專利名稱：：一種高純銦生產中除鎘和鉈的裝置的制作方法
技術領域：
：本實用新型涉及一種生產高純銦的方法及裝置，屬于冶煉行業的高純有色金屬領域。
背景技術：
：銦由于具有很好的光滲透性和導電性，主要用于生產ITO靶材(用于生產液晶顯示器和平板屏幕)，這一用途是銦的主要應用領域，占全球銦消費量的70%。其它幾個消費領域分別是電子半導體領域，占全球消費量的12%;焊料和合金領域占12%;研究行業占6%。在銦的應用中，其純度都要求在99.995%以上，鎘和鉈等雜質元素都要求在0.0005%以下。從98%粗銦提純到99.99%的過程主要是電解，但由于鎘和鉈的電位與銦接近，因此在電解過程銦中的鎘和鉈不能很好的去除，影響銦的純度。現有的方法是利用在熔化的銦上加入甘油氯化銨和氯化鋅熔煉去除鉈，加入甘油碘化鉀及碘熔煉除去鎘。由于氯化銨在熔煉過程中分解產生氨氣，氨氣對人體有較強的毒害作用。在熔煉中加入的碘也很容易升華，碘蒸汽的毒性很大。這種方法對環境污染較大，操作時間長，雜質去除的水平低，生產成本高，加入了化學試劑容易帶進新的雜質影響銦的純度。
發明內容本實用新型目的就是提供一種銦中除去鎘和鉈的裝置，其特點是過該裝置可以使銦中鎘和鉈得到很好的去除，將銦的純度得到大幅度提高。本實用新型的目的是通過以下技術途徑實現的。它含冷卻水循環裝置、井式電爐、真空罐、真空泵、電屏柜和變壓器，所述的井式電爐設在真空罐的外側，井式電爐內底部設有一組與變壓器聯接的電阻絲；真空罐內設置裝有裝銦的坩堝，坩堝的上部蓋有帶圓孔的蓋板，蓋板上設有中空圓筒形鈦板，鈦板的頂端密封且與水套相平。本實用新型具有生產速度快，能耗低，設備加工簡單，適用大規模生產需要。由于生產過程中，無需加入化學試劑，產品純度高，且生產過程中無污染，無染物排放。本實用新型生產的銦與現有方法生產的銦比較<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為井式電爐和真空罐的結構圖。其中冷卻水循環裝置一1、井式電爐一2、真空罐一3、真空泵4、電屏柜一5、變壓器一6、水套一7、保溫材料一8、電爐外殼一9熱電偶—10、電阻絲一11、接線柱一12、坩堝一13、蓋板一14、鈦板一15。具體實施方式以下結合附圖詳細描述本實用新型的具體實施方式。如圖l、圖2所示，本實用新型含冷卻水循環裝置l、井式電爐2、真空罐3、真空泵4、電屏柜5和變壓器6，其中井式電爐2設在真空罐3的外側，井式電爐2內充滿保溫材料8，本實用新型采用硅酸棉。井式電爐2內的底部設有一組通過接線柱12與變壓器6聯接的電阻絲11;井式電爐2的外側設有熱電偶10，根據熱電偶10反饋的數據由電屏柜5調整溫度；真空罐3內設置裝有銦的坩堝13，坩堝13的上部設有帶圓孔的蓋板14，蓋板14上設有中空圓筒形鈦板15，鈦板15為頂端密封，鈦板15的頂端位于冷凝水套7位置，溫度低，鎘和鉈冷凝在此位置。本實用新型的具體操作過程為第一步，將銦放入坩堝中裝入真空罐中，再將圓筒形鈦板放置在坩堝蓋上，蓋好鈦密封套，合上真空罐蓋，開啟水冷系統，啟動真空泵；將真空度控制在10Pa以下；第二步，將坩堝底部溫度控制在4001000度，保溫1~5小時，將鎘和鉈雜質揮發完全，最后高純度的銦留在坩堝中，達到提純的目的。權利要求1、一種生產高純銦過程中除鎘和鉈的裝置，它含冷卻水循環裝置(1)、井式電爐(2)、真空罐(3)、真空泵(4)、電屏柜(5)和變壓器(6)，其特征在于A)、所述的井式電爐(2)設在真空罐(3)的外側，井式電爐(2)底部設有一組與變壓器(6)聯接的電阻絲(11)；B)、真空罐內設置裝有銦的坩堝(13)，坩堝(13)的上部蓋有邊緣帶圓孔的蓋板(14)，蓋板(14)上設有圓筒形鈦板(15)，鈦板(15)的頂端密封且與水套(7)相平。專利摘要本實用新型涉及一種生產高純銦過程中去除鎘和鉈雜質的裝置，屬于冶煉行業的高純有色金屬冶煉領域。它含冷卻水循環裝置、井式電爐、真空罐、真空泵、電屏柜和變壓器，所述的井式電爐設在真空罐的外側，井式電爐內底部設有一組與變壓器聯接的電阻絲；真空罐內設置裝有裝銦的坩堝，坩堝的上部蓋有帶圓孔的蓋板，蓋板上設有中空圓筒形鈦板，鈦板的頂端密封且與水套相平。本實用新型具有生產速度快，能耗低，設備加工簡單，適用大規模生產需要。由于生產過程中，無需加入化學試劑，產品純度高，且生產過程中無污染，無染物排放。文檔編號C22B58/00GK201321485SQ20082021097公開日2009年10月7日申請日期2008年12月15日優先權日2008年12月15日發明者趙科峰,趙科湘申請人:株洲科能新材料有限責任公司