/10。
[0044] 在進行工藝的過程中，預先開啟保護氣體源，以使保護氣體經由進氣通道122輸 送至反應腔室100內；然后，開啟與上電極板101電連接的激勵電源103,以激發反應腔室 100內的工藝氣體形成等離子體105,從而實現對被加工工件進行鍍膜、刻蝕等工藝。在此 過程中，由于出氣口 122b分布在裝置本體112的下表面上，這使得自該出氣口 122b噴出的 保護氣體在裝置本體112的下表面周圍形成阻擋反應副產物的保護氣層，從而可以減少甚 至消除反應副產物附著在裝置本體112的下表面上，進而可以提高反應腔室100的清潔度， 提高工藝質量。
[0045] 容易理解，在本實施例中，必須在裝置本體112的下表面分布多個出氣口 122b，以 保證形成于裝置本體112的下表面周圍的保護氣層能夠覆蓋整個裝置本體112的下表面。
[0046] 優選地，出氣口 122b相對于裝置本體112的下表面均勻分布，這可以使保護氣體 自出氣口 122b均勻噴出，從而可以在裝置本體112的下表面周圍形成均勻的保護氣層，進 而可以加強該保護氣層對反應副產物的阻擋作用。另外，出氣口 122b的分布密度以及每個 出氣口 122b的直徑可以根據反應氣體的流量、反應氣體的進氣結構等條件自由設定，優選 地，出氣口 122b在裝置本體112的下表面上的分布密度小于1個/立方厘米，進一步優選 地，該分布密度為0. 2個/立方厘米；優選地，每個出氣口 122b的直徑小于5mm，進一步優 選地，每個出氣口 122b的直徑為0. 2個/立方厘米。
[0047] 需要說明的是，在實際應用中，進氣通道122的數量可以為一個或多個，而且，每 個進氣通道122可以具有至少一個出氣口 122b。此外，進氣通道122在裝置本體112內的 排布方式可以根據具體情況自由設定
[0048] 另外，在實際應用中，保護氣體源可以設置在反應腔室100的內部或者外部，優選 地，保護氣體源設置在反應腔室100的外部，以降低反應腔室100的空間占用率。設置在反 應腔室100外部的保護氣體源與進氣通道122的進氣口 122a的連接方式具體為：在反應 腔室100的頂壁110上設置有貫穿其厚度的通孔120,且通孔120的數量和位置與進氣口 122a的數量和位置一一對應，并且，每個通孔120的上、下兩端分別與保護氣體源和相應的 進氣口 122a連通，在工藝過程中，自保護氣體源流出的保護氣體經由通孔120和進氣通道 122輸送至反應腔室100內。
[0049] 在本實施例中，固定裝置102還包括兩個環形擋板132,如圖5所示，為圖4中沿 B-B'線的剖視圖，兩個環形擋板132的上端均固定在裝置本體112的下表面上，且分別位 于裝置本體112下表面的內緣和外緣，用以阻擋從出氣口 122b流出的保護氣體橫向流動， 換言之，借助環形擋板132,可以阻擋分布在裝置本體112的下表面周圍的保護氣體橫向擴 散，從而可以提高該保護氣體的濃度，進而可以加強保護氣層對反應副產物的阻擋作用。優 選地，環形擋板132在垂直于裝置本體112的下表面的方向上的長度為8?12_，進一步優 選地，該長度為l〇mm。
[0050] 需要說明的是，在實際應用中，兩個環形擋板132的上端與裝置本體112的下表面 的連接處不需要很好的密封性，只要能夠保證保護氣體自該連接處泄漏的泄漏量是在允許 的范圍內即可。
[0051] 在本實施例中，固定裝置102還包括過濾網142,其可以采用諸如不銹鋼或者表面 陽極氧化的鋁合金等的耐腐蝕材料制成，并且，過濾網142設置在裝置本體112的下方，且 位于兩個環形擋板132之間，并且過濾網142、兩個環形擋板132和裝置本體112的下表面 形成封閉的空間104。在工藝過程中，自出氣口 122b噴出的保護氣體進入空間104,并通過 過濾網142流入反應腔室100內。借助過濾網142,可以進一步阻擋反應副產物附著在裝 置本體112的下表面上，從而可以提高工藝質量。在實際應用中，過濾網142可以采用大于 50目的濾網結構，優選地，過濾網142采用100目的濾網結構。
[0052] 過濾網142固定在裝置本體112的下方的方式具體可以為：固定裝置102還包括 多個固定柱152,且沿裝置本體112的周向間隔設置，如圖5所示；每個固定柱152的上端 固定在裝置本體112的下表面，且位于兩個環形擋板132之間的位置處，每個固定柱152的 下端與過濾網142可以采用螺紋連接或焊接的方式固定連接，優選地，固定柱152位于兩個 環形擋板132之間的靠近中間的位置，以防止過濾網142在保護氣體的氣流沖擊下傾斜。
[0053] 圖6為本發明第二實施例提供的反應腔室的剖視圖。圖7為圖6中反應腔室的固 定裝置的徑向截面圖。請一并參閱圖6和圖7,本實施例提供的反應腔室和上述第一實施例 相比，同樣包括上電極板101、固定裝置102和保護氣體源，由于這些部件或裝置在上述第 一實施例中已有了詳細地描述，在此不再贅述。
[0054] 下面僅對本實施例與上述第一實施例之間的不同點進行詳細地描述。具體地，本 實施例的技術方案與上述第一實施例的技術方案相比，二者的不同點僅在于：本實施例提 供的反應腔室的固定裝置102在裝置本體112與環形擋板132之間增設了勻流件106,借助 勻流件106,可以提高保護氣體流動的穩定性，從而可以提高形成于勻流件106的下表面周 圍的保護氣層的穩定性。
[0055] 下面對勻流件106的結構進行詳細地描述，具體地，勻流件106的上表面疊置在裝 置本體112的下表面上，且勻流件106借助螺釘108與裝置本體112螺紋連接，當然，在實際 應用中，勻流件106與裝置本體112也可以采用焊接等的其他任意方式固定連接；而且，在 勻流件106的上表面上形成有凹部116,凹部116與裝置本體112的下表面形成勻流空間， 且所有出氣口 122b均與該勻流空間連通，換言之，該勻流空間在平行于裝置本體112的下 表面的方向上的尺寸應不小于所有出氣口 122b分布的最大范圍，以保證所有出氣口 122b 均能夠與勻流空間連通。而且，在凹部116的底面上設置多個貫穿其厚度的通孔126,在進 行工藝的過程中，自出氣口 122b噴出的保護氣體進入勻流空間，并經由通孔126進入反應 腔室100的內部。容易理解，在裝置本體112的下表面上，勻流件106的上表面的投影形狀 和尺寸應與裝置本體112的下表面的形狀和尺寸相對應，以使得勻流件106的上表面能夠 完全疊置在裝置本體112的下表面上，從而可以保證裝置本體112的下表面不會暴露在反 應腔室100內。優選地，凹部116的深度的范圍在8?12mm，進一步優選地，凹部116的深 度為10mm。容易理解，在增設勻流件106之后，出氣口 122b的數量可以為一個或多個。
[0056] 優選地，多個通孔126相對于凹部116的底面均勻分布，這可以使保護氣體自通孔 126均勻噴出，從而可以在勻流件106的下表面周圍形成均勻的保護氣層，進而可以進一步 加強該保護氣層對反應副產物的阻擋作用。另外，優選地，通孔126的分布密度和直徑可以 與上述第一實施例中出氣口 122b的分布密度和直徑相類似。
[0057] 容易理解，在本實施例中，由于在裝置本體112與環形擋板132之間增設了勻流件 106,因而兩個環形擋板132、過濾網142和固定柱152應改與勻流件106固定連接，由于兩 個環形擋板132、過濾網142和固定柱152的結構和功能在上述第一實施例中已有了詳細地 描述，在此不再贅述。
[0058] 綜上所述，本實施例提供的反應腔室，其通過借助保護氣體源經由在固定裝置102 的裝置本體112內形成的進氣通道122向反應腔室100內提供保護氣體，并通過使該進氣 通道122的出氣口 122b分布在暴露在反應腔室100內的裝置本體112的下表面上，可以使 保護氣體在該下表面周圍形成阻擋反應副產物的保護氣層，從而可以減少甚至消除反應副 產物附著在裝置本體112的下表面上，從而可以提高反應腔室的清潔度，進而可以提高工 藝質量。
[0059] 作為另一個技術方案，本實施例還提供一種等離子體加工設備，包括反應腔室，反 應腔室采用上述各個實施例提供的反應腔室。
[0060] 本實施例提供的等離子體加工設備，其通過采用本實施例提供的上述反應腔室， 可以提高反應腔室的清潔度，進而可以提高工藝質量。
[0061] 可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的原 理和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種反應腔室，包括上電極板和固定裝置，所述固定裝置包括裝置本體，所述裝置本 體采用閉合的環形結構，且套置在所述上電極板的外周壁上，并且所述裝置本體與所述反 應腔室的頂壁固定連接，以將所述上電極板固定在所述反應腔室內的頂部，其特征在于，所 述反應腔室還包括保護氣體源，并且在所述裝置本體內形成有進氣通道，所述進氣通道的 進氣口與所述保護氣體源連通，所述進氣通道的出氣口分布在暴露在所述反應腔室內的裝 置本體的下表面上，且與所述反應腔室的內部連通； 所述保護氣體源用于在工藝時經由所述進氣通道向所述反應腔室內提供保護氣體，以 使其在所述裝置本體的下表面周圍形成阻擋反應副產物的保護氣層。
2. 根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述出氣口均勻分布在所述裝置本 體的下表面上。
3. 根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述出氣口的分布密度小于1個/立 方厘米。
4. 根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述出氣口的分布密度為0. 2個/立 方厘米。
5. 根據權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，每個所述出氣口的直徑小于 5mm 〇
6. 根據權利要求5所述的反應腔室，其特征在于，每個所述出氣口的直徑為lmm。
7. 根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括兩個環形擋板， 所述兩個環形擋板的上端均固定在所述裝置本體的下表面上，且分別位于所述裝置本體的 下表面的內緣和外緣，用以阻擋自所述出氣口流出的保護氣體橫向流動。
8. 根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括過濾網，所述過 濾網設置在所述裝置本體的下方，且位于兩個所述環形擋板之間，并且所述過濾網、兩個環 形擋板和裝置本體的下表面形成封閉的空間。
9. 根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括多個固定柱，每 個所述固定柱的上端固定在所述裝置本體的下表面上，且位于兩個所述環形擋板之間的位 置處，每個所述固定柱的下端與所述過濾網固定連接； 所述多個固定柱沿所述裝置本體的周向間隔設置。
10. 根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括勻流件，所述 勻流件的上表面疊置在所述裝置本體的下表面上，并且在所述勻流件的上表面上形成有凹 部，所述凹部與所述裝置本體的下表面形成勻流空間，且所有所述出氣口均與所述勻流空 間連通；并且 在所述凹部的底面上設置有多個貫穿其厚度的通孔。
11. 根據權利要求10所述的反應腔室，其特征在于，所述勻流件采用螺紋連接或焊接 的方式與所述裝置本體固定連接。
12. 根據權利要求10所述的反應腔室，其特征在于，多個所述通孔相對于所述凹部的 底面均勻分布。
13. 根據權利要求12所述的反應腔室，其特征在于，所述通孔的分布密度小于1個/立 方厘米。
14. 根據權利要求13所述的反應腔室，其特征在于，所述通孔的分布密度為0. 2個/立 方厘米。
15. 根據權利要求12所述的反應腔室，其特征在于，每個所述通孔的直徑小于5mm。
16. 根據權利要求15所述的反應腔室，其特征在于，每個所述通孔的直徑為1_。
17. 根據權利要求10所述的反應系統，其特征在于，所述固定裝置還包括兩個環形擋 板，所述兩個環形擋板的上端均固定在所述勻流件的下表面上，且分別位于所述勻流件的 下表面的內緣和外緣，用以阻擋自所述通孔流出的保護氣體橫向流動。
18. 根據權利要求17所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括過濾網，所述 過濾網設置在所述勻流件的下方，且位于兩個所述環形擋板之間，并且所述過濾網、兩個環 形擋板和勻流件的下表面形成封閉的空間。
19. 根據權利要求18所述的反應腔室，其特征在于，所述固定裝置還包括多個固定柱， 每個所述固定柱的上端固定在所述勻流件的下表面上，且位于兩個所述環形擋板之間的位 置處，每個所述固定柱的下端與所述過濾網固定連接； 所述多個固定柱沿所述勻流件的周向間隔設置。
20. 根據權利要求8或18所述的反應腔室，其特征在于，所述過濾網采用大于50目的 濾網結構。
21. 根據權利要求20所述的反應腔室，其特征在于，所述過濾網采用100目的濾網結 構。
22. 根據權利要求9或19所述的反應腔室，其特征在于，所述過濾網與每個所述固定柱 的下端采用螺紋連接或焊接的方式固定連接。
23. 根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述裝置本體采用螺紋連接或焊接 的方式與所述反應腔室的頂壁固定連接。
24. -種等離子體加工設備，包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室采用權利要求 1-23任意一項所述的反應腔室。
【文檔編號】C23C16/455GK104120410SQ201310153865
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月27日 優先權日:2013年4月27日
【發明者】李強, 賈士亮 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司