專利名稱：低碳銅粒子的制作方法
技術領域：
本發明涉及碳含量極為降低了的低碳銅粒子。本發明的低碳銅粒子特別適合作為用于例如形成印刷布線板的電路、或確保陶瓷電容器的外部電極電導通的銅糊的原料來使用。
背景技術：
以往，作為形成電子部件等的電極、電路的方法，已知有下述方法在基板上印刷使作為導電性材料的銅粉分散在糊中而得到的導電性糊，然后使該糊燒成固化來形成電
路。·例如，在將導電性糊用于導通陶瓷電容器的外部電極時，在外部電極上涂布導電性糊，接著通過加熱來進行脫粘合劑，然后燒結銅粒子。此時，在銅粒子中所含的碳量過多時，由于燒成產生含碳的氣體，有時由于該氣體導致導體產生裂紋、或者導體從基板剝離。作為導電性糊的原料的銅粒子的制造方法大致分為以霧化法為代表的干式法、和利用水中的銅離子的還原的濕式法，但如果采用干式法，則有難以在銅粒子中混入碳這樣的優點。然而，在干式法中，對于制造粒徑小的銅粒子有限制。另一方面，雖然根據濕式法有能夠容易地制造亞微米級的微小銅粒子這樣的優點，但與此相對，有較多混入來源于存在于反應體系中的分散劑、還原劑的碳的傾向。作為這樣的制造方法之一，本申請人以前提出了下述銅粉的制造方法在含有二價銅離子的銅鹽水溶液中混合氫氧化堿而生成氧化銅，通過加入還原糖將氧化銅還原成氧化亞銅，進一步通過加入肼系還原劑還原氧化亞銅，由此生成金屬銅，其中，在向銅鹽水溶液中預先投入絡合劑后，混合以反應當量計相當于I. 10 I. 60的氫氧化堿，并以使黑色的氧化銅生成的方式進行熟化(aging)反應(參照專利文獻I)。在該方法中，由于使用了還原糖作為還原劑，因此有可能在銅粒子中混入來源于此的碳。因此，本申請人以前提出了下述銅粒子的制造方法使用磷酸化合物來代替用濕式法制造銅粒子時所使用的由有機化合物構成的分散劑(參照專利文獻2)。使用磷酸化合物的銅粒子的制造方法除此以外還記載于例如專利文獻3中。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2003-342621號公報專利文獻2 :日本特開2009-74152號公報專利文獻3 :日本特開平9-256007號公報
發明內容
發明所要解決的問題根據專利文獻2所記載的方法，能夠得到碳含量少的銅粒子。然而，在該方法中，以提高所得銅粒子的分散性、并且使粒徑一致為目的，在工序的過程中進行洗滌來調整反應體系的pH。調整pH是為了提高分散性、為了得到均勻粒徑的銅粒子所需的操作，但相應地增加了作業工序，從生產率的觀點出發不能說是有利的。另外，即使進行這樣的PH調整，分散性的程度也還未達到應滿足的程度。在專利文獻3所記載的方法中，由于為了控制反應而使用了大量的磷酸，因此有所得銅粒子中所含的磷量變多的傾向。從電傳導性的觀點以及燒結溫度降低的觀點出發，含大量磷的銅粒子有時起到負作用，另外廢液中的磷量也變多，從環境負荷的觀點出發不能說是優選的。因此，本發明的課題在于，提供與上述現有技術的銅粒子相比各種特性進一步提高了的低碳銅粒子。用于解決問題的手段本發明通過提供低碳銅粒子來解決所述問題，該低碳銅粒子的特征在于，碳含量低于O. 01重量％,且磷含量低于O. 01重量％,用下式定義的變異系數CV值為10 35%,所述低碳銅粒子為在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀。CV 值(％ ) = ( σ /D50) X 100(式中，σ表示基于圖像解析求出的粒子的粒徑的標準偏差，D5tl表示基于圖像解析求出的粒子的50%體積累積粒徑。)另外，本發明提供低碳銅粒子的制造方法作為所述的低碳銅粒子的適合的制造方法，其特征在于，具有還原工序，所述還原工序在不存在含碳化學種類(其中，不包括含碳銅化合物)和含磷化學種類的條件下，向包含銅化合物的水性液中添加還原劑來進行銅的還原，在存在2. I 8mol/L的對還原反應沒有貢獻的物質的條件下,通過還原生成銅粒子。發明的效果根據本發明，能夠提供降低了碳含量、同時是微粒且粒度分布一致的銅粒子。另夕卜，能夠提供耐熱收縮性高的銅粒子。
圖I是在實施例I中得到的銅粒子的掃描型電子顯微鏡圖像。圖2是在比較例2中得到的銅粒子的掃描型電子顯微鏡圖像。圖3(a)和(b)是表示通過熱機械分析對在實施例和比較例中得到的銅粒子測定體積變化而得到的結果的曲線圖。
具體實施例方式以下，基于本發明的優選實施方式，對其進行說明。本發明的銅粒子的特征之一在于，其為降低了碳含量的銅粒子。本發明的銅粒子中的碳含量為低于0.01重量％這樣的極少量，優選為O. 005重量％以下,更優選為O. 001重量％以下。碳含量通過使用作為堀場制作所制造的碳分析裝置的EMIA-320V，通過基于氧氣流中的燃燒-紅外線吸收方式進行的測定來求出。具體來說，在坩堝中放入試樣O. 5g，進一步放入助燃劑(鎢金屬I. 5g+錫金屬O. 3g)，將該坩堝設置在裝置中進行測定。在后工序中對銅粒子的表面施以由有機化合物構成的表面處理劑時，在去除了該表面處理劑后，測定碳含量。由于已知由有機化合物構成的表面處理劑通常由于200°C 300°C的加熱會從銅粒子的表面消失，因此在本發明中，對在大氣氣氛中、400°C下加熱了 30分鐘后的銅粒子，用上述的方法測定碳含量。通過將本發明的銅粒子中所含的碳量設為低于O. 01重量％，對于以該銅粒子為原料來制造的導電性糊，在對使用其形成的導體進行燒成時，變得難以發生在該導體中產生裂紋、從基板剝離這樣的故障。其理由是由于銅粒子中所含的碳量降低，因而由碳導致產生的氣體的量降低。用于降低銅粒子中所含的碳量的具體的方式見后述。尚不清楚本發明的銅粒子中所含的碳是以何種狀態存在的，但推測可能是以例如有機化合物、碳酸根的狀態存在的。不過，碳是以何種狀態存在的在本發明中并不關鍵。本發明的銅粒子還由于粒徑一致而被賦予特征。也就是說，由于粒度分布尖銳而 被賦予特征。本發明的銅粒子的粒度分布的程度可以通過變異系數CV值來表示。對于CV值，使用基于圖像解析求出的粒子粒徑的標準偏差σ、和基于圖像解析求出的粒子的50%體積累積粒徑D5Q，由CV (% ) = ( ο /D50) X 100算出。在本發明的銅粒子中，CV值為10 35%，優選為11 34%，更優選為12 30%。由于CV值在該范圍內，在形成糊膜時，能夠形成填充性高且致密的膜，此外還可以發揮容易控制膜厚這樣的有利的效果。在所述的圖像解析中，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)將粒子放大5000 20000倍，直接觀察。基于所得的SEM圖像，實際測量粒子的面積，從所測定的面積算出當量圓直徑，將該值作為粒徑。另外，D5tl定義為基于所測定的粒徑算出正球換算體積而以體積累積計為50%時的粒徑。測定樣品數均為500個以上。本發明的銅粒子除了粒徑一致以外，由于其為微粒而被賦予特征。具體來說，本發明的銅粒子的D5tl優選為O. I 4μ m。通過使D5tl為該范圍內，能夠帶來可以形成膜厚薄、間距寬度狹的導電膜這樣的有利的效果。從使得該有利的效果更顯著的觀點出發，本發明的銅粒子的D5tl更優選為O. 13 3 μ m，進一步優選為O. 15 2 μ m。本發明的銅粒子的形狀為在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀。例如設為如下的大致球狀在表面的一部分具有平面部，且在該平面部中，在端部具有棱線、角部。這樣的形狀與通過例如霧化法制造的表面為光滑曲面的球狀銅粒子的形狀是明顯不同的。在表面的一部分具有非曲面部的成為大致球狀的銅粒子與正球的粒子相比填充性低，但與薄片狀的粒子相比填充性高，因此在由含該銅粒子的糊形成導電膜時，該導電膜有產生充分的導電性且脫氣性優異這樣的優點。從導電膜難以產生裂紋等觀點出發，脫氣性優異是有利的。這樣的形狀的銅粒子可以基于后述的適合的制造方法得到。本發明的低碳銅粒子除了降低了碳含量以外，磷含量低于O. 01重量％也是其特征之一。在本說明書中，“磷含量低于0.01重量是指(a)不含磷；以及(b)雖然含磷但為作為不可避免的微量混入成分或者不可避免的微量殘留成分以低于O. 01重量％少量含有。也就是說，在本發明中，排除了有意地使低碳銅粒子含磷。通過不含磷或以低于O. 01重量％少量含有，可以降低本發明的低碳銅粒子的電阻。除此以外，在燒結本發明的低碳銅粒子時，能夠抑制該粒子的燒結溫度降低。能夠抑制燒結溫度降低在例如粉末冶金中使用本發明的低碳銅粒子時變得有利。并且，在燒結本發明的低碳銅粒子時，能夠緩和由于燒結引起的體積變化的溫度依存性。緩和體積變化的溫度依存性從可以防止裂紋產生的觀點出發是有利的。另外，本發明的低碳銅粒子優選實質上不含碳和磷以外的元素。實質上不含的意思是排除有意地添加該元素，例如在產品的制造過程中不可避免地混入的微量元素、通過精制而未能去除干凈的不可避免殘留的微量元素的存在是允許的。接著，對本發明的銅粒子的適合的制造方法進行說明。在本制造方法中，向包含銅化合物的水性液中添加還原劑來進行銅的還原。在該方法中，從其開始到結束，在不存在含碳化學種類的條件下(其中，不包括醋酸銅、甲酸銅等含碳銅化合物)進行所有的工序。并且，從其開始到結束，在不存在含磷化學種類的條件下進行所有的工序。作為含碳化學種類，可列舉出各種有機化合物(例如烴、醇、醛、羧酸、酯、醚、酮、有機硅烷、氨基酸等)、含碳的離子種類(例如羧酸根離子、碳酸根離子等)、碳材料(例如石墨、石墨等)。作為含磷化學種類，可列舉出正磷酸；焦磷酸以及三聚磷酸等多聚磷酸；三偏磷酸等偏磷酸；正磷酸鈉以及正磷酸鉀等正磷酸鹽；焦磷酸鈉以及焦磷酸鉀等多聚磷酸鹽；三偏磷酸鈉以及三·偏磷酸鉀等偏磷酸鹽等。在本制造方法中，首先制備含二價銅化合物的水性液(以下也稱“含銅溶液”)。作為銅化合物，可以使用例如硫酸銅、硝酸銅或它們的水合物等水溶性銅化合物。另外，還可以使用醋酸銅作為銅化合物。醋酸銅為含碳化合物，但來自醋酸銅的碳是微量的，因此來自醋酸銅的碳不會大量包含在作為目標的銅粒子中。在這些銅化合物中，硫酸銅五水合物和硝酸銅的水溶性高，可以提高水溶液中的銅濃度，并且可容易地得到粒度均勻性高的銅粒子，因此可適當使用。含銅溶液優選含有銅化合物2. OmoI/L 4. OmoI/L,更優選含有3. OmoI/L 3.8mol/L。通過以該范圍的比例含有銅化合物，可以達成生產率優異的合成，因此優選。含銅溶液可通過在水中溶解或分散二價銅化合物來制備。作為銅化合物的溶解方法例如可列舉出將水預先置于攪拌狀態下而向其中添加銅化合物并攪拌的方法。從得到均勻粒徑的銅粒子的觀點出發，制備含銅溶液時的液溫優選為40°C 90°C，更優選為50°C 80°C。向這樣得到的含銅溶液中添加堿性化合物，生成氧化銅(CuO)。作為用于此的堿性化合物，可列舉出例如氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物以及氨。這些堿性化合物可以單獨或者兩種以上組合使用。生成的氧化銅以微小的固體狀粒子的狀態懸濁在溶液中。作為向含銅溶液添加堿性化合物的方法，可列舉出例如將含銅溶液預先置于攪拌狀態下、向其中添加堿性化合物的水溶液并攪拌的方法。此時的液溫可優選設為40°C 90°C，更優選設為50°C 80°C。如果液溫在該范圍內，則可容易地得到一次粒子的凝聚少、且粒徑均勻性高的銅粒子，因此優選。在使用2種以上的組合作為堿性化合物時，它們可以同時添加，或者也可以依次添加。堿性化合物向含銅溶液中的添加量設定為下述那樣的量相對于銅化合物I當量，堿性化合物的量優選為I. 05當量 I. 5當量，更優選為I. I當量 I. 3當量。通過將堿性化合物的添加量設在該范圍內，可容易地得到粒徑均勻性高的銅粒子，因此優選。銅化合物和堿性化合物的當量分別是指作為酸的當量和作為堿的當量。
優選在通過向含銅溶液中添加堿性化合物來生成氧化銅后還繼續攪拌溶液來進行熟化。熟化優選進行10分鐘 60分鐘，特別優選進行20分鐘 40分鐘。通過熟化充分生成氧化銅，由此可容易地得到粒度均勻性高的銅粒子，因此優選。如果這樣生成氧化銅，則接著進行第I還原工序。在本還原工序中，通過邊攪拌溶液邊添加還原劑，將溶液中所含的氧化銅還原為氧化亞銅(Cu2O)。因此，在本還原工序中所使用的還原劑具有將氧化銅還原為氧化亞銅的作用。作為該還原劑，可使用例如肼。在本還原工序中，相對于溶液中所含的銅I摩爾，優選添加還原劑O. I摩爾 3摩爾，更優選添加O. 3摩爾 I. 5摩爾。如果還原劑的添加量為該范圍內，則可充分進行氧化銅到氧化亞銅的還原反應，其結果是，作為目標的銅粒子的一次粒子的凝聚變得難以發生，因此優選。優選在通過本還原工序將氧化銅還原為氧化亞銅后還繼續攪拌溶液來進行熟化。 熟化優選進行10分鐘 60分鐘，特別優選進行20分鐘 40分鐘。通過熟化充分生成氧化亞銅，作為目標的銅粒子的一次粒子的凝聚變得難以發生，因此優選。如果完成了第I還原工序，則接著進行第2還原工序。在本還原工序中，通過邊攪拌溶液邊添加還原劑，將溶液中所含的氧化亞銅還原成銅，從而生成銅粒子。因此，在本還原工序中所使用的還原劑有將氧化亞銅還原成銅的作用。作為該還原劑，可使用例如肼。在第2還原工序中，相對于溶液中所含的銅I摩爾，優選添加還原劑O. 3摩爾 3摩爾，更優選添加O. 31摩爾 2摩爾。通過將還原劑的使用量設定為該范圍內，能夠順利地得到作為目標的銅粒子。本發明者等研究的結果表明在第2還原工序中的銅粒子生成時，在反應體系中大量含有對還原反應沒有貢獻的水溶性物質，從順利得到粒徑一致的銅粒子的觀點出發是有利的。為了使銅粒子的粒徑一致，盡量抑制銅粒子生成時的溶液的PH變動是重要的，通過在溶液中大量含有對還原反應沒有貢獻的水溶性物質，該水溶性物質作為緩沖劑起作用，可抑制PH變動。不過，如果在溶液中存在過量對還原反應沒有貢獻的水溶性物質，則溶液的導電率變得過高，控制反應變得不容易，有粒度分布變寬的傾向。從該觀點出發，生成銅粒子時的溶液中存在的該水溶性物質的濃度優選設定為2. I 8mol/L。從控制反應并進一步抑制PH變動的觀點出發，該水溶性物質的濃度更優選設定為2. I 3mol/L，進一步優選設定為2. 2 2. 7mol/L。作為對還原反應沒有貢獻的該水溶性物質，可列舉出在水中電離而生成的陽離子和陰離子中的任一種均對由氧化亞銅生成銅粒子沒有貢獻的物質。作為這樣的陽離子，可列舉出鈉離子、鉀離子、銨離子、質子等。作為陰離子，可列舉出硫酸根離子、碳酸根離子、硝酸根離子、氯化物離子、氫氧化物離子等。作為由這些陽離子與陰離子的組合構成的水溶性物質的具體例子，可列舉出NaN03、NaCUNa2SO4, Na2CO3等水溶性鹽、NaOH等堿金屬氫氧化物。進一步作為該水溶性物質，還可列舉出與水反應而生成的離子對由氧化亞銅生成銅粒子沒有貢獻的物質。作為這樣的水溶性物質的具體例子，可列舉出作為與水反應而生成銨離子的物質的NH3等。所述水溶性物質優選在第2還原工序開始前存在于溶液中。為了該目的，(a)能夠在第I還原工序后不將氧化亞銅從溶液中分離而交付到第2還原工序，并且在第I還原工序后且第2還原工序前，向溶液中添加所涉及的水溶性物質，以使其濃度為2. I 8mol/L。作為其他的方法，(b)可以在第I還原工序后，在將氧化亞銅從溶液中分離并進行洗滌等操作后，制備含有分離了的氧化亞銅并且含有所述水溶性物質2. I 8mol/L的漿料，將所制備的漿料交付到第2還原工序也是可以的。另外，在由于存在投入的化學種類而在第2還原工序開始前在溶液中已經存在濃度為2. I 8mol/L的水溶性物質時，不需要進行(a)和(b)的操作。根據用于進行本制造方法的所投入的各種化合物的添加量，在第I還原工序結束時，溶液中的所述水溶性物質的濃度有時已經滿足所述的范圍。此時，可以不需要使用追加的水溶性物質，繼續進行第2還原工序。優選在通過第2還原工序將氧化亞銅還原成銅后還繼續攪拌溶液來進行熟化。熟化優選進行20分鐘 120分鐘，特別優選進行40分鐘 90分鐘。通過熟化充分進行還原，
作為目標的銅粒子的一次粒子的凝聚變得難以發生，因此優選。通過以上的方法所制造的銅粒子從工序的開始到結束，在不存在含碳化學種類(其中，不包括含碳銅化合物)的條件下進行反應，因此在原理上完全不含碳，或者即使含碳其量也極為降低。而且，形成為粒徑一致且抑制了一次粒子凝聚的物質。即使銅粒子含碳，該碳也是不可避免地混入到銅粒子中的。在本制造方法中，不進行有意地使銅粒子含碳的操作。而且，通過以上的方法所制造的銅粒子從工序的開始到結束，在不存在含磷化學種類的條件下進行反應，因此在原理上完全不含磷，或者即使含磷其量也極為降低。即使銅粒子含磷，該磷也是不可避免地混入到銅粒子中的。在本制造方法中，不進行有意地使銅粒子含磷的操作。通過以上的方法可得到作為目標的低碳銅粒子。這樣得到的低碳銅粒子適合用作例如導電性糊的原料。該導電性糊包含含本發明的低碳銅粒子的金屬粒子、有機漆料、和玻璃料。該有機漆料包含樹脂成分和溶劑。作為樹脂成分，可列舉出例如丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、乙基纖維素、羧乙基纖維素等。作為溶劑，可列舉出松油醇和二氫松油醇等萜烯系溶劑、乙基卡必醇和丁基卡必醇等醚系溶劑。作為玻璃料，可列舉出硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃、鋅硼硅酸鹽玻璃等。導電性糊中的金屬粉的比例優選設為36 97. 5重量％。玻璃料的比例優選設為I. 5 14重量％。有機漆料的比例優選設為I 50重量％。作為該導電性糊中的金屬粒子，可以僅使用本發明的低碳銅粒子，或者也可以將該低碳銅粒子與扁平等其他形狀的銅粒子組合使用。通過將本發明的低碳銅粒子與其他形狀的銅粒子組合使用，對糊精密地進行粘度調整變得容易。這樣得到的導電性糊適合用于例如形成印刷布線板的電路、確保陶瓷電容器的外部電極等電導通、EMI對策。實施例以下，通過實施例對本發明進行更詳細的說明。但本發明的范圍不受所述實施例限制。如果沒有特別注明，則“ ％ ”是指“重量％ ”。〔實施例I〕(I)含銅的水溶液的制備向65°C的純水6. 5L中添加硫酸銅五水合物，以使得銅的濃度為以下表I所示的值，并進行攪拌，得到含銅的水溶液。
(2)氧化銅的生成在攪拌該水溶液的狀態下，在該水溶液中同時添加表I所示2種堿性化合物，在溶液中生成氧化銅。并且，接著繼續攪拌30分鐘。堿性化合物的添加量設定為相對于銅I摩爾為表I所示的值的量。(3)氧化銅到氧化亞銅的還原接著，添加肼和氨水進行第I還原反應，將氧化銅還原成氧化亞銅。并且，接著繼續攪拌30分鐘。肼和氨的添加量設定為相對于銅I摩爾為表I所示的值的量。接著，不過濾溶液，而向溶液中添加表I所示的沒有貢獻的水溶性物質。此時的溶液中的對還原反應沒有貢獻的水溶性物質的濃度如表I所示。(4)氧化亞銅到銅粒子的還原
接著，向溶液中添加肼進行第2還原反應，將氧化亞銅還原成銅。并且，繼續進行I小時的攪拌，使反應終止。肼的添加量設定為相對于銅I摩爾為表I所示的值的量。在反應終止后，使用努采漏斗(nutsche)過濾所得到的漿料，接著用純水洗滌，進而干燥，從而得到作為目標的銅粒子。用SEM觀察該銅粒子，如圖I所示確認到在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀。〔實施例2 4〕除了采用以下表I所示的條件以外，與實施例I同樣地得到銅粒子。用SEM觀察該銅粒子，確認到實施例2 4的銅粒子為在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀。〔比較例I和2〕在本比較例中，依據專利文獻3 (日本特開平9-256007號公報)的實施例I和2制造銅粒子。制造條件示于表I。在比較例2中得到的銅粒子的SEM像示于圖2。〔比較例3〕依據專利文獻2所記載的實施例I制造銅粒子。首先，向純水6. 5L中投入硫酸銅五水合物6000g并攬祥，其后，將液溫保持在50 C，并且向該硫酸銅水溶液中添加氣水溶液(濃度為25% ) 2537ml來中和，得到銅鹽化合物漿料。并且，將銅鹽化合物漿料靜置30分鐘而使其熟化。到此為止將銅鹽化合物漿料的液溫保持在50°C，但熟化后將液溫調整至45。。。接著，添加水來調整液量以使得銅鹽化合物漿料的銅濃度為2.0mol/L。將該銅鹽化合物漿料保持在PH為6. 3、液溫為50°C的條件下，在這里，連續添加肼一水合物450g和氨水溶液(濃度為25%) 591ml，形成氧化亞銅漿料(第I還原處理)。并且，為了完全進行還原反應，進一步繼續攪拌30分鐘。其后，為了再碎漿(r印ulp)洗滌，向氧化亞銅漿料中加入純水調整液量至18L，然后靜置使氧化亞銅粒子沉淀，抽取靜置后的上清液14L，重復該操作直至pH為4. 7。接著，加入加熱了的純水8L使總液量為12L，使液溫維持在45°C，并調整銅濃度至2. Omol/L,將其作為洗滌氧化亞銅漿料。向銅濃度調整后的洗滌氧化亞銅漿料中添加次磷酸銨3. 02g,攪拌5分鐘。再次添加水來調整液量使得洗滌氧化亞銅漿料的銅濃度為2. Omol/L。向該洗滌氧化亞銅漿料中，添加肼一水合物1200g。接著，進一步進行15分鐘的攪拌，使還原反應完全進行，還原析出銅粒子(第2還原處理)。
權利要求
1.一種低碳銅粒子，其特征在于， 碳含量低于0. 01重量且磷含量低于0. 01重量 用下式定義的變異系數CV值為10 35%， 所述低碳銅粒子為在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀，CV 值(％ ) = ( O /D50) X 100 式中，0表示基于圖像解析求出的粒子的粒徑的標準偏差，D5tl表示基于圖像解析求出的粒子的50%體積累積粒徑。
2.一種低碳銅粒子的制造方法，其特征在于，具有還原工序，所述還原工序在不存在含碳化學種類和含磷化學種類的條件下，向包含銅化合物的水性液中添加還原劑來進行銅的還原，其中，所述碳化學種類不包括含碳銅化合物， 在存在2. I 8mol/L的對還原反應沒有貢獻的物質的條件下,通過還原生成銅粒子。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其中，含有下述工序 向包含銅化合物的水性液中添加堿性化合物而生成氧化銅， 將生成的氧化銅在第I還原工序中還原成氧化亞銅， 接著將氧化亞銅在第2還原工序中還原而生成銅粒子， 在第2還原工序中，在存在2. I 8mol/L的對還原反應沒有貢獻的物質的條件下，通過還原生成銅粒子。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其中， 在第I還原工序后，不將氧化亞銅從溶液中分離而交付到第2還原工序， 并且在第I還原工序后且第2還原工序前，添加對還原反應沒有貢獻的物質，在對還原反應沒有貢獻的物質的總濃度為2. I 8mol/L的條件下，通過還原生成銅粒子。
5.根據權利要求3所述的制造方法，其中， 在第I還原工序后，將氧化亞銅從溶液中分離， 制備含有分離了的氧化亞銅并且含有對還原反應沒有貢獻的物質2. I 8mol/L的漿料， 將所制備的漿料交付到第2還原工序，通過還原生成銅粒子。
6.一種導電性糊，其特征在于，含有權利要求I所述的低碳銅粒子。
全文摘要
本發明的銅粒子的碳含量低于0.01重量％，且磷含量低于0.01重量％。另外，用(σ/D50)×100定義的變異系數CV值為10～35％。σ表示基于圖像解析求出的粒子的粒徑的標準偏差，D50表示基于圖像解析求出的粒子的50％體積累積粒徑。銅粒子為在表面的一部分具有非曲面部的大致球狀。
文檔編號B22F9/24GK102756121SQ20121007474
公開日2012年10月31日 申請日期2012年3月20日 優先權日2011年4月28日
發明者古本啟太, 清水良憲, 箕輪光 申請人:三井金屬礦業株式會社