專利名稱：具有交替電磁場的矩形平面磁控靶的制作方法
技術領域：
本發明涉及濺射鍍膜設備技術領域，特別是涉及一種具有交替電磁場的矩形平面 磁控靶結構。
背景技術：
現代薄膜技術經過半個世紀的發展，其應用已遍及國民經濟各個領域。高速低溫 的濺射鍍膜設備已在各個行業中廣泛應用，它可以在任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。目 前市場使用的矩形平面靶，如圖1所示，這種靶的磁體采用永磁體(鍶鐵氧體或鋁鎳鈷等)， 矩形平面靶結構簡單，通用性強。但實際使用過程中因為磁場分布及水平場強的局限性，如 圖2和3所示，靶材利用率極低只有30%左右，極大的浪費了成本，并在更換維護過程中消 耗大量勞動力成本與設備成本。同時永磁體在使用過程中會產生一種漸變的消磁過程，在 生產過程中產品的品質受到此磁場變化的影響，穩定性差。
發明內容
為了解決現有技術中矩形平面磁控靶中永磁體磁場分布及水平場強的局限性，造 成靶材利用率較低，同時永磁體磁性穩定性較差的問題，本發明提供了一種結構簡單，使用 方便，能夠增加靶材利用率的具有交替電磁場的矩形平面磁控靶。為了達到上述目的，本發明所采用的技術方案是一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于還包括磁 體，所述磁體設置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設置。本發明的有益效果是本發明設有兩組交替的電磁鐵，通過電流方向與通電的有 無來啟動其中一個或二個電磁鐵，使靶材能夠交錯平均消耗，靶材利用率可提升到65%左 右，降低了靶材成本，延長換靶周期降低停機時間。并可根據產品的不同改變電流的大小來 改變磁場的強弱，以達到產能最優化的性價比。電磁鐵在使用過程中不會產生消磁現象，能 夠穩定產品的品質，節約了成本。
圖1是現有技術矩形平面磁控靶中永磁體的結構示意圖；圖2是現有技術矩形平面磁控靶靶材本體結構示意圖；圖3是現有技術矩形平面磁控靶消耗后靶材本體結構示意圖；圖4是本發明矩形平面磁控靶交替電磁場的分布結構示意圖；圖5是本發明具有交替電磁場的矩形平面磁控靶結構示意圖；圖6是本發明矩形平面磁控靶消耗后靶材本體結構示意圖。
具體實施例方式如圖所示，圖1是現有技術矩形平面磁控靶中永磁體的結構示意圖；圖2是現有技 術矩形平面磁控靶靶材本體結構示意圖；圖3是現有技術矩形平面磁控靶消耗后靶材本體 結構示意圖；圖4是本發明矩形平面磁控靶交替電磁場的分布結構示意圖；圖5是本發明 具有交替電磁場的矩形平面磁控靶結構示意圖；圖6是本發明矩形平面磁控靶消耗后靶材 本體結構示意圖。下面結合附圖對本發明做進一步的描述。如圖1所示，一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體1和磁2體， 所述磁體2設置在靶材本體1的上部，所述磁體2包含電磁鐵3和電磁鐵4，電磁鐵3和電 磁鐵4相互交叉設置，可形成兩組交錯的磁場，其磁場分布均勻穩定，通過電流方向與通電 的有無來啟動其中一個或二個電磁鐵，并可根據產品的不同來改變電流的大小來改變磁場 的強弱，靶材可達到較高的使用效率，產品的品質也較為穩定。顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員 應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明 的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和 改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效 物界定。
權利要求
一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于還包括磁體，所述磁體設置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設置。
全文摘要
本發明公開了一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，涉及濺射鍍膜設備技術領域，包括靶材本體，其特征在于還包括磁體，所述磁體設置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設置。本發明解決了現有技術矩形平面磁控靶中永磁體磁場分布及水平場強的局限性，造成靶材利用率較低，靶材利用率在30％左右，同時永磁體磁性穩定性較差的問題，本發明提供了一種結構簡單，使用方便，能夠增加靶材利用率的具有交替電磁場的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65％左右，降低了靶材成本，延長換靶周期降低停機時間。同時本發明采用電磁鐵在使用過程中不會產生消磁現象，能夠穩定產品的品質，節約了成本。
文檔編號C23C14/35GK101935822SQ20101016881
公開日2011年1月5日 申請日期2010年5月11日 優先權日2010年5月11日
發明者黃國興 申請人:赫得納米科技(昆山)有限公司