專利名稱：沉積源、具有該沉積源的沉積裝置和形成薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種沉積源、一種具有該沉積源的沉積裝置和一種形成薄膜的方法。
背景技術(shù)：
通常，使用沉積裝置來沉積各種電子部件例如電子和顯示設(shè)備(例如，半導(dǎo)體、液 晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示設(shè)備)的薄膜。例如，OLED顯示設(shè)備可以包括通過在基底上沉積陽極、一個或多個有機薄膜和陰 極而形成的有機發(fā)射層。有機薄膜可以通過熱沉積工藝在高真空室中形成。例如，基底可以 放置在高真空室的上部，沉積源可以設(shè)置在高真空室的下部?？梢允谷菁{在沉積源的坩堝 中的粉末有機材料蒸發(fā)，蒸發(fā)的有機材料在高真空下以氣體形式分散，因此附著到基底上。 附著的有機材料會固化，從而在基底上形成薄膜。
發(fā)明內(nèi)容
因此，實施例涉及一種沉積源、一種具有該沉積源的沉積裝置和一種形成薄膜的 方法，基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點導(dǎo)致的一個或多個問題。因此，實施例的特征在于提供一種能夠冷卻不用于沉積的坩堝的沉積源，以防止 沉積材料因熱而降解并提高沉積材料的使用效率，另外提供了一種具有該沉積源的沉積裝 置和一種形成薄膜的方法。以上和其它特征及優(yōu)點中的至少一個可以通過提供一種沉積源來實現(xiàn)，所述沉積 源包括第一沉積源部分，所述第一沉積源部分被構(gòu)造為儲存沉積材料；第二沉積源部分， 所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離，并被構(gòu)造為儲存所述沉積材料，所述第 一沉積源部分和所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在加熱或冷卻所述沉積材料時交替地提供 所述沉積材料；供給部分，被構(gòu)造為從所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分接收蒸 發(fā)的沉積材料；噴嘴部分，被構(gòu)造為從所述供給部分接收所述沉積材料。所述第一沉積源部分可以被構(gòu)造為在所述第二沉積源部分被冷卻時加熱儲存在 所述第一沉積源部分中的沉積材料，所述第二沉積源部分可以被構(gòu)造為在所述第一沉積源 部分被冷卻時加熱儲存在所述第二沉積源部分中的沉積材料。所述第一沉積源部分可以包括第一坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第一加 熱器，位于所述第一坩堝上；第一冷卻器，位于所述第一坩堝上；第一供給管，所述第一供 給管將所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積源部分連接；第一閥，所述第一閥被 構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第一供給管，以控制所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積 源部分之間的流通。所述第二沉積源部分可以包括第二坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第二加 熱器，位于所述第二坩堝上；第二冷卻器，位于所述第二坩堝上；第二供給管，所述第二供 給管將所述第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分連接；第二閥，所述第二閥被 構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第二供給管，以控制所述第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分之間的流通。所述供給部分可以包括第三供給管，與所述第一沉積源部分、所述第二沉積源部 分和所述噴嘴部分連接；第三閥，所述第三閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第三供給管，以控制 與所述噴嘴部分的流通。所述噴嘴部分可以包括與所述供給部分連接的主體和安裝在所述主體上的至少 一個噴射口。所述第一坩堝與所述第二坩堝之間的流通可以由所述第一閥和所述第二閥控制， 所述第一坩堝與所述噴嘴部分之間的流通可以由所述第一閥和所述第三閥控制，所述第二 坩堝與所述噴嘴部分之間的流通可以由所述第二閥和所述第三閥控制。在沉積工藝正在進行時，所述第一供給管和所述第二供給管中的一個可以與所述 噴嘴部分處于流通狀態(tài)，所述第一供給管和所述第二供給管中的另一個與所述噴嘴部分隔 離，在所述沉積工藝正在進行時，所述第三供給管可以與所述噴嘴部分處于流通狀態(tài)。在所述沉積工藝完成后，所述第一沉積源部分可以與所述第二沉積源部分處于連 通狀態(tài)，當所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分處于彼此流通狀態(tài)時，所述第一沉 積源部分和所述第二沉積源部分與所述噴嘴部分隔離。以上和其它特征及優(yōu)點中的至少一個還可以通過提供一種沉積裝置來實現(xiàn)，所述 沉積裝置包括沉積室；第一沉積源部分，所述第一沉積源部分被構(gòu)造為儲存沉積材料；第 二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離，并被構(gòu)造為儲存所述沉 積材料，所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在加熱或冷卻所述沉積材料 時交替地向所述沉積室提供所述沉積材料；供給部分，被構(gòu)造為從所述第一沉積源部分和 所述第二沉積源部分接收所述沉積材料；噴嘴部分，被構(gòu)造為從所述供給部分接收所述沉 積材料，所述噴嘴部分被構(gòu)造為將所述沉積材料噴射到所述沉積室中。所述沉積裝置還可以包括具有圖案的掩模，所述掩模設(shè)置在基底和所述噴嘴部分 之間。以上和其它特征及優(yōu)點中的至少一個還可以通過提供一種在基底上沉積材料的 方法來實現(xiàn)，所述方法包括加熱儲存在第一沉積源部分中的沉積材料，以蒸發(fā)所述沉積材 料；冷卻第二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離；冷卻所述第 一沉積源部分，并加熱儲存在第二沉積源部分中的沉積材料，從而將來自所述第一沉積源 部分和所述第二沉積源部分的蒸發(fā)的沉積材料交替地提供到供給部分；將所述蒸發(fā)的沉積 材料從所述供給部分提供到噴嘴部分。所述方法還可以包括提供第一基底，所述第一基底布置為從所述噴嘴部分接收 所述蒸發(fā)的沉積材料；在所述第一基底上形成沉積材料的薄膜；去除其上具有所述薄膜的 所述第一基底；在去除所述第一基底之后提供第二基底，所述第二基底布置為從所述噴嘴 部分接收蒸發(fā)的沉積材料。可以在去除所述第一基底時將蒸發(fā)的沉積材料從所述第一沉積源部分提供到所 述第二沉積源部分。所述第一沉積源部分可以包括第一坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第一加 熱器，位于所述第一坩堝上；第一冷卻器，位于所述第一坩堝上；第一供給管，所述第一供 給管將所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積源部分連接；第一閥，所述第一閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第一供給管，以控制所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積 源部分之間的流通。所述第二沉積源部分可以包括第二坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材 料；第二加熱器，位于所述第二坩堝上；第二冷卻器，位于所述第二坩堝上；第二供給管，所 述第二供給管將所述第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分連接；第二閥，所述 第二閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第二供給管，以控制所述第二坩堝與所述供給部分和所述 第一沉積源部分之間的流通。所述供給部分可以包括第三供給管，將所述第一沉積源部 分、所述第二沉積源部分和所述噴嘴部分連接；第三閥，所述第三閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所 述第三供給管，以控制與所述噴嘴部分的流通，在去除所述第一基底時將蒸發(fā)的沉積材料 從所述第一沉積源部分提供到所述第二沉積源部分的步驟可以包括在關(guān)閉所述第三閥的 同時打開所述第一閥和所述第二閥。當提供所述第二基底并且儲存在所述第一坩堝中的沉積材料的量足以在所述第 二基底上形成薄膜時，可以通過所述第一供給管和所述第三供給管將沉積材料從所述第一 坩堝提供到所述噴嘴部分?？梢越?jīng)由所述第一供給管和所述第三供給管將所述沉積材料從所述第一坩堝提 供到所述第二基底，所述第一閥和所述第三閥是打開的，所述第二閥可以是關(guān)閉的以隔離 所述第二坩堝。當提供所述第二基底并且儲存在所述第一坩堝中的沉積材料的量用完或者不足 以在所述第二基底上形成薄膜時，停止所述第二冷卻器，可以使用所述第二加熱器加熱所 述第二坩堝以加熱儲存在所述第二坩堝中的所述沉積材料，可以停止所述第一加熱器，并 可以使用所述第一冷卻器冷卻所述第一坩堝?？梢栽诩訜崴龅诙釄逯笳舭l(fā)儲存在所述第二坩堝中的沉積材料，通過所述 第二供給管和所述第三供給管將沉積材料從所述第二坩堝提供到所述噴嘴部分。通過所述第二供給管和所述第三供給管將所述沉積材料從所述第二坩堝提供到 所述噴嘴部分的步驟可以包括關(guān)閉所述第一閥并且打開所述第二閥和所述第三閥。
通過參考附圖詳細描述示例實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，以上和其它特征 和優(yōu)點將變得更加明顯，在附圖中圖1示出了根據(jù)示例實施例的沉積裝置的示意圖；圖2示出了根據(jù)示例實施例的沉積源的示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)在，在下文中將參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以以不 同形式來實施，不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實施例。相反，提供這些實施例使本公開 將是徹底的且完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了 清晰地示出，會夸大層和區(qū)域的尺寸。相同的標號始終表示相同的元件。圖1示出了根據(jù)示例實施例的沉積裝置的示意圖，圖2示出了根據(jù)示例實施例的 沉積源的示意圖。參照圖1和圖2，沉積裝置1可以包括室5。室5可以被構(gòu)造為在其中容納基底S。沉積裝置1還可以包括沉積源10，沉積源10用于噴射將要沉積在基底S上的沉積材料?；?底S和沉積源10可以布置為彼此相對。例如，如圖1所示，基底S可以設(shè)于室5內(nèi)部的上 部，沉積源10可以設(shè)于室5內(nèi)部的下部。可以將室5排空。例如，可以通過真空泵(未示出)將室5的內(nèi)部保持在真空。其上具有圖案的掩模M可以設(shè)置在基底S和沉積源10之間。沉積材料可以根據(jù) 掩模M的圖案沉積在基底S上。沉積源10可以包括多個沉積源，例如第一沉積源部分20和第二沉積源部分30。 沉積源10還可以包括供給部分40和噴嘴部分50。第一沉積源部分20和第二沉積源部分30可以儲存沉積材料。第一沉積源部分20 和第二沉積源部分30可以交替地提供沉積材料。第一沉積源部分20和第二沉積源部分30 可以各自被構(gòu)造為將其中儲存的沉積材料蒸發(fā)和冷卻。當?shù)谝怀练e源部分20提供沉積材料時，第二沉積源部分30可以被隔離，即，第二 沉積源部分30可以不提供沉積材料。當?shù)诙练e源部分30提供沉積材料時，第一沉積源 部分20可以不提供沉積材料。根據(jù)工藝環(huán)境，沉積材料可以儲存在第一沉積源部分20和第二沉積源部分30中。 在另一實施方案中，沉積材料可以最初僅儲存在第一沉積源部分20和第二沉積源部分30 中的一個中。第一沉積源部分20和第二沉積源部分30可以被構(gòu)造為例如在基底被裝載/ 卸載的時段期間使沉積材料在彼此之間例如雙向地移動。沉積材料可以包括例如金屬、有機材料、無機材料等。例如，沉積材料可以包括用 于形成有機發(fā)光二極管(OLED)的有機層的材料。第一沉積源部分20可以包括儲存有沉積材料的第一坩堝21以及均安裝在第一坩 堝21中的第一加熱器22和第一冷卻器23。第一加熱器22可以向第一坩堝21提供熱，由 此加熱第一坩堝21。第一冷卻器23可以吸收來自第一坩堝21的熱，由此冷卻第一坩堝21。 因此，第一加熱器22可以加熱第一坩堝21，或者第一冷卻器23可以冷卻第一坩堝21，從而 將儲存在第一坩堝21中的沉積材料加熱或冷卻。第一沉積源部分20可以包括第一供給管對，第一供給管M將第一坩堝21連接到 供給部分40，并將第一坩堝21連接到第二沉積源部分30。第一沉積源部分20可以包括第 一閥25，第一閥25安裝在第一供給管M上，并被構(gòu)造為控制經(jīng)過第一供給管M的沉積材 料的移動。第一加熱器22可以被構(gòu)造為使得加熱裝置圍繞第一坩堝21。加熱裝置可以包括 加熱絲。第一冷卻器23可以被構(gòu)造為使得冷卻裝置圍繞第一坩堝21。冷卻裝置可以包括 冷卻氣體或水流經(jīng)的冷卻線路。為了有效地加熱或冷卻第一坩堝21，第一加熱器22優(yōu)選地形成為不與第一冷卻 器23疊置。第二沉積源部分30可以包括儲存有沉積材料的第二坩堝31以及均安裝在第二坩 堝31中的第二加熱器32和第二冷卻器33。第二加熱器32可以向第二坩堝31提供熱，由 此加熱第二坩堝31。第二冷卻器33可以吸收來自第二坩堝31的熱，由此冷卻第二坩堝31。第二加熱器32可以加熱第二坩堝31，或者第二冷卻器33可以冷卻第二坩堝31，從而加熱或冷卻儲存在第二坩堝31中的沉積材料。第二沉積源部分30可以包括第二供給管34，第二供給管34將第二坩堝31連接 到供給部分40，并將第二坩堝31連接到第一沉積源部分20。第二沉積源部分30可以包括 第二閥35，第二閥35安裝在第二供給管34上，并控制經(jīng)過第二供給管34的沉積材料的移 動。第二加熱器32可以被構(gòu)造為使得加熱裝置圍繞第二坩堝31。加熱裝置可以包括 加熱絲。第二冷卻器33可以被構(gòu)造為使得冷卻裝置圍繞第二坩堝31。冷卻裝置可以包括 冷卻氣體或水流經(jīng)的冷卻線路。為了有效地加熱或冷卻第二坩堝31，第二加熱器32優(yōu)選地被形成為不與第二冷 卻器33疊置。供給部分40可以連接到第一沉積源部分20、第二沉積源部分30和噴嘴部分50， 并可以用作從第一沉積源部分20和/或第二沉積源部分30提供的沉積材料所流經(jīng)的通 道。沉積材料可以通過供給部分40提供到噴嘴部分50。此外，沉積材料可以通過按“T” 形結(jié)合到供給部分40的一部分的流動路徑從第一沉積源部分20提供到第二沉積源部分 30 (和/或從第二沉積源部分30提供到第一沉積源部分20)。供給部分40可以包括第三供給管41，第三供給管41將第一沉積源部分20和第二 沉積源部分30中的每個與噴嘴部分50連接。供給部分40可以包括安裝在第三供給管41 上的第三閥42，第三閥42控制(從第一沉積源部分20和/或第二沉積源部分30提供的) 沉積材料到噴嘴部分50的移動。第一沉積源部分20的第一供給管M、第二沉積源部分30的第二供給管34和供給 部分40的第三供給管41可以彼此連接。可以通過各個閥25、35、42中的一個或多個閥的 操作來控制流通(flow communication)。噴嘴部分50可以與供給部分40連接，并可以用于將從供給部分40提供的蒸發(fā)的 沉積材料經(jīng)由掩模M噴射到室5中，例如噴射到基底S上。噴嘴部分50可以包括與供給部 分40連接的主體51和安裝在主體51上的至少一個噴射口 52?，F(xiàn)在將描述使用在圖1中示出的沉積裝置1在基底S上沉積沉積材料并形成薄膜 的方法。為了以下描述目的，假設(shè)第一沉積源部分20首先提供沉積材料。此外，假設(shè)第一 沉積源部分20最初儲存沉積材料，而第二沉積源部分30最初不儲存沉積材料。然而，實施 例不限于此操作順序。首先，當將基底S設(shè)于室5中時，可以通過真空泵將室5保持在真空。當沉積材料將要被沉積時，第一沉積源部分20可以通過供給部分40將沉積材料 提供到噴嘴部分50，第二沉積源部分30可以被隔離，即可以不提供沉積材料。例如，當?shù)谝患訜崞?2加熱第一坩堝21時，儲存在第一坩堝21中的沉積材料會 因熱而蒸發(fā)，從而蒸發(fā)的沉積材料沿著第一供給管M移動。沿著第一供給管M移動的沉 積材料可以通過供給部分40的第三供給管41提供到噴嘴部分50。噴嘴部分50可以朝基底S噴射沉積材料。噴射的沉積材料可以通過掩模M沉積 在基底S上，從而在基底S上形成圖案與掩模M對應(yīng)的薄膜。此時，第一沉積源部分20的第一閥25可以保持打開，使得第一供給管M是打開的，即處于流通狀態(tài)。供給部分40的第三閥42還可以保持為打開，使得第三供給管41是 打開的。同時，第二沉積源部分30的第二閥35可以保持關(guān)閉，使得第二供給管34是關(guān)閉 的。因此，可以防止沉積材料沿著第二供給管34移動。此外，在來自第一沉積源部分20的沉積期間，可以通過第二冷卻器33的操作來冷 卻第二坩堝31，使得第二沉積源部分30可以保持冷卻。當完成向基底S上的沉積時，可以將其上具有薄膜的基底S從室5卸載，并可以將 其上將要形成薄膜的新的基底S裝載到室5中。在卸載和裝載基底的同時，可以改變第一閥25和第三閥42的打開狀態(tài)以及第二 閥35的關(guān)閉狀態(tài)(即，用于沉積的閥狀態(tài))，使得第一閥25和第二閥35保持打開，并且第 三閥42保持關(guān)閉。在這種構(gòu)造中，從第一沉積源部分20提供的沉積材料不移動到噴嘴部 分50，而是移動到第二沉積源部分30。如上所述，在不發(fā)生基底沉積的時段期間，可以提供從第一沉積源部分20到第二 沉積源部分30的流通。當冷卻第二沉積源部分30時，因來自第一坩堝21的熱而蒸發(fā)的沉 積材料會聚集并儲存在第二坩堝31中。沉積材料在冷卻時可以是粉末形式。因此，在不執(zhí) 行材料的沉積時，蒸發(fā)的沉積材料可以例如作為粉末而儲存在第二坩堝31中。因此，可以 減少或防止沉積材料因熱而降解(degrade)，并可以提高沉積材料的使用效率。當完成基底S的卸載和裝載時，可以再次執(zhí)行沉積工藝，從而在第二個裝載的基 底S上形成薄膜。如果儲存在第一坩堝21中的沉積材料的量足夠，則可以打開第三閥42， 使得沉積材料通過供給部分40從第一沉積源部分20提供到噴嘴部分50。相反，如果儲存在第一坩堝21中的沉積材料的量不足或用完，則可以關(guān)閉第一閥 25，并可以打開第二閥35和第三閥42。為了冷卻第一坩堝21，第一沉積源部分20可以被構(gòu)造為停止第一加熱器22的操 作以及開始第一冷卻器23的操作。為了加熱第二坩堝31，第二沉積源部分30可以被構(gòu)造 為停止第二冷卻器33的操作以及開始第二加熱器32的操作。因此，可以通過第二加熱器32的操作來加熱第二坩堝31，可以使儲存在第二坩堝 31中的沉積材料蒸發(fā)，并通過供給部分40提供到噴嘴部分50。噴嘴部分50可以朝基底S 噴射沉積材料，噴射的沉積材料可以通過掩模M沉積在基底S上，從而形成薄膜?？梢灾貜?fù)包括在第一沉積源部分20和第二沉積源部分30之間交換沉積材料的沉 積操作，直到儲存在第一沉積源部分20和第二沉積源部分30中的沉積材料用完或不足以 形成任何更多的薄膜為止。如上所述，實施例涉及沉積源以及具有該沉積源的沉積裝置和形成薄膜的方法， 所述沉積源能夠防止沉積材料因熱而改性或降解，并能夠提高沉積材料的使用效率?？梢?在不執(zhí)行沉積時將蒸發(fā)的沉積材料儲存在冷卻的坩堝中，并且可以通過隨后的加熱循環(huán)將 沉積材料從冷卻的坩堝再提供到基底。 沉積源可以各自配備有位于其中的坩堝和在其周圍的熱絲加熱器。當通過電能向 熱絲加熱器提供動力時，其加熱絲是耐熱的從而發(fā)射輻射熱，可以使用該紅外線輻射熱來 加熱坩堝。沉積源可以被構(gòu)造為用作線性沉積源，該線性沉積源可以用于在大區(qū)域的基底 上均勻地沉積材料。例如，線性沉積源可以沿長度方向安裝，使得其尺寸對應(yīng)于基底的尺
為了提高作為線性沉積源優(yōu)點的低材料使用效率，可以將坩堝與沉積噴嘴單元分 離，并可以將截止閥應(yīng)用在坩堝和沉積噴嘴單元之間?？梢詢H打開截止閥，以執(zhí)行沉積。關(guān) 閉截止閥可以有助于防止沉積材料的浪費，并可以有助于延長維修操作之間的時段。此外， 在將截止閥關(guān)閉時，通過將加熱的坩堝放置為與冷卻的另一坩堝處于流通狀態(tài)，可以避免 坩堝中的壓力升高，因此減少或防止了其中的沉積材料的降解。這可以有助于避免在沉積 操作期間沉積材料的降解，由此提高了沉積裝置和操作的產(chǎn)率和可靠性。在此已經(jīng)公開了示例實施例，雖然采用了具體術(shù)語，但是這些術(shù)語僅是以一般的 且描述性的意思來使用和解釋，其目的并不在于限制。例如，各個沉積源部分可向?qū)?yīng)的基 底提供蒸發(fā)的沉積源材料(例如，使得第一基底接收從第一沉積源部分提供的蒸發(fā)的沉積 材料，第二基底接收從第二沉積源部分提供的蒸發(fā)的沉積材料)，或者可各自向一系列基底 提供蒸發(fā)的材料，或者它們的組合。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，在不脫離如權(quán)利 要求書闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在形式和細節(jié)方面做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種沉積源，所述沉積源包括第一沉積源部分，所述第一沉積源部分被構(gòu)造為儲存沉積材料； 第二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離，并被構(gòu)造為儲存 所述沉積材料，所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在加熱或冷卻所述沉 積材料時交替地提供所述沉積材料；供給部分，所述供給部分被構(gòu)造為從所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分接收 蒸發(fā)的沉積材料；噴嘴部分，所述噴嘴部分被構(gòu)造為從所述供給部分接收所述沉積材料。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積源，其中所述第一沉積源部分被構(gòu)造為在所述第二沉積源部分被冷卻時加熱儲存在所述第一 沉積源部分中的沉積材料，所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在所述第一沉積源部分被冷卻時加熱儲存在所述第二 沉積源部分中的沉積材料。
3.如權(quán)利要求1所述的沉積源，其中，所述第一沉積源部分包括 第一坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第一加熱器，位于所述第一坩堝上； 第一冷卻器，位于所述第一坩堝上；第一供給管，所述第一供給管將所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積源部分 連接；第一閥，所述第一閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第一供給管，以控制所述第一坩堝與所 述供給部分和所述第二沉積源部分之間的流通。
4.如權(quán)利要求3所述的沉積源，其中，所述第二沉積源部分包括 第二坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第二加熱器，位于所述第二坩堝上； 第二冷卻器，位于所述第二坩堝上；第二供給管，所述第二供給管將所述第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分 連接；第二閥，所述第二閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第二供給管，以控制所述第二坩堝與所 述供給部分和所述第一沉積源部分之間的流通。
5.如權(quán)利要求4所述的沉積源，其中，所述供給部分包括第三供給管，與所述第一沉積源部分、所述第二沉積源部分和所述噴嘴部分連接； 第三閥，所述第三閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第三供給管，以控制與所述噴嘴部分的 流通。
6.如權(quán)利要求5所述的沉積源，其中，所述噴嘴部分包括 主體，與所述供給部分連接；安裝在所述主體上的至少一個噴射口。
7.如權(quán)利要求5所述的沉積源，其中所述第一坩堝與所述第二坩堝之間的流通由所述第一閥和所述第二閥控制， 所述第一坩堝與所述噴嘴部分之間的流通由所述第一閥和所述第三閥控制，所述第二坩堝與所述噴嘴部分之間的流通由所述第二閥和所述第三閥控制。
8.如權(quán)利要求4所述的沉積源，其中在沉積工藝正在進行時，所述第一供給管和所述第二供給管中的一個與所述噴嘴部分 處于流通狀態(tài)，所述第一供給管和所述第二供給管中的另一個與所述噴嘴部分隔離， 在所述沉積工藝正在進行時，所述第三供給管與所述噴嘴部分處于流通狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的沉積源，其中，在所述沉積工藝完成后，所述第一沉積源部分與 所述第二沉積源部分處于連通狀態(tài)，當所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分處于彼 此流通狀態(tài)時，所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分與所述噴嘴部分隔離。
10.一種沉積裝置，所述沉積裝置包括 沉積室；第一沉積源部分，所述第一沉積源部分被構(gòu)造為儲存沉積材料； 第二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離，并被構(gòu)造為儲存 所述沉積材料，所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在加熱或冷卻所述沉 積材料時交替地向所述沉積室提供所述沉積材料；供給部分，被構(gòu)造為從所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分接收所述沉積材料；噴嘴部分，被構(gòu)造為從所述供給部分接收所述沉積材料，所述噴嘴部分被構(gòu)造為將所 述沉積材料噴射到所述沉積室中。
11.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置，所述沉積裝置還包括具有圖案的掩模，所述掩模 設(shè)置在基底和所述噴嘴部分之間。
12.一種在基底上沉積材料的方法，所述方法包括加熱儲存在第一沉積源部分中的沉積材料，以蒸發(fā)所述沉積材料； 冷卻第二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離； 冷卻所述第一沉積源部分，并加熱儲存在第二沉積源部分中的沉積材料，從而將來自 所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分的蒸發(fā)的沉積材料交替地提供到供給部分； 將所述蒸發(fā)的沉積材料從所述供給部分提供到噴嘴部分。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括提供第一基底，所述第一基底布置為從所述噴嘴部分接收蒸發(fā)的沉積材料； 在所述第一基底上形成沉積材料的薄膜； 去除其上具有所述薄膜的所述第一基底；在去除所述第一基底之后提供第二基底，所述第二基底布置為從所述噴嘴部分接收蒸 發(fā)的沉積材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在去除所述第一基底時將蒸發(fā)的沉積材料從所 述第一沉積源部分提供到所述第二沉積源部分。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一沉積源部分包括第一坩堝，被構(gòu)造為儲存沉積材料；第一加熱器，位于所述 第一坩堝上；第一冷卻器，位于所述第一坩堝上；第一供給管，所述第一供給管將所述第一 坩堝與所述供給部分和所述第二沉積源部分連接；第一閥，所述第一閥被構(gòu)造為打開和關(guān) 閉所述第一供給管，以控制所述第一坩堝與所述供給部分和所述第二沉積源部分之間的流所述第二沉積源部分包括第二坩堝，被構(gòu)造為儲存所述沉積材料；第二加熱器，位于 所述第二坩堝上；第二冷卻器，位于所述第二坩堝上；第二供給管，所述第二供給管將所述 第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分連接；第二閥，所述第二閥被構(gòu)造為打開 和關(guān)閉所述第二供給管，以控制所述第二坩堝與所述供給部分和所述第一沉積源部分之間 的流通，所述供給部分包括第三供給管，將所述第一沉積源部分、所述第二沉積源部分和所述 噴嘴部分連接；第三閥，所述第三閥被構(gòu)造為打開和關(guān)閉所述第三供給管，以控制與所述噴 嘴部分的流通，在去除所述第一基底時將蒸發(fā)的沉積材料從所述第一沉積源部分提供到所述第二沉 積源部分的步驟包括在關(guān)閉所述第三閥的同時打開所述第一閥和所述第二閥。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，當提供所述第二基底并且儲存在所述第一坩堝 中的沉積材料的量足以在所述第二基底上形成薄膜時，通過所述第一供給管和所述第三供 給管將沉積材料從所述第一坩堝提供到所述噴嘴部分。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，通過所述第一供給管和所述第三供給管將沉積 材料從所述第一坩堝提供到所述第二基底，所述第一閥和所述第三閥是打開的，所述第二 閥是關(guān)閉的以隔離所述第二坩堝。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，當提供所述第二基底并且儲存在所述第一坩堝 中的沉積材料的量用完或者不足以在所述第二基底上形成薄膜時，停止所述第二冷卻器， 使用所述第二加熱器加熱所述第二坩堝以加熱儲存在所述第二坩堝中的沉積材料，停止所 述第一加熱器，并使用所述第一冷卻器冷卻所述第一坩堝。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，在加熱所述第二坩堝之后蒸發(fā)儲存在所述第二 坩堝中的沉積材料，通過所述第二供給管和所述第三供給管將沉積材料從所述第二坩堝提 供到所述噴嘴部分。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，通過所述第二供給管和所述第三供給管將沉積 材料從所述第二坩堝提供到所述噴嘴部分的步驟包括關(guān)閉所述第一閥并且打開所述第二 閥和所述第三閥。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種沉積源、一種具有該沉積源的沉積裝置和一種形成薄膜的方法。所述沉積源包括第一沉積源部分，所述第一沉積源部分被構(gòu)造為儲存沉積材料；第二沉積源部分，所述第二沉積源部分與所述第一沉積源部分分離，并被構(gòu)造為儲存所述沉積材料，所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分被構(gòu)造為在加熱或冷卻所述沉積材料時交替地提供所述沉積材料；供給部分，被構(gòu)造為從所述第一沉積源部分和所述第二沉積源部分接收蒸發(fā)的沉積材料；噴嘴部分，被構(gòu)造為從所述供給部分接收所述沉積材料。
文檔編號C23C16/448GK102134707SQ20101056982
公開日2011年7月27日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者盧喆來, 宋賢根, 崔丞鎬, 李康逸, 鄭石源 申請人:三星移動顯示器株式會社