專利名稱：真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濺鍍設(shè)備的靶材結(jié)構(gòu)，特別是指一種磁控濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶構(gòu)造。
背景技術(shù)：
真空濺鍍法(Sputtering)，是屬于物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的一種，普遍應(yīng)用于 半導(dǎo)體制程的成膜程序中。其原理是，在一真空腔體中，在陰、陽電極間施加高電壓以驅(qū)動 輝光放電(Glow Discharge)效應(yīng)，將放電氣體(如氬氣)高溫離子化成電漿(plasma)，而 電漿中的離子會轟擊靶材(平面靶或旋轉(zhuǎn)靶)，使得靶材材料的原子或分子濺飛出，并沉 積、附著于基板表面上以形成薄膜。而真空濺鍍法又概分有直流濺鍍法(DC Sputtering)、射頻濺鍍法(RF Sputtering)，與磁控濺鍍法(Magnetron Sputtering)等幾種。主要是由于直流濺鍍或射 頻濺鍍存有放電氣體的電離度過低、靶材原子/分子散亂而附著率低，以致薄膜成長效率 較差的缺點，透過磁控濺鍍法便能予以改善，該法就是在靶材(陰極)處加設(shè)永久磁鐵，讓 放電空間在所附加磁場與電場下產(chǎn)生電磁場，將電漿中的電子限制在靶材附近并進行螺旋 式移動，如此一來，能增加電子與氣體分子的碰撞次數(shù)，提高放電氣體的電離度，相對地，更 多的離子轟擊便能濺射出更多的靶材原子/分子，另一方面，放電氣體的壓力能夠降低，不 會造成靶材原子/分子散亂，磁控濺鍍法便得以獲得更好的薄膜成長效率，而且，只要調(diào)整 永久磁鐵的位置，就能讓所沉積薄膜的均勻性達到最佳化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種能調(diào)整其永久磁鐵的角度位置，以獲得極佳薄膜均勻 性的真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置。本發(fā)明的真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，是容置在該真空濺鍍設(shè)備的一個腔體中， 并包含一個靶管座、一個容置在該靶管座中且且可繞該靶管座的一中心軸線轉(zhuǎn)動的磁鐵 座，以及一個分度盤座。該分度盤座是可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在該靶管座的一端面處，并連結(jié)該磁鐵 座以帶動其轉(zhuǎn)動。本發(fā)明的有益效果在于利用該分度盤座能控制該磁鐵座擺動，改變該磁鐵座相 對于一基板的角度位置，用以能使沉積在該基板上的薄膜具有極佳均勻度。
圖1是一正視圖，說明本發(fā)明真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置的一優(yōu)選實施例，其一 分度盤座與一磁鐵座的三磁條的位置關(guān)系；圖2是圖1的割線II-II的一局部剖視圖；圖3是圖1的割線II-II的一局部剖視圖；圖4是一示意圖，說明在該真空濺鍍設(shè)備的一腔體中，該優(yōu)選實施例與一玻璃基板間的相對關(guān)系；圖5是一正視圖，說明該優(yōu)選實施例的該分度盤座能帶動該磁鐵座的磁條擺動一 預(yù)定角度；圖6是一正視圖，說明該優(yōu)選實施例的該分度盤座能帶動該磁鐵座的磁條擺動另
一預(yù)定角度。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明如圖1 圖3所示，本發(fā)明真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置的該優(yōu)選實施例，是包含一 圓管柱狀的靶管座2、一設(shè)置在該靶管座2中且能繞該靶管座2的一中心軸線擺轉(zhuǎn)的磁鐵座 4，以及一設(shè)置在該靶管座2的一端部處且能控制該磁鐵座4的擺動角度的分度盤座6。該靶管座2具有一圓管柱狀且其一端部211的斷面概呈L型的背管21、一覆設(shè)在 該背管21的一外管面上的靶材22、一固設(shè)在該背管21的端部211端面上的外固定環(huán)塊23、 一疊固在該外固定環(huán)塊23面接該背管21的一表面231外側(cè)上且環(huán)夾住該背管21的端部 211周圍的夾持片24，以及一同心設(shè)置在該外固定環(huán)塊23的一內(nèi)環(huán)面上的內(nèi)固定環(huán)塊25。該分度盤座6具有一間隔對應(yīng)該外固定環(huán)塊23背離該背管21的相反另一表面 232且具有一內(nèi)環(huán)齒面611的固定環(huán)板61，以及一可相對轉(zhuǎn)動地疊設(shè)在該固定環(huán)板61面對 該外固定環(huán)塊23的一板面612上的分度頭62 ；該分度頭62是概呈T型塊狀，并具有一可 相對轉(zhuǎn)動地疊接在該固定環(huán)板61的板面612上的盤圈部621，以及一自該盤圈部621向外 軸向延伸且可相對轉(zhuǎn)動地穿越過該靶管座2的內(nèi)固定環(huán)塊25內(nèi)部的圓柱部622，該圓柱部 622是進一步與磁鐵座4鎖接。該分度盤座6更具有一疊合并鎖組在該固定環(huán)板61的板面 612外側(cè)上且環(huán)夾住該盤圈部621周圍的夾持塊63，以及一凸設(shè)在該盤圈部621的一表面 且可位移地卡掣在該固定環(huán)板61的內(nèi)環(huán)齒面611上的定位銷64，該定位銷64與該內(nèi)環(huán)齒 面611兩者相配合以使該分度頭62在轉(zhuǎn)動某預(yù)定角度后定位。該磁鐵座4具有一同心容置在該靶管座2的背管21中且其一端鎖接該分度頭62 的圓柱部622的軸管41、一固設(shè)在該軸管41的相反另一端處且圍繞該軸管41的弧形載塊 42，以及三條間隔排列在該載塊42的遠離該軸管41的一表面上的磁條43。因此，隨著該分 度頭62的轉(zhuǎn)動，該軸管41會被帶動而旋轉(zhuǎn)，同時該弧形載塊42與該三磁條43會被帶動而 繞該背管21的中心軸線進行圓周運動。如圖4 圖6所示，在該真空濺鍍設(shè)備的一腔體1中，將多個相同的真空濺鍍設(shè)備 的旋轉(zhuǎn)靶裝置相間隔地橫置在該腔體1內(nèi)，于進行磁控濺鍍作業(yè)時，一玻璃基板3是平放地 移送入該腔體1中，透過電漿中的離子轟擊該多靶管座2的靶材22，濺射出的靶材原子/分 子會沉積在該玻璃基板3的一上表面上以形成薄膜；過程中，可以控制任一真空濺鍍設(shè)備 的旋轉(zhuǎn)靶裝置的該分度頭62轉(zhuǎn)動一預(yù)定角度，便能同步帶動該磁鐵座4的磁條43偏擺該 預(yù)定角度，配合該定位銷64能卡掣在該固定環(huán)板61的內(nèi)環(huán)齒面611上，使該分度頭62與 該三磁條43于移轉(zhuǎn)該預(yù)定角度后穩(wěn)固定位，用以達到改變、調(diào)整該磁鐵座4的磁條43相對 于該基板3的角度位置的效果，便能在該玻璃基板3的上表面上磁控濺鍍成形出高度均勻 化的薄膜(圖中未示)；最后，再將已完成鍍膜的玻璃基板3移送出該腔體1外。而有關(guān)該 真空濺鍍設(shè)備的磁控濺鍍操作原理與其它功能構(gòu)件，是屬該技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所熟知，也非關(guān)本發(fā)明的技術(shù)特征，不予詳述。 綜上所述，本發(fā)明真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，利用該分度盤座6能控制該磁鐵 座4的磁條43擺動，簡易、準(zhǔn)確地調(diào)整磁條43相對于玻璃基板3的角度位置，以能磁控濺 鍍成形出均勻度佳的高質(zhì)量薄膜，所以確實能達成本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
一種真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，是容置在所述真空濺鍍設(shè)備的一個腔體中，并包含一個靶管座，以及一個容置在所述靶管座中的磁鐵座；其特征在于所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置還包含一個分度盤座，所述分度盤座是可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述靶管座的一端面處且連結(jié)所述磁鐵座，所述磁鐵座是可繞所述靶管座的一中心軸線轉(zhuǎn)動地容置在所述靶管座中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，其特征在于所述靶管座具有一 根背管，以及一層覆設(shè)在所述背管的一外管面上的靶材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，其特征在于所述磁鐵座具有一 根環(huán)繞所述靶管座的中心軸線且其一端連結(jié)所述分度盤座的軸管、一個設(shè)置在所述軸管的 相反另一端處且圍繞所述軸管的弧形載塊，以及多塊間隔排列在所述載塊遠離所述軸管的 一表面上的磁條。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，其特征在于所述分度盤座具有 一個間隔設(shè)置在所述靶管座的所述端面處且具有一個內(nèi)環(huán)齒面的固定環(huán)板、一個可相對轉(zhuǎn) 動地疊設(shè)在所述固定環(huán)板面對所述靶管座的一板面上的分度頭，以及一支凸設(shè)在所述分度 頭的一端面上且卡掣在所述固定環(huán)板的內(nèi)環(huán)齒面上的定位銷，所述分度頭是局部延伸設(shè)置 在所述靶管座中且連接所述磁鐵座的軸管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，其特征在于所述分度盤座還具 有一個固設(shè)在所述固定環(huán)板面對所述靶管座的所述板面上且環(huán)夾住所述分度頭的一周面 的夾持片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，其特征在于所述靶管座還具有 一個設(shè)置在所述背管的一端面上的外固定環(huán)塊、一個疊設(shè)在所述外固定環(huán)塊上且環(huán)夾住所 述背管的外管面的夾持塊，以及一個同心設(shè)置在所述外固定環(huán)塊的一內(nèi)環(huán)面上且套設(shè)在所 述分度頭的周面上的內(nèi)固定環(huán)塊。
全文摘要
一種真空濺鍍設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶裝置，是容置在該真空濺鍍設(shè)備的一個腔體中，該旋轉(zhuǎn)靶裝置包含一個靶管座、一個容置在該靶管座中且可繞該靶管座的一中心軸線轉(zhuǎn)動的磁鐵座，以及一個分度盤座。該分度盤座是可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在該靶管座的一端面處，并連結(jié)該磁鐵座以帶動其轉(zhuǎn)動。利用該分度盤座能控制該磁鐵座擺動，以簡易、準(zhǔn)確地調(diào)整該磁鐵座的角度位置，而能濺鍍成形出均勻度佳的高質(zhì)量薄膜。
文檔編號C23C14/35GK101956169SQ20091016006
公開日2011年1月26日 申請日期2009年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月20日
發(fā)明者許建志, 鄭博仁, 黃泳釗 申請人:北儒精密股份有限公司