專利名稱：內裝式磁控濺射靶的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種內裝式磁控濺射靶，尤其是磁控濺射靶安裝于真空室內的內
裝式磁控濺射靶。
背景技術：
磁控濺射是真空鍍膜的一種鍍膜方式，依靠氬離子輝光放電，使氬離子撞擊靶材表面，從而將靶材粒子濺射出來以沉積在工件表面。磁控濺射的特點在于靶材離子細膩，膜層致密，膜層光亮度高。通常磁控濺射靶安裝在真空室外壁上，影響了設備的整體性能。
實用新型內容本實用新型的目的是提供一種將磁控濺射靶安裝于真空室內的內裝式磁控濺射靶。 為實現上述目的，本實用新型內裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩、耙材壓塊、耙材、耙材背板、耙體、外磁靴、屏蔽罩絕緣件、底靴、出水管、內磁靴、出水管絕緣件；屏蔽罩包裹靶體，位于靶材上面，耙材背板位于靶材背后，出水管與靶體相連，出水管絕緣件位于出水管與耙體之間，底靴位于耙體的下部，外磁靴，內磁靴位于耙體的內部，內磁靴位于耙體內部中間部位，屏蔽罩絕緣件位于屏蔽罩與靶體之間。 采用這樣的結構后，屏蔽罩包裹靶體；靶材壓塊壓緊靶材，使靶材緊貼背板，保持平整；耙材為鍍膜材料；耙材背板是耙材背后襯板，以使冷卻水與耙材隔離；在整塊耙體材料上加工出水道，使冷卻水在其中循環，冷卻水可冷卻耙材；出水管通入冷卻水；外磁靴與內磁靴之間可鑲嵌磁鋼；底靴是磁鋼與靶體之間的蓋板；屏蔽罩絕緣件使屏蔽罩與靶體絕緣；出水管絕緣件使出水管與靶體絕緣。 這樣，可將磁控濺射靶安裝于真空室內，有效利用真空室的空間，使真空鍍膜機外觀更為簡潔，提高了設備的整體性能，尤為突出的特點在于可以通過簡單的改造，在傳統的鍍膜設備上迅速安裝，使簡單設備實現技術升級。
圖1是本實用新型內置式磁控濺射靶的結構示意圖。
具體實施方式
圖1所示的本實用新型內置式磁控濺射靶包括屏蔽罩1、靶材壓塊2、靶材3、靶材背板4、耙體5、外磁靴6、屏蔽罩絕緣件7、底靴8、出水管9、內磁靴10、出水管絕緣件11 ;屏蔽罩1包裹靶體5，靶材壓塊2位于靶材3上面，耙材背板4位于靶材3背后，出水管9與靶體5相連。 底靴8位于靶體5的下部，外磁靴6、內磁靴10位于靶體5的內部，內磁靴10位于耙體5內部中間部位。[0010] 所述屏蔽罩絕緣件7位于屏蔽罩1與靶體5之間，[0011] 所述出水管絕緣件11位于出水管9與耙體5之間。 這樣，可將磁控濺射靶安裝于真空室內，依靠氬離子輝光放電，使氬離子撞擊靶材表面，從而將靶材粒子濺射出來以沉積在工件表面。
權利要求一種內裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩(1)、靶材壓塊(2)、靶材(3)、靶材背板(4)、靶體(5)、外磁靴(6)、屏蔽罩絕緣件(7)、底靴(8)、出水管(9)、內磁靴(10)、出水管絕緣件(11)；其特征在于，屏蔽罩(1)包裹靶體(5)，靶材壓塊(2)位于靶材(3)上面，靶材背板(4)位于靶材(3)背后，出水管(9)與靶體(5)相連。
2. 根據權利要求1所述的內裝式磁控濺靶，其特征在于底靴(8)位于靶體(5)的下 部，外磁靴(6)、內磁靴(10)位于耙體(5)的內部，內磁靴(10)位于耙體(5)內部中間位 置。
3. 根據權利要求1所述的內裝式磁控濺靶，其特征在于所述屏蔽罩絕緣件(7)位于 屏蔽罩(1)與靶體(5)之間，
4. 根據權利要求1所述的內裝式磁控濺靶，其特征在于所述出水管絕緣件(11)位于 出水管(9)與靶體(5)之間。
專利摘要本實用新型提供了一種內裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩(1)、靶材壓塊(2)、靶材(3)、靶材背板(4)、靶體(5)、外磁靴(6)、屏蔽罩絕緣件(7)、底靴(8)、出水管(9)、內磁靴(10)、出水管絕緣件(11)；屏蔽罩(1)包裹靶體(5)，靶材壓塊(2)位于靶材(3)上面，靶材背板(4)位于靶材(3)背后，出水管(9)與靶體(5)相連。這樣，可將可將磁控濺射靶安裝于真空室內，有效利用真空室的空間，使真空鍍膜機外觀更為簡潔，提高了設備的整體性能，尤為突出的特點在于可以通過簡單的改造，在傳統的鍍膜設備上安裝，可迅速實現技術升級。
文檔編號C23C14/35GK201512577SQ20092017290
公開日2010年6月23日 申請日期2009年8月14日 優先權日2009年8月14日
發明者熊劍輝 申請人:熊劍輝