專利名稱：一種在基片上形成azo膜的裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種在基片上形成AZO膜的裝置。
背景技術：
現有的AZO膜成型裝置，一般采用化學氣相沉積法形成AZO膜層(即摻雜氧化鋅膜層)，但其形成的AZO膜層，不均勻。故有必要提供一種新的利用等離子體增強化學氣相沉積法在基片上形成AZO膜層的裝置。
發明內容
本發明的目的在于提供一種在基片上形成AZO膜的裝置，其可在基片上形成厚薄 均勻的AZO膜層。一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括一真空反應系統，包括一真空反應腔；一放電系統，設于真空反應腔內，包括兩平行設置的電極板，用以產生等離子體；—電源系統，與所述電極板連接并為電極板供電；一加熱溫控系統，包括設于真空反應腔內的一電極板上的反應源加熱臺以及襯底加熱臺，反應源加熱臺用以對設于其上的反應源物質進行加熱使反應源物質升華成氣態，襯底加熱臺用以對設于其上的基片進行加熱；一氣體導入系統，與真空反應腔連接并向真空反應腔內導入載氣，該載氣用以將升華成氣態的反應源物質導至設于襯底加熱臺上的基片表面；一壓力測量系統，用以測量真空反應腔內的氣體壓力變化；以及一抽氣系統，與真空反應腔連接并抽吸反應尾氣。本發明可通過如下方式進行改進上述所述氣體導入系統的出氣口伸入真空反應腔內并與所述基片垂直。上述所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。上述所述抽氣系統包括與真空反應腔依次氣路連接的過濾器、電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。上述所述氣體導入系統包括分別與真空反應腔連接的氬氣瓶和氮氣瓶，氬氣瓶和氮氣瓶與真空反應腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計。上述所述壓力測量系統包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規管。還包括控制系統，該控制系統與所述加熱溫控系統、壓力測量系統、以及流量計電連接。上述所述真空反應腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。上述所述電極板是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板間的距離為5 10cm。上述所述電源系統為高頻電源，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。與現有AZO膜成型裝置相比，本發明可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。
圖1為本發明示意圖。
具體實施例方式如圖1所示，一種在基片上形成AZO膜的裝置，包括真空反應系統、放電系統、電源系統、加熱溫控系統、氣體導入系統、壓力測量系統、抽氣系統、控制系統、以及監視系統。所述真空反應系統,包括一真空反應腔I。本實施例中,所述真空反應腔I是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。
所述放電系統，設于真空反應腔I內，包括兩平行設置的電極板2，采用高頻放電產生等離子體，高能電子使下述反應源物質的分子鍵斷裂，產生大量的活性基團。本實施例中，所述電極板2是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板2間的距離可在5 10cm之間任意調
難
iF. O所述電源系統，與所述電極板2連接并為電極板2供電。本實施例中，所述電源系統為高頻電源3，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。所述加熱溫控系統，包括設于真空反應腔I內的一電極板2上的反應源加熱臺41以及襯底加熱臺42，反應源加熱臺41用以對設于其上的反應源物質進行加熱使反應源物質升華成氣態，本實施例中，反應源物質包括二水醋酸鋅和四水堿式乙酸鋁。所述襯底加熱臺42用以對設于其上的基片(圖中未示出)進行加熱。所述氣體導入系統，與真空反應腔I連接并向真空反應腔I內導入載氣，該載氣用以將升華成氣態的反應源物質導至設于襯底加熱臺42上的基片表面；所述氣體導入系統的出氣口伸入真空反應腔內并與所述基片垂直，所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。具體地，所述氣體導入系統包括分別與真空反應腔I連接的氬氣瓶51和氮氣瓶52，氬氣瓶51和氮氣瓶52與真空反應腔I的連接氣路上分別連接有減壓閥53和流量計54。所述壓力測量系統，用以測量真空反應腔I內的氣體壓力變化，包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計管61和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規管62。所述抽氣系統，與真空反應腔I連接并抽吸反應尾氣，包括與真空反應腔I依次氣路連接的過濾器71、電磁閥72、真空泵73以及尾氣吸收處理器74。所述真空泵73為旋片式真空泵。所述過濾器71可以防止被抽氣體中混有的粉末、鱗片等物質磨損真空泵，使油黏度增大導致真空泵不能正常運轉。所述電磁閥72與真空泵73的電極連接在同一個電源上，真空泵73的啟閉直接控制著電磁閥72的啟閉；當真空泵73停止工作或電源中斷時，電磁閥72能自動將氣路封閉，并將大氣通過真空泵73的充氣入口充入真空泵73的泵腔中，從而可以防止真空泵73的泵油逆流污染真空反應腔I。所述尾氣吸收處理器74，可根據反應原物質升華成氣態的腐蝕性、可燃性、爆炸性、易燃性和毒性選擇合適的尾氣處理方式；本實施例中，真空反應腔74內產生的尾氣主要為氣態的CH3COOH,故采用堿液形成尾氣吸收處理器。所述控制系統，與所述加熱溫控系統、壓力測量系統、以及流量計54電連接。用以控制基片溫度、真空反應腔I內的氣體壓力大小、以及氣體導入系統的氣體流量。所述監視系統，用以監視等離子體負載的電壓波型，控制由發光分析得出的放電過程等有關的等離子體狀態。 以上所述僅為本發明的較佳實施例，并非用來限定本發明實施的范圍，凡依本發明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發明專利涵蓋的范圍。
權利要求
1.一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括 一真空反應系統，包括一真空反應腔； 一放電系統，設于真空反應腔內，包括兩平行設置的電極板，用以產生等離子體； 一電源系統，與所述電極板連接并為電極板供電； 一加熱溫控系統，包括設于真空反應腔內的一電極板上的反應源加熱臺以及襯底加熱臺，反應源加熱臺用以對設于其上的反應源物質進行加熱使反應源物質升華成氣態，襯底加熱臺用以對設于其上的基片進行加熱； 一氣體導入系統，與真空反應腔連接并向真空反應腔內導入載氣，該載氣用以將升華成氣態的反應源物質導至設于襯底加熱臺上的基片表面； 一壓力測量系統，用以測量真空反應腔內的氣體壓力變化；以及 一抽氣系統，與真空反應腔連接并抽吸反應尾氣。
2.根據權利要求1所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述氣體導入系統的出氣口伸入真空反應腔內并與所述基片垂直。
3.根據權利要求2所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。
4.根據權利要求1至3任一項所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述抽氣系統包括與真空反應腔依次氣路連接的過濾器電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。
5.根據權利要求4所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述氣體導入系統包括分別與真空反應腔連接的氬氣瓶和氮氣瓶，氬氣瓶和氮氣瓶與真空反應腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計。
6.根據權利要求5所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述壓力測量系統包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規管。
7.根據權利要求6所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于還包括控制系統，該控制系統與所述加熱溫控系統、壓力測量系統、以及流量計電連接。
8.根據權利要求7所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述真空反應腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。
9.根據權利要求8所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述電極板是20cm*20cm的方形銅板,兩電極板間的距離為5 10cm。
10.根據權利要求9所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述電源系統為高頻電源，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。
全文摘要
一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括一真空反應系統，包括一真空反應腔；一放電系統，設于真空反應腔內，包括兩平行設置的電極板，用以產生等離子體；一電源系統，與所述電極板連接并為電極板供電；一加熱溫控系統，包括反應源加熱臺以及襯底加熱臺；一氣體導入系統，與真空反應腔連接并向真空反應腔內導入載氣，該載氣用以將升華成氣態的反應源物質導至設于襯底加熱臺上的基片表面；一壓力測量系統，用以測量真空反應腔內的氣體壓力變化；以及一抽氣系統，與真空反應腔連接并抽吸反應尾氣。本發明可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。
文檔編號C23C16/40GK103014675SQ20121048739
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月26日 優先權日2012年11月26日
發明者楊柳, 劉昕, 曹林站 申請人:中山市創科科研技術服務有限公司