專利名稱：一種硅棒表面處理方法
一種硅棒表面處理方法技術領域：
本發明涉及硅棒表面處理技術領域，尤其是涉及一種能夠提高硅片切割良率的硅棒表面處理方法。背景技術：
公知的，在太陽能行業中，硅棒開方后會產生損傷層，在切片過程中或者脫膠時損傷層處的硅粒容易脫落或粘到膠層上，從而造成崩邊，這不但會導致切出的硅片不能被正常應用，而且還嚴重到影響切片質量，給生產制造方增加了經濟負擔；鑒于硅棒損傷層的深淺與切出的硅片邊緣質量的好壞有著密不可分的聯系，因此，太陽能行業中均采用相應的硅棒表面處理技術來減少硅棒開方后所產生的損傷層，從而以盡可能多的獲取合格的硅片； 目前，硅棒表面的處理辦法主要分為物理法和化學法兩種物理法就是使用一定目數的磨輪，一般選用300目 750目之間的磨輪來對硅棒表面進行磨削打平；這種方法雖然能夠有效去除硅棒開方后產生的線痕，獲得到整體平整度在300um以內的硅棒表面，但是卻容易產生深度在20um 30um之間的損傷層，且磨頭在硅棒表面留下的圓弧狀劃痕很難徹底清除；化學法則是把硅棒放置在能夠與硅反應的HF或濃H2S04等高強酸中，使硅棒表面與酸發生反應，并利用硅棒表面損傷層硅結構和晶體硅反應速度的差異來去除損傷層；化學法雖然能夠將娃棒表面的損傷層控制在IOum以內，但是卻易于在娃棒表面產生高低不平的腐蝕坑，使硅棒表面的整體平整度較差，從而不但不利于后續的粘棒操作，而且還導致切出的硅片邊緣存在有明顯的凸凹感，同時，高強酸的高腐蝕性和強酸性在一定程度上也限制了這種化學處理法在工業生產領域中的廣泛應用；
綜上所述，目前還沒有一種即能有效控制硅棒表面損傷層的深度，又能獲得平整度較高的硅棒表面處理方法。
發明內容
為了克服背景技術中的不足，本發明公開一種硅棒表面處理方法，所述的方法即能有效控制硅棒表面損傷層的深度，又能獲得平整度較高的硅棒表面。為實現上述發明目的，本發明采用如下技術方案
一種硅棒表面處理方法，所述的方法為使用I. 5 4. 5kg壓力的氣壓噴槍將800 1500目的微粒物質由30 75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15 45分鐘；所述微粒物質的硬度大于硅的硬度。所述的硅棒表面處理方法，所述的方法為使用2. 5kg壓力的氣壓噴槍將800目的碳化硅微粒由40度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。所述的娃棒表面處理方法,所述的方法為使用2. 5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。所述的娃棒表面處理方法,所述的方法為使用3. 5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由70度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為30分鐘。所述的娃棒表面處理方法,所述的方法為使用4kg壓力的氣壓噴槍將1500目的金剛砂微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為35分鐘。
所述的硅棒表面處理方法，先將需要處理的硅棒穩定的放置在一上部連通抽風裝置，且在一側器壁上部設有開口的防護容器內，再將能夠噴射微粒物質的氣壓噴槍的噴嘴由防護容器的開口對準硅棒的表面進行噴射；噴射過程中利用打開的抽風裝置將噴射出的微粒物質進行收集以備再次利用。所述的娃棒表面處理方法,所述的防護容器尺寸為300mmX 120mmX 100mm。所述的硅棒表面處理方法，所述方法中使用的微粒物質為碳化硅或金剛砂。所述的硅棒表面處理方法，所述的氣壓噴槍工作時是通過注入噴槍后部的氣壓將注入噴槍中部的微粒物質由噴槍的噴嘴噴射而出。由于采用如上所述的技術方案，本發明具有如下有益效果
本發明所述的硅棒表面處理方法不但能夠有效控制硅棒表面損傷層的深度，而且還能獲得平整度較聞的娃棒表面，從而有效的減少了娃片崩邊的現象，提聞了娃片的切割良率。具體實施方式
通過下面的實施例可以更詳細的解釋本發明，公開本發明的目的旨在保護本發明范圍內的一切變化和改進，本發明并不局限于下面的實施例；
實施例一使用2. 5kg壓力的氣壓噴槍將800目的碳化硅微粒由40度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘；
實施例二 使用2. 5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘；
實施例三使用3. 5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由70度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為30分鐘；
實施例四使用4kg壓力的氣壓噴槍將1500目的金剛砂微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為35分鐘；
綜上所述，所述的硅棒表面處理方法就是使用I. 5 4. 5kg壓力的氣壓噴槍將800 1500目的微粒物質由30 75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15 45分鐘，即所述的方法是通過高速流動的微粒物質氣流磨擦硅棒表面來達到使硅棒表面平整的目的，由于娃棒表面的損傷層較為疏松，其結構易于在微粒物質氣流的摩擦下破碎，而娃棒本身的晶體硅結構卻較為緊湊，所以很難受到微粒物質氣流的磨擦影響，因此，所述的方法能夠將硅棒表面的損傷層控制在IOum以下，而且還不會破壞到硅棒的表面平整度；此外，在所述方法中使用的微粒物質為硬度大于硅的硬度的碳化硅或金剛砂；
根據需要，在實施所述的方法時，能夠先將需要處理的硅棒穩定的放置在一個上部連通抽風裝置，且在一側器壁上部設有開口的防護容器內，再將能夠噴射微粒物質的氣壓噴槍的噴嘴由防護容器的開口以相應角度對準硅棒的表面進行噴射；為便于放置硅棒，所述的防護容器尺寸能夠設為300mmX 120mmX IOOmm ;防護容器的主要目的是能夠確保將噴出的微粒物質限制在容器中，且能夠通過抽風裝置對微粒物質進行收集后再利用；所述方法中使用的氣壓噴槍的工作原理是通過注入噴槍槍管后部的氣壓將注入噴槍槍管中部的微粒物質由噴槍槍管的噴嘴噴射而出。經多次實驗得知，切割經所述方法處理過的硅棒，能夠使硅片的切割良率提高 0.91 2. 16%，使切割出的硅片的崩邊比率下降0. 51 I. 8%;以年產硅片750萬片計算， 采用本發明所述的方法能夠每年為生產企業增加盈利185萬元 342萬元。
本發明未詳述部分為現有技術，故本發明未對其進行詳述。
權利要求
1.一種硅棒表面處理方法，其特征是所述的方法為使用I. 5 4. 5kg壓力的氣壓噴槍將800 1500目的微粒物質由30 75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15 45分鐘；所述微粒物質的硬度大于硅的硬度。
2.根據權利要求I所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的方法為使用2.5kg壓力的氣壓噴槍將800目的碳化硅微粒由40度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20分鐘。
3.根據權利要求I所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的方法為使用2.5kg 壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為20 分鐘。
4.根據權利要求I所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的方法為使用3.5kg壓力的氣壓噴槍將1200目的碳化硅微粒由70度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為30分鐘。
5.根據權利要求I所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的方法為使用4kg壓力的氣壓噴槍將1500目的金剛砂微粒由50度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為35分鐘。
6.根據權利要求I 5任一所述的娃棒表面處理方法,其特征是先將需要處理的娃棒穩定的放置在一上部連通抽吸裝置，且一側器壁上部設有開口的防護容器內，再將能夠噴射微粒物質的氣壓噴槍的噴嘴由防護容器的開口對準硅棒的表面進行噴射；噴射過程中通過打開的抽吸裝置將噴射出的微粒物質進行收集以備再次利用。
7.根據權利要求6所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的防護容器尺寸為 300mmX 120mmX IOOmm0
8.根據權利要求I或6所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述方法中使用的微粒物質為碳化硅或金剛砂。
9.根據權利要求I 5任一所述的硅棒表面處理方法，其特征是所述的氣壓噴槍工作時是通過注入噴槍后部的氣壓將注入噴槍中部的微粒物質由噴槍的噴嘴噴射而出。
全文摘要
一種涉及硅棒表面處理技術的硅棒表面處理方法，所述的方法為使用1.5～4.5kg壓力的氣壓噴槍將800～1500目的微粒物質由30～75度角均勻的噴射到硅棒表面，噴射時間為15～45分鐘；采用所述的方法即能有效控制硅棒表面損傷層的深度，又能獲得平整度較高的硅棒表面。
文檔編號B24C1/00GK102581771SQ20121004228
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月23日 優先權日2012年2月23日
發明者劉永生, 吳劍樞, 姚小威, 張楊, 張泰運, 王黨衛, 高曉舵 申請人:上海超日(洛陽)太陽能有限公司