專利名稱：非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電子設備和太陽能電池技術，特別涉及一種在非晶硅薄膜的化學氣相沉積過程中進行H2吹掃的裝置。
背景技術：
非晶硅薄膜太陽能電池是20多年來國際上新發展起來的一項太陽能電池新技術。非晶硅薄膜太陽能電池的硅材料厚度只有1微米左右，是單晶硅太陽能電池硅材料厚度的1/200-1/300，與單晶硅太陽能電池相比，制備這種薄膜所用硅原料很少，薄膜生長時間較短，設備制造簡單，容易大批量連續生產，根據國際上有關專家的估計，非晶硅薄膜太陽能電池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太陽能電池。非晶硅材料是由氣相沉積形成的，目前已被普遍采用的方法是等離子增強型化學氣相沉積(PECVD)法。PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。 為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD 稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。薄膜化學氣相沉積是非晶硅薄膜太陽能電池的規模化生產的核心工藝，實現該工藝的核心設備是電極盒。目前在進行薄膜化學氣相沉積時，一般需要將電極盒的進氣口通過不同管道同時與多個的配氣箱連接，然后根據不同的鍍膜層控制配氣箱的氣體壓力和流量來完成鍍膜。目前的化學氣相沉積工藝在鍍膜過程中很容易受到雜質的交叉污染，因此其工藝重復性較差，進而會對非晶硅材料的光致衰減性造成一定影響。
實用新型內容針對上述現有技術的不足，本實用新型要解決的技術問題是提供一種能提高化學氣相沉積工藝重復性，抑制非晶硅薄膜光致衰減性的裝置。為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案—種非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，所述電極盒的進氣口通過一進氣管道與一 H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過一排氣管道與一工藝泵連接， 所述進氣管道、排氣管道上均設有氣動閥。優選的，所述電極盒的進氣口、出氣口處均設有勻氣板。優選的，所述電極盒為單腔多層結構。優選的，所述進氣管道上還設有調壓閥和手動隔膜閥。上述技術方案具有如下有益效果進行氣相沉積時采用該裝置可在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前進行氫氣吹掃，從而減少雜質交叉污染，提高工藝重復性；同時進行氫氣吹掃可調節本征層與P或η層介面的硅被打斷共價鍵所產生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本實用新型的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。
圖1為本實用新型實施例的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的優選的實施例進行詳細介紹。如圖1所示，該非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置包括一電極盒1，該電極盒采用單腔多層結構。電極盒的進氣口 1通過一進氣管道4與一 H2配氣箱2連接，電極盒1的出氣口通過一排氣管道5與一工藝泵3連接，電極盒1的進氣口、出氣口處均設有勻氣板，這樣可使進氣、排氣更加的均勻。進氣管道4上設有氣動閥7、調壓閥8和手動隔膜閥9，排氣管道5上設有氣動閥6。在進行氣相沉積過程中在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前，可將進氣管道4上的氣動閥7打開同時將排氣管道5上的氣動閥6關閉向電極盒1內充氣，然后再將氣動閥7關閉、將氣動閥6打開進行排氣，從而完成對電極盒1內的氫氣吹掃。通過氫氣吹掃，可減少雜質交叉污染，提高工藝重復性；同時進行氫氣吹掃可調節本征層與P或η層介面的硅被打斷共價鍵所產生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。以上對本實用新型實施例所提供的非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本實用新型實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有所改變，因此本說明書內容僅用來于對本實用新型實施例進行說明，不應理解為對本實用新型的限制，凡依本實用新型設計思想所做的任何改變都在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，其特征在于所述電極盒的進氣口通過一進氣管道與一 H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過一排氣管道與一工藝泵連接，所述進氣管道、排氣管道上均設有氣動閥。
2.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述電極盒的進氣口、出氣口處均設有勻氣板。
3.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述電極盒為單腔多層結構。
4.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述進氣管道上還設有調壓閥和手動隔膜閥。
專利摘要本實用新型公開了一種非晶硅薄膜化學氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，所述電極盒的進氣口通過一進氣管道與一H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過一排氣管道與一工藝泵連接，所述進氣管道、排氣管道上均設有氣動閥。進行氣相沉積時采用該裝置可在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前進行氫氣吹掃，從而減少雜質交叉污染，提高工藝重復性；同時進行氫氣吹掃可調節本征層與p或n層介面的硅被打斷共價鍵所產生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。
文檔編號C23C16/24GK202201967SQ20112028492
公開日2012年4月25日 申請日期2011年8月5日 優先權日2011年8月5日
發明者郭鋒 申請人:上海曙海太陽能有限公司