具有為原位方法配置的反應室的淀積系統以及相關方法

具有為原位方法配置的反應室的淀積系統以及相關方法
【專利摘要】淀積系統，包括反應室(102)、用于加熱反應室中的物質的至少一個熱輻射發射器(104)以及用于在反應室(102)內原位探測和/或測量工件襯底的特性的至少一個測量裝置(106)。一個或多個室壁對于熱輻射以及測量裝置所接收的輻射信號可以是透明的，以允許輻射分別傳入并傳出反應室。至少一定體積的不透明材料這樣放置，使其遮蔽測量裝置(106)的傳感器(108)免于熱輻射中的至少一部分。形成淀積系統的方法包括提供一定體積的不透明材料，其位置使其遮蔽傳感器免于熱輻射。使用淀積系統的方法包括遮蔽傳感器免于熱輻射中的至少一部分。
【專利說明】具有為原位方法配置的反應室的淀積系統以及相關方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請的主題涉及序列號61/526，137的美國臨時專利申請的主題，其由Bertram等人于 2011 年 8 月 22 日提交，而其名稱為 “DEPOSITION SYSTEMS HAVING ACCESS GATESAT DESIRABLE LOCATIONS, AND RELATED METHODS, ”；還涉及序列號 61/526，143 的美國臨時專利申請的主題，其由Bertram等人于2011年8月22日提交，而其名稱為“DEPOSITIONSYSTEMS INCLUDING A PRECUR SOR GAS FURNACE WITHIN A REACTION CHAMBER, AND RELATEDMETHODS, ”;還涉及序列號61/526，148的美國臨時專利申請的主題，其由Bertram于2011年8 月 22 日提交，而其名稱為“DIRECT LIQUID INJECTION FOR HALIDE VAPOR PHASE EPITAXYSYSTEMS AND METHODS, ”；通過此引用，本文以此包括上述每個申請的全部公開內容。
【技術領域】
[0003]本發明的實施方式大體上涉及在襯底上淀積材料的系統，以及制造和使用該系統的方法。更特別地，本發明的實施方式涉及在襯底上淀積II1-V半導體材料的氣相外延(VPE)和化學氣相淀積(CVD)方法以及制造和使用該系統的方法。
【背景技術】
[0004]化學氣相淀積(CVD)是一種化學工藝，其用于在襯底上淀積固體材料，而且其廣泛應用于半導體器件的制造。在化學氣相淀積工藝中，襯底暴露于一種或多種反應物氣體，該氣體反應、分解或者反應并分解，從而導致固體材料在襯底表面上的淀積。
[0005]本領域中一類特定的CVD工藝稱為氣相外延(VPE)。在VPE工藝中，襯底在反應室內暴露于一種或多種反應物氣體，該氣體反應、分解或者反應并分解，從而導致固體材料在襯底表面上外延淀積。VPE工藝經常用于淀積II1-V半導體材料。VPE工藝中的一種反應物蒸汽包括氫化物蒸汽時，該工藝可以稱為氫化物氣相外延(HVPE)工藝。
[0006]HVPE工藝用于形成II1-V半導體材料，例如氮化鎵(GaN)。此類工藝中，GaN在襯底上的外延生長源于在大約500°C和大約1100°C之間的高溫下在反應室內進行的氯化鎵(GaCl)和氨(NH3)之間的氣相反應。NH3可以由標準NH3氣體源供給。
[0007]一些方法中，GaCl蒸汽通過將氯化氫(HCl)氣體(可以由標準HCl氣體源提供)穿過加熱了的液體鎵(Ga)以在反應室內原位形成GaCl提供。液體鎵可以被加熱到大約750°C和大約850°C之間的溫度。GaCl和NH3可以被導引至被加熱襯底(例如半導體材料晶片(wafer))的表面(例如，導引至加熱襯底表面之上)。2001年I月30日授權的Solomon等人的美國專利第6，179，913號公開了用于此類系統和方法的氣體注入系統，本文通過引用包含該專利的完整公開。
[0008]此類系統中，必須向空氣打開反應室以補充液體鎵源。而且，此類系統中不可能原
位清潔反應室。
[0009]為解決這些問題，發展了利用GaCl3前體(precursor)的外部源的方法和系統,該GaCl3前體直接注入反應室。此類方法和系統的例子公布于，例如在2009年9月10日公布的Arena等人的美國專利申請公布第US2009/0223442A1號，本文通過引用包含該公布的完整公開。

【發明內容】

[0010]
【發明內容】
是為了以簡化形式有選擇地引入一組概念而提供的，這些概念在下面的【具體實施方式】中進一步描述，其具有本發明的示例性實施方式。此
【發明內容】
并不旨在指明所保護主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用以限定所保護主題的范圍。
[0011]某些實施方式中，本公開包括淀積系統。該淀積系統包括具有一個或多個室壁的反應室。至少一個熱輻射發射器被配置為發射熱輻射穿過一個或多個室壁中的至少一個室壁進入反應室內部。熱輻射可以包括電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域的波長范圍內的波長。至少一個被熱輻射穿透的室壁包括透明材料，該透明材料對該波長范圍的電磁輻射至少大體上透明。淀積系統還包括至少一個測量裝置，該測量裝置包括傳感器。傳感器位于反應室外面，其這樣取向和配置:使其接收從反應室內部傳遞到反應室外部的電磁輻射信號。電磁輻射信號可以包括一個或多個在所發射的熱輻射的波長范圍內的波長。至少一定體積的不透明材料位于這樣的位置:其防止至少一個熱輻射發射器所發射的熱輻射中的至少一部分被至少一個測量裝置的傳感器探測到。該不透明材料對在所發射的熱輻射的波長范圍內的電磁輻射波長不透明。
[0012]其他實施方式中，本公開包括形成淀積系統的方法。至少一個熱輻射發射器可以位于反應室外面并與反應室鄰近，所述反應室包括一個或多個室壁。至少一個熱輻射發射器可以這樣取向，使其發射熱輻射穿過一個或多個室壁中的至少一個室壁進入反應室內部。至少一個熱輻射發射器可以包括發射器，該發射器被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一 個區域內的電磁輻射波長范圍內發射熱輻射。可以選擇被熱輻射發射穿透的室壁中的至少一個使其包括透明材料，該透明材料對所發射熱輻射的波長范圍內的電磁輻射至少大體上透明。至少一個測量裝置的傳感器可以位于反應室外面并與反應室鄰近。傳感器可以這樣取向:使其接收從反應室內部傳遞到反應室外部的電磁輻射信號。可以選擇傳感器使其包括這樣配置的傳感器:其探測一個或多個熱輻射發射器所發射的熱輻射波長范圍內的一個或多個波長的電磁輻射信號。至少一定體積的不透明材料位于這樣的位置:其防止至少一個熱輻射發射器所發射的至少部分熱輻射被至少一個測量裝置的傳感器探測到。可以選擇該不透明材料使其包括對在發射熱輻射的波長范圍內的電磁輻射波長不透明的材料。
[0013]其他實施方式中，本公開包括使用淀積系統在工件襯底(workpiece substrate)上淀積材料的方法。至少一個工件襯底可以位于反應室內部。熱輻射可以從位于反應室外面的至少一個熱輻射發射器發射，穿過反應室的一個或多個室壁的至少一部分進入反應室內部。熱輻射發射穿過的一個或多個室壁可以包括透明材料，該透明材料對熱輻射透明。至少一種工藝氣體可以被引入反應室。至少一個工件襯底以及至少一種工藝氣體可以被熱輻射加熱。材料可以從至少一種工藝氣體淀積到至少一個工件襯底上。至少一個測量裝置的傳感器可以用于檢測表征工件襯底的至少一種特性的電磁輻射信號。傳感器可以位于反應室外面并與反應室鄰近。傳感器檢測的電磁輻射信號可以從反應室內部穿過反應室的一個或多個對電磁輻射信號透明的室壁傳遞到傳感器。使用至少一定體積的不透明材料，可以遮蔽傳感器免于熱輻射發射器所發射的至少部分熱輻射。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]通過參考下面示例性實施方式的具體描述，本公開可以被更完整地理解，所附附圖圖示說明了該示例性實施方式，其中:
[0015]圖1為剖開透視圖，其圖示了一種淀積系統的示例性實施方式，該系統包括一定體積的不透明材料，該不透明材料用于遮蔽測量裝置的傳感器免于淀積系統的熱輻射發射器所發射的熱輻射；
[0016]圖2是圖1所示淀積系統的部分透視圖；
[0017]圖3A至3B是簡化示意圖，用于圖示圖1和2中的淀積系統的熱輻射發射器所發射的熱輻射波長與圖1和2中的淀積系統的多種部件的透明材料(圖3B)以及不透明材料(圖3C)的透射率的關系，該透射率是波長的函數。
【具體實施方式】
[0018]所示附圖并非任何特定系統、部件或裝置的實際視圖，而只是為描述本發明實施方式而使用的理想化的表示。
[0019]如同本文所使用的，術語“II1-V半導體材料”意味著并且包括任何至少主要包括一種或多種元素周期表1IIA族元素(B、Al、Ga、In和Ti)以及一種或多種元素周期表VA族元素(N、P、As、Sb和Bi)的半導體材料。例如，II1-V半導體材料包括但不限于GaN、GaP、GaAs> InN、InP、InAs、 AIN、A1P、AlAs、InGaN、InGaP、InGaNP 等等。
[0020]如同本文所使用的，術語“氣體”包括氣體(不具有獨立形狀或體積的流體)和蒸汽(氣體，其包括擴散的液體或在其中懸浮的固體物質)，而且本文中術語“氣體”和“蒸汽”的意義是相同的。
[0021]圖1圖不了根據本公開的淀積系統100的例子。淀積系統100包括，至少大體上封閉的反應室102、至少一個熱輻射發射器104、測量裝置106以及一定體積的不透明材料(圖1中未顯示)，該不透明材料的配置和位置是這樣的:其遮蔽測量裝置106的傳感器108免于熱輻射發射器104所發射的輻射中的至少一部分。下文將更詳細地討論淀積系統100的這些部件。某些實施方式中，淀積系統100可以包括CVD系統，并且可以包括VPE淀積系統(例如，HVPE淀積系統)。
[0022]反應室102可以包括一個或多個室壁。例如，室壁可以包括水平朝向的頂壁124、水平朝向的底壁126以及一個或多個豎直朝向的在頂壁124和底壁126之間延伸的側壁128。
[0023]淀積系統100還可以包括氣體注入裝置130，其用來將一種或多種工藝氣體注入進反應室102,還可以包括排氣和裝載裝置(venting and loading subassembly) 132,其用于將工藝氣體排出反應室102，以及將襯底裝載進反應室102和將襯底卸載出反應室102。氣體注入裝置130可以被配置為，穿過反應室102的一個或多個側壁128將一種或多種工藝氣體注入。
[0024]某些實施方式中，如圖1所示，反應室102可以具有加長矩形棱柱(elongatedrectangular prism)的幾何形狀。某些此類實施方式中，氣體注入裝置132可以位于反應室102的第一端，而排氣和裝載裝置可以位于反應室102的相對的第二端。其他實施方式中，反應室102可以具有其他幾何形狀。
[0025]淀積系統100包括襯底支撐結構134 (例如，基座(susceptor))，其被配置為支撐一個或多個工件襯底136，而所希望的是在淀積系統100中在該工件襯底上淀積或者否則提供半導體材料。例如，該一個或多個工件襯底136可以包括管芯(die)或晶片。如圖1所示，襯底支撐結構134可以連接至轉軸139，轉軸139可以連接(例如，直接機械連接、磁連接等等)至驅動裝置(未顯示)，例如被配置為驅動轉軸139旋轉并從而驅動反應室102內的襯底支撐結構134旋轉的電動機。
[0026]淀積系統100還包括氣體流動系統，其用于使工藝氣體流動穿過反應室102。例如，淀積系統100可以包括至少一個在第一位置103A的將一種或多種工藝氣體注入進反應室102的氣體注入裝置130，以及將一種或多種工藝氣體從第一位置103A穿過反應室102抽至第二位置103B、并且在第二位置103B將一種或多種工藝氣體排出反應室102的真空裝置133。氣體注入裝置130可以包括，例如，氣體注入歧管(manifold)，其包括連接器，該連接器被配置為與從工藝氣體源運載一種或多種工藝氣體的導管連接。
[0027]繼續參考圖 1，淀積系統100可以包括五個氣體流入導管140A-140E，其從各自的工藝氣體源142A-142E運載氣體至氣體注入裝置130。可選的，氣體閥門(141A-141E)可以用于有選擇地分別控制通過氣體流入導管140A-140E的氣體流。
[0028]某些實施方式中，氣體源142A-142E中的至少一個可以包括GaCl3、InCl3或AlCl3中至少一種的外部源，如同美國專利申請公布第US2009/0223442A1號所描述的。GaCl3、InCl3和AlCl3可以以二聚體的形式存在，例如，分別以Ga2Cl6Un2Cl6和Al2Cl6的形式存在。這樣，氣體源142A-142F中的至少一個可以包括諸如Ga2Cl6、In2Cl6或Al2Cl6的二聚體。
[0029]氣體源142A-142E中的一個或多個是或者包括GaCl3源的實施方式中，GaCl3源可以包括保持在至少100°c (例如，大約130°C)的溫度的液體GaCl3儲液器，并且可以包括加快液體GaCl3蒸發速度的物理方式。此類物理方式可以包括，例如，被配置為攪動液體GaCl3的裝置、被配置為噴射液體GaCl3的裝置、被配置為使運載氣體快速流過液體GaCl3的裝置、被配置為使運載氣體冒泡通過液體GaCl3的裝置、被配置為使液體GaCl3超聲分散的裝置(例如壓電裝置)，等等。作為非限制性例子，諸如He、N2、H2*Ar的運載氣體可以冒泡通過液體GaCl3,同時液體GaCl3保持在至少100°C的溫度，使得源氣體可以包括一種或多種運載氣體，前體氣體在該一種或多種運載氣體中被運送。
[0030]某些實施方式中，氣體流入導管140A-140E的溫度可以控制在氣體源142A-142E和反應室102之間。氣體流入導管140A-140E的溫度以及相關的質量流傳感器(mass flowsensor)、控制器等等可以從在氣體源142A-142E各自出口處的第一溫度(例如，大約100°C或更高)逐漸升高到在進入反應室102處的第二溫度(例如，大約150°C或更低)，這是為了防止氣體(例如GaCl3蒸汽)在氣體流入導管140A-140E中凝結。可選地，各自的氣體源142A-142E和反應室102之間的氣體流入導管140A-140E的長度可以為大約三英尺或更短、大約兩英尺或更短或者甚至大約一英尺或更短。源氣體的壓強可以由一個或多個壓強控制系統控制。
[0031]其他實施方式中，淀積系統100可以包括少于五個(例如一個至四個)的氣體流入導管和各自的氣體源，或者淀積系統100可以包括多于五個(例如，六個、七個等等)的氣體流入導管和各自的氣體源。
[0032]一個或多個氣體流入導管140A-140E延伸到氣體注入裝置130。氣體注入裝置130可以包括一個或多個材料塊，工藝氣體穿過該材料塊運載至反應室102內。一個或多個冷卻導管131可以延伸穿過材料塊。可以使冷卻流體流過一個或多個冷卻導管131，以在淀積系統100運行期間保持氣體在希望的溫度范圍內經氣體流入導管140A-140E流過氣體注入裝置130。例如，所希望的可以是，在淀積系統100運行期間保持氣體以小于200°C的溫度(例如大約150°C )經氣體流入導管140A-140E流過氣體注入裝置130。
[0033]可選地，淀積系統100可以包括內部前體氣體爐138,如同Bertram等人2011年8月22日提交的序列號為61/526，143的美國臨時專利申請“DEPOSITION SYSTEMSINCLUDING A PRECURSOR GAS FURNACE WITHIN A REACTION CHAMBER, AND RELATEDMETHODS, ”中所描述的，本文通過引用包含該專利的完整公開。
[0034]繼續參考圖1，排氣和裝載裝置132可以包括真空室194，流過反應室102的氣體被真空室194內的真空抽至真空室并從反應室102排出。真空室194中的真空是由真空裝置133產生的。如圖1所示，真空室194可以位于反應室102下面。
[0035]排氣和裝載裝置132還可以包括凈化氣體簾(purge gas curtain)裝置196,其配置和朝向是為了提供流動凈化氣體的大體上是平面的簾，該流動凈化氣體從凈化氣體簾裝置196流出并流入真空室194。排氣和裝載裝置132還可以包括存取閘188，其可以有選擇地打開以從襯底支撐結構134裝載和/或卸載工件襯底136，也可以有選擇地關閉以使用淀積系統100加工工件襯底 136。某些實施方式中，存取閘188可以包括至少一個板，其被配置為在關閉第一位置和打開第二位置之間移動。存取閘188在某些實施方式里可以延伸穿過反應室102的側壁。
[0036]反應室102可以為至少大體上是封閉的，存取閘188的板處于關閉第一位置時，穿過存取閘188到達襯底支撐結構134的通路是可以被排除的。存取閘188的板處于打開第二位置時，穿過存取閘188到達襯底支撐結構134的通路可以打開。
[0037]凈化氣體簾裝置196發出的凈化氣體簾可以減少或者防止在裝載和/或卸載工件襯底136期間氣體從反應室102流出。
[0038]氣體副產物、運載氣體和任何多余的前體氣體可以經過排氣和裝載裝置132從反應室102排盡。
[0039]淀積系統100可以包括多個熱輻射發射器104，如圖1所示。熱輻射發射器104被配置為，在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域內的電磁輻射的波長范圍內發射熱輻射。例如，熱輻射發射器104可以包括熱燈(thermal lamp)(未顯示)，其被配置為以電磁輻射形式發射熱能。
[0040]某些實施方式中，熱輻射發射器104可以位于反應室102的外面、下面，而與底壁126鄰近。其他實施方式中，熱輻射發射器104可以位于反應室102上面而與頂壁124鄰近，位于反應室102側面而與一個或多個側壁128鄰近，或位于這些位置的組合。
[0041]熱輻射發射器104可以被安排為，具有多行熱輻射發射器104，其可以每一個單獨控制。換句話說，熱輻射發射器104的每行所發射的熱能可以單獨控制。該行的朝向可以橫向于穿過反應室102的凈氣體流的方向，也就是圖1視角里從左到右延伸的方向。這樣，如果需要的話，獨立控制的熱輻射發射器104行可以用于提供所選的穿過反應室102內部的熱梯度。
[0042]熱輻射發射器104可以位于反應室102外面，而被配置為發射熱輻射穿過反應室102的至少一個室壁并進入反應室102內部。這樣，被熱輻射穿透而進入反應室102的室壁中的至少一部分可以包括透明材料，以允許熱輻射到反應室102內部的有效傳輸。透明材料可以是在下述意義上透明的:該材料可以是至少大體上對波長對應于熱輻射發射器104所發射熱輻射的電磁輻射透明。例如，照射到透明材料上的、至少大約80%、至少大約90%或者甚至至少大約95%的熱輻射發射器104所發射熱輻射的波長中的至少一部分可以穿透透明材料并進入反應室102內部。
[0043]作為一個非限制性例子，透明材料可以包括透明耐火陶瓷材料，例如透明石英(即，二氧化硅(SiO2))。透明石英可以是熔凝石英，而且可以具有非晶微結構。在使用淀積系統100的淀積工藝期間所受的溫度和環境下物理且化學穩定、而且對熱輻射發射器104所發射的熱輻射足夠透明的任何其他耐火材料可以在本發明的其他實施方式中用以構成淀積系統100的一個或多個室壁。
[0044]如圖1所示，某些實施方式中，熱輻射發射器104可以置于反應室102的外面、下面，而與反應室102的底壁126鄰近。這類實施方式中，底壁126可以包括透明材料(例如透明石英)以允許熱輻射發射器104所發射的熱輻射傳輸進入反應室102的內部，如上所述。當然，可以鄰近反應室102的其他室壁地提供熱輻射發射器104，而這些室壁中的至少一部分也可以包括如本文所述的透明材料。
[0045]如前所述，淀積系統100可以包括一個或多個測量裝置106，以探測并/或測量工件襯底136的一種或多種特性，或者在反應室102內部原位淀積于工件襯底136上的材料的一種或多種特性。該一個或多個測量裝置106可以包括，例如，一個或多個反射計(reflectometer)、撓 度計(def Iectometer)和高溫計(pyrometer)。反射計在本領域中經常用于測量，例如，在反應室102中的工件襯底136上淀積的材料的生長速度和/或形貌。撓度計在本領域中經常用于測量工件襯底136(和/或其上淀積的材料)的平面性(planarity)或非平面性(例如，弓曲(bow))。高溫計在本領域中經常用于測量反應室102內的工件襯底136的溫度。此類測量裝置106包括一個或多個傳感器108，用于探測和/或測量一個或多個預先決定的波長的電磁輻射，以進行這些波長各自的測量。某些此類測量裝置106中，被接收并探測的電磁輻射也可以由測量裝置106發射。換句話說，測量裝置106可以向工件襯底136發射電磁輻射，然后在其被工件襯底136反射、偏轉或以其他方式影響后探測所發射的電磁輻射。
[0046]一個或多個測量裝置106以及相關的傳感器108可以位于反應室102外面。傳感器108可以這樣朝向并配置:使得其接收從反應室102內部傳遞到反應室102外部的電磁輻射信號。例如，如圖1所示，一個或多個測量裝置106以及相關的傳感器108可以位于反應室102上方而鄰近頂壁124。這樣的配置里，傳感器108可以這樣朝向并配置:使得其接收從反應室102內部穿透頂壁124到達反應室102外部的電磁輻射信號。這樣，被電磁輻射信號穿透以到達傳感器108的室壁(例如，頂壁124)中的至少一部分可以至少大體上對對應于傳感器108所接收的電磁福射信號的電磁福射的波長透明。被電磁福射信號穿透以到達傳感器108的室壁中的至少一部分可以包括本文前述的透明材料，例如透明石英。
[0047]對應于傳感器108接收的電磁輻射信號的電磁輻射的波長可以在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域中，而且可以在對應于熱輻射發射器104所發射的熱輻射的電磁輻射的波長范圍內。結果，熱輻射發射器104所發射的雜散電磁輻射可以被一個或多個測量裝置106的傳感器108接收并探測，而這在探測到的電磁輻射信號中導致噪聲，該噪聲會對使用一個或多個測量裝置106獲得準確測量的能力產生不利影響。另外，某些情況下，反應室102的室壁可以用來將熱輻射發射器104所發射的熱輻射反射并導引到一個或多個測量裝置106的傳感器108。
[0048]這樣，根據本公開的實施方式，淀積系統100還可以包括一個或多個不透明材料部分，該不透明材料部分被有選擇地放置，以防止熱輻射發射器104所發射的至少部分熱輻射被一個或多個測量裝置106的傳感器108探測到。該不透明材料可以對在對應于熱輻射發射器104所發射的熱輻射的波長的波長范圍內的電磁輻射波長不透明。換句話說，不透明材料可以對熱輻射發射器104所發射的至少部分熱輻射不透明。例如，照射到一毫米厚的不透明材料樣本上的、大約25%或更少、大約15%或更少或者甚至大約5%或更少的熱輻射發射器104所發射熱輻射的波長中的至少一部分可以穿透該不透明材料樣本。.[0049]作為一個非限制性例子，不透明材料可以包括不透明耐火陶瓷材料，例如不透明石英(即，二氧化硅(Si02))。不透明石英可以是熔凝石英，而且可以具有非晶微結構。某些實施方式中，該石英可以包括微空隙(miCTovoid)(即氣泡)或其他使得石英不透明的內部結構。在使用淀積系統100的淀積工藝期間所受的溫度和環境下物理且化學穩定、而且對熱輻射發射器104所發射的熱輻射足夠不透明的任何其他耐火材料可以用作根據本公開的實施方式的不透明材料。
[0050]如圖1所示，某些實施方式中，每個包括一定體積此不透明材料的一個或多個不透明體(body) 148可以位于反應室102內部。某些實施方式中，一個或多個不透明體148可以包括大體上是平面的板狀結構。此類實施方式中，該大體上是平面的板狀結構可以是水平朝向的，其與頂壁12 4以及底壁126大體平行地延伸，如圖1所示。一個或多個不透明體148可以位于頂壁124和底壁126之間，而且可以這樣放置和朝向:使得其遮蔽傳感器108免于熱輻射發射器104所發射的熱輻射中的至少一部分。例如，大體上是平面的板狀不透明體148可以位于內部前體氣體爐148之上而鄰近氣體注入裝置130，而另外的大體上是平面的板狀不透明體138可以位于鄰近排氣和裝載裝置132的位置，如圖1所示。
[0051]另外，一個或多個室壁的至少一部分可以包括一定體積的不透明材料。例如，圖2是圖1所示淀積系統100的簡化透視圖。在圖2中，不透明材料具有點陰影，以圖示室壁的不透明區域。
[0052]如圖2所示，同時繼續參考圖1，一個或多個側壁128的至少一部分可以包括不透明材料。這些側壁128可以包括在氣體注入裝置130與排氣和裝載裝置132之間沿反應室102縱向延伸的側壁128。圖2所示實施方式中，沿反應室102縱向延伸的側壁128完全由不透明材料構成。其他實施方式中，僅僅側壁128的一部分可以包括不透明材料。
[0053]如前所述，一個或多個測量裝置106的傳感器108可以位于反應室102外面而與反應室102的室壁鄰近。鄰近傳感器108的室壁可以包括一個或多個透明部分，這些透明部分可以定義電磁輻射信號在照射到傳感器108之前可以穿過的窗口，還可以包括一個或多個不透明部分，這些不透明部分遮蔽傳感器108免于熱輻射發射器104所發射的雜散電磁輻射。例如，圖2的實施方式中，一個或多個測量裝置106(圖1)的傳感器108位于鄰近頂壁124的位置。頂壁124包括不透明材料部分150以及延伸穿過不透明材料部分150的透明窗口 152。這樣，電磁輻射信號可以穿過透明窗口 152并照射傳感器108，不透明材料部分150可以遮蔽傳感器108免于熱輻射發射器104(圖1)所發射的電磁輻射。
[0054]室壁的不透明材料部分可以是室壁的完整部分，或者其可以包括，例如，板或者簡單鄰近放置、可選結合到相應室壁的其他不透明材料體。作為非限制性例子，頂壁124的不透明材料部分150可以包括不透明材料構成的大體上是平面的板狀結構，其具有穿透自身的開口，這些開口定義了窗口 152。該板狀不透明結構可以置于(可選地，結合于)另一由透明材料構成的大體上是平面的板狀透明結構，該板狀透明結構構成了頂壁124的剩余部分。
[0055]圖3A到3C是用來進一步描述本公開的實施方式的圖。圖3A是顯示可以由熱輻射發射器104(圖1)發射的熱輻射的發射譜的例子的簡化示意圖。換句話說，圖3A圖示的是作為所發射熱輻射波長的函數的所發射熱輻射強度。圖3A(以及圖3B和3C)所示的波長從電磁福射譜的可見區域(例如，從大約380nm到大約760nm)延伸至紅外區域(例如，從大約750nm到大約1.0mm)。圖3B所圖示的是，如前所述的，作為波長的函數的、穿透一毫米厚的一個或多個室壁的透明材料樣本的電磁輻射的百分比，所述波長與圖3A所示的波長在同樣的范圍內。相似地，圖3C所圖示的是，如前所述的，作為波長的函數的、穿透一毫米厚的不透明材料樣本的電磁輻射的百分比，所述波長與圖3A和3B所示的波長在同樣的范圍內。
[0056]參考圖3A，根據本公開的實施方式，可以定義波長范圍，例如從第一波長λ ?延伸到第二波長λ 2的范圍，熱輻射發射器104(圖1)可以被配置為發射在此范圍內的熱輻射。熱福射發射器104也可以在第一波長λ j和第二波長λ 2之間的波長范圍之外的波長發射熱輻射，但是所發射的熱輻射的波長包括第一波長X1和第二波長λ2之間的波長。一個或多個測量裝置106的傳感器108(圖1)可以這樣朝向并配置:其在一個或多個預先決定的信號波長上接收電磁輻射信號，例如在圖3Α所示的信號波長As上接收，而該預先決定的信號波長是在第一波長X1和第二波長λ 2之間延伸的波長范圍之內的。
[0057]如前所述，熱輻射發射器104 (圖1)可以被配置為發射熱輻射穿過至少一個室壁并進入反應室102內部區域。熱輻射傳送通過的至少一個室壁可以包括透明材料，該透明材料至少對于在從第一波長λ 1延伸到第二波長λ2的范圍內的輻射波長的電磁輻射至少大體上是透明的。例如，圖3Β圖示了，作為波長的函數的、把被熱輻射穿透的一個或多個室壁的透明材料的一毫米厚的樣本穿透的電磁輻射的百分比。如圖3Β所示，透明材料的平均透射率在從第一波長λ 1延伸到第二波長λ2的波長范圍內可以為至少大約80%。其他實施方式中，透明材料的平均透射率在從第一波長λ 1延伸到第二波長λ 2的波長范圍內可以為至少大約90%或者甚至至少大約95%。
[0058]另外，如前所述，淀積系統100的用于遮蔽一個或多個測量裝置106的傳感器108免于熱輻射發射器104(圖1)所發射的至少部分熱輻射的不透明材料的至少一部分可以對從第一波長λ 1延伸 到第二波長λ2的波長范圍內的電磁輻射的波長不透明。例如，圖3C圖示了，作為波長的函數的、把被熱輻射穿透的一個或多個室壁的不透明材料的一毫米厚的樣本穿透的電磁輻射的百分比。如圖3C所示，不透明材料的平均透射率在從第一波長入工延伸到第二波長λ 2的波長范圍內可以為大約25%或更低。其他實施方式中，不透明材料的平均透射率在從第一波長λ I延伸到第二波長λ 2的波長范圍內可以為大約15%或更低，或者甚至大約5%或更低。
[0059]某些實施方式中，上述條件可以在這樣的時候滿足:當第一波長A1和第二波長λ 2的定義使得熱輻射發射器104所發射的熱輻射的發射譜曲線之下的面積(例如如圖3Α所示)包括電磁輻射譜的可見以及紅外區域中的(即，從380nm到1.0mm)發射譜曲線截面下的總面積的至少大約50%、至少大約60%或者甚至至少大約70%的時候。
[0060]本公開的其他實施方式包括制造和使用本文所述淀積系統的方法。
[0061]例如，再參考圖1和2，淀積系統100可以通過將一個或多個熱輻射發射器104置于包括一個或多個室壁的反應室102外面并與所述反應室102鄰近來形成。熱輻射發射器104可以這樣朝向，使其發射熱輻射穿過至少一個室壁進入反應室102內部。可以選擇熱輻射發射器104使其包括被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域之中的至少一個區域里的電磁福射的波長范圍內發射熱福射的發射器。該波長范圍可以從第一波長λ工延伸到第二波長λ2，如同上文參考圖3Α至3C所述。
[0062]可以選擇至少一個室壁使其包括透明材料，該透明材料對于上文參考圖3Β所述的波長范圍內的電磁輻射至少大體上是透明的。 [0063]至少一個測量裝置106的傳感器108可以位于反應室102外面并與其鄰近，傳感器108可以這樣朝向:使其接收從反應室102內部傳遞到反應室102外部的電磁輻射信號。另外，傳感器108可以這樣選擇:使得傳感器108被配置為探測所述波長范圍內的一個或多個波長的電磁輻射信號，例如本文參考圖3Α至3C所述的信號波長λ s的電磁輻射信號。
[0064]至少部分不透明材料可以被提供在這樣的位置:使其防止一個或多個熱輻射發射器104所發射的至少一部分熱輻射被一個或多個測量裝置106的傳感器108探測到。可以選擇不透明材料使其包括對從第一波長λ 1延伸到第二波長λ 2的波長范圍內的電磁輻射波長不透明的材料，如同上文參考圖3C所述。某些實施方式中，可以選擇一個或多個室壁使其包括至少一部分不透明材料。另外或者說作為替代方案，可以選擇不透明體使其包括不透明材料，而不透明體可以位于反應室102內部。可以選擇該體使其包括大體上是平面的板狀結構。
[0065]可選地，反應室102可以包括頂壁124、底壁126以及在頂壁124和底壁126之間延伸的至少一個側壁128。此種實施方式中,可選地,某些實施方式中的一個或多個熱福射發射器104可以位于反應室102的外面、下面，并與底壁126鄰近，而一個或多個測量裝置106的傳感器108可以位于反應室102的外面、上面，并與頂壁124鄰近。此種實施方式中，可以選擇底壁126使其包括透明材料。另外，可以選擇至少一個頂壁124以及至少一個側壁128使其包括至少一定體積的不透明材料。另外或者說作為替代方案，可以選擇并放置不透明體148使其位于反應室102的內部，如上文參考圖1所述。
[0066]作為非限制性例子，透明材料可以包括透明石英材料，而不透明材料可以包括不透明石英材料，如前所述。
[0067]使用淀積系統100的方法可以根據本公開的其他實施方式執行。至少一個工件襯底136可以被置于反應室102的內部。可以從至少一個位于反應室102外面的熱輻射發射器104發射熱輻射穿過反應室102的一個或多個室壁進入反應室102內部，該室壁包括對熱輻射透明的材料。至少一種前體氣體可以被引入反應室102，至少一個工件襯底136和至少一種前體氣體可以使用熱輻射加熱。材料可以從至少一種前體氣體淀積到反應室102中的工件襯底136上。至少一個測量裝置106的傳感器108可以用于檢測表示工件襯底136的至少一個特性(例如，淀積到工件襯底136上的材料的特性)的電磁輻射信號。傳感器108可以位于反應室102外面并與反應室102鄰近。傳感器108所檢測的電磁輻射信號可以從反應室102的內部穿過反應室102的一個或多個室壁的至少一部分傳遞到傳感器108，該部分對電磁輻射信號是透明的。可以使用至少一定體積的不透明材料遮蔽傳感器108免于至少一個熱輻射發射器104所發射的熱輻射的至少一部分，如前文所述。例如，可以使用反應室102的包括至少一定體積的不透明材料的至少一個室壁遮蔽傳感器108免于熱輻射的至少一部分。另外或者說作為替代方案，可以使用位于反應室102內部的至少一個不透明體148遮蔽傳感器108免于熱輻射的至少一部分，如前所述。
[0068]本公開的其他非限制性示例性實施方式如下所述。
[0069]實施方式1:一種淀積系統，其包括:反應室，其包括一個或多個室壁；至少一個熱輻射發射器，其被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域內的電磁輻射的波長范圍內發射熱輻射穿過所述一個或多個室壁中的至少一個室壁并進入所述反應室內部，所述至少一個室壁包括對所述波長范圍的電磁輻射至少大體上透明的透明材料；至少一個測量裝置，其包括位于所述反應室外面的傳感器，所述傳感器這樣取向并配置，使其接收從所述反應室內部傳遞到所述反應室外部的在所述波長范圍內的一個或多個波長的電磁輻射信號；以及至少一定體積的不透明材料，所述不透明材料對所述波長范圍內的電磁輻射波長不透明，所述至少一定體積的不透明材料位于這樣的位置，使其防止所述至少一個熱輻射發射器所發射的至少部分熱輻射被所述至少一個測量裝置的所述傳感器探測到。
[0070]實施方式2:如實施方式I所述的淀積系統，其中所述至少一定體積的不透明材料包括所述一個或多個室 壁中的一個室壁的至少一部分。
[0071]實施方式3:如實施方式I所述的淀積系統，其還包括位于所述反應室內部的體，所述體包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0072]實施方式4:如實施方式3所述的淀積系統，其中位于所述反應室內部的所述體包括大體上是平面的板狀結構。
[0073]實施方式5:如實施方式I到3中的任意一項的淀積系統，其中所述反應室的所述一個或多個室壁包括頂壁、底壁以及在所述頂壁和所述底壁之間延伸的至少一個側壁。
[0074]實施方式6:如實施方式5所述的淀積系統，其中所述至少一個熱輻射發射器被與所述底壁鄰近地放置。
[0075]實施方式7:如實施方式5或是實施方式6所述的淀積系統，其中所述底壁包括所述透明材料。
[0076]實施方式8:如實施方式7所述的淀積系統，其中所述底壁包括透明石英。
[0077]實施方式9:如實施方式5到8中的任意一項所述的淀積系統，其中所述頂壁的至少一部分包括一定體積的不透明材料，例如不透明石英。
[0078]實施方式10:如實施方式5到9中的任意一項所述的淀積系統，其中所述至少一個側壁的至少一部分包括一定體積的不透明材料，例如不透明石英。
[0079]實施方式11:如實施方式5到10中的任意一項所述的淀積系統，其中所述至少一個測量裝置的所述傳感器被與所述頂壁鄰近地放置。
[0080]實施方式12:如實施方式5到11中的任意一項所述的淀積系統，其中所述至少一個熱輻射發射器位于所述反應室外面而與所述底壁鄰近，所述底壁的至少一部分包括透明材料，所述至少一個測量裝置的所述傳感器位于所述反應室外面而與所述頂壁鄰近。
[0081]實施方式13:如實施方式12所述的淀積系統，其中所述頂壁以及所述至少一個側壁中的至少一個包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0082]實施方式14:如實施方式13所述的淀積系統，其還包括另一體積的不透明材料，所述另一體積的不透明材料位于所述反應室內部、所述頂壁和所述底壁之間。
[0083]實施方式15:如實施方式12所述的淀積系統，其中所述至少一定體積的不透明材料位于所述反應室內部、所述頂壁和所述底壁之間。
[0084]實施方式16:如實施方式I到15中的任意一項所述的淀積系統，其中所述至少一個熱輻射發射器包括多個燈。
[0085]實施方式17:如實施方式I所述的淀積系統，其中所述透明材料包括透明石英。
[0086]實施方式18:如實施方式I到17中的任意一項所述的淀積系統，其中所述不透明材料包括不透明石英。
[0087]實施方式19:一種形成淀積系統的方法，其包括:將至少一個熱輻射發射器置于反應室外面并與所述反應室鄰近，所述反應室包括一個或多個室壁；確定所述至少一個熱輻射發射器的取向使其 發射熱輻射穿過所述一個或多個室壁中的至少一個室壁并進入所述反應室的內部；選擇所述至少一個熱輻射發射器使其包括被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域內的電磁輻射的波長范圍內發射熱輻射的發射器；選擇所述至少一個室壁使其包括透明材料，所述透明材料對所述波長范圍內的電磁輻射至少大體上透明；將至少一個測量裝置的傳感器置于所述反應室外面并與所述反應室鄰近；確定所述傳感器的取向使其接收從所述反應室內部傳遞到所述反應室外部的電磁輻射信號；選擇所述傳感器使其包括被配置為探測所述波長范圍內的一個或多個波長的電磁輻射信號的傳感器；提供至少一定體積的不透明材料，所述至少一定體積的不透明材料的位置使其防止所述至少一個熱輻射發射器所發射的至少部分熱輻射被所述至少一個測量裝置的所述傳感器探測到；以及選擇所述不透明材料使其包括對所述波長范圍內的電磁輻射波長不透明的材料。
[0088]實施方式20:如實施方式19所述的方法，其還包括選擇所述一個或多個室壁中的至少一個室壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0089]實施方式21:如實施方式20所述的方法，其還包括:將體置于所述反應室內部；并選擇所述體使其包括另一體積的不透明材料。
[0090]實施方式22:如實施方式19所述的方法，其還包括:將體置于所述反應室內部；并選擇所述體使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0091]實施方式23:如實施方式22所述的方法，其還包括選擇所述體使其包括大體上是平面的板狀結構。
[0092]實施方式24:如實施方式19到23中的任意一項的方法，其還包括選擇所述反應室的所述一個或多個室壁使其包括頂壁、底壁以及至少一個在所述頂壁和所述底壁之間延伸的側壁。[0093]實施方式25:如實施方式24所述的方法，其還包括將所述至少一個熱輻射發射器與所述底壁鄰近地放置。
[0094]實施方式26:如實施方式24或實施方式25所述的方法，其還包括選擇所述底壁使其包括所述透明材料。
[0095]實施方式27:如實施方式24到26中的任意一項所述的方法，其還包括選擇所述底壁使其包括透明石英。
[0096]實施方式28:如實施方式24到27中的任意一項所述的方法，其還包括選擇所述頂壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0097]實施方式29:如實施方式24到28中的任意一項所述的方法，其還包括選擇所述至少一個側壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0098]實施方式30:如實施方式24到29中的任意一項的所述的方法，其還包括將所述至少一個測量裝置的所述傳感器與所述頂壁鄰近地放置。
[0099]實施方式31:如實施方式30所述的方法，其還包括選擇所述頂壁使其包括包括所述透明材料的至少一部分。
[0100]實施方式32:如實施方式24到31中的任意一項所述的方法，其還包括:將所述至少一個熱輻射發射器置于所述反應室 外面而與所述底壁鄰近；選擇所述底壁使其包括所述透明材料；以及將所述至少一個測量裝置的所述傳感器置于所述反應室外面并與所述頂壁鄰近。
[0101]實施方式33:如實施方式32所述的方法，其還包括選擇所述頂壁以及所述至少一個側壁中的至少一個使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0102]實施方式34:如實施方式32或實施方式33所述的方法，其還包括:將體置于所述反應室內部；并選擇所述體使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
[0103]實施方式35:—種使用淀積系統在工件襯底上淀積材料的方法，其包括:將至少一個工件襯底置于反應室內部；從在所述反應室外面的至少一個熱福射發射器發射熱福射穿過所述反應室的一個或多個包括對所述熱輻射透明的材料的室壁中的至少一部分進入所述反應室內部；將至少一種工藝氣體引入所述反應室；使用所述熱輻射加熱所述工件襯底中的至少一個以及所述至少一種工藝氣體；從所述至少一種工藝氣體在所述至少一個工件襯底上淀積材料；使用位于所述反應室外面且與所述反應室鄰近的至少一個測量裝置的傳感器檢測表示所述至少一個工件襯底的至少一種特性的電磁輻射信號，所述電磁輻射信號從所述反應室內部穿過所述反應室的一個或多個對所述電磁輻射信號透明的室壁傳遞到所述傳感器；以及使用至少一定體積的不透明材料遮蔽所述傳感器免于所述熱輻射中的至少一部分。
[0104]實施方式36:如實施方式35所述的方法，其中使用至少一定體積的不透明材料遮蔽所述傳感器免于所述熱輻射中的至少一部分包括使用所述一個或多個室壁中的至少一個室壁遮蔽所述傳感器免于所述熱輻射中的至少一部分，所述至少一個室壁包括至少一定體積的不透明材料。
[0105]實施方式37:如實施方式35或實施方式36所述的方法，其中使用至少一定體積的不透明材料遮蔽所述傳感器免于所述熱輻射中的至少一部分包括使用位于所述反應室內部的至少一個體遮蔽所述傳感器免于所述熱輻射中的至少一部分，所述至少一個體包括至少一定體積的不透明材料。
[0106] 上述本發明的實施方式并不限定本發明的范圍，因為這些實施方式只是本發明實施方式的例子，而本發明的范圍由所附權利要求及其法律等同形式限定。任何等同實施方式應當在本發明的范圍內。事實上，不同于本文已經公開并描述的本發明的各種修改，例如所述元件的替換性有 用組合，對于本領域技術人員而言參照上述描述將變得明顯。此類修改應當也落入所附權利要求的范圍內。
【權利要求】
1.一種淀積系統，其包括: 反應室，其包括頂壁、底壁以及在所述頂壁和所述底壁之間延伸的至少一個側壁； 至少一個熱輻射發射器，其被與所述底壁鄰近地放置，所述發射器被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域內的電磁輻射的波長范圍內發射熱輻射穿過所述反應室的至少一個室壁并進入所述反應室內部，所述反應室的所述底壁包括對所述波長范圍內的電磁輻射至少大體上透明的透明材料，所述底壁包括透明石英； 至少一個測量裝置，其包括位于所述反應室外面的傳感器，所述傳感器這樣取向并配置，使其接收從所述反應室內部傳遞到所述反應室外部的在所述波長范圍內的一個或多個波長的電磁福射信號；以及 至少一定體積的不透明材料，所述不透明材料對所述波長范圍內的電磁輻射波長不透明，所述至少一定體積的不透明材料位于這樣的位置，使其防止所述至少一個熱輻射發射器所發射的熱輻射中的至少一部分被所述至少一個測量裝置的所述傳感器探測到，所述頂壁的至少一部分包括所述至少一定體積的不透明材料，所述不透明材料包括不透明石英。
2.如權利要求1所述的淀積系統，其中所述至少一定體積的不透明材料包括一個或多個室壁中的一個室壁的至少一部分。
3.如權利要求1所述的淀積系統，其還包括位于所述反應室內部的體，所述體包括所述至少一定體積的不透明材料。
4.如權利要求1所述的淀積系統，其中所述至少一個側壁的至少一部分包括所述至少一定體積的不透明材料，而其中所述不透明材料包括不透明石英。
5.如權利要求1所述的淀積系統，其中所述至少一個測量裝置的所述傳感器被與所述頂壁鄰近地放置，而所述頂壁的至少一部分包括所述至少一定體積的不透明材料，而其中所述不透明材料包括不透明石英，而其中所述至少一個側壁至少一部分包括所述至少一定體積的不透明材料，而其中所述不透明材料包括不透明石英。
6.如權利要求1所述的淀積系統，其中所述至少一個熱輻射發射器位于所述反應室外面而與所述底壁鄰近，所述底壁的至少一部分包括所述透明材料，所述至少一個測量裝置的所述傳感器位于所述反應室外面而與所述頂壁鄰近，而其中所述頂壁和所述至少一個側壁中的至少一個包括所述至少一定體積的不透明材料。
7.一種形成淀積系統的方法，其包括: 將至少一個熱輻射發射器置于反應室外面并與所述反應室鄰近，所述反應室包括頂壁、底壁以及在所述頂壁和所述底壁之間延伸的至少一個側壁； 將所述至少一個熱輻射發射器這樣取向，使其發射熱輻射穿過一個或多個室壁中的至少一個室壁并進入所述反應室的內部； 選擇所述至少一個熱輻射發射器使其包括被配置為在電磁輻射譜的紅外區域和可見區域中的至少一個區域內的電磁輻射的波長范圍內發射熱輻射的發射器； 選擇所述底壁使其包括透明材料，所述透明材料對所述波長范圍內的電磁輻射至少大體上透明，所述透明材料包括石英材料； 將至少一個測量裝置的傳感器置于所述反應室外面并與所述反應室鄰近； 將所述傳感器這樣取向，使其接收從所述反應室內部傳遞到所述反應室外部的電磁輻射信號；選擇所述傳感器使其包括被配置為探測所述波長范圍內的一個或多個波長的電磁輻射信號的傳感器； 提供至少一定體積的不透明材料，所述至少一定體積的不透明材料的位置使其防止所述至少一個熱輻射發射器所發射的熱輻射中的至少一部分被所述至少一個測量裝置的所述傳感器探測到；以及 選擇所述不透明材料使其包括對所述波長范圍內的電磁輻射的波長不透明的材料， 選擇所述頂壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料，其中所述不透明材料包括不透明石英。
8.如權利要求7所述的方法，其還包括選擇所述一個或多個室壁中的至少一個室壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
9.如權利要求7 所述的方法，其還包括: 將體置于所述反應室內部；以及 選擇所述體使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
10.如權利要求7所述的方法，其還包括選擇所述至少一個側壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料，而其中所述不透明材料包括不透明石英。
11.如權利要求7所述的方法，其還包括: 將所述至少一個測量裝置的所述傳感器與所述頂壁鄰近地放置； 選擇所述頂壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料，其中所述不透明材料包括不透明石英，以及 選擇所述至少一個側壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料，而其中所述不透明材料包括不透明石英。
12.如權利要求7所述的方法，其還包括: 將所述至少一個熱輻射發射器置于所述反應室外面而與所述底壁鄰近， 選擇所述底壁使其包括所述透明材料， 將所述至少一個測量裝置的所述傳感器置于所述反應室外面而與所述頂壁鄰近，以及 選擇所述頂壁中的至少一個以及所述至少一個側壁使其包括所述至少一定體積的不透明材料。
【文檔編號】C23C16/30GK103987877SQ201280061724
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年11月12日 優先權日:2011年12月15日
【發明者】E·林多, R·貝爾特拉姆, C·卡尼扎爾 申請人:Soitec公司