基于碳的電阻率-切換材料及其形成方法

專利名稱：基于碳的電阻率-切換材料及其形成方法
技術領域：
本發明涉及諸如非易失性存儲器的微電子結構，且更具體地涉及諸如用在這種存 儲器中的基于碳的電阻率_切換材料及其形成方法。
背景技術：
已知從可逆電阻-可切換元件形成的非易失性存儲器。例如，在2005年5月9日提 交的題為"Rewriteable Memory Cell Comprising A Diode And AResistance-Switching Material"的美國專利申請序列號11/125，939描述了包括與諸如金屬氧化物或金屬氮化 物的可逆電阻率_可切換材料串聯耦接的二極管的三維可重寫非易失性存儲器單元，為了 所有目的將該申請全部引用附于此。還已知某些基于碳的膜可以呈現可逆電阻率-切換屬性，使得這種膜成為在 三維存儲器陣列內的集成的候選。例如，在2007年12月31日提交的題為“Memory Cell That Employs A Selectively Fabricated Carbon Nano-TubeReversible Resistance-Switching Element And Methods Of Forming The Same” 白勺禾Ij串i青· 列號No. 11/968，154(下文中稱為"‘154申請")描述了包括與諸如碳的基于碳的可逆 電阻率-可切換材料串聯耦接的二極管的可重寫非易失性存儲器單元，為了所有目的將該 申請全部引用附于此。但是，在存儲器器件中集成基于碳的電阻率-可切換材料是困難的，且形成使用 基于碳的可逆電阻率_可切換材料的存儲器器件的改進方法是期望的。

發明內容
在本發明的第一方面中，提供了形成包括基于碳的電阻率-可切換材料的存儲器 器件的方法，該方法包括(1)將處理氣體引入處理室中，所述處理氣體包括烴化合物和運 載氣體；以及( 在處理室中產生處理氣體的等離子體以在基底上沉積基于碳的電阻率可 切換材料的層。在本發明的第二方面中，提供了微電子結構，該微電子結構包括(1)第一導體; (2)布置在第一導體之上并且與其串聯的基于碳的電阻率可切換材料的層，所述基于碳的 電阻率可切換材料包括石墨納米微晶；以及(3)布置在基于碳的電阻率可切換材料的層之 上并且與其串聯的第二導體。在本發明的第三方面中，提供了形成微電子結構的方法，所述方法包括(1)形成 第一導體；(2)在第一導體之上并且與其串聯地形成基于碳的電阻率可切換材料的層，所 述基于碳的電阻率可切換材料包括石墨納米微晶；以及(3)在基于碳的電阻率可切換材料 的層之上并且與其串聯地形成第二導體。從以下詳細描述、所附權利要求和附圖，本發明的其他特征和方面將變得更加完 全顯而易見。


可以從結合以下附圖考慮的以下詳細描述中更清楚地理解本發明的特征，在附圖 中，通篇相類似的附圖標記指示類似的元件，且其中圖1表示根據本發明的存儲器單元。圖2是根據本發明的示例方法的流程圖。圖3是根據本發明形成的示例的基于碳的可切換層的剖面側視示；圖4是根據本發明提供的示例的金屬-絕緣體-金屬的基于碳的結構的剖面側視 圖；圖5是由與二極管串聯的鑲嵌(damascene)集成而形成的且根據本發明提供的示 例的基于碳的結構的剖面側視圖；以及圖6是根據本發明提供的單片三維存儲器陣列的示例存儲器級的透視圖。
具體實施例方式某些基于碳(“基于C”)的膜、包括但不限于碳納米管(〃 CNT")、石墨烯 (graphene)、包含微晶和/或納米結晶石墨烯的非晶碳和其他石墨碳膜等可以呈現可以用 于形成微電子非易失性存儲器的可逆電阻率切換屬性。因此，這種膜是在三維存儲器陣列 內集成的候選。例如，CNT材料已經展示出具有在ON和OFF狀態之間隔開IOOx和中到高 范圍電阻改變的在實驗室規模的器件上的存儲器切換屬性。在ON和OFF狀態之間的這種 隔開使得CNT材料成為使用與垂直二極管、薄膜晶體管或其他操縱元件串聯的CNT材料形 成的存儲器單元的可行候選。在上述例子中，由夾在兩金屬或其他導電層之間的基于碳的電阻率-切換材料而 形成的金屬-絕緣體-金屬("MIM")堆棧可以用作存儲器單元的電阻改變材料。在MIM 存儲器結構中，每個"M"表示金屬電極或其他導電層，且"I"表示用于存儲數據狀態的絕緣體類型層。另外，可以與二極管或晶體管串聯地集成基于碳的MIM堆棧，以建立可讀寫 存儲器器件，如例如在'154申請中描述的。圖1是根據本發明的示例存儲器單元100的示意圖。存儲器單元100包括耦接到 操縱元件104的基于C的可逆電阻-切換元件102。例如，諸如圖4中的MIM堆疊的基于C 的電阻率切換元件102可以被置于與諸如圖5中的二極管510的操縱元件104串聯，以形 成存儲器單元100。操縱元件104可以包括薄膜晶體管(“TFT" )、二極管、或通過選擇性 地限制跨越可逆電阻-切換元件102的電壓和/或流過可逆電阻-切換元件102的電流而 呈現非歐姆導電性的另一適當的操縱元件。根據本發明的示例實施例，方法和裝置可以涉及諸如存儲器器件的、具有MIM堆 棧中的基于碳的電阻率-切換材料的微電子結構。可以使用等離子體增強化學汽相沉積 (“PECVD“)來形成基于碳的電阻率-切換材料。碳層可以是非晶的，且包括基于碳的可 切換材料。基于碳的可切換材料可以包括納米大小或更大區域的結晶石墨烯(在此稱為" 石墨納米微晶")。可以與諸如二極管的操縱元件串聯地集成MIM，以形成存儲器單元。基于碳的電阻率-可切換材料可以包括許多形式的碳，包括CNT、石墨烯、石墨、 非晶碳、石墨碳和/或類似于金剛石的碳。基于碳的電阻率-切換材料的特性可以通過其 碳-碳鍵合的構成的比率來刻畫。碳通常與碳鍵合以形成SP2-鍵(三角型碳-碳雙鍵(“C =C"))或SP3-鍵(四角型碳-碳單鍵(“C-C"))。在每個情況下，可以經由拉曼光譜 學(Raman spectroscopy)通過評估D和G波段(band)來確定sp2-鍵與sp3-鍵的比率。 在一些實施例中，材料的范圍可以包括具有諸如MyNz的比率的那些材料，其中，M是sp3材 料，N是sp2材料，并且y和ζ是從0到1的任意分數值，只要y+z = 1。類似于金剛石的碳 主要包括形成非晶層的sp3-鍵合的碳。本發明的各方面涉及使用PECVD技術來形成具有石墨納米微晶的非晶基于碳的 電阻率-切換材料。PECVD沉積溫度的范圍可以從大約300°C到900°C。處理氣體可以包括 一種或多種前體(precursor)氣體和也已知為運載氣體的一種或多種稀釋氣體(diIutant gas)。前體氣體源可以包括但不限于己烷、環己烷、乙炔、單和雙短鏈烴(例如，甲烷)、各種 基于苯的烴、多環芳烴、短鏈酯、乙醚、酒精或其組合。在一些情況下，"籽晶(seeding)“表 面可以用于在降低的溫度下促進生長(例如，大約1-100埃的鐵(“Fe")，鎳(“Ni")， 鈷(“Co")等等，雖然可以使用其他厚度)。可以按任意厚度來沉積基于碳的電阻率-可切換材料。在一些實施例中，基于碳 的電阻率-可切換材料可以在大約50-1000埃之間，雖然可以使用其他厚度。取決于器件構 造，比如在此描述的，層厚度范圍可以包括100-400埃、400-600埃、600-800埃和800-1000 埃。本領域技術人員將理解，還可以使用其他厚度范圍。等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)在本發明的一個或多個實施例中，提供PECVD處理，其可以形成石墨烯、石墨碳、 CNT、具有微晶石墨的非晶碳、和其他類似的基于碳的可讀寫電阻率切換材料(“基于C的 可切換材料")。如以下將進一步描述的，這種PECVD處理可以提供相比于傳統熱CVD處理 的若干優點，包括在一些實施例中(1)減少的熱預算；( 寬的處理窗；C3)可調整的編程 電壓和電流；以及(4)定制的界面(interface)。減少的熱預算
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通過使用PECVD來形成基于C的可切換材料，源氣體可以在降低的溫度下被離解 (dissociate)，減少了使用基于C的可切換材料形成的任何存儲器單元和/或陣列的熱預 算。在一些實施例中，可以在大約550°C或更低的溫度下形成基于C的切換材料，允許在存 儲器陣列中使用銅、鋁或其他類似的材料。寬處理窗在PECVD膜沉積期間的諸如氣體流速、射頻(“RF")功率、室壓力、電極間隔 和/或處理溫度的等離子體處理條件的操縱可以為膜特性設計提供寬的窗。例如，可以 基于要在器件制造期間使用的不同的蝕刻方案來調整膜密度、蝕刻選擇性、壓力、保形性 (conformality)/臺階覆蓋度(st印coverage)、納米結晶度的百分比量(“vol%")、石 墨納米微晶尺寸、石墨納米微晶取向等。可調整的編程電壓和電流膜特性的調整可以調節基于C的膜的編程電壓和電流。例如，納米結晶度的百分 比量和/或石墨納米微晶尺寸的改變可以改變編程電壓和電流。從參數的角度，可以使用 對加熱器溫度、前體的稀釋、高頻RF功率密度、離子能量和運載氣體的選擇的調整，比如通 過減小基于C的材料沉積速率、促進密實堆積(dense packing)和/或控制基于C的膜的 納米結晶度來控制基于C的膜的結構。實現石墨納米結晶度形成石墨納米結晶膜可能涉及增加的加熱器溫度、增加的高頻RF功率密度、在有 效窗內的離子能量的控制和/或CxHy前體的增加的稀釋。將依次描述這些的每個。增加加熱器溫度和前體的稀釋降低了沉積速率，且因此促進該結構的密實堆積和 有序化(ordering)。增加高頻RF功率密度對等離子體處理具有兩個主要影響，其中，離子化和離解化 可能產生活性自由基(reactive radical)(多數物質(majority species))和活性離子 (少數物質)兩者。首先，增加高頻RF功率密度將向等離子體供應更多的能量以更有效地、 尤其以低加熱器溫度將前體分子分解為活性物質。其次，自動地增加高頻RF將增加離子能 量和沉積速率。增加離子能量將激活表面活性部位，且促進可以降低納米結晶度的表面反 應。因此，存在有效的高頻RF功率密度窗，在該有效的高頻RF功率密度窗內，活性物質可 以在低加熱器溫度下更有效地被分解以增加納米結晶度。相反，超過有效窗的高頻RF功率 密度將導致納米結晶相碳(nanocrystalline phase carbon)的非晶化。類似于高頻RF功率密度，也存在有效的離子能量窗。另一方面，需要閾值離子能 量以在具體加熱器溫度下激活表面部位。另一方面，過度的離子能量將使納米結晶碳膜非 晶化。前體氣體被運載氣體稀釋的水平和運載氣體的選擇也影響沉積速率以及由此的 納米結晶度。例如，相比于氦(“He")，氬("Ar")將增加沉積速率達幾乎兩倍，因此降 低納米結晶度。相反，氫(“H2")不僅擔當運載氣體，還用作蝕刻劑，這降低了沉積速率 并因此促進納米結晶度。調節離子力(ion force)和/或降低自由基濃度可以減小形成碳層的物質向層表 面的流動，且允許更多時間來使碳原子到達平衡狀態。由此可以形成更多的石墨納米晶體。 還可以增加sp7sp3鍵合比率。相反，太多的等離子體離子化可能降低石墨納米結晶度，并增加基于C的膜的非晶性(并顯著地增加沉積速率)。另外，太多的等離子體離子化可能引 起在基于C的膜中的過度的壓力，并導致膜“剝落”或“破裂”。可以通過在基底表面上的物理沖擊在表面上促進基于C的材料的密實堆積，其本 身可以得到適度(by mild)促進以調節等離子體離子化。活性離子可以激活表面，且可以 調節表面反應速率和表面堆積密度。類似地，優化的等離子體離子能量可以產生更有序的 (ordered)基于C的結構。但是，可以通過活性自由基的濃度來確定進入的活性離子物質的 濃度。調節石墨納米微晶尺寸如上所述，編程電壓和電流受石墨納米微晶尺寸影響，因為切換主要發生在晶界 (grain boundaries)處。由石墨納米微晶的顆粒尺寸來確定晶界的體積百分比。可以通過 調整加熱器溫度、CxHy前體氣體的稀釋、高頻RF功率密度和/或離子能量來控制顆粒尺寸。增加加熱器溫度和CxHy前體氣體的稀釋將增加石墨納米微晶尺寸。隨著活性物質 的分解，維持在有效范圍內的高頻RF功率密度可以實現期望的石墨納米微晶尺寸。當高頻 RF功率超過有效范圍時，將減小石墨納米微晶尺寸。在以上所述的有效離子能量窗內，優選 地將離子能量降低到激活表面活性部位以允許發生表面反應所需的最小水平，因為過度的 離子能量將降低石墨納米結晶度和石墨納米微晶尺寸。例如，可以通過調整(a)高頻RF功率(頻率范圍從IOMHz到30MHz) ； (b)基底上 的偏壓(例如，大約10-50V) ； (c)低頻RF (在IOKHz和大約IMHz的范圍內的頻率)；⑷離 子化氣體物質(諸如氬("Ar")、氦(〃 He")、氫(“H2")、氙(〃 Xe")、氪(〃 Kr") 等)中的一個或多個來調節離子能量。在該情況下He和H2是優選的物質。Ar、Xe、Kr等是 徹和吐的10倍大的惰性氣體，且以更高的動量在表面引起更強的沖擊。通過使用Ar代替 徹或吐(所有其他處理條件保持恒定)可以近似加倍沉積速率。因此，在一些實施例中，He 和H2是保持沉積速率低的優選的稀釋/運載氣體物質。定制的界面在基于C的層形成的開始和結束時調整等離子體參數允許設計在基于C的可切換 層和諸如導體、電介質等的其他材料之間的界面(例如以改善界面粘附性，提供改進的密 封或封口屬性，減少膜缺陷等)。設計的基于C的層界面可以包括(1)調整的Sp2/Sp3比率， 該界面的Sp3濃度增加；( 在界面處的較高膜密度；和/或( 在界面處的氮化區域。例 如，先前并入的‘315申請描述了使用PECVD形成的基于C的界面層。示例PECVD 室 根據本發明，可以使用PECVD室來沉積基于C的可切換材料。例如，PECVD室可以基 于從 Santa Clara，California 的 Applied Materials 公司可得的 PRODUCER PECVD 室或其 中可以進行本發明的等離子體工藝的任何其他類似的PECVD室。在美國專利號5，000，113、 題為〃 Thermal CVD/PECVDReactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and In-situ Multi-step Planarized Process"中描述了這禾中 PECVD 處理室的例子，為了所有目的將其全部引用附于此。 示例的PECVD系統標識主要用于例示目的，且可以使用其他等離子體設施，比如 電極回旋加速器共振(“ECR")等離子體CVD設備、感應耦合的RF高密度等離子體CVD 設備等。另外，上述系統的變型是可能的，比如在基底支撐設計、加熱器設計、RF功率連接的位置、電極配置和其他方面的變型。基于C的切換層的示例PECVD參數如上所述，可以控制沉積速率來影響在基于C的膜中的納米結晶度和石墨納米微 晶尺寸。還可以通過也影響沉積速率且是產生有序結構的主導因素的基底溫度、前體與稀 釋氣體比率、高頻RF功率密度、運載氣體類型和/或離子能量來調節非晶碳膜的結構。例如，增加的稀釋/運載氣體與前體氣體比率可以降低活性前體物質的濃度，可 以極大地降低沉積速率，且潛在地可以提供足夠時間使表面上的物質擴散到低能量位置且 形成有序結構。處理壓力在有效性的窗內對沉積速率具有類似的影響。減小處理壓力可 以通過減小在基底表面處的活性前體分子的總量來產生類似的條件，降低沉積速率也是同 樣。同時，減小壓力還增加離子能量，且過度的離子能量可能使納米結晶結構非晶化。增加 基底溫度促進表面擴散，這可能產生更密實的堆積和有序的結構。但是，增加基底溫度可能 負面地影響熱預算。先前已經討論了高頻RF功率密度和離子能量的影響。存在對這兩個 參數的有效窗。如果高頻RF功率密度和離子能量太低，則沉積將接近于零。如果高頻RF 功率密度和離子能量太高，則非晶相將增加。不同的運載氣體也極大地影響沉積速率。例 如，Ar產生較高的沉積速率，He產生適度的沉積速率，且H2產生較低的沉積速率。因此，He 和H2將增加PECVD的基于C的膜的納米結晶度和石墨微晶尺寸。在本發明的一些實施例中，可以通過增加運載或稀釋氣體(例如He、H2、Ar、Kr、Xe、 N2等)與前體氣體(例如CxHy)的比率來減小自由基濃度。也可以通過增加稀釋氣體與前 體的比率來調整離子化和適度的物理沖擊。增加稀釋氣流還可以增加離子化和表面物理沖 擊。氦和氬兩者是離子形成物質。但是，氬的離子化能量比氦的離子化能量低得多，且其比 He更有效地將Ar離子化。另外，諸如吐的一些氣體可以用作蝕刻劑來進一步減小沉積速 率并促進納米結晶化。以下的表1苗述了根據本發明的與通過PECVD形成基于C的切換層相關的示例的 寬和窄值范圍。表1 示例的PECVD的基于C的形成值
權利要求
1.一種形成存儲器器件的方法，所述方法包括將處理氣體引入處理室中，其中所述處理氣體包括烴化合物和運載氣體；以及在處理室中產生處理氣體的等離子體以在基底上沉積基于碳的電阻率切換材料的層。
2.根據權利要求1所述的方法，其中基于碳的電阻率切換材料的層包括石墨微晶。
3.根據權利要求2所述的方法，其中石墨微晶包括石墨納米微晶。
4.根據權利要求2所述的方法，還包括控制所述石墨微晶的尺寸。
5.根據權利要求4所述的方法，其中控制所述石墨微晶的尺寸包括控制基于碳的電阻 率切換材料的沉積速率。
6.根據權利要求4所述的方法，其中控制所述石墨微晶的尺寸包括控制基底的溫度、 等離子體的離子能量，用于產生等離子體的高頻RF功率密度、運載氣體的選擇，以及烴的 稀釋中的任意一個。
7.根據權利要求2所述的方法，還包括控制所述石墨微晶的百分比體積。
8.根據權利要求7所述的方法，其中控制所述石墨微晶的百分比體積包括控制基于碳 的電阻率切換材料的沉積速率。
9.根據權利要求7所述的方法，其中控制所述石墨微晶的百分比體積包括控制基底的 溫度、等離子體的離子能量，用于產生等離子體的高頻RF功率密度、運載氣體的選擇，以及 烴的稀釋中的任意一個。
10.根據權利要求2所述的方法，其中石墨微晶具有基面基本上平行于基于碳的電阻 率切換材料的層沉積于其上的表面的取向。
11.根據權利要求2所述的方法，還包括控制所述石墨微晶的取向。
12.根據權利要求11所述的方法，其中控制所述石墨微晶的取向包括在基于硅的材料 上沉積基于碳的電阻率切換材料的層。
13.根據權利要求1所述的方法，還包括在基于碳的可切換材料之上形成鈍化層。
14.根據權利要求1所述的方法，其中所述烴化合物包括CxHy，其中χ具有2到4的范 圍并且y具有2到10的范圍。
15.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理氣體包括氫氣和具有分子式CaHb0。NxFy 的前體化合物，其中“a”具有在1和M之間的范圍，“b”具有在0和50之間的范圍，“C”具 有0到10的范圍，“X”具有0到50的范圍，以及“y”具有1到50的范圍。
16.根據權利要求1所述的方法，其中所述烴化合物包括丙烯(C3H6)、丙炔(C3H4)、丙烷 (C3H8)、丁烷(C4Hltl)、丁烯(C4H8), 丁二烯(C4H6)、乙炔(C2H2)中的任一種或其組合。
17.根據權利要求1所述的方法，其中產生等離子體包括以第一頻率施加第一RF功率 并且以小于第一頻率的第二頻率施加第二 RF功率。
18.根據權利要求17所述的方法，其中第一頻率在大約IOMHz與大約50MHz之間，且第 二頻率在大約90kHz與大約500kHz之間。
19.根據權利要求17所述的方法，其中第一RF功率的范圍從大約30W到大約1000W， 以及第二 RF功率的范圍從大約OW到大約500W。
20.根據權利要求17所述的方法，其中所述等離子體的RF功率密度的范圍從大約 Offatt/cm2 到大約 2. 8Watts/cm2。
21.根據權利要求1所述的方法，其中所述運載氣體包括He、Ar、Kr、Xe、H2和N2中的至少一種。
22.根據權利要求1所述的方法，其中運載氣體與烴化合物的比率的范圍從大約1 1 到大約100 1。
23.根據權利要求22所述的方法，其中運載氣體與烴化合物的比率是大約5 1到大 約 50 I0
24.根據權利要求1所述的方法，還包括在處理室中建立從大約0.2托到大約10托的 壓力。
25.根據權利要求1所述的方法，還包括在處理室中建立從大約4托到大約6托的壓力。
26.根據權利要求1所述的方法，還包括提供從每分鐘大約50標準立方厘米到每分鐘 大約5000標準立方厘米的烴氣體流速。
27.根據權利要求1所述的方法，還包括提供從每分鐘大約10標準立方厘米到每分鐘 大約20，000標準立方厘米的運載氣體流速。
28.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括等離子體增強化學氣相沉積過程。
29.根據權利要求1所述的方法，還包括將基底加熱到在大約450°C與大約650°C之間 的表面溫度。
30.根據權利要求1所述的方法，還包括在基于碳的電阻率切換材料的層之下并且與其接觸地形成底部電極；以及在基于碳的電阻率切換材料的層之上并且與其接觸地形成頂部電極；其中所述底部電極、基于碳的電阻率切換材料的層以及所述頂部電極包括金屬-絕緣 體-金屬結構。
31.根據權利要求30所述的方法，還包括形成與基于碳的電阻率切換材料的層串聯的 操縱元件。
32.根據權利要求31所述的方法，其中所述操縱元件包括與基于碳的電阻率切換材料 的層垂直對準的二極管。
33.根據權利要求31所述的方法，還包括形成與底部電極串聯的第一導體；以及在第一導體、操縱元件和基于碳的電阻率切換材料的層之上形成第二導體，所述第二 導體與頂部電極串聯；其中所述第一導體、操縱元件、基于碳的電阻率切換材料的層以及第二導體形成包括 存儲器單元的微電子結構。
34.一種微電子結構，包括第一導體；布置在第一導體之上并且與其串聯的基于碳的電阻率可切換材料的層，其中所述基于 碳的電阻率可切換材料包括石墨納米微晶；以及布置在基于碳的電阻率可切換材料的層之上并且與其串聯的第二導體。
35.根據權利要求34所述的微電子結構，其中基于碳的電阻率可切換材料的層包括金 屬-絕緣體-金屬結構的一部分。
36.根據權利要求34所述的微電子結構，還包括布置在第一導體之上、在第二導體之下并與基于碳的電阻率切換材料的層串聯的操縱元件。
37.根據權利要求36所述的微電子結構，其中，所述操縱元件包括二極管。
38.根據權利要求36所述的微電子結構，其中所述第一導體、第二導體、操縱元件以及 基于碳的電阻率切換材料的層組成存儲器單元。
39.一種形成微電子結構的方法，該方法包括形成第一導體；在第一導體之上并且與其串聯地形成基于碳的電阻率可切換材料的層，其中所述基于 碳的電阻率可切換材料包括石墨納米微晶；以及在基于碳的電阻率可切換材料的層之上并且與其串聯地形成第二導體。
40.根據權利要求39所述的方法，其中基于碳的電阻率可切換材料的層組成金屬-絕 緣體-金屬結構的一部分。
41.根據權利要求39所述的方法，還包括在第一導體之上、在第二導體之下并與基于 碳的電阻率可切換材料的層串聯地形成操縱元件。
42.根據權利要求41的方法，其中，所述操縱元件包括二極管。
43.根據權利要求41所述的方法，其中所述第一導體、第二導體、操縱元件以及基于碳 的電阻率可切換材料的層組成存儲器單元。
44.根據權利要求39所述的方法，其中形成所述基于碳的電阻率可切換材料的層包括 基于碳的電阻率切換材料的等離子體增強化學氣相沉積。
45.根據權利要求39所述的方法，還包括控制石墨納米微晶的尺寸。
46.根據權利要求39所述的方法，還包括控制該石墨納米微晶的百分比體積。
47.根據權利要求39所述的方法，還包括控制該石墨納米微晶的取向。
全文摘要
提供了包括基于碳的電阻率-可切換材料的存儲器器件及形成這種存儲器器件的方法，所述方法包括將處理氣體引入處理室中，其中，該處理氣體包括烴化合物和運載氣體；以及在處理室中產生處理氣體的等離子體以在基底上沉積基于碳的電阻率切換材料的層。提供了一些另外的方面。
文檔編號C23C14/06GK102144309SQ200980134334
公開日2011年8月3日 申請日期2009年7月7日 優先權日2008年7月8日
發明者坦梅·庫馬, 平爾萱, 羅伊·E·朔伊爾萊茵, 許匯文, 阿爾珀·伊爾克巴哈, 陳溪瀅 申請人:桑迪士克3D有限責任公司