專利名稱：基板處理設備的放電組件、腔室裝置和pecvd設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種基板處理設備的放電組件，具有該放電組件的腔室裝置，和具有該腔室裝置的PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)設備。
背景技術：
隨著等離子體技術的不斷發展，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備已經被廣泛地應用于制造集成電路(IC)或光伏(PV)產品的工藝中。在各種PECVD設備中，由于平行板電容稱合等離子體(Capacitively Coupled Plasma,簡稱CCP)以及遠程微波激發等離子體(ECR)可以產生大面積均勻等離子體，且可以滿足鏈式的生產方式，在太陽能電池制造工藝中得到了大規模的應用。傳統PECVD設備采用的典型CCP裝置，工藝氣體從進氣口進入勻流室。在勻流室內，工藝氣體的流場、流速被均勻化，之后均勻的通過上電極噴淋板的氣孔，進入到腔室里面。上電極接射頻電源，下電極放置在加熱器上保持一定的工藝溫度并接地。需沉積薄膜的基板放置在下電極上。根據工藝氣體的不同，沉積的薄膜成分也不盡相同。一般PV行業工藝氣體為SiH4和NH3，得到的是薄膜是SiNx。傳統的CCP裝置，工作氣壓范圍比較窄，一般為幾十帕到上百帕，從而對于設備的真空系統配置要求比較高。另外，目前工業上追求大產能，為了提高產生等離子體的密度，驅動電源也逐漸從幾十千赫到兆赫發展，但是由于驅動電源頻率的增加，等離子體中駐波效應逐漸明顯，從而限制了設備向更大產能的發展。從工藝角度考慮，因為所需沉積的基板位于下電極上，所以在成膜的過程中，還會引起等離子體轟擊導致薄膜受損、以及顆粒控制等問題。目前，太陽能電池制造業常用的設置是遠程微波激發等離子體(ECR)裝置。首先，工藝氣體從進氣口進入腔室，在2.45G微波的激勵下，產生等離子體，并由直流線圈產生磁場，促進帶電粒子回旋共振激發，等離子體中具有化學活性的氣體在等離子中進行反應，并在基板上沉積上所需的功能薄膜。工藝之后產生的廢氣通過抽氣排走。與CCP裝置相比，ECR裝置在產能上具有優勢，但是微波源的控制十分復雜，且成本昂貴，限制了它的應用和發展。
發明內容
本發明旨在至少解決上述技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種基板處理設備的放電組件，該放電組件采用介質阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結構簡單，易于控制。本發明的另一目的在于提出一種具有上述放電組件的腔室裝置。本發明的再一目的在于提出一種具有上述腔室裝置的PECVD設備。根據本發明第一方面實施例的基板處理設備的放電組件，包括:驅動電源，所述驅動電源具有第一端和第二端；絕緣阻擋件，所述絕緣阻擋件具有沿其厚度方向貫通的通氣孔；多個第一電極，所述第一電極與所述驅動電源的第一端相連且分別設在所述絕緣阻擋件的下表面上；和多個第二電極，所述第二電極與所述驅動電源的第二端相連且分別設在所述絕緣阻擋件的上表面上且與所述多個第一電極成對設置；其中每個電極對中的所述第一電極和第二電極在所述絕緣阻擋件的厚度方向上錯開，以使所述第一電極和第二電極產生的等離子體放電區域位于所述絕緣阻擋件下方。根據本發明實施例的放電組件，采用在第一和第二電極之間設置絕緣阻擋件的介質阻擋(DBD)放電，可以有效地提高第一電極和第二電極之間的放電電壓。驅動電源可以采用更高頻率。絕緣阻擋件可以避免放電過程中第一電極和第二電極之間產生弧光。另外，驅動電源在第一和第二電極間施加電壓，可在絕緣阻擋件下方產生等離子體放電區域。本發明實施例的放電組件具有結構簡單，易于控制以及驅動電源選用范圍廣泛，克服了傳統電極結構的限制，無需將電極作為放置基板的平臺。在本發明的一個實施例中，所述絕緣阻擋件的上表面上設有多個凹槽，所述多個第二電極分別 對應地設在所述凹槽內。在本發明的一個實施例中，所述通氣孔分為多組，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，在彼此相鄰的所述第一電極和所述第二電極之間分別設有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個通氣孔。在本發明的一個實施例中，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置。由此，通氣孔相對均勻地分布在絕緣阻擋件的整個面積上，提高工藝氣體的均勻性。在本發明的一個實施例中，所述絕緣阻擋件為矩形絕緣板，所述第一電極和所述第二電極均為條狀，所述第一電極在所述矩形絕緣板的下表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸，所述第二電極在所述矩形絕緣板的上表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸。由此，進一步增加第一電極和第二電極之間放電的面積，提高等離子體的均勻性。在本發明的一個實施例中，所述絕緣阻擋件由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。在本發明的一個實施例中，所述驅動電源為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。因此，根據本發明實施例的放電組件的驅動電源選用范圍廣，當選用高頻率的驅動電源時，此種多電極的放電結構可以有效避免放電時等離子體中的駐波效應。根據本發明第二方面實施例的腔室裝置，包括:腔室本體，所述腔室本體內具有工藝腔室，所述腔室本體具有進氣口和出氣口以及基板進口和基板出口 ；加熱保溫裝置，所述加熱保溫裝置設在所述工藝腔室內；勻流室體，所述勻流室體內具有勻流室，所述勻流室體設在所述工藝腔室內且位于所述加熱保溫裝置上方，所述勻流室體設有與所述加熱保溫裝置相對的開口，所述勻流室體通過所述腔室本體的進氣口與外界連通；傳輸裝置，所述傳輸裝置設在所述工藝腔室內且位于所述勻流室體與所述加熱保溫裝置之間用于將基板傳入和傳出所述工藝腔室；和放電組件，所述放電組件為上述第一方面實施例的基板處理設備的放電組件，其中所述放電組件的絕緣阻擋件設在所述勻流室體的開口處以封閉所述開口且所述勻流室通過所述通氣孔與所述工藝腔室連通。根據本發明實施例的腔室裝置，放電組件采用DBD放電，驅動電源可以在第一和第二電極之間施加更高頻率，產生大量等離子體，放電組件的絕緣阻擋件有效避免在等離子體中產生駐波效應，從而提高工藝氣體的利用率，增加產能。并且基板處于放電組件的下方，避免等離子體對基板成膜的傷害，提高基板成膜質量。此外，在低氣壓情況下，絕緣阻擋件還可以防止在放電組件的第一電極和第二電極之間產生弧光，進而防止腔室裝置受到損害，提高腔室裝置的使用壽命。本發明實施例的腔室裝置還可以通過傳輸裝置提高基板的傳輸效率，提高腔室裝置的使用效率。另外，該腔室裝置結構簡單，成本低。在本發明的一個實施例中，所述放電組件的驅動電源設在所述腔室本體的外面。這樣便于控制驅動電源對第一電極和第二電極之間施加的頻率。在本發明的一個實施例中，所述基板進口處設有用于打開和關閉所述基板進口的進口閥，所述基板出口處設有用于打開和關閉所述基板出口的出口閥。方便基板的傳入與傳出。在工藝過程中，進口和出口均關閉，防止空氣進入工藝腔室中。工藝過程結束后，進口和出口均打開，方便基板的傳入和傳出。在本發明的一個實施例中，所述傳輸裝置包括沿腔室本體的橫向彼此間隔設置的多個傳動齒輪。根據本發明第三方面實施例的PECVD設備，包括上述實施例的腔室裝置。本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1為根據本發明實施例的基板處理設備的放電組件的示意圖；圖2為圖1所示放電組件的平面示意圖；圖3為根據本發明實施例的放電組件的變型的示意圖；以及圖4為根據本發明實施例的腔室裝置的示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。以下結合附圖首先描述根據本發明實施例的基板處理設備的放電組件。如圖1所示，根據本發明實施例的基板處理設備的放電組件100包括驅動電源110、第一電極120、第二電極130和絕緣阻擋件140。驅動電源110具有第一端(圖1中的左端)和第二端(圖1中的右端)。第一電極120與驅動電源110的第一端相連且設在絕緣阻擋件140的下表面上。第二電極130與驅動電源110的第二端相連且設在絕緣阻擋件140的上表面上且與第一電極120成對設置。絕緣阻擋件140具有沿其厚度方向(圖中的上下方向)貫通的通氣孔141。每個電極對中的第一電極120和第二電極130在絕緣阻擋件140的厚度方向(圖1中的豎直方向)上錯開，以使第一電極120和第二電極130產生的等離子體放電區域位于絕緣阻擋件140下方。驅動電源110在第一電極120和第二電極130之間施加電壓，在絕緣阻擋件140下方產生等離子體區域，通氣孔141用于工藝氣體的流通。根據本發明實施例的放電組件100，在第一電極120和第二電極130之間設置絕緣阻擋件140，可以采用DBD放電，可以提高驅動電源110在第一電極120和第二電極130之間施加的放電電壓，從而可以在絕緣阻擋件140下方的等離子體放電區域產生大量等離子體。絕緣阻擋件140可以防止放電過程中在第一電極120和第二電極130之間產生弧光，避免放電組件100受到損害。另外，上述放電組件100具有結構簡單，易于控制的優點。此夕卜，驅動電源110可以在第一電極120和第二電極130之間施加更高的頻率，驅動電源110的選用范圍更廣，可以根據需要產生所需密度的等離子體，從而提高適用性。擺脫了傳統電極結構的限制，無需將電極作為放置基板的平臺。進一步地，參考圖1，絕緣阻擋件140的上表面143上設有多個凹槽144，多個第二電極130分別 對應地設在凹槽144內，在圖1中,第二電極130的一部分從凹槽144內向上伸出。如圖1-3所示，第一電極120和第二電極130中的每一個均為多個且沿絕緣阻擋件140的橫向(圖1和2中的左右方向)間隔布置。在本發明的一個示例中，如圖2所示，第一電極120和第二電極130均為6個，且分布在絕緣阻擋件140的整個面積上。由此，提高驅動電源140在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，從而擴大等離子體區域的面積。此外,通過改變第一電極120和第二電極130的數量，可以方便地改變放電面積，從而提高適用性。結合圖2，在本發明的進一步實施例中，多個第一電極120和多個第二電極130在絕緣阻擋件140的橫向上交替設置。即在絕緣阻擋件140的橫向上，每個第一電極120分別與兩個第二電極130相鄰、每個第二電極130分別與兩個第一電極120相鄰。由此使絕緣阻擋件140上表面143和下表面142之間的壓差更加均衡，從而當對第一電極120和第二電極130施加電壓后，可以在相鄰的第一電極120和第二電極130之間產生等離子體，由此保證了等離子體的分布更加均勻。
在本發明的一個實施例中，如圖2所示，所述通氣孔141分為多組，所述多組通氣孔沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，第一電極120沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，第二電極130沿絕緣阻擋件140的橫向間隔布置，且在彼此相鄰的第一電極120和第二電極130之間分別設有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個通氣孔。這樣，通氣孔141可以相對均勻地分布在絕緣阻擋件140的整個面積上，提高工藝氣體排出的均勻性。進一步地，多組通氣孔141沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置，第一電極120沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置，第二電極130沿絕緣阻擋件140的橫向等間隔布置。進一步提升工藝氣體的均勻性，且提升了第一電極120和第二電極130之間產生的等離子體的均勻性。如圖2，絕緣阻擋件140為矩形絕緣板140，第一電極120和第二電極130均為條狀，第一電極120沿矩形絕緣板140的縱向(圖2的豎直方向)設在矩形絕緣板140的下表面142上(參見圖1)，第二電極130沿矩形絕緣板140的縱向設在矩形絕緣板140的上表面143上。由此，進一步增加驅動電源110在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，等離子體分布在第一電極120和第二電極130的整個長度上，增加驅動電源110在第一電極120和第二電極130之間放電的面積，提高等離子體的均勻性。在本發明的一個實施例中，絕緣阻擋件140可以由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。具有成本低，易于加工的優點。如圖1所示，本發明實施例的驅動電源110可以為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。隨著驅動電源施加頻率的提高，此種放電結構可有效避免放電時等離子體中的駐波效應，進而提高工藝氣體的利用率，增加產能。圖3為根據本發明實施例的放電組件的變型的示意圖。根據本發明的實施例，可以對放電組件100進行多種變換，如增加第一電極120和第二電極130對的數量，電極對的數量可以根據需要具體設定，如圖3中，電極對1、電極對2、電極對3等。這樣，通過增加或者減少電極對的數量，可以改變等離子體區域的面積，適用范圍更廣，適用于多種腔室裝置。可以理解的是，絕緣阻擋件140的厚度、驅動電源110的頻率、放電電壓、氣壓、以及放電氣體等參數可以用于控制等離子體的密度等參數。根據本發明實施例的放電組件100采用介質阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結構簡單，易于控制，并且可以避免放電時電極之間產生弧光。在用于基板處理設備，例如PECVD設備的腔室裝置時，無需將放置基板的平臺作為下電極。如圖4所示，根據本發明實施例的腔室裝置包括腔室本體101、加熱保溫裝置116、勻流室體109、傳輸裝置115和放電組件100。腔室本體101內具有工藝腔室1011，腔室本體101具有進氣口 102和出氣口 103以及基板進口 105和基板出口 106。加熱保溫裝置116設在所述工藝腔室1011內。所述勻流室體109內具有勻流室1091，所述勻流室體109設在所述工藝腔室1011內且位于所述加熱保溫裝置116上方，所述勻流室體109設有與所述加熱保溫裝置116相對的開口，所述勻流室體109通過所述腔室本體101的進氣口 102與外界連通。所述傳輸裝置115設在所述工藝腔室1011內且位于所述勻流室體109與所述加熱保溫裝置116之間用于將基板104傳入和傳出所述工藝腔室1011。放電組件可以為上述第一方面實施例的基板處理設備的放電組件100，其中所述放電組件100的絕緣阻擋件140設在所述勻流室體109的開口處以封閉所述開口，且所述勻流室109通過所述通氣孔141與所述工藝腔室1011連通。根據本發明實施例的腔室裝置，對放電組件100的第一電極120和第二電極130之間施加驅動電源產生大量等離子體，且在由每一電極對之間產生等離子體(圖4中虛線所示)，從而保證了等離子體分布均勻，并且可以施加更高頻率的驅動電源，此時絕緣阻擋件140可以避免在等離子體中產生駐波效應，從而提高工藝氣體的利用率，增加產能。基板104處于放電組件100的下方，避免等離子體對基板104成膜的傷害，提高基板104成膜質量。此外，絕緣阻擋件140還可以防止在放電組件100的第一電極120和第二電極130之間產生弧光，防止腔室裝置受到損壞，提高腔室裝置的使用壽命。本發明實施例的腔室裝置還可以通過傳輸裝置115實現基板104的傳輸效率，提高腔室裝置的使用效率。另外，該腔室裝置結構簡單，成本低。而且，擺脫了傳統電極結構的限制，在處理基板過程中，基板可以連續傳輸，實現真正的鏈式生產，提高了效率，并且提高了拓展性，例如可以通過增加電極對數目，改變基板104的傳動速度，從而可以成膜速度。如圖4所示，放電組件100的驅動電源110設在所述腔室本體101的外面。這樣便于控制驅動電源Iio對第一電極120和第二電極130之間施加的電源頻率。在本發明的一個實施例中，所述基板104進口 105處設有用于打開和關閉所述基板104的進口 105的進口閥107，所述基板104的出口 106處設有用于打開和關閉所述基板出口的出口閥108。在工藝過程中，進口 105和出口 106關閉，避免外界空氣進入工藝腔室1011，工藝過程結束后，進口 105和出口 106打開，方便基板104的傳入與傳出。在本發明的一個實施例中，所述傳輸裝置115包括沿腔室本體的左右方向彼此間隔設置的多個傳動齒輪。保證基板104更加平穩且快速地傳入與傳出工藝腔室1011。根據本發明實施例的腔室裝置，可以根據需要施加不同頻率的驅動電源從而產生不同密度且分布均勻的等離子體，提高了適用性。根據本發明實施例PECVD設備，包括根據上述實施例描述的腔室裝置。另外，根據本發明實施例的PECVD設備的其他構成以及操作對于本領域普通技術人員而言都是已知的，這里不再詳細描述。在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。盡管已經示出和描述了本發明的實施例，本領域的普通技術人員可以理解:在不脫離本發明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的范圍由權利要求及其等同物限定。
權利要求
1.一種基板處理設備的放電組件，其特征在于，包括: 驅動電源，所述驅動電源具有第一端和第二端； 絕緣阻 擋件，所述絕緣阻擋件具有沿其厚度方向貫通的通氣孔； 多個第一電極，所述第一電極與所述驅動電源的第一端相連且分別設在所述絕緣阻擋件的下表面上；和 多個第二電極，所述第二電極與所述驅動電源的第二端相連且分別設在所述絕緣阻擋件的上表面上且與所述多個第一電極成對設置； 其中每個電極對中的所述第一電極和第二電極在所述絕緣阻擋件的厚度方向上錯開，以使所述第一電極和第二電極產生的等離子體放電區域位于所述絕緣阻擋件下方。
2.根據權利要求1所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件的上表面上設有多個凹槽，所述多個第二電極分別對應地設在所述凹槽內。
3.根據權利要求2所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述通氣孔分為多組，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向間隔布置，在彼此相鄰的所述第一電極和所述第二電極之間分別設有一組所述通氣孔，每組通氣孔包括多個通氣孔。
4.根據權利要求3所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述多組通氣孔沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第一電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置，所述第二電極沿所述絕緣阻擋件的橫向等間隔布置。
5.根據權利要求1所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件為矩形絕緣板，所述第一電極和所述第二電極均為條狀，所述第一電極在所述矩形絕緣板的下表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸，所述第二電極在所述矩形絕緣板的上表面上分別沿所述矩形絕緣板的縱向延伸。
6.根據權利要求1所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述絕緣阻擋件由陶瓷、石英或聚四氟乙烯制成。
7.根據權利要求1所述的基板處理設備的放電組件，其特征在于，所述驅動電源為低頻電源、高頻電源、射頻電源和甚高頻電源之一。
8.一種腔室裝置，其特征在于，包括: 腔室本體，所述腔室本體內具有工藝腔室，所述腔室本體具有進氣口和出氣口以及基板進口和基板出口； 加熱保溫裝置，所述加熱保溫裝置設在所述工藝腔室內； 勻流室體，所述勻流室體內具有勻流室，所述勻流室體設在所述工藝腔室內且位于所述加熱保溫裝置上方，所述勻流室體設有與所述加熱保溫裝置相對的開口，所述勻流室體通過所述腔室本體的進氣口與外界連通； 傳輸裝置，所述傳輸裝置設在所述工藝腔室內且位于所述勻流室體與所述加熱保溫裝置之間用于將基板傳入和傳出所述工藝腔室；和 放電組件，所述放電組件為根據權利要求1-7中任一項所述的基板處理設備的放電組件，其中所述放電組件的絕緣阻擋件設在所述勻流室體的開口處以封閉所述開口且所述勻流室通過所述通氣孔與所述工藝腔室連通。
9.根據權利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述放電組件的驅動電源設在所述腔室本體的外面。
10.根據權利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述基板進口處設有用于打開和關閉所述基板進口的進口閥，所述基板出口處設有用于打開和關閉所述基板出口的出口閥。
11.根據權利要求10所述的腔室裝置，其特征在于，所述傳輸裝置包括沿腔室本體的橫向彼此間隔設置的多個傳動齒輪。
12.—種PECVD設備，其特征在于， 包括根據權利要求8-11中任一項所述的腔室裝置。
全文摘要
本發明提出一種基板處理設備的放電組件，包括具有第一端和第二端的驅動電源；具有沿其厚度方向貫通的通氣孔的絕緣阻擋件；多個第一電極，第一電極與驅動電源的第一端相連且分別設在絕緣阻擋件的下表面上；和多個第二電極，第二電極與驅動電源的第二端相連且分別設在絕緣阻擋件的上表面上且與多個第一電極成對設置；其中每個電極對中的第一電極和第二電極在絕緣阻擋件的厚度方向上錯開，以使第一電極和第二電極產生的等離子體放電區域位于絕緣阻擋件下方。根據本發明的放電組件采用介質阻擋放電(DBD)，具有高的放電電壓，且結構簡單，易于控制。本發明還提出一種腔室裝置和具有該腔室裝置的PECVD設備。
文檔編號C23C16/50GK103187235SQ20111046021
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月31日 優先權日2011年12月31日
發明者張彥召 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司