專利名稱：鍍膜系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍膜系統，特別涉及一種連續式鍍膜系統。
背景技術：
隨著電子產品外觀設計的不斷發展，需要在電子產品的外殼上鍍制具備高金屬質感和各種色彩飽滿的多層膜系。現有的鍍膜設備大多采用在單一腔體里以反應式磁控濺射鍍膜的方法對電子產品的外殼進行鍍膜。然而，反應式磁控濺射的靶材離化率較低，靶材離子的附著能力差，在電子產品外殼的外觀幾何形狀日趨復雜的情況下，容易因電子產品外殼在結構上的相互遮蔽而產生鍍膜不良的現象，如產品邊緣異色、膜厚不均所引起的物性不良(不耐磨、硬度低)等。其次，在現有鍍膜設備的單一腔體內通常只能濺鍍一種材料的膜層。當需要鍍多層不同材料的膜系時則需要連續地更換靶材，從而會延長鍍膜時間，增加電子產品的成本。
發明內容
鑒于此，有必要提供一種可連續濺鍍多層膜系的鍍膜系統。一種鍍膜系統，其用于對多個被鍍工件進行不間斷地循環鍍膜。所述鍍膜系統包括至少兩個鍍膜腔、至少兩個緩沖腔、傳輸裝置、進料機構、出料機構、電弧靶座及抽氣裝置。所述鍍膜腔與所述緩沖腔相互交替地連接成一循環閉合回路。所述其中一個緩沖腔上設置有所述進料機構及出料機構。所述抽氣裝置分別與所述鍍膜腔及緩沖腔連接以進行抽真空操作。所述傳輸裝置設置在所述鍍膜腔及緩沖腔內以傳送被鍍工件。所述電弧靶座設置在所述鍍膜腔內，用于激發出離化的靶材離子以沉積在被鍍工件上形成膜層。所述被鍍工件通過所述進料機構導入所述循環閉合回路，并在所述傳輸裝置的傳送下在循環閉合回路中連續地循環鍍膜，直至完成鍍膜后通過所述出料機構引出。相對于現有技術，本發明所提供的鍍膜系統通過電弧放電所具有的高能量，提高了靶材的離化率及靶材離子的能量，從而使得所鍍的膜層具有較高的硬度和較好的附著力。另外，所述鍍膜系統采用交替相連的鍍膜腔和緩沖腔以形成循環閉合的鍍膜空間，從而使得鍍膜工序可不間斷地循環進行，大大地提高所述鍍膜系統的鍍膜效率。
圖1為本發明實施方式所提供的鍍膜系統的結構示意圖。主要元件符號說明鍍膜系統1被鍍工件2鍍膜腔10緩沖腔11傳輸裝置12
進料機構13
出料機構14
抽氣裝置15
連接閥門16
第一側面100
第二側面102
電弧靶座104
靶材104a
勵磁線圈106
冷卻裝置108
一級真空泵150
二級真空泵152
三級真空泵154
傳輸帶120
驅動馬達12具體實施例方式如圖1所示，本發明實施方式所提供的鍍膜系統1用于對多個被鍍工件2進行不間斷地循環鍍膜，其包括至少兩個鍍膜腔10、至少兩個緩沖腔11、傳輸裝置12、進料機構 13、出料機構14、抽氣裝置15及多個連接閥門16。所述鍍膜腔10為細長狀長方體，其包括第一側面100、第二側面102、電弧靶座 104、勵磁線圈106及冷卻裝置108。所述第一側面100與第二側面102相互平行且沿所述鍍膜腔10的長度方向延伸。多個所述電弧靶座104間隔均勻地設置于所述第一側面100 位于鍍膜腔10內的一側上。所述電弧靶座104上承放有靶材10如。所述抽氣裝置15包括一級真空泵150、二級真空泵152及三級真空泵154。所述第一側面100上于每個電弧靶座 104的兩側分別設置有一所述一級真空泵150。所述每個一級真空泵150分別通過一所述二級真空泵152連接至一所述三級真空泵巧4上。所述第二側面102上對應每一個所述電弧靶座104分別設置有一勵磁線圈106及一冷卻裝置108。所述勵磁線圈106為環狀圓柱形線圈繞組。所述電弧靶座104電離靶材10 以產生大量的靶材離子，所述勵磁線圈106 用于在電弧靶座104附近激發一導向磁場以引導靶材離子的進行路徑。所述冷卻裝置108 用于降低所述鍍膜腔10內的溫度，以防止過高的溫度影響鍍膜的質量。所述鍍膜腔10與所述緩沖腔11相互交替地連接成一循環閉合回路。所述鍍膜腔 10與相鄰的緩沖腔11之間通過所述連接閥門16相互連接。所述其中一個緩沖腔11上設置有所述出料機構14及進料機構13。所述出料機構14及進料機構13分別通過一連接閥門16與該緩沖腔11相連接。所述進料機構13及出料機構14分別用于將所述被鍍工件2 導入或引出所述鍍膜腔10和緩沖腔11形成的循環閉合回路。在本實施方式中，所述鍍膜腔10和緩沖腔11均為兩個。所述兩個鍍膜腔10相互平行設置。所述兩個緩沖腔11分別與所述每個鍍膜腔10相對的兩個端部相連接。所述傳輸裝置12包括傳輸帶120與驅動馬達122。所述傳輸帶120依次貫穿所述交替相連的鍍膜腔10和緩沖腔11以形成一閉合的傳輸回路。所述被鍍工件2放置在所述傳輸帶120上。所述驅動馬達122用于帶動所述傳輸帶120沿特定方向行進，以將所述被鍍工件2依次傳送至交替相連的所述鍍膜腔10和緩沖腔11內。所述每一個緩沖腔11分別通過一所述二級真空泵152連接至一所述三級真空泵巧4上。所述緩沖腔11包括設置于其內的加熱裝置110。所述加熱裝置110用于對緩沖腔 11內的被鍍工件2進行預熱，以為進入下一個鍍膜腔10內鍍膜做好準備。在進行鍍膜前，所述與鍍膜腔10相連接的一級真空泵150、二級真空泵152及三級真空泵IM對所述鍍膜腔10進行抽真空，以使得所述鍍膜腔10的內部滿足鍍膜所需要的特定真空度。所述與緩沖腔11相連接的二級真空泵152及三級真空泵巧4對所述緩沖腔 11進行抽真空，以使得所述緩沖腔11的內部滿足一預設的真空度。可以理解的是，因為所述不同鍍膜腔10內所鍍的靶材10 可以不相同，所述不同鍍膜腔10所需要達到的真空度也會不一樣。所以，不同鍍膜腔10在鍍膜時的真空度根據所鍍靶材10 的具體要求而確定。在所述鍍膜腔10和緩沖腔11的真空度達到預設要求后，所述被鍍工件2陸續通過所述進料機構13進入所述緩沖腔11內的傳輸帶120上。所述被鍍工件2在緩沖腔11 內被預熱至一預設溫度后由所述傳輸帶120傳送至鍍膜腔10內。所述鍍膜腔10內的電弧靶座104激發出電弧以將靶材10 電離化，被電離化的靶材離子以10至IOOev平均能量蒸發出來形成高度激發的離子束在鍍膜腔10內的真空環境下沉積在被鍍工件2的表面上。 而在激發過程中產生的雜質顆粒因帶有與所述靶材離子不同極性的電荷從而在鍍膜腔10 內的導向磁場的引導下被過濾掉。所述被鍍工件2在傳輸帶120的傳送下在不同的鍍膜腔 10和緩沖腔11之間沿特定方向連續地循環行進，以進行連續的鍍膜工序，直至完成鍍膜后通過所述出料機構14引出。因為電弧放電所具有的高能量，從靶材10 中激發出的原子的離化率在90%左右且所激發的靶材離子具有高能量，所以通過電弧離子鍍的薄膜具有較高的硬度和較好的附著力，而且膜層沉積的速率快且均勻。另外，所述鍍膜系統1采用交替相連的鍍膜腔10 和緩沖腔11以形成循環閉合的鍍膜空間，從而使得鍍膜工序可不間斷地循環進行，大大地提高所述鍍膜系統1的鍍膜效率。本技術領域的普通技術人員應當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發明， 而并非用作為對本發明的限定，只要在本發明的實質精神范圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種鍍膜系統，其用于對多個被鍍工件進行不間斷地循環鍍膜，所述鍍膜系統包括至少兩個鍍膜腔、至少兩個緩沖腔、傳輸裝置、進料機構、出料機構、電弧靶座及抽氣裝置， 所述鍍膜腔與所述緩沖腔相互交替地連接成一循環閉合回路，所述其中一個緩沖腔上設置有所述進料機構及出料機構，所述抽氣裝置分別與所述鍍膜腔及緩沖腔連接以進行抽真空操作，所述傳輸裝置設置在所述鍍膜腔及緩沖腔內以傳送被鍍工件，所述鍍膜腔包括設置于鍍膜腔內的電弧靶座，所述電弧靶座用于激發出離化的靶材離子以沉積在被鍍工件上形成膜層，所述被鍍工件通過所述進料機構導入所述循環閉合回路，并在所述傳輸裝置的傳送下在循環閉合回路中連續地循環鍍膜，直至完成鍍膜后通過所述出料機構引出。
2.如權利要求1所述的鍍膜系統，其特征在于所述鍍膜腔包括沿鍍膜腔的長度方向延伸且平行相對的第一側面與第二側面，所述第一側面上間隔均勻地設置有多個所述電弧靶座，所述電弧靶座上承放有靶材。
3.如權利要求2所述的鍍膜系統，其特征在于所述鍍膜腔的第二側面上對應每一個所述電弧靶座分別設置有一勵磁線圈及一冷卻裝置。
4.如權利要求3所述的鍍膜系統，其特征在于所述勵磁線圈為環狀圓柱形線圈繞組， 用于在電弧靶座附近激發一導向磁場來引導靶材離子的進行路徑。
5.如權利要求2所述的鍍膜系統，其特征在于所述抽氣裝置包括一級真空泵、二級真空泵及三級真空泵，所述第一側面上于每個電弧靶座的兩側分別設置有一所述一級真空泵，所述每個一級真空泵分別通過一所述二級真空泵連接至一所述三級真空泵。
6.如權利要求5所述的鍍膜系統，其特征在于所述每一個緩沖腔分別通過一所述二級真空泵連接至一所述三級真空泵。
7.如權利要求1所述的鍍膜系統，其特征在于所述鍍膜腔和緩沖腔均為兩個，所述兩個鍍膜腔相互平行設置，所述兩個緩沖腔分別與所述每個鍍膜腔相對的兩個端部相連接。
8.如權利要求1所述的鍍膜系統，其特征在于所述鍍膜系統包括多個連接閥門，所述鍍膜腔與相鄰的緩沖腔之間通過所述連接閥門相互連接，所述出料機構及進料機構分別通過一所述連接閥門與所述緩沖腔相連接。
9.如權利要求1所述的鍍膜系統，其特征在于所述傳輸裝置包括傳輸帶及驅動馬達， 所述傳輸帶依次貫穿所述交替相連的鍍膜腔和緩沖腔以形成一閉合的傳輸回路，所述驅動馬達用于帶動所述傳輸帶沿特定方向行進。
全文摘要
本發明提供一種鍍膜系統，其用于對多個被鍍工件進行不間斷地循環鍍膜。該鍍膜系統包括至少兩個鍍膜腔、至少兩個緩沖腔、傳輸裝置、進料機構、出料機構、電弧靶座及抽氣裝置。該鍍膜腔與緩沖腔相互交替地連接成一循環閉合回路。其中一個緩沖腔上設置有進料機構及出料機構。該抽氣裝置分別與鍍膜腔及緩沖腔連接以進行抽真空操作。該傳輸裝置設置在鍍膜腔及緩沖腔內以傳送被鍍工件。該電弧靶座設置在鍍膜腔內，用于激發出離化的靶材離子以沉積在被鍍工件上形成膜層。該被鍍工件通過進料機構導入該循環閉合回路，并在傳輸裝置的傳送下在循環閉合回路中連續地循環鍍膜，直至完成鍍膜后通過該出料機構引出。
文檔編號C23C14/35GK102234784SQ20101015960
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月29日 優先權日2010年4月29日
發明者王仲培 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司