專利名稱：電磁屏蔽方法及制品的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種電磁屏蔽方法及制品。
背景技術：
現有技術，通常采用真空鍍膜、化學鍍或化學鍍與電鍍相結合等方式在塑料基體上依次形成銅層、不銹鋼防護層，使塑料基體金屬化后具有電磁屏蔽性能。但由于銅、不銹鋼只有導電性而不具有磁性，經上述方法處理后的塑料基體在磁場的屏蔽性能較差，尤其是對工頻(即工業上用的交流電源的頻率，50Hz)的電磁屏蔽性能幾乎為零。
發明內容
鑒于此，本發明提供一種可解決上述問題的電磁屏蔽方法。另外，本發明還提供一種經由上述電磁屏蔽方法制得的制品。一種制品，包括塑料基體及形成于該塑料基體上的金屬復合層，所述金屬復合層由若干第一金屬層及若干第二金屬層交替沉積形成，所述金屬復合層的最外層為第一金屬層或第二金屬層，所述第一金屬層為銅層、銀層或鋰層，所述第二金屬層為鎳層。一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟:
提供塑料基體；
米用真空鍍膜法，于該塑料基體上形成一金屬復合層，所述金屬復合層由若干第一金屬層及若干第二金屬層交替沉積形成，所述第一金屬層為銅層、銀層或鋰層，所述第二金屬層為鎳層；
本發明所述制品包括塑料基體、依次形成于該塑料基體上的金屬復合層、防護層。所述金屬復合層的形成可提高所述制品的電磁屏蔽性能，這是因為:一方面，銅、銀或鋰具有良好的導電性、鎳金屬具有良好的導磁性，使所述金屬復合層對電磁波具有良好的吸收性。另一方面，由于所述金屬復合層是由若干第一金屬層與若干第二金屬層交替形成，當電磁波通過所述金屬復合層時，因第一金屬層與第二金屬層對電磁波的阻抗不同，發生阻抗突變而引起電磁波的反射損耗。所述電磁波的反射損耗在每一第一金屬層與每一第二金屬層都會發生，如此若干第一金屬層與若干第二金屬層的對電磁波的反射損耗的累加，大大增加了電磁波的損耗量。
圖1是本發明一較佳實施例制品的剖視圖。圖2為本發明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。主要元件符號說明_
權利要求
1.一種制品，包括塑料基體，其特征在于:所述制品還包括形成于塑料基體的金屬復合層，所述金屬復合層由若干第一金屬層及若干第二金屬層交替沉積形成，所述金屬復合層的最外層為第一金屬層或第二金屬層，所述第一金屬層為銅層、銀層或鋰層，所述第二金屬層為鎳層。
2.如權利要求1所述的制品，其特征在于:所述金屬復合層的厚度為0.2^0.5 μ m0
3.如權利要求1所述的制品，其特征在于:所述制品還包括形成于所述金屬復合層上的防護層，所述防護層為不銹鋼層、鎳層或鉻層。
4.如權利要求3所述的制品，其特征在于:所述防護層的厚度為0.Γ0.4μπιο
5.如權利要求1所述的制品，其特征在于:所述制品的電磁屏蔽效能為30-60dB。
6.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟: 提供塑料基體； 米用真空鍍膜法，于該塑料基體上形成一金屬復合層，所述金屬復合層由若干第一金屬層及若干第二金屬層交替沉積形成，所述第一金屬層為銅層、銀層或鋰層，所述第二金屬層為鎳層。
7.如權利要求6所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成所述金屬復合層的方法為:采用磁控濺射法，以銅靶、銀靶及鋰靶中任一種與鎳靶為交替開啟的靶材，設置銅靶、銀靶或鋰靶的功率為8 12kW，設置鎳靶的功率為4 7kW ;以氬氣為惰性氣體，設置氬氣的流量為150sccnT240sscm,所述鍍膜溫度為室溫,鍍膜時間為5 15min。
8.如權利要求6所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成防護層的方法為:采用磁控濺射法，以氬氣為反應氣體，設置氬氣的流量為15(T240SScm，以不銹鋼靶、鎳靶及鉻靶中的任一種為靶材，設置不銹鋼靶 、鎳靶或鉻靶的功率為5 10kW，鍍膜時間為5 lOmin。
9.如權利要求6所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:所述制品的制備方法還包括在形成所述金屬復合層之前對所述塑料基體進行噴砂處理的步驟。
10.如權利要求6所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:所述制品的制備方法還包括在所述金屬復合層上形成一防護層的步驟，所述防護層為不銹鋼層、鎳層或鉻層。
全文摘要
本發明提供一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟提供塑料基體；采用真空鍍膜法，于該塑料基體上形成一金屬復合層，所述金屬復合層由若干第一金屬層及若干第二金屬層交替沉積形成，所述第一金屬層為銅層、銀層或鋰層，所述第二金屬層為鎳層。本發明還提供了經由上述電磁屏蔽方法制得的制品。
文檔編號C23C14/35GK103140124SQ20111039548
公開日2013年6月5日 申請日期2011年12月3日 優先權日2011年12月3日
發明者曹達華 申請人:深圳富泰宏精密工業有限公司