專利名稱：一種提高膜層損傷閾值的坩堝的制作方法
一種提高膜層損傷閾值的坩堝技術領域：
本發明專利涉及光學鍍膜領域，尤其是一種提高膜層損傷閾值的坩堝。技術背景
目前電子槍鍍膜工藝中采用電子槍產生的電子束加熱金屬坩堝中的膜料使之蒸 發并沉積在基片上形成薄膜，現有技術的缺點是如果加熱溫度非常高或者膜料被打穿使得 部分電子束對坩堝直接加熱，導致微量的坩堝成份隨膜料一起參與蒸發成膜，從而影響膜 層的純度，進而影響膜層損傷閾值，本發明時選用與鍍制膜料一樣的物質通過特殊工藝制 造成的坩堝。該坩堝只裝載與其為統一物質的材料作為膜料，這樣能夠保證鍍制膜層的純 度。由于坩堝的物質成份與膜料一致，及時出現坩堝的成份隨膜料一起蒸發，生成的膜層的 純度也不會被破壞，從而能有效提高鍍制膜層抗損傷能力。
發明內容
本發明采用與鍍膜膜料一樣的材料加工成坩堝，材料可以是Pa2O5，HFO2或SiO2，制 成的坩堝只裝載與坩堝材料一樣的膜料進行鍍膜，保證鍍制膜層的純度。具體實施方式
實施例一采用Si02材料制成坩堝，將Si02膜料放入坩堝中，再將坩堝放入電子 槍鍍膜機中蒸鍍，得到的鍍制膜層損傷閾值較采用普通坩堝大幅提高。
權利要求
1.一種提高膜層損傷閾值的坩堝，采用與鍍制膜料一樣的物質通過特殊工藝制造成的 坩堝。其特征在于該坩堝只裝載與坩堝材料一樣的物質作為膜料。
2.根據權利要求1所述的一種提高膜層損傷閾值的坩堝，其特征在于所述坩堝的材 料可以是 ρει205，HFO2 或 SiO2。
全文摘要
本發明涉及一種提高膜層損傷閾值的坩堝，本發明選用與鍍制膜料一樣的物質通過特殊工藝制造成的坩堝。該坩堝只裝載與其為統一物質的材料作為膜料，這樣能夠保證鍍制膜層的純度。由于坩堝的物質成份與膜料一致，及時出現坩堝的成份隨膜料一起蒸發，生成的膜層的純度也不會被破壞，從而能有效提高鍍制膜層抗損傷能力。
文檔編號C23C14/30GK102031488SQ20101060119
公開日2011年4月27日 申請日期2010年12月23日 優先權日2010年12月23日
發明者韓劍鋒 申請人:福建福晶科技股份有限公司