專利名稱：防靜電的光學基片制備方法
技術領域：
本發明公開一種防靜電的光學基片制備方法，屬于鏡片鍍膜光學類制造技 術領域。
背景技術：
靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦等。靜電的 特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。靜電釋放是
Electro-Static discharge的縮寫。當兩種材一+,不^侖是通過壓力還是通過摩 擦接觸分開后，電子就會游離材料的表面，從而產生靜電區。電子減少的材料 表面呈正電性，而帶多余電子的材料表面呈負電性，這兩種帶電材料會吸引周 圍帶相反電荷的材料以使電性中和，如果帶電材料是導電性的，則靜電荷很快 會通過材料轉移到地面上，如果材料在印刷中帶電，則靜電荷會轉移到機器表 面。如果材料是絕緣體，則靜電荷會在幾個小時、幾周甚至幾個月以后逐漸漏 掉。靜電學主要研究靜電應用技術，如靜電除塵、靜電復印、靜電生物效應等， 更主要的是靜電防護技術。靜電在我們的日常生活中可以說是無處不在，我們 的身上和周圍就帶有很高的靜電電壓，幾千伏甚至幾萬伏。平時可能體會不到， 人走過化纖的地毯靜電大約是35000伏，翻閱塑料說明書大約7000伏，對于一 些敏感儀器來講，這個電壓可能會是致命的危害。
目前，人體靜電防護系統主要有防靜電手腕帶，腳腕帶，工作服、鞋襪、 帽、手套或指套等組成，具有靜電泄露，中和與屏蔽等功能。目前普通的經過 鍍膜的光學基片，易吸附灰塵，并且，市場上還沒有出現通過鍍膜的光學基片 而起到防靜電效果。
發明內容
針對現有技術的不足，本發明提供了一種設計合理、工藝簡單的防靜電的 光學基片制備方法，經過此加工的光學基片可以起到防靜電的作用，而不易吸 附灰塵，能較長時間保持干凈。
本發明是通過以下技術方案實現的 一種防靜電的光學基片制備方法，其步驟如下
基片清洗干凈后，放置于真空度抽至lxl(T5Torr到5xl(T5Torr的高真空機 臺內，于基片上依次蒸鍍高折射率薄膜層和低折射率鍍膜層交替的膜層，然后 將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的WR5膜 層，該WR5膜層厚度在120-220nm,而形成防靜電的光學基片，取出基片。
所述的至少一層低折射率膜層和一層高折射率膜層相互干擾。
所述的高折射率鍍膜材料為五氧化二鉭0^205)、 二氧化鈦(TiOJ、五氧化三 鈦(1^305)其中的任意一種，以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式將上述高折 射率鍍膜材料五氧化二鉭(Ta205)、 二氧化鈦(Ti02)、五氧化三鈦0^05)其中任何 一種蒸發后，以分子的狀態蒸著于基片上，形成一個高折射率膜層。
所述的低折射率材料為二氧化硅(Si02),以電阻加熱或電子槍發射電子流 的方式將低折射率鍍膜材料二氧化硅(S i02)蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層 上，形成一個低折射率薄膜層。
所述的超級防水鍍膜材料WR5以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式被 蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，該膜層厚度120-220nm。
所述的基片為壓克力(AC)基片、PC聚碳酸酯基片(Polycarbonate)、尼龍 (Nylon)基片、CR-39基片中的一種。
將AC、 PC、 Nylon、 CR-39等材質中的任何一種基片清洗干凈后，然后放置于真空度抽至至少3.0*10—s帕的高真空機臺內，以電阻加熱或電子^r發射電子流 的方式將高折射率鍍膜材料Ta205、 Ti02、 TiA其中任何一種蒸發后，以分子的 狀態蒸著于基片上，形成一個高折射率膜層，再以電阻加熱或電子槍發射電子流 的方式將低折射率鍍膜材料Si02蒸發后以分子的狀態蒸著于高折射率膜層上， 形成一個低折射率薄膜層，至少一層高折射率和一層低折射率膜層相互干擾。 再以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后以分 子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，膜層厚度在為120-220nm。超級防 水鍍膜材料WR5是由德國默克公司生產，目前在市場能購買到，該鍍膜材料標 榜具有防水的效果。
本發明具有如下優點普通的經過鍍膜的產品，易吸附灰塵，經過此加工 的產品，可以起到防靜電的作用，而不易吸附灰塵，能較長時間使鏡片保持干 凈、衛生。
圖l是本發明工藝流程圖。
具體實施例方式
下面結合附圖對本發明作進一步說明
實施例結構如圖1所示， 一種防靜電的光學基片制備方法，其工藝如下 清潔基片--將基片放在治具(固定基片的架子)上一將治具放入真空機臺內一 將真空機臺抽真空到一定條件 一 鍍膜過程(具體過程如下)一機臺泄氣一取 出基片。
鍍膜過程基片清洗干凈后，放置于真空度抽至lxl(T5Torr到5xlO—5Torr的 高真空機臺內，于基片上依次蒸鍍高折射率薄膜層和低折射率鍍膜層交替的膜 層，然后將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，并且該WR5新膜層的厚度在為120-220nm,取出基片而形成防靜電 的光學基片。
上述至少一層高折射率膜層和一層低折射率膜層相互干擾。其中，高折射 率鍍膜材料為五氧化二鉭(Ta205)、 二氧化鈦(Ti02)、五氧化三鈦(Ti30》其中的任 意一種，以電阻加熱或電子沖&發射電子流的方式將上述高折射率鍍膜材津十五氧 化二鉭(TaA)、 二氧化鈦(TiOJ、五氧化三鈦(Ti30s)其中任何一種蒸發后，以分 子的狀態蒸著于基片上，形成一個高折射率膜層。低折射率材料為Si02 ，以電 阻加熱或電子槍發射電子流的方式將低折射率鍍膜材料S i 02蒸發后以分子的狀 態蒸著于薄膜層上，形成一個低折射率薄膜層。
超級防水鍍膜材料WR5以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式被蒸發后 以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，膜層厚度在120-220nm。
基片為壓克力(AC)基片、PC聚碳酸酯基片(Polycarbonate)、尼龍(Nylon) 基片、CR-39基片中的一種。
將AC、 PC、 Nylon、 CR-39等材質中的任何一種基片清洗干凈后，然后放置 '于真空度抽至lxlO，orr到5xl0，orr，的高真空機臺內，以電阻加熱或電子槍 發射電子流的方式將高折射率鍍膜材料Ta20s、 Ti02、 Ti30s其中任何一種蒸發后， 以分子的狀態蒸著于基片上，形成一個高折射率膜層，再以電阻加熱或電子槍發 射電子流的方式將低折射率鍍膜材料Si02蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層 上，形成一個低折射率薄膜層，至少一層高折射率和一層低折射率膜層相互干 擾。再以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后 以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，WR5層膜層厚度在120_220nm。
本發明具有如下優點普通的經過鍍膜的產品，易吸附灰塵，經過此加工 的產品，可以起到防靜電的作用，而不易吸附灰塵，能較長時間保持干凈。以下是具體實驗數據(所用到的靜電測試儀器是臺灣生產的C0SMI品牌 SC-STD系列) 對比參照表
對比組^\靜電測試儀器離 基片距離第一次測試所得 數據第二次測試所得數據
本實用新型 基片5 cm-0. 16kv-0. 15kv
普通基片5 cm-0. 30kv-O. 27kv
以上所記載，僅為利用本創作技術內容的實施例，任何熟悉本項技藝者運 用本創作所為做的修飾、變化，皆屬本創作主張的專利范圍，而不限于實施例 所揭示者。
權利要求
1、一種防靜電的光學基片制備方法，其特征在于步驟如下基片清洗干凈后，放置于真空度抽至1×10-5Torr到5×10-5Torr的高真空機臺內，于基片上依次蒸鍍高折射率薄膜層和低折射率薄膜層交替的膜層，然后將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一WR5膜層，該WR5膜層厚度為120-220nm，取出基片而形成防靜電的光學基片。
2、 根據權利要求1所述的防靜電的光學基片制備方法，其特征在于所述 的至少 一層高折射率膜層和一層低折射率膜層相互干擾。
3、 根據權利要求l所述的防靜電的光學基片制備方法，其特征在于所述 的高折射率鍍膜材料為五氧化二鉭0^05)、 二氧化鈦(Ti02)、五氧化三鈦(TiA) 其中的任意一種，以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式將上述高折射率鍍膜 材料五氧化二鉭(TaA)、 二氧化鈦(Ti02)、五氧化三鈦(TiA)其中任何一種蒸發 后，以分子的狀態蒸著于基片上，形成一個高折射率膜層。
4、 根據權利要求l所述的防靜電的光學基片制備方法，其特征在于所述 的低折射率材料為二氧化硅(Si02)，以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式將 低折射率鍍膜材料二氧化硅(Si02)蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層上，形成 一個低折射率薄膜層。
5、 根據權利要求1所述的防靜電的光學基片制備方法，其特征在于所述 的超級防水鍍膜材料WR5以電阻加熱或電子槍發射電子流的方式被蒸發后以分 子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，膜層厚度在為120-220nm。
6、 根據權利要求l所述的防靜電的光學基片制備方法，其特征在于所述 的基片為壓克力(AC)基片、PC聚碳酸酯基片(Polycarbonate),尼龍(Nylon) 基片、CR-39基片中的一種。
全文摘要
本發明公開一種防靜電的光學基片制備方法，鏡片鍍膜光學類制造技術領域。基片清洗干凈后，放置于真空度抽至1x10<sup>-5</sup>Torr到5x10<sup>-5</sup>Torr的高真空機臺內，于基片上依次蒸鍍高折射率薄膜層和低折射率鍍膜層交替的膜層，然后將超級防水鍍膜材料WR5蒸發后以分子的狀態蒸著于薄膜層，形成新的一層膜層，膜層厚度在120-220nm，取出基片而形成防靜電的光學基片。本光學鏡片可以起到防靜電(隔絕靜電)的作用，而不易吸附灰塵，能較長時間保持干凈衛生。
文檔編號C23C14/08GK101550533SQ20091011175
公開日2009年10月7日 申請日期2009年5月7日 優先權日2009年5月7日
發明者楊敏男 申請人:廈門美瀾光電科技有限公司