專利名稱：濺鍍裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種濺鍍裝置，更具體而言，涉及一種可降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件(anti-film-growing shield)而造成的各種工藝損耗、 進而提高生產率的濺鍍裝置。
背景技術：
例如液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD)、等離子體顯示面板(plasma display panel ；PDP)以及有機發光二極管(organic light emitting diode ；OLED)等平板顯示器或者半導體會經歷例如薄膜沉積、蝕刻等各種工藝并作為產品進行投放。在各種工藝中，薄膜沉積工藝根據主要原理而一般被劃分成兩類。一類是化學氣相沉積(chemical vapor d印osition ;CVD)，而另一類則是物理氣相沉積(physical vapor d印osition ;PVD)，這兩類已根據當前工藝的特征而被廣泛地使用。在CVD中，通過電極將由外部高頻電源轉變成等離子體(plasma)且具有高能量的硅化物離子從噴頭(shower head)噴射出并沉積到基板上。另一方面，在被稱為濺鍍裝置的PVD中，等離子體中的離子被施以足夠的能量來碰撞靶材，然后從靶材選出(即濺射出)的靶材原子被沉積到基板上。當然，除濺鍍方法之外，PVD還采用例如電子束蒸鍍(Ε-beam evaporation)以及熱蒸鍍(thermal evaporation)等各種方法，但需要使用靶材作為濺鍍源來向基板提供沉積材料。在下文中，將采用濺鍍方法的濺鍍裝置稱為PVD。傳統濺鍍裝置包括處理室以及作為濺鍍源的靶材，在該處理室中執行基于濺鍍方法的工藝，該濺鍍源則用于向置于沉積位置上的基板提供沉積材料。同時，在傳統濺鍍裝置中，當具有預定厚度或更大厚度的薄膜沉積到圍繞靶材設置的用于防止膜生長的屏蔽件以及靶材上時，會出現剝落(peeling)，從而造成顆粒、由于在玻璃基板端部處靠近不需要生長膜的部分而造成的短路等各種問題。為最小化此種問題，已作出大量努力來優化用于防止膜生長的屏蔽件的表面上的形狀、照明度等并使用于防止膜生長的屏蔽件的更換周期最大化。然而，如到目前所知，仍須以約5天至15天的某一周期頻繁地進行更換來進行清潔。進一步，在更換期間，不僅需要大量的人力，而且為在停止所更換設備的操作來進行更換之后重新啟動生產，要花費大約 10小時或更多時間來進行各種準備，例如室的真空化、加熱操作以及靶材特征穩定化等。這些工藝損耗一般可降低生產率，因此須準備對策來預防損耗。
發明內容
本發明提供一種可降低由于停止沉積工藝來頻繁更換用于防止膜生長的屏蔽件而造成的各種工藝損耗、從而提高生產率的濺鍍裝置。根據本發明的一方面，提供一種濺鍍裝置，其包括處理室，用以對基板執行沉積工藝，并在其一內側包括靶材；載具，用以在支撐所述基板的同時進出所述處理室；以及用于防止膜生長的屏蔽件，用以隨所述載具一起移動并可分離地耦合至所述載具，并防止在所述基板的邊緣部分上沉積膜。所述用于防止膜生長的屏蔽件可包括耦合本體，可分離地耦合至所述載具；以及屏蔽構件，連接至所述耦合本體并包括一個端部，所述端部在所述載具與所述靶材之間設置于所述基板的所述邊緣部分中。所述屏蔽構件可在一個外側面上包括斜面。所述屏蔽構件可被處理成具有經過壓花的外表面。所述用于防止膜生長的屏蔽件可設置于所述載具的四個側面中。所述濺鍍裝置還可包括驅動滾輪，設置于所述處理室內部，并在接觸所述載具的上部區域或下部區域的同時驅動所述載具；以及導向件，設置于與所述驅動滾輪相對的一側、使所述載具位于所述導向件與所述驅動滾輪之間，并用于引導被驅動的所述載具。所述導向件可包括磁鐵。所述用于防止膜生長的屏蔽件可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)。所述濺鍍裝置還可包括屏蔽件驅動單元，所述屏蔽件驅動單元連接至所述載具及所述用于防止膜生長的屏蔽件并驅動所述用于防止膜生長的屏蔽件，以使所述用于防止膜生長的屏蔽件可在將被設置于所述基板中的設置位置與將從所述基板分離的分離位置之間移動。所述屏蔽件驅動單元可選自旋轉驅動器、線性運動驅動器、以及旋轉及線性運動驅動器。所述濺鍍裝置還可包括加熱室，連接至所述處理室并對穿過所述加熱室的所述基板進行預先加熱；加載互鎖真空室，連接至所述加熱室；以及加載/卸載室，連接至所述加載互鎖真空室，并包括用于向所述加載互鎖真空室中加載所述載具或從所述加載互鎖真空室卸載所述載具的加載/卸載單元。所述加載/卸載單元可包括用于載送所述載具的夾具。所述加載/卸載單元可包括用于載送所述載具的機械手。所述處理室、所述加熱室、所述加載互鎖真空室以及所述加載/卸載室可形成用于直列式工藝的生產線。所述用于直列式工藝的生產線可包括至少一條循環線，并且在所述循環線的循環點處還可設置緩沖室，以用于反轉所述載具或所述基板的方向。所述處理室可包括沿徑向排列的多個處理室，并且還可提供呈群簇形式的傳送室，所述群簇設置于所述加熱室與所述多個處理室之間。
結合附圖閱讀以下詳細說明，將會更清楚地理解本發明的實例性實施例，在附圖中圖1為顯示根據本發明第一實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；圖2為顯示圖1所示靶材區域的結構的剖面圖；圖3至圖7分別顯示用于防止膜生長的屏蔽件或用于驅動用于防止膜生長的屏蔽件的圖1的替代實例性實施例；圖8為顯示根據本發明第二實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；圖9為顯示根據本發明第三實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；圖10為顯示根據本發明第四實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖；以及圖11為顯示根據本發明第五實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。主要元件標記說明
110:處理室110b:處理室IlOc:處理室111:閘閥112:真空泵120:載具120d:載具131:驅動滾輪133:導向件135:加熱器136:加熱器支架140:靶材/旋轉靶材141:陰極墊板142:電源145:乾材旋轉單元150:磁鐵單元151:中心磁鐵152、153:外部磁鐵154:底板160:用于防止膜生長的屏蔽件160a:屏蔽構件160b、160c、 160d、160e:用于防止膜生長的屏蔽件161:耦合本體162:屏蔽構件162a:傾斜面170b、170c、 170d、170e:屏蔽件驅動單元181:加熱室181b:加熱室181c:加熱室182:加載互鎖真空室182a:加載互鎖真空室182b:加載互鎖真空室183:加栽/卸載室183a:加載/卸載室
6183b:加載/卸載室
184:加載/卸載單元/夾具
184a:加載/卸載單元/機械手 185:盒式栽具
186b:緩沖室 A:預定空間
187c:傳送室 E:經過壓花的外表面
S:邊緣部分
具體實施例方式為充分地理解本發明及其優點，須參照用于例示本發明實施例的附圖以及附圖的內容。在下文中，將通過參照附圖解釋實例性實施例來詳細說明本發明。附圖中相同的參考編號指示相同的元件。在參照附圖進行說明之前，下文將要說明的基板可為用于例如液晶顯示器 (liquid crystal display ;LCD)、等離子體顯示面板(plasma display panel ;PDP)、有機發光二極管(organic light emitting diode ；OLED)等平板顯示器的基板、用于太陽能電池(solar cell)的基板、或用于半導體晶圓的基板，然而其術語將被統一標準化為基板。圖1為顯示根據本發明第一實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖，且圖2為顯示圖1所示靶材區域的結構的剖面圖。如圖所示，該實例性實施例中的濺鍍裝置包括處理室110，在處理室110中對基板執行沉積工藝并在一個內側提供靶材140 ；載具120，能夠在支撐基板的同時進出處理室 110 ；以及用于防止膜生長的屏蔽件160，可分離地耦合至載具120并隨載具一起移動以防止在基板的邊緣部分上形成沉積膜。處理室110形成外觀(outer appearance)以及壁本體(wall body)，且在沉積工藝期間被密封以保持高的真空度。為此，如圖1所示意性地顯示，在處理室110的一側提供閘閥(gate valve) 111，且在閘閥111的一側提供真空泵112。因此，如果當閘閥111打開時，真空泵112產生真空壓力，則處理室110的內部可保持高的真空度。盡管未詳細顯示，然而在處理室110的一個側壁處形成開口，以使載具120及基板可經由該開口而進出處理室110。載具120及基板可經由一個開口進出，然而也可通過兩個開口而分別進出。此一開口設置有用于保持真空的閘閥。進一步，在處理室110的一個內側提供靶材140作為濺鍍源，以向基板提供沉積材料。在圖1中，沉積材料是從靶材140直接濺鍍至基板上，然而并不僅限于此。作為另外一種選擇，可在靶材140與基板之間設置單獨的遮罩。如圖2所示，磁鐵單元150設置于靶材140的一側，并在靶材140與基板之間產生用于沉積的磁場。通常，靶材140與磁鐵單元150的區域形成陰極，且基板的區域形成陽極。在該實例性實施例中，靶材140是以旋轉靶材140的形式提供。為此，用于使靶材 140旋轉的靶材旋轉單元145耦合至靶材140的一側。靶材旋轉單元145可被設置成暴露于處理室110的外部，并包括電動機，在該電動機中可設置稍后所要說明的電源142。當然， 無需將本發明限制于圖1及圖2。作為另外一種選擇，靶材140可為平面型靜止靶材(圖中未示出)，且與附圖所示相反，可提供多個靶材。在靶材140與磁鐵單元150之間，以環繞磁鐵單元150的形式提供陰極墊板 (cathode backing plate) 141，以用于設置靶材140且還用于使磁鐵單元150為氣密性的。 陰極墊板 141 連接至射頻(radio frequency ；RF)或直流(direct current ；DC)電源 142。參見圖2，磁鐵單元150設置于靶材140的一側，換句話說，設置于陰極墊板141內部，并用以在靶材140與基板之間產生用于沉積的磁場。磁鐵單元150包括多個磁鐵151至153以及用于支撐磁鐵151至153的底板(kise plate) 154。在該實例性實施例中，這些磁鐵151至153被一體地支撐于底板巧4上，然而并不僅限于此。作為另外一種選擇，這些磁鐵151至153可分別被單獨地支撐于底板IM 上，且其相對于底板154的位置也可有所變化。這可便于容易地控制磁場的流量或強度。磁鐵151至153包括設置于底板154的中心區域的中心磁鐵151、以及設置于中心磁鐵151外側的外部磁鐵152及153。通過該結構，外部磁鐵152及153從底板IM突出至具有低于中心磁鐵151的高度或具有小于中心磁鐵151的體積。這是考慮到磁場的流量或強度而設計的，但可根據需要進行改變。而且，外部磁鐵152與153也可具有不同的尺寸。接著，載具120被設置成在支撐基板的同時進出處理室110。當靶材140被設置于處理室110內部時，載具120可進出處理室110。因此，處理室110設置有開口，載具120 可經由該開口而進出。為驅動(或移動)載具120，提供驅動滾輪131以及導向件133。驅動滾輪131設置于處理室Iio內的下部區域中，并接觸載具120的下部區域以驅動載具120。導向件133 設置于與驅動滾輪131相對的一側、使載具120位于導向件133與驅動滾輪131之間，并用于引導被驅動的載具120。此時，導向件133可為磁鐵。進一步，加熱器135可由加熱器支架136支撐于載具120的一側。同時，用于防止膜生長的屏蔽件160耦合至載具120并隨載具120 —起移動，并防止在基板的邊緣部分S上沉積上膜。當然，傳統濺鍍裝置也設置有用于防止膜生長的屏蔽件(圖中未示出)。然而，由于傳統的用于防止膜生長的屏蔽件被固定在處理室110中的預設位置上，因而如果將具有預定厚度或更大厚度的薄膜沉積到用于防止膜生長的屏蔽件上，則須以約5天至15天的某一周期頻繁地進行更換來進行清潔。在更換期間，不僅需要大量人力，而且為在停止所更換設備的操作來進行更換之后重新啟動生產，要花費大約10小時或更多時間來進行各種準備，例如室真空化、加熱操作以及靶材特征穩定化等。這些工藝損耗一般可降低生產率。然而，在該實例性實施例中，用于防止膜生長的屏蔽件160耦合至能夠進出處理室110的載具120，使得在載具120進入處理室110之前或離開處理室110之后的備用狀態中，可根據需要而更換用于防止膜生長的屏蔽件160。因此，可在不停止沉積工藝的情況下更換用于防止膜生長的屏蔽件160，從而與傳統情形相反，可降低由于頻繁更換而造成的各種工藝損耗，進而提高生產率。如圖1所示，用于防止膜生長的屏蔽件160包括耦合本體161以及屏蔽構件162， 耦合本體161可分離地耦合至載具120，屏蔽構件162則連接至耦合本體161并將一個端部設置于載具120與靶材140之間的基板的邊緣部分中。用于防止膜生長的屏蔽件160可設置于載具120的四個側面中。為此，可以單一
8矩形回路形式或以分別耦合至載具120的四個側面的四個棒材的形式提供用于防止膜生長的屏蔽件160。可通過例如螺栓、粘著、閂鎖等各種方法來實現載具120與耦合本體161之間的耦合。進一步，屏蔽構件162的一個外側面(即實質上用于屏蔽基板的部分的一個外側面)形成有斜面16加。該斜面16 是一種能減小用于防止膜生長的屏蔽件160的重量的設計，但并非是必不可少的。耦合本體161與屏蔽構件162可被成型為一體，但并不僅限于此。至少屏蔽構件 162可選自鋁(Al)、不銹鋼、及鈦(Ti)，但并不僅限于此。作為另外一種選擇，除上述材料之外，還可使用各種合金。通過此種配置，濺鍍裝置的操作方式如下。在處理室110的外部將基板加載于載具120上，并使載具120進入處理室110，以便可將基板放置于沉積位置上。此時，用于防止膜生長的屏蔽件160已將基板的邊緣區域屏蔽。在基板被放置就位時，通過加熱器135加熱基板。與此同時或在加熱之前及之后， 用例如氬氣(Ar)填充處理室110，然后密封處理室110以保持高的真空度。當沉積工藝準備就緒時，電源142對靶材140施加負壓，并且從靶材140釋放的電子與氬氣(Ar)碰撞，進而使氬(Ar)氣電離。經電離的氬氣在電位差作用下朝向靶材140加速，并與靶材140的表面碰撞。此時，從靶材140產生靶材140的原子(即沉積材料)，這些原子下落到基板的沉積表面上，從而可對基板執行沉積工藝。在完成沉積工藝后，釋放處理室中的真空，且在出口被打開的同時使基板隨載具 120 —起經由該出口而離開。然后，新的基板進入處理室，并且重復上述過程。在重復上述沉積工藝期間，當到達需要清潔用于防止膜生長的屏蔽件160的時間點時，可在載具120進入處理室110之前或離開處理室110之后的備用狀態中根據需要而用新的用于防止膜生長的屏蔽件更換用于防止膜生長的屏蔽件160，而不需如傳統情形一樣停止沉積工藝。因此，可在不停止沉積工藝的情況下更換用于防止膜生長的屏蔽件160， 從而與傳統情形相反，可降低各種工藝損耗，進而提高生產率。通過根據本發明的濺鍍裝置的結構及操作，可降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗，進而提高生產率。圖3至圖7分別顯示用于防止膜生長的屏蔽件或用于驅動用于防止膜生長的屏蔽件的圖1的替代實例性實施例。如圖3所示，屏蔽構件160a可被處理成具有經過壓花的外表面E。如果屏蔽構件 160a被處理成具有經過壓花的外表面E，則壓花部分可減少沉積材料在屏蔽構件160a的外表面上的沉積，因此可有利地延長用于防止膜生長的屏蔽構件160a的更換周期。圖4至圖7顯示替代實例，在這些替代實例中，屏蔽件驅動單元170b至170e連接至載具120及用于防止膜生長的屏蔽件160b至160e，并驅動用于防止膜生長的屏蔽件 160b至160e，以使用于防止膜生長的屏蔽件160b至160e可在將被設置于基板中的設置位置與將從基板分離的分離位置之間移動。
參見圖4，屏蔽件驅動單元170b是例如由旋轉驅動器170b實現，旋轉驅動器170b 則可通過鉸鏈等實現。用于防止膜生長的屏蔽件160b通過旋轉驅動器170b而在箭頭方向上從虛線旋轉至實線，從而設置于基板的防止膜生長的側上。參見圖5，屏蔽件驅動單元170c是例如由旋轉及線性運動驅動器170c實現。用于防止膜生長的屏蔽件160c通過旋轉及線性運動驅動器170c而在箭頭方向上線性地移動并接著旋轉，從而設置于基板的防止膜生長的側上。參照圖6，屏蔽件驅動單元170d是例如由線性運動驅動器170d實現。用于防止膜生長的屏蔽件160d通過線性運動驅動器170d而沿基板的縱向方向(如箭頭方向)線性地移動，側設置于基板的防止膜生長的側上。在圖6所示的情形中，需要預定空間A，以使用于防止膜生長的屏蔽件160d向回移動并設置于載具120d上。參見圖7，屏蔽件驅動單元170e是例如由線性運動驅動器170e實現。用于防止膜生長的屏蔽件160d通過屏蔽件驅動單元170e而沿與基板的縱向方向相交的方向(如箭頭方向)線性地移動，從而設置于基板的防止膜生長的側上。結果，即使應用圖3至圖7以及圖1所示的任何結構，也足以使本發明能夠通過降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗， 從而提高生產率。圖8為顯示根據本發明第二實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。在該實例性實施例中，濺鍍裝置包括加熱室181，連接至處理室110并對穿過加熱室181的基板進行預先加熱；加載互鎖真空室182，連接至加熱室181 ；以及加載/卸載室183，連接至加載互鎖真空室182，并具有用于向加載互鎖真空室182中加載載具120及從加載互鎖真空室182卸載載具120的加載/卸載單元184。如圖所示，處理室110、加熱室181、加載互鎖真空室182以及加載/卸載室183可形成用于直列式沉積工藝(in-line deposition process)的生產線。同時，加載/卸載室183中所設置的加載/卸載單元184可由用于載送載具120 的夾具184來實現。據此，通過夾具184將加載有基板的載具120經由加載/卸載室183、加載互鎖真空室182以及加熱室181載送至處理室110中，然后對處理室110中的基板執行沉積工藝。 在完成沉積工藝后，可以相反的順序取出載具120。圖9為顯示根據本發明第三實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有如下的結構在該結構中，加載互鎖真空室 182a設置于處理室110的一側且一對加載/卸載室183a設置于處理室110的相對側。在此種情形中，未形成用于直列式工藝的生產線。在此種情形中，設置于加載/卸載室183a中的加載/卸載單元18 可由用于載送載具120的機械手18 來實現。進一步，盒式載具185可分別圍繞所述一對加載/卸載室183而設置。圖10為顯示根據本發明第四實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有如下的結構在該結構中，類似于圖8所示者，處理室110b、加熱室181b、加載互鎖真空室182b以及加載/卸載室18 形成用于直列式沉積工藝的生產線，但沿箭頭方向上形成循環線。在該實例性實施例中，揭露了兩條循環線。在此種情形中，存在其中沉積工藝的箭頭方向被反轉的部分，且可在該部分中額外地設置緩沖室186b，以用于使載具120或基板反轉方向。圖11為顯示根據本發明第五實例性實施例的濺鍍裝置的結構的示意圖。在該實例性實施例中，濺鍍裝置具有其中將多個處理室IlOc沿徑向排列的結構。在此種情形中，傳送室187c可以群簇形式設置于加熱室181c與多個處理室IlOc 之間。傳送室187c用以通過內部機械手(圖中未示出)將載具或基板從加熱室181c傳送至處理室110c。圖11所示的結構有利地設置于相對狹窄的空間中，進而額外地具有減小占用面積(footprint)的效果。結果，即使應用圖8至圖11以及圖1所示的任何結構，只要用于防止膜生長的屏蔽件160耦合至圖1所示的載具120，也足以使本發明能夠降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件160而造成的各種工藝損耗，從而提高生產率。如上所述，通過降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件而造成的各種工藝損耗，可提高生產率。盡管已參照實例性實施例具體顯示和說明了本發明，然而應理解，在不背離以上權利要求的精神與范圍的條件下，可對本發明作出形式及細節上的各種改變。
權利要求
1.一種濺鍍裝置，其特征在于，包括處理室，用以對基板執行沉積工藝，并在其一內側包括靶材； 載具，用以在支撐所述基板的同時進出所述處理室；以及用于防止膜生長的屏蔽件，用以隨所述載具一起移動并可分離地耦合至所述載具，并防止在所述基板的邊緣部分上沉積膜。
2.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長的屏蔽件包括 耦合本體，可分離地耦合至所述載具；以及屏蔽構件，連接至所述耦合本體并包括一個端部，所述端部在所述載具與所述靶材之間設置于所述基板的所述邊緣部分中。
3.如權利要求2所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽構件在一個外側面上包括斜
4.如權利要求2所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽構件被處理成具有經過壓花的外表面。
5.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長的屏蔽件設置于所述載具的四個側面中。
6.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括驅動滾輪，設置于所述處理室內部，并在接觸所述載具的上部區域或下部區域的同時驅動所述載具；以及導向件，設置于與所述驅動滾輪相對的一側、使所述載具位于所述導向件與所述驅動滾輪之間，并用于引導被驅動的所述載具。
7.如權利要求6所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述導向件包括磁鐵。
8.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于防止膜生長的屏蔽件是選自鋁、不銹鋼、及鈦。
9.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括屏蔽件驅動單元，所述屏蔽件驅動單元連接至所述載具及所述用于防止膜生長的屏蔽件并驅動所述用于防止膜生長的屏蔽件，以使所述用于防止膜生長的屏蔽件可在將被設置于所述基板中的設置位置與將從所述基板分離的分離位置之間移動。
10.如權利要求9所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述屏蔽件驅動單元選自旋轉驅動器、線性運動驅動器、以及旋轉及線性運動驅動器。
11.如權利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，還包括加熱室，連接至所述處理室并對穿過所述加熱室的所述基板進行預先加熱；加載互鎖真空室，連接至所述加熱室；以及加載/卸載室，連接至所述加載互鎖真空室，并包括用于向所述加載互鎖真空室中加載所述載具或從所述加載互鎖真空室卸載所述載具的加載/卸載單元。
12.如權利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述加載/卸載單元包括用于載送所述載具的夾具。
13.如權利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述加載/卸載單元包括用于載送所述載具的機械手。
14.如權利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述處理室、所述加熱室、所述加載互鎖真空室以及所述加載/卸載室形成用于直列式工藝的生產線。
15.如權利要求14所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述用于直列式工藝的生產線包括至少一條循環線，并且在所述循環線的循環點處還設置緩沖室，以用于反轉所述載具或所述基板的方向。
16.如權利要求11所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述處理室包括沿徑向排列的多個處理室，并且還提供呈群簇形式的傳送室，所述群簇設置于所述加熱室與所述多個處理室之間。
全文摘要
本發明揭露一種濺鍍裝置，其包括處理室，用以對基板執行沉積工藝，并在其一內側包括靶材；載具，用以在支撐基板的同時進出處理室；以及用于防止膜生長的屏蔽件，用以隨載具一起移動并可分離地耦合至載具，并防止在基板的邊緣部分上沉積上膜。利用此種配置，可降低由于停止沉積工藝來頻繁地更換用于防止膜生長的屏蔽件而造成的各種工藝損耗，從而提高生產率。
文檔編號C23C14/04GK102373423SQ20111022141
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月25日 優先權日2010年8月11日
發明者劉云鐘, 宋殷鎬, 鄭洪基, 金正熙, 金榮敏 申請人:Sfa工程股份有限公司