專利名稱：蒸鍍掩模板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模板及其制作方法，具體涉及掩模板半刻線的制作方法。
背景技術(shù)：
有機EL顯示面板具有由通過附加電壓而發(fā)光的低分子有機EL (OrganicElectro-Luminescence:0EL,有機發(fā)光電子板)材料形成的有機發(fā)光層,有機EL顯示面板一般通過下述方式制造:在透明基板上形成透明電極層；在該透明電極層上形成由低分子有機EL材料形成的有機發(fā)光層；在該有機發(fā)光層上形成金屬電極層。在該有機EL顯示面板的制造工序中，在透明電極層上形成有機發(fā)光層通常采用具有規(guī)定圖案的多個細微通孔的蒸鍍金屬掩模，并將低分子有機EL材料蒸鍍于基板上。
這種有機電致發(fā)光顯示器包括有機電致發(fā)光裝置，有機電致發(fā)光裝置具有分別堆疊在基底上的陽極、有機材料層和陰極。有機材料層包括有機發(fā)射層，有機發(fā)射層由于復(fù)合空穴和電子得到的激光而發(fā)光。此外，為了將空穴和電子平穩(wěn)的傳輸?shù)桨l(fā)射層并提高發(fā)射效率，電子注入層和電子傳輸層可設(shè)置在陰極和有機發(fā)射層之間，空穴注入層和空穴傳輸層可設(shè)置在陽極和有機發(fā)射層之間。
通常，可通過諸如真空沉積、離子電鍍、濺射等物理氣相沉積法和采用氣象反應(yīng)的化學(xué)氣相沉積法來制造具有這種構(gòu)造的有機電致發(fā)光裝置。當(dāng)通過這些方法來制造有機電致發(fā)光裝置時，需要具有預(yù)定圖案的掩模以在正確的位置堆疊有機材料層。由于傳統(tǒng)工藝中，將掩模板固定在掩?？蚣苌蠒r掩模受外向拉力，因此要在掩模板的邊料設(shè)計輔助圖形用以施加拉力，最后要將固定后的掩模板的邊料去除裁剪。
用剪刀進行裁減，則裁減的邊存在不齊整、外觀不美觀的問題，對于一些通過掩模板外邊框進行對位的情況，外邊框的不平整必會導(dǎo)致對位時的位置偏差；通過激光切割工藝，雖然也可以達到輔助圖形與掩模板主圖形區(qū)域分離的效果，但激光會破壞掩?？蚣?，使其表面產(chǎn)生凹槽劃痕，蒸鍍過程中會又有機材料顆粒殘留在凹槽內(nèi)，導(dǎo)致不同蒸鍍腔室之間的交叉污染。 發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種蒸鍍掩模板及其制作方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中掩模板外邊框存在不齊整、外觀不美觀的問題，并且在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差；還不會破壞掩模框架，可提高蒸鍍質(zhì)量。
針對以上技術(shù)問題，本發(fā)明提出以下技術(shù)方案: 一種蒸鍍掩模板，包括:主圖形區(qū)域，具有滿足蒸鍍要求的開口，主圖形開口尺寸在30-180 μ m的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域，用于提供拉力的施力點；其特征在于，掩模板還具有半刻線，半刻線一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形區(qū)域。
優(yōu)選的，半刻線為四邊凹槽。
優(yōu)選的，半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的40%_60%。
優(yōu)選的，半刻線的線徑彡2mm。
優(yōu)選的，該掩模板的材料為鎳鐵合金、純鎳或不銹鋼。
一種蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，在已經(jīng)制作好主圖形區(qū)域開口及輔助圖形開口的掩模板進行以下步驟:貼膜步驟，在掩模板的蝕刻面貼膜；曝光步驟；顯影步驟；蝕刻步驟；褪膜；其特征在于，曝光步驟是指在曝光機上通過CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻線以外區(qū)域；顯影步驟是指過顯影機，洗去未曝光干膜，即半刻線區(qū)域干膜；蝕刻步驟是指在干膜保護非半刻線區(qū)域的情況下，控制蝕刻參數(shù)，刻蝕出四邊凹槽。
優(yōu)選的，蝕刻參數(shù)具體如下:蝕刻壓力為20±lpsi ;蝕刻速度為10-60HZ ;氯化鐵蝕刻液比重為1.00-1.50 g/cm3。
本發(fā)明所涉及的蒸鍍掩模板及其制作方法，由于半刻一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形，且半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的40%-60%。因此在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框邊緣整齊光滑無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差；還不會破壞掩模框架，可提高蒸鍍質(zhì)量。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細的說明。
圖1為本發(fā)明的掩模板整體 結(jié)構(gòu)圖； 其中:11-輔助圖形開口，即繃網(wǎng)孔；22_主圖形區(qū)域開口 ；33_輔助圖形區(qū)域；44_主圖形區(qū)域；55_半刻線。
圖2為本發(fā)明的掩模板中的半刻線剖面圖； 其中:111-掩模板；55_半刻線。
圖3為傳統(tǒng)工藝的掩模板； 其中:1_輔助圖形區(qū)域開口，即剝離孔；2_主圖形區(qū)域開口 ；3_輔助圖形區(qū)域；4-主圖形區(qū)域；5_裁剪基線。
具體實施方式
實施例1 圖1和圖2所示的用于蒸鍍工藝的掩模板111，包括:主圖形區(qū)域44，具有滿足蒸鍍要求的開口 22，主圖形開口尺寸在30μπι的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域33，用于提供拉力的施力點；半刻線55，半刻線一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形區(qū)域；半刻線55為四邊凹槽；半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的60% ;半刻線的線徑< 2mm。掩模板的材料可以為因瓦合金、鎳鐵合金、純鎳、不銹鋼中的任意一種；掩模板厚度H在30 μ m。
實施例2 用于蒸鍍工藝的掩模板111，包括:主圖形區(qū)域44，具有滿足蒸鍍要求的開口 22，主圖形開口尺寸在180μπι的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域33，用于提供拉力的施力點；半刻線55，半刻線一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形區(qū)域；半刻線55為四邊凹槽；半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的40% ;半刻線的線徑< 2_。掩模板的材料可以為因瓦合金、鎳鐵合金、純鎳、不銹鋼中的任意一種；掩模板厚度H在200 μ m。
實施例3 制作掩模板的方法，在已經(jīng)制作好主圖形區(qū)域開口及輔助圖形開口的掩模板進行以下步驟:貼膜步驟，在掩模板的蝕刻面貼膜；曝光步驟，在曝光機上通過CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻線以外區(qū)域；顯影步驟，是指過顯影機，洗去未曝光干膜，即半刻線區(qū)域干膜；蝕刻步驟，在干膜保護非半刻線區(qū)域的情況下，控制蝕刻參數(shù)，刻蝕出四邊凹槽；褪膜。
蝕刻參數(shù)具體如下:蝕刻壓力為20±lpsi ;蝕刻速度為IOHz ;氯化鐵蝕刻液比重為 1.00 g/cm3。
實施例4 制作掩模板的方法，在已經(jīng)制作好主圖形區(qū)域開口及輔助圖形開口的掩模板進行以下步驟:貼膜步驟，在掩模板的蝕刻面貼膜；曝光步驟，在曝光機上通過CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻線以外區(qū)域；顯影步驟，是指過顯影機，洗去未曝光干膜，即半刻線區(qū)域干膜；蝕刻步驟，在干膜保護非半刻線區(qū)域的情況下，控制蝕刻參數(shù)，刻蝕出四邊凹槽；褪膜。
蝕刻參數(shù)具體如下:蝕刻壓力為20± Ipsi ;蝕刻速度為60Hz ;氯化鐵蝕刻液比重為 1.50 g/cm3。
在掩模板的主圖形區(qū)域44與輔助圖形區(qū)域33之間制作該種四邊凹槽后，由于半刻線的厚度很薄，只需在輔助圖形區(qū)域處施加力，即可輕松將其與主圖形區(qū)域分離，剝離后的掩模板外邊框光滑整齊，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差，不會破壞掩模框架，提高蒸鍍質(zhì)量。
以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護范圍，所有在不違背本發(fā)明精神原則的條件下做出的簡單變換均落入本發(fā) 明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍掩模板，包括:主圖形區(qū)域，具有滿足蒸鍍要求的開口，主圖形開口尺寸在30-180μπι的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域，用于提供拉力的施力點；其特征在于，掩模板還具有半刻線，半刻線一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線為四邊凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H 的 40%-60%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線的線徑<2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，該掩模板的材料為鎳鐵合金、純鎳或不銹鋼。
6.一種蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，在已經(jīng)制作好主圖形區(qū)域開口及輔助圖形開口的掩模板進行以下步驟:貼膜步驟，在掩模板的蝕刻面貼膜；曝光步驟；顯影步驟；蝕刻步驟；褪膜；其特征在于，曝光步驟是指在曝光機上通過CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻線以外區(qū)域；顯影步驟是指過顯影機，洗去未曝光干膜，即半刻線區(qū)域干膜；蝕刻步驟是指在干膜保護非半刻線區(qū)域的情況下，控制蝕刻參數(shù)，刻蝕出四邊凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，蝕刻參數(shù)具體如下:蝕刻壓力為20±lpsi ;蝕刻速度為10-60HZ ;氯化鐵蝕刻液比重為1.00-1.50 g/cm3。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于蒸鍍的掩模板包括主圖形區(qū)域、輔助圖形區(qū)域和半刻線，半刻線為四邊凹槽，且半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的40%-60%；半刻線的線徑≤2mm。本發(fā)明涉及的掩模板及其制作方法，在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框邊緣整齊光滑無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差；還不會破壞掩?？蚣埽商岣哒翦冑|(zhì)量。
文檔編號C23C14/04GK103205687SQ201210010709
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 鄭慶靚 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司