濺射裝置及方法

濺射裝置及方法
【專利摘要】本發明公開的一種濺射裝置包括：腔室，其被配置成包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底。該腔室具有限定可調孔的至少一個可調屏蔽元件。該元件設置在至少一個濺射靶和至少一個襯底之間。在面積和形狀構成的組的至少一方面來調整孔。本發明還公開了一種濺射方法。
【專利說明】濺射裝置及方法【技術領域】
[0001]本發明涉及濺射裝置和用于沉積薄膜的方法。
【背景技術】
[0002]濺射是一種通過從靶(即源)噴射材料來沉積薄膜的物理汽相沉積(PVD)方法。然后將這種材料沉積到諸如半導體晶圓的“襯底”上。
[0003]濺射源使用強電場和磁場以誘捕在靶表面附近的電子。電子繞磁場線呈螺旋路徑并且與靶表面碰撞，從而將動能轉移給從靶向襯底噴射的粒子。可以以比靶材料的熔融溫度低的溫度實施濺射。
[0004]濺射已被考慮用于制造薄膜光伏太陽能電池。由于太陽能電池板占據大的襯底面積，從而維持整個薄膜太陽能電池板的長度和寬度上的厚度均勻性成為挑戰。

【發明內容】

[0005]為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種濺射裝置，包括:
[0006]腔室，被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底；
[0007]所述腔室具有限定可調孔的至少一個可調屏蔽元件，所述屏蔽元件設置在所述濺射靶和所述襯底之間，所述孔在面積和/或形狀方面是可調整的。
[0008]在可選實施 例中，所述腔室具有用于在涂覆所述襯底時運送所述襯底經過所述孔的傳送帶。
[0009]在可選實施例中，所述至少一個可調屏蔽元件包括沿所述孔的至少一邊布置的多個可獨立移動的板條。
[0010]在可選實施例中，所述裝置進一步包括:對應于每個可移動的板條的對應的線性致動器或者伺服電機。
[0011 ] 在可選實施例中，所述腔室被配置成在低于大氣壓的局部真空壓下操作；以及，所述線性致動器或者伺服電機被配置成在所述腔室處于局部真空壓時被遠程調控。
[0012]在可選實施例中，所述裝置進一步包括:控制單元，被配置成操作所述線性致動器或者伺服電機。
[0013]在可選實施例中，多個所述板條相互平行。
[0014]在可選實施例中，每一個板條都在其表面上具有突出物，所述裝置進一步包括具有多個插槽的板，每一個插槽都被配置成接收相應一個所述板條的相應突出物來引導該板條的移動。
[0015]在可選實施例中，多個所述板條相互之間的間隔足夠小以使限定所述孔的邊緣沿多個所述板條的端部是基本連續的。
[0016]在可選實施例中，所述至少一個可調屏蔽元件包括沿所述孔的至少兩條相對邊的每一邊布置的多個可獨立移動的板條。[0017]在可選實施例中，如果可移動的所述板條全部完全縮進，則所述孔基本上呈矩形。
[0018]在可選實施例中，所述板條以使所述孔基本呈五邊形或六邊形的布置進行設置。
[0019]在可選實施例中，所述至少一個可調屏蔽元件包括位于所述孔的第一邊上的至少一個可移動板，所述至少一個可移動板的至少一個邊緣與所述孔的第二邊既不平行也不垂直，所述孔的第二邊與所述孔的第一邊相鄰。
[0020]根據本發明的另一方面，還提供了一種濺射裝置，包括:
[0021]腔室，被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底；
[0022]多個共面的可移動板，設置在所述至少一個濺射靶和所述至少一個襯底的位置之間，所述板限定可調孔。
[0023]在可選實施例中，所述腔室具有用于在所述襯底被涂覆時運送所述襯底經過所述孔的傳送帶。
[0024]在可選實施例中，至少一個所述可移動板包括沿所述孔的至少一邊中的每一邊設置的多個可獨立移動的板條；以及，所述裝置進一步包括對應于每個可移動板條的對應的線性致動器或者伺服電機，所述腔室被配置成在低于大氣壓的局部真空壓下操作，并且所述線性致動器或者伺服電機被配置成在所述腔室在局部真空壓下時被遠程調控。
[0025]根據本發明的又一方面，還提供了一種方法，包括:
[0026]提供腔室，所述腔室中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底；
[0027]調整至少一個可調屏蔽元件以設置孔的面積和/或形狀，所述元件被設置在所述至少一個濺射靶和所述 至少一個襯底之間。
[0028]在可選實施例中，所述方法，進一步包括:在所述調整之后，在所述腔室內實施濺射操作；以及，在所述濺射操作期間，傳送所述襯底經過所述孔。
[0029]在可選實施例中，所述方法進一步包括:在所述調整之前，對所述腔室內的第一襯底實施第一濺射操作；在所述第一濺射操作期間，確定沉積在所述第一襯底上的涂層的厚度輪廓；根據所述厚度輪廓，確定調整量或調整類型；以及，在調整之后，對所述腔室內的第二襯底實施第二濺射操作。
[0030]在可選實施例中，如果沉積在所述第一襯底上的涂層的厚度輪廓在所述襯底的端部厚于所述襯底的中心，則實施所述調整以使所述孔在所述調整之后具有至少一個凸面。[0031 ] 在可選實施例中，如果沉積在所述第一襯底上的涂層的厚度輪廓在所述襯底的端部薄于所述襯底的中心，則實施所述調整以使所述孔在所述調整之后具有至少一個凹面。
[0032]在可選實施例中，所述第一濺射步驟、所述第二濺射步驟和所述調整步驟全部在局部真空下實施。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是濺射裝置的示意性正視圖；
[0034]圖2是從圖1的剖面線2-2觀察的圖1的裝置的示意性仰視圖；
[0035]圖3是如圖2示出的可調屏蔽元件的等距視圖；
[0036]圖4是圖3中所示的可調屏蔽元件的多個板條之一的等距視圖；
[0037]圖5示出用于配置圖4的板條的線性致動器或者伺服電機(Servomotor)；
[0038]圖6示出用于配置圖3的板條的多個線性致動器或者伺服電機；[0039]圖7A是圖1的孔和可調屏蔽元件的分解圖；
[0040]圖7B是圖1的孔和可調屏蔽元件的等距視圖；
[0041 ] 圖8A示出了圖SB所示的在調整可調屏蔽元件之前和之后通過濺射裝置所產生的涂層厚度輪廓的曲線圖；
[0042]圖SB示出了在調整可調屏蔽元件之前和之后通過濺射裝置產生的涂層厚度輪廓；
[0043]圖9A示出了圖9B所示的在調整可調屏蔽元件之前和之后通過濺射裝置所產生的涂層厚度輪廓的曲線圖；
[0044]圖9B示出了在調整可調屏蔽元件之前和之后通過濺射裝置產生的涂層厚度輪廓；
[0045]圖10是用于調整濺射裝置的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0046]結合附圖閱讀示例性實施例的描述，附圖也被認為是說明書整體的一部分。在
說明書中，相對術語諸如“較低的”、“較高的”、“水平的”、“垂直的”、“在......之上”、
“在......之下”、“向上”、“向下”、“頂部”和“底部”以及它們的派生詞(例如，“水平地”、
“向下地”、“向上地”等)應該被解釋為說明書中附圖所描述或所示出的方位。這些相對術語是為了便于描述， 裝置并不需要以特定的方位來構造或者操作。除非另有說明，諸如“連接”和“互連”的附接、連接等術語是指結構直接或者通過介入結構間接固定或者連接到另一結構上的關系，以及可移動或者剛性的連接或者關系。
[0047]本文所描述的方法和裝置通過使用至少一個可調屏蔽元件或者板來改善薄膜厚度的均勻性。可以通過自動化控制或者手動來調整屏蔽板的孔區域的輪廓。
[0048]圖1是濺射裝置的示意性正視圖。圖2是圖1的裝置的仰視圖。裝置100包括腔室100，其被配置成包含至少一個濺射靶102和至少一個用形成靶的材料涂覆的襯底104。雖然示出為圓柱形靶102，然而還可以使用具有其他結構(如扁平結構)的靶。通過合適的真空泵(未示出)使沉積發生的腔室100維持真空。抽真空端口 118用于從腔室100排出空氣，而濺射氣體端口 116用于將惰性氣體(例如，氬氣、氖氣等)輸送到腔室100內。裝置100適合于加工其表面區域大于孔108的橫截面的襯底104，其中，被沉積的材料通過孔108。因此，對于一個大的襯底諸如太陽能電池板，材料并不是同時沉積在襯底104的整個表面區域上方。襯底104在連續的傳送帶101上被傳送通過腔室100。隨著襯底104的區域經過孔108，材料被沉積在襯底104的每一區域上。
[0049]在一些實施例中，襯底104是薄膜太陽能電池或者具有多個薄膜太陽能電池的電池板。這種太陽能電池或者電池板104包括在襯底上方形成的用作光吸收材料的光伏薄膜。用于下方襯底的合適材料包括例如但不限于玻璃(諸如鈉鈣玻璃)、陶瓷、金屬(諸如不銹鋼和鋁的薄片)或者聚合物(諸如聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以酸乙二酯(polyethylene naphthalate)、烴類聚合物、纖維聚合物、聚碳酸酯、聚醚、它們的組合等)。光伏薄膜形成在襯底上方。
[0050]在一些實施例中，光伏材料是銅銦鎵(di)硒化物(CIGS)，由銅、銦、鎵和硒組成的1-1I1-VI2半導體材料。CIGS是銅銦硒化物(常縮寫為“CIS”)和銅鎵硒化物的固溶體。CIGS是四面體鍵合的半導體，其具有黃銅礦晶體結構并且X在從約1.0eV(對于銅銦硒化物)至約1.7eV(對于銅鎵硒化物)連續變化的能帶隙。
[0051 ] 在一個實施例中，光伏材料可以包括P型材料。例如，吸收層可以是P型硫族化物材料。在進一步的實施例中，吸收層可以是CIGS Cu (In，Ga) Se2材料。在其他實施例中，包括但不限于 Cu (In，Ga) (Se, S)2 或者 “CIGSS”、CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2 和 Cu (In，Ga) S2 的硫族化物材料可用作吸收層材料。可以用于形成吸收層的合適的P型摻雜物包括但不限于硼(B)或者周期表中II族或III族的其他元素。在另一實施例中，吸收層可以包括η型材料，其包括但不限于硫化鎘(CdS)。
[0052]在其他實施例中，光伏材料是非晶娃(a-Si)、原生晶體(protocrystalline)、納米晶體(nc-Si或者nc-S1:H)、黑硅或者其他薄膜硅(TF-Si)、碲化鎘(CdTe)或者染色敏化的太陽能電池(DSC)或者其他的有機太陽能電池材料。
[0053]在一些實施例中，本文所描述的可調屏蔽方法和裝置還用于沉積除光伏材料之外的一層或多層其他層。例如，在一些實施例中，首先將最初的鑰(Mo)雙層濺射到玻璃襯底上作為第一電極層。在Mo層中劃刻Pl微通道。然后上面描述的光伏(吸收)層濺射在Mo層上方。沉積硒層并且實施快速熱退火工藝(RTP)。然后通過濺射、原子層沉積(ALD)或者化學浴沉積(CBD)來形成CdS、AnS或者InS的緩沖層。劃刻P2微通道。然后第二電極層(例如氧化鋅(1-ZnO)或者摻雜鋁的ZnO(AZO)、摻雜硼的ZnO(BZO))濺射(或者通過金屬有機化學汽相沉積法(MOCVD)形成)在緩沖層上方。在各種實施例中，本文所描述的屏蔽方法和裝置可以用于濺射Mo層、吸收層、緩沖層和/或第二電極層的任何一層或者多層。
[0054]濺射裝置還適合于濺射材料至其他類型和尺寸的襯底上，包括但不限于半導體晶圓。
[0055]再次參考圖1和圖2，腔室100具有限定可調孔108的至少一個可調屏蔽元件106 (例如，至少一個屏 蔽板)。該至少一個元件106設置在至少一個濺射靶102和至少一個襯底104之間。可以以面積和形狀構成的組中的至少之一調整孔108。一些實施例(例如圖3-圖9B)包括沿孔108的多個較長邊緣中的一邊緣設置的一個可調屏蔽元件106。其他實施例(例如圖1-圖2)包括位于孔108的兩條長邊的每一邊上的可調屏蔽元件106。其他實施例(未示出)包括位于孔108的兩個短端(鄰近板111)中的一個或者兩個上的相應可調屏蔽元件106。
[0056]如圖3至圖6所示，在一些實施例中，至少一個可調屏蔽元件106包括沿孔108的至少一邊相互平行設置的多個可獨立移動的板條107。板條107可以由諸如金屬(例如不銹鋼或鋁)的屏蔽材料形成，板條阻止來自靶的活躍的濺射粒子侵入。位于至少一邊上的多個板條107相互隔開足夠小的間隔，從而使得限定孔的邊緣沿多個板條的端部基本上是連續的，并且孔沿兩個相對的邊基本上都是連續的。
[0057]因此，如果每一對相鄰的板條107之間具有小的間隙(相對于板條的寬度)，則由于穿過相鄰的板條107之間任何間隙的靶材料粒子的通道較小，所以仍然會有效地減小孔的尺寸。
[0058]圖3中，孔108的兩條相對邊都具有框架構件109。在一些實施例中，框架構件以不銹鋼或者鋁角架(angle stock)的形式存在。多個板條107中的每一個都具有用于引導板條移動的導向機構107p。在圖4的實例中，導向機構107p是突出物。每一板條107都在其表面上具有突出物107p。突出物107p可以具有各種形狀，諸如圓形、橢圓形或者矩形。金屬板105安裝至框架構件109，并且金屬板105具有適于接收對應板條的突出物107p的多個插槽105。屏蔽板113 (圖7)保護金屬板105并阻止被從靶102濺射的材料污染。在其他實施例中(未示出)，金屬板105具有多個突出物，而每一板條107具有配置為接收一個相應突出物的相應插槽。
[0059]在圖3的實例中，設置板條的尺寸和間隔從而使得每一板條都與每一側相鄰的板條可滑動鄰接。在一些實施例中，鄰接的側邊107a和107b是平坦的。在其他實施例中(未示出)，每一板條107的一側邊107a具有縱向槽，而另一側邊107b具有縱向脊或縱向舌，縱向脊或舌的尺寸和形狀設置為被相鄰板條107的槽接收。
[0060]如圖5和圖6所不，對于每一個相應的移動板條107,該裝置包括用于一個移動板條107的一個相應線性致動器或者伺服電機110。腔室100被配置成在低于大氣壓的局部真空壓下操作；線性致動器或者伺服電機110被配置成在腔室在局部真空壓下遠程調整。因此，可以在不打開腔室100或者不破壞真空的情況下完成孔108的調整和重新配置。
[0061]可以通過有線或者無線接口來控制線性致動器或者伺服電機110。在一些實施例中，每一致動器都連接至一個控制部件112。在一些實施例中，控制部件112是已編程的通用處理器。在其他實施例中，控制部件是嵌入式微控制器或者微處理器，或者可編程邏輯控制器(PLC)。在一些實施例中，控制部件112根據一組預設定的配置之一來設置每一致動器或者伺服電機110的伸出長度。例如，這些配置可以包括如圖8B所示的凸孔108 (中心寬于末端)，或者如圖9B所示的凹孔108 (末端寬于中心)。
[0062]如圖6所示，如果可移動板條107可以全部完全縮進，那么板條107的末端形成與板105平行的直線，從而通過可調屏蔽元件106限定的孔108基本上呈矩形。可以通過使所有的板條107伸出或縮回相同的距離來調整孔108的尺寸。
[0063]圖3示出板 條107的布置，使得每一對應的板條107的伸出長度從至少一個可調屏蔽元件106的一端至另一端呈線性變化。雖然相鄰板條107之間存在伸出長度的小段增量，但是這種布置近似一條筆直的對角線。每一側板條的數目越多(而且每一板條的寬度越小)，孔的邊緣就越接近直線或者光滑的曲線。由于孔108的三邊都具有直邊緣，而且圖3的布置與其他三條邊呈對角線，所以孔108可被調整為基本上具有正梯形形狀。
[0064]圖2示出沿孔108的每一長邊具有可調屏蔽元件106的配置。可調屏蔽元件106可被配置為使得使孔108在中心寬而在端部窄。在這種配置中，孔108基本上呈六邊形。如果在調整孔108之前厚度分布是對稱的，那么對孔108的兩相對邊上的屏蔽元件106應用相同的調整是有用的。
[0065]圖7B和圖SB示出沿孔108的一條長邊具有可調屏蔽元件106的配置。可調屏蔽元件106可被配置為使得孔108的多條長邊中的一條在中心寬而在端部窄。在這種配置中，孔108基本上呈五邊形。如果不均勻的磨損使得兩個靶之間產生實質性差別，而且在調整屏蔽元件106之前涂層的厚度是不對稱的，那么對孔的相對邊上的屏蔽元件106應用不同的調整是有利的，從而減小厚度的不對稱性。因此，如圖7B所示，對位于孔108的一邊的邊緣進行調整可以減小厚度的不對稱性。
[0066]圖7A示出可調屏蔽元件106被配置成使得孔108的多條長邊中的一條在中心為平直并向兩端逐漸變細的一種配置。在這種配置中，孔108基本上呈六邊形。而且，如果沿孔108的兩條長邊具有可調屏蔽元件106并且以這種配置布置可調屏蔽元件，那么可以形成八邊形的孔。
[0067]圖9B示出被調整為使得孔108cc在中心比在端部窄的可調屏蔽元件。在孔108的兩條長邊具有可調屏蔽元件106的配置中，孔IOScc是沙漏狀配置。
[0068]這些僅是幾個實例。板條107可以以期望的其他配置來布置，以根據調整之前所觀察到的厚度分布應用對稱或者不對稱調整。例如，使用二階多項式來計算每一板條107的伸出長度，從而得到基本上為橢圓的孔108。
[0069]圖10是一種方法實例的流程圖。
[0070]在步驟1000，提供腔室，在所述腔室中包含至少一個濺射靶和至少一個被涂覆的襯底。在一些實施例中，襯底是用于制造太陽能電池板的鈉鈣玻璃板(soda lime glasspanel)。
[0071]在步驟1002，在實施孔調整之前對腔室內的第一襯底實施第一濺射操作。
[0072]在步驟1004，確定第一濺射操作期間沉積在第一襯底上的涂層的厚度輪廓。確定涂層的厚度在襯底的中心、在襯底的一端或者在襯底的兩個相對端是否最大。
[0073]在步驟1006，根據第一襯底的厚度輪廓確定調整量或調整類型。例如，如圖8A和圖SB所示，如果沉積在第一襯底上的涂層的厚度輪廓在襯底的一端厚于襯底的中心(圖8A)，那么實施調整使得在調整之后孔108具有至少一個凸側108cv(例如圖8B中孔108的頂側)。作為另一個實例，如果沉積在第一襯底上的涂層的厚度輪廓在襯底的一端薄于襯底的中心(如圖9A所不)，那么實施調整使得在調整之后孔108具有至少Iv凹側108cc (圖9B)。在這兩種情況下，通過如果第一襯底上的涂層較薄則提供較大的孔108，如果第一襯底上的涂層較厚則提 供較小的孔108，從而為后續濺射的襯底產生更加均勻的涂層厚度。
[0074]在一些實施例中，控制部件112確定涂層的厚度是否均勻、是否在中心最厚、是否在兩端最厚或者是為從一邊到另一邊單調增加。如果厚度是均勻的，則選擇圖6所示的輪廓。如果厚度在中心最厚，則選擇圖9B所示的輪廓。如果厚度在中心最薄，則選擇圖8B所示的輪廓。如果厚度單調增加，則選擇圖3所示的輪廓。
[0075]除確定孔的形狀之外，可以通過對每一板條107使用相同的伸出長度來調整孔的總面積。這使得在不改變孔的邊緣的斜率的情況下，孔的邊緣向上或向下運動。
[0076]步驟1008中，基于步驟1006的確定來調整至少一個可調屏蔽元件以設置由孔的面積和形狀所組成的組中的至少之一。控制部件112使用步驟1006所選擇的輪廓，并且確定可調屏蔽元件106的每一相應板條107的位置。然后，控制部件112傳輸控制信號至相對應的線性致動器/伺服電機以使得每一板條移動至與所選擇的輪廓對應的板條107的位置。
[0077]步驟1010中，在調整之后在腔室內實施第二和/或后續的濺射操作。第一濺射步驟、第二濺射步驟和調整步驟全部在局部真空下執行。因此，可以在不打開腔室或者不破壞真空的情況下實施調整。雖然這個實例討論了一種調整，但是可以根據整個靶生命周期中靶形狀的改變視情況多次改變可調屏蔽元件的孔面積。而且，當可調屏蔽元件在適當的位置時，不需要諸如調節磁場(通過補磁場或者消磁板)或者通過調整氣體分布而調整濺射的其他調整方法。
[0078]使用這些方法，可以沉積改進的涂層和產品。例如，可以通過CIS前體的光滑形態和組成均勻性來提高基于CIGS太陽能電池的效率。改善了依次濺射的大面積的厚度均勻性。改善的厚度均勻性對生產大量優質高效的薄膜太陽能電池是有利的。當使用于基于CIGS的太陽能電池時，該方法和結構改良了 Cu/(Ga+In)的比值(電池板均勻性內)。CuInGa前體具有光滑的表面形態。
[0079]在一些實施例中，濺射裝置包括腔室，該腔室被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底。該腔室具有限定可調孔的至少一個可調屏蔽元件。該元件被設置在至少一個濺射靶和至少一個襯底之間。孔在面積和/或形狀方面是可調整的。
[0080]在一些實施例中，濺射裝置包括腔室，該腔室被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底。多個共面的可移動板設置在至少一個濺射靶和至少一個襯底之間，該板限定可調孔。
[0081]在一些實施例中，一種方法包括:提供腔室，該腔室在其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底；調整至少一個可調屏蔽元件以設置孔的面積和/或形狀，該元件被設置在至少一個濺射靶和至少一個襯底之間。
[0082]本文所描述的控制方法和控制部件112可以是至少部分以計算機執行程序和用于執行這些程序的裝置的形式體現。本發明的方法還可以至少部分以用計算機程序代碼編碼的有形、非瞬態機器可讀存儲媒介的形式體現。該媒介可以包括例如RAM、ROM、CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROM、硬盤驅動器、閃存或者任何其他的非瞬態機器可讀存儲媒介，其中當計算機程序代碼機被裝載到計算機中并被計算機執行時，計算機成為用于實施該方法的裝置。該方法還可以至少部分以計算機程序代碼機載入并被執行的計算機的形式體現，從而計算機成為用于實施該方法的專用計算機。當在通用處理器上執行時，計算機程序代碼片段配置該處理器以形成特定的邏輯電路。該方法可以可選地至少部分體現在用于實施該方法的由專用集成電路形成的數字信號處理器中。
[0083]本發明雖然以示例性實施例的方式描述，但并不限于此。而且，所附權利要求應該作更寬泛的解釋以涵蓋本領域技術人員可以作出的其他變化和實施例。
【權利要求】
1.一種濺射裝置，包括: 腔室，被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底； 所述腔室具有限定可調孔的至少一個可調屏蔽元件，所述屏蔽元件設置在所述濺射靶和所述襯底之間，所述孔在面積和/或形狀方面是可調整的。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述腔室具有用于在涂覆所述襯底時運送所述襯底經過所述孔的傳送帶。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個可調屏蔽元件包括沿所述孔的至少一邊布置的多個可獨立移動的板條。
4.根據權利要求3所述的裝置，進一步包括:對應于每個可移動的板條的對應的線性致動器或者伺服電機。
5.根據權利要求4所述的裝置，其中， 所述腔室被配置成在低于大氣壓的局部真空壓下操作；以及 所述線性致動器或者伺服電機被配置成在所述腔室處于局部真空壓時被遠程調控。
6.一種濺射裝置，包括: 腔室，被配置成其中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底； 多個共面的可移動板，設置在所述至少一個濺射靶和所述至少一個襯底的位置之間，所述板限定可調孔。
7.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述腔室具有用于在所述襯底被涂覆時運送所述襯底經過所述孔的傳送帶。
8.根據權利要求7所述的裝置，其中，至少一個所述可移動板包括沿所述孔的至少一邊中的每一邊設置的多個可獨立移動的板條； 所述裝置進一步包括對應于每個可移動板條的對應的線性致動器或者伺服電機，所述腔室被配置成在低于大氣壓的局部真空壓下操作，并且所述線性致動器或者伺服電機被配置成在所述腔室在局部真空壓下時被遠程調控。
9.一種方法，包括: 提供腔室，所述腔室中包含至少一個濺射靶和至少一個將被涂覆的襯底； 調整至少一個可調屏蔽元件以設置孔的面積和/或形狀，所述元件被設置在所述至少一個濺射靶和所述至少一個襯底之間。
10.根據權利要求9所述的方法，進一步包括: 在所述調整之后，在所述腔室內實施濺射操作；以及 在所述濺射操作期間，傳送所述襯底經過所述孔。
【文檔編號】C23C14/34GK103849841SQ201310052015
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年2月17日 優先權日:2012年11月29日
【發明者】嚴文材, 吳忠憲, 陳世偉, 吳英信, 薛瑞福, 陳冠竹 申請人:臺積太陽能股份有限公司