專利名稱：大面積磁控鍍膜用真空過渡室的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及到一種鍍膜緩沖裝置，尤其涉及到一種磁控鍍膜生產線用真空緩 沖裝置，屬于金屬鍍膜加工裝置領域。
背景技術：
在現有的大面積鍍膜技術發展中，已由最初的真空蒸發鍍膜發展到現在的等離子 體濺射鍍膜，膜層也由最初的單層金屬膜發展到現在的含有金屬膜、反應膜及陶瓷介質保 護膜的復雜膜系，對鍍膜工藝氣氛的穩定性要求越來越高，不允許在鍍膜基板進出鍍膜室 時造成鍍膜氣氛的不穩定，現有技術中，是在鍍膜區前后端設計兩個真空過渡室，主要根據 基片的最大規格設計，內部無任何隔離，但隨著基片的進出會造成鍍膜區氣氛的不穩定，影 響鍍膜的效果，生產效率低，會造成較多的廢品，浪費原材料。
實用新型內容本實用新型的目的是為了克服現有鍍膜真空過渡室，會造成鍍膜區氣氛的不穩 定，影響鍍膜的效果，結合真空進出口室和鍍膜區的技術要求，提供一種鍍膜區氣氛穩定的 大面積磁控鍍膜用真空過渡室。為了解決上述的技術問題，本實用新型采用的技術方案是大面積磁控鍍膜用真 空過渡室，包括主箱體10，左、右端板20，30，沿口板40，所述主箱體10由中間隔板裝置50 間隔成多個真空腔室60，所述中間隔板裝置50設有通孔70以供鍍膜基片在多個真空腔室 之間通行。進一步優選方案是所述真空腔室60的外部設有分子泵抽真空單元80。進一步優選方案是所述真空腔室60是三個。進一步優選方案是所述通孔70由上擋板71和下擋板72構成。本實用新型的有益效果是，把一個大的真空腔室設成多個真空腔室，保持了鍍膜 區的氣氛穩定，提高鍍膜的加工效率，保證產品質量的一致性和穩定性。
圖1、本實用新型的結構示意圖；圖2、本實用新型中的中間隔板裝置結構示意圖；圖3、部件真空腔室的結構示意圖
具體實施方式
為了更清楚的說明本實用新型采用的技術方案，現結合附圖對本實用新型做進一 步的說明。如圖1、2、3所示，大面積磁控鍍膜生產線用真空過渡室為一個用金屬材料做成的 密閉的大真空腔，一般由主箱體10，左右端板20、30，沿口板構成，左右端板20，30均設有供鍍膜基材通行的通孔，在大真空腔體內用中間隔板裝置50把大真空腔分為三個小真空腔 室60、61、62，，所述中間隔板裝置50設有通孔70，以方便鍍膜基材有一個真空腔室進入下 一個真空腔室，通孔70由上下擋板71、72圍構而成， 在每個真空腔室外部都設有分子泵抽真空單元80，所述分子泵抽真空單元80與 設于真空腔室60外部的法蘭盤緊密連接，所述分子泵抽真空單元80抽取進入真空腔室的 空氣、水氣、介質氣體等雜質，保證鍍膜區氣氛穩定。
權利要求大面積磁控鍍膜用真空過渡室，包括主箱體(10)，左、右端板(20，30)，沿口板(40)，其特征在于所述主箱體(10)由中間隔板裝置(50)間隔成多個真空腔室(60，61，62)，所述中間隔板裝置(50)設有通孔(70)以供鍍膜基片在多個真空腔室之間通行。
2.根據權利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述真空腔室(60)的外部設有分 子泵抽真空單元(80)。
3.根據權利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述真空腔室(60)是三個。
4.根據權利要求1所述的真空過渡室，其特征在于所述通孔(70)由上擋板(71)和 下擋板(72)構成。
專利摘要本實用新型提供了一種磁控鍍膜用真空緩沖裝置。其包括主箱體，左、右端板，沿口板，所述主箱體由中間隔板裝置間隔成多個真空腔室，所述中間隔板裝置設有通孔以供鍍膜基片在多個真空腔室之間通行。本實用新型解決了鍍膜區氣氛穩定的技術問題，提高了鍍膜基材的鍍膜質量、鍍膜效率和穩定性。
文檔編號C23C14/35GK201686740SQ20102018999
公開日2010年12月29日 申請日期2010年5月12日 優先權日2010年5月12日
發明者何玄濤, 朱敏華 申請人:上海子創鍍膜技術有限公司