專利名稱：：含銅材料用蝕刻劑組合物的制作方法賴材料用蝕刻劑組^本發明涉及一種^l材料用蝕刻劑組合物，特別涉及一種可以形狀良好地對微細圖案的電糊己線進行蝕刻的，材料用蝕刻劑組^。
背景技術：
：元件等。并且，伴,近年來電^H殳備的小型^^高功能化的要求，M印刷^f反的薄型化及電糊i線的高密度化。作為通it^顯'，刻形成這樣的高密度電路配線的方法，有稱為減去(廿歹卜，夕于4力法及半加成(七《7*，、，4力法的方法。為了形成微細圖案的電路配線，理想的狀態是蝕刻部分沒有殘膜；^Ji方看到的電路配線的側面為直線(直線性)、電翻i線的剖面為矩形；顯示出高的蝕刻因子。但是，實際中，會產生殘膜、和直線性的衞L側向刻蝕、底蝕(7》y—力少卜)、配線上部t;l小導致的蝕刻因子低等電糊己線的形狀不良。因此，希望濕法蝕刻可以抑制這些形狀不良。形狀不良的技術。例如，專利文獻l中公開了一種利用半加成法來形成電路圖案的方法，其中，所述半加成';^f^J了以作為氧化劑的2#|失離子、鹽酸、賴材^;刻促進劑、和，材樸法刻抑制劑為必須成分的蝕刻劑組合物。在此，作為含銅材料燭刻抑制劑，例如有在胺類^^物的活性UJi^口成環氧丙烷及環氧乙烷得到的化洽物。jtk^卜，/>開了在該蝕刻劑組*中，作為使銅表面的潔凈化效果、流平性提高的成分，可以酉5^^。jtb^卜，專利文獻2中公開了一種銅或銅*的蝕刻劑組^^，其中，所述蝕刻劑組^由含有銅的氧化劑；和選自鹽^^有才;U^it中的酸；和選自妙^J^i醇、以及多歲和妙^^醇的共聚物中的聚*的水溶液構成，并且可以抑制側向蝕刻、配線上部變細。在此，作為銅的氧化劑，列舉了銅離子及鐵離子。再有，作為產生該銅離子的化^4勿，列舉了氯化銅(n)、溴化銅(n)M^氧^^j(n);再有，作為產生鐵離子的^^;，列舉了氯化4失(in)、溴化鐵(ni)、魏鐵(ni)、城鐵(in)、硝酸鐵(in)贈酸鐵(ni)。進一步，作為多^L^^^fci醇的共聚物，列舉了乙二胺、二亞乙"胺、三亞乙基四胺、四亞乙JJI胺、五亞乙基六胺或N-乙基乙二胺和聚乙二醇、聚丙二醇或環氧乙烷環氧丙:^聚物的共聚物。jH^卜，專利文獻3中公開了一種蝕刻劑組^的，其中，所述蝕刻劑組^由含有氧化性金屬離子源、和選自無才;im^有機酸中的至少一種的酸、和僅含有氮原子作為環內的雜原子的峻類、和選自二醇及二醇醚中的至少一種的水溶液構成，并且可以抑制底蝕的產生。在此，作為氧化性金屬離子源，列舉了銅離子及鐵離子。再有，作為酸，列舉了磷酸。進一步，作為二醇醚，列舉了丙二醉乙醚、乙二解丁絲、3-甲基-3-甲M丁醇、二丙二醇曱絲、及二甘醇丁敘。專利文獻1:特開2003-138389號/>才艮專利文獻2:特開2004-256901號公報專利文獻3:特開2005-330572號/>才艮
發明內容但是，在形i^敖細圖案的電翻己線時，利用專利文獻1及2中/^Hf的蝕刻不能捧銅均一地蝕刻，因^b^產生電糊己線的形狀不良(例如，直線性的不^);5L^ji^^等問題。jHW卜，專利文獻3公開的蝕刻劑組合物，分散性差，因itb^產生以下問題由微細圖案的脫液性惡化所引起的電路配線形狀不良(例如，部分底蝕)而導致電路剝落；；5U^自磷酸和銅或鐵的鹽的淤渣引M生^i^等問題。本發明是為了解決上述問題而進行的，其目的在于提^"種，材料用蝕刻劑組合物，其可以制造防止微細圖案的電路配線的形狀不良、不會產生*的印刷^1(，。本發明人等為了解決上述問題進行了專心的研究，結M現，具有特定配合組成的，材料用蝕刻劑組合物可以解決上述問題，由此完成本發明。即，本發明的賴材料用蝕刻劑組^4為的特棘于，由以(A)選自銅離子及鐵離子中的至少一種的氧化劑成分0.1~15質J14、(B)具有1個鞋基的二醇醚類4^物0.001~5質*%、(C)將環氧乙烷及環氧丙烷中的至少一種加成到(多元)胺類^^物的活性lUi得到的化合物0.001~5質:T/。、(D)選自磷^^磷酸鹽中的至少1種的磷g分0.1~5質*%、以及(E)選自鹽酸及硫酸中的至少一種的無機酸0.1~10質量％為必須成分的水溶液構成。才Nt本發明，可以^^^""種^1材料用蝕刻劑組合物，其可以制造防止微細圖案的電糊己線的形狀不良、不產生短路的印刷^^()。M實施方式本發明的賴材料用蝕刻劑組楊(以下稱為"蝕刻劑組*")是以(A)選自銅離子及鐵離子中的至少一種的氧化劑成分、(B)具有1個錄的二醇醚類化#、(C)將環氧乙^^環氧丙烷中的至少一種加成到(多元)胺類^r^^的活性lLh得到的化合物、(D)選自磷^A磷酸鹽中的至少1種的磷^分、以及(E)選自鹽酸及硫酸中的至少一種的無才;i^為必須成分的水溶液。(A)氧化劑成分(以下稱為"(A)成分")具有使賴材料IU縱而進行蝕刻的作用。作為(A)成分，可以分別單獨使用銅離子及鐵離子或將它們混^f吏用。通過分別酉￡^#1(II)^^及鐵(111)^^7作為供給源，可以使蝕刻劑組^7中含有這些銅離子及鐵離子。作為銅(n)化合物，例如可舉出氯化銅(n)、溴^r銅(n)、^i!L^銅(n)及氬IU確(n)等。jH^卜，作為4失(niH^^，例3口可舉出氯^4失(in)、溴化鐵(in)、多射匕鐵(ni)、石j(L^鐵(ni)、硝酸鐵(in)贈酸鐵(in)等。這些^^可以單獨^JJ,也可以》v給兩種以上^^)。這些^^中，從成本、蝕刻劑組^7的穩定'i^5L蝕刻ii;l的控制性出發，^iH/糊(n)、硫酸銅(n)減化鐵(in)，更艦驢銅(n)絲化鐵(ni)。蝕刻劑組合物中的(A)成分的濃度以離子換算為0.1~15質J1i,M為i~10質*%。在此，所謂離子換算，在單獨^D銅離子或鐵離子時，是指銅離子換算或鐵離子換算；在濕^f吏用銅離子及鐵離子時，是指銅離子及鐵離子二者的離子換算。(A)成分的狄不足0.1質堂/。時，蝕刻時間變長，因》b^產生織劑老4生產率斷氐的問題。jH^卜，減去法中，銅背面的Ni、Cr阻擋層的蝕刻^#1氐，因》溯的,除去性斷氐。另一方面，(A)成分的^t^過i5質量y。時，不負誠制蝕刻tt，因此，蝕刻因子斷氐。(B)具有1個羥基的二醇醚類^^4勿(以下稱為"(B)成W)具有提高蝕刻劑組合物對電路配線圖案的滲透性的作用，以及減少電路配線周圍的蝕刻劑組合物的滯留的作用。由此，可以使蝕刻劑紐/^^ii蝕刻及均勻化。(B)成分是具有1個g，J^4i^^中殘余的1個羥1^C^化而得到的^^。作為(B)成分，例如可舉出乙二SI^甲醚、乙二SI4乙醚、乙二#4丁醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇單丁醚、三，單甲醚、三甘醇單乙醚、三甘醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、一縮二丙二醇單甲醚、一縮二丙二醇單乙醚、一縮二丙二醇單丁醚、二縮三丙二醇單甲醚、4三丙^1@|#乙駄3-曱基3-曱HJ^-3-甲錄丁醇等低襯二醇醚4^物；以及聚乙二醇單甲醚、聚乙二醇單乙醚、及聚乙二醇單丁醚等高分子二醇醚^^。這些^^4勿可以單獨^^J，也可以〉'^^2種以上^fM。jH^卜，這些^^中，低^f"二醇醚^^的添加g良好，因jtb^。蝕刻劑組合物中(B)成分的M為0.001~5質*%，優選為0.1~2.5質:tl(B)成分的ML不足0.001質*%時，不育總到通itS給(B)成分所希望的絲。另一方面，(B)成分的M^1過5質*%時，蝕刻劑組合物的粘度變大，因》睡產生脫液性惡化及直線性不良。(C)在(多元)胺類化合物的活性IUi加成環氧乙皿環氧丙烷中的至少一個得到的^^(以下稱為"(C)成f)，具有提高蝕刻劑組，對電翻己線圖案的滲透性的作用，及減少電翻己線周圍的蝕刻劑組合物滯留的作用。并且，其對銅具有親和性，因此也作為蝕刻抑制劑起作用。因此，可以賦予蝕刻劑組^提高直線性的效果、抑制側向蝕刻的g、抑制底蝕的、抑制配線上部t;l減少的M等。作為提供(C)成分的(多元)胺類^R^，例如有單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、乙醇異丙醇胺、二乙醇異丙醇胺、及乙醇二異丙醇崎烷醇胺；將這些烷醇胺進行^JJNW尋到的^J^醇胺；下逸逸式(1)表示的化^;將下g式(l)表示的(多元)胺進行烷醇取4，到的烷醇亞;^4多iL^。[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>上述式(l)中，R'-R4^JUl^^子數l4的綠，且R'—R4中的至少一個戰；R5是^f、子數l8的亞絲(7VM^';M/");n是0-6的數。^jt匕，作為R^R4的錄，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁1^_叔丁基。itW卜，作為Rs的烷爛二基，例如有亞曱基、亞乙基、亞丙基、曱紐乙基、亞丁基、l-曱絲丙基、2-甲JJL丙基、1,2-二曱絲丙基、1，3-二甲絲丙基、1-甲絲丁基、2-甲紐丁基、3-甲絲丁基、4-甲JJ2丁基、2，4-二曱絲丁基、1，3-二曱絲丁基、亞絲、亞己基、亞J^^J2辛基。在使用將環氧乙fe^環氧丙^i者加成到(多元)胺類^^物的活性氫上得到的化合物時，這些氧化物的對(多元)胺類^^物的加成順序沒有特別限制。aHW卜，該加成可以是嵌段加成，也可以B船口成。此外，環氧乙烷和環氧丙烷的加成比例優選環氧乙烷和環氧丙烷的摩爾比為95:5~10:90。#卜，環氧乙烷的加成量可以是所得加成^^物的分子量的10~80質4%,在重^LI中制起泡的情況下，#為10~50質*%。錄易控制蝕刻劑組^的特性出發，(C)成分艦環氧丙^L環氧乙烷嵌^r口成在乙二胺的活性IUi得到的化合物，更優選具有在乙4的環氧丙^成物J^口^"環氧乙皿構的^^。對于(C)成分而言，通it^襯量，可以進一步控制蝕刻劑組合物的特性。M而言，襯量(以下，只要沒有例外，本說明書中的襯量是指數均襯量)小于4000時，蝕刻抑制作用顯著提高。j^卜，分子量大于4000時，蝕刻劑組^吻的^lt,^^毫性變高，電糊i線周圍的蝕刻劑組合物的滯留防止作用顯著提高。但是，襯量小于2000時，滲透性斷氐，有時不^^鄉刻劑組#所希望的滯留防止功能。it(^卜，襯量超過10000時，蝕刻抑制作用f^f氐，有時電翻己線會產生形狀不良。因此，(C)成分的M量M為2000-10000，更M為2500~7000。特別是，對(C)成分而言，在控制襯量及環氧乙烷的加成量時，不僅可以獲得改善電路配線的形狀的M，還可以獲#^制殘膜的*。為了獲得這樣的效果，^"f"量M為4000~7000,jH^卜，環氧乙烷的^1"優選為30~50質量%。(c)成分可以單獨^jD—種，也可以;^^2種以上^j)。蝕刻劑組合物中(C)成分的狄為0.001~5質*%，M為0.01~2質*%。(C)成分的濃度不足0.001質*%時，不E^得通itS5合(c)成分所希望的效果。另一方面，(C)成分的^/t^過5質*%時，蝕刻狄l^f氐、蝕刻劑組楊滲透到銅和抗蝕劑的界面所導致的圖案形狀不良等不良影響變大。(D)磷^分(以下稱為"(D)成分")通#作為抗蝕劑成分的樹脂或抗蝕增塑劑的S旨M應，使抗燭劑軟化，具有可以抑制所述(C)成分滲透到銅和皿劑的界面帶來的不良影響的作用。作為(D)成分，可以分別單獨^^)磷^^磷縫，也可以;^^f^I它們。作為磷酸鹽，例如有磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸鉤及磷酸銨。再有，磷酸鹽可以是酸性鹽(一氬鹽、二HJl)、中性鹽中的^-"種。(D)成分中，磷酸的上述作用非常優異，因jtb^。蝕刻劑組合物中(D)成分的M為0.1~5質*%。(D)成分的M不足0.1質*%時，不能充分獲得通地己合(D)成分帶來的效果。另一方面，(D)成分的濃;^^過5質*%時，配線間、配線周圍的蝕刻劑組合物產生滯留，不^f尋到均勻的蝕刻，并且，會產生由銅的再析出導致的配線形狀不良。(E)iL^威(以下稱為"(E)成分")不僅具有除去被蝕刻的^#1材料表面的銅氧^^及銅的氯^4勿的作用、穩定氧化劑的作用、及提高對，材料的流平性的作用，還具有^￡蝕刻的。作為(E)成分，可以分別單獨使用鹽酸及石爐，也可以混合它們來使用。蝕刻劑組合物中(E)成分的狄為0.1~10質量%。(E)成分的艦不足0.1質4%時，不負^:得通itS6合(E)成分所希望的效果。另一方面，(E)成分的M超過10質*%時，蝕刻it^N，不肖誠制蝕刻狄，從而電糊識產生形狀不良。以上述(A)~(E)為必需成分的水溶液，可以通過將上述(A)-(E)成分溶解在水中而容易地制備。作為該水溶^^H^1的水，沒有特別限制，M離子交換水、純水、；s^水等將離子性物質及雜質除掉了的水。本發明的蝕刻劑組M中，在不有損本發明的^W的范圍內，除上述必需成分"卜，還可以含有用于該用途的周知的任意成分。作為這樣的任意成分，例如有^iE賄二醇類化合物、表面活性劑、有機酸、^iju^類^^物、唑勤^#、頓類^^、石娜類^^;、胺類^#、絲p比咯烷酮類齡物、有機^^'M^物、聚丙烯酰胺類^^物、過氧化氫、過硫酸鹽、亞銅離子、；SjE鐵離子。在^jl這些任意成分時，蝕刻劑組*中的任意成分的濃度通常在o，ooi質4%~10質*%的范圍。作為I^^^Sff^物，例如可舉出將環氧乙^jr、氧丙烷嵌段或無船口成在聚乙二醇、聚乙二醇二曱醚、乙二醇、丙二醇、1，3-丁醇及1，4-丁醇等二醇上得到的^iE^i^醇。作為表面活性劑，例如可舉出^^甜菜M^^^^乙烯醚等氟系兩'I14面活性劑、上述妙^^斷^^以外的非離子系表面活性劑。作為有4幾酸，例如有甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙烯酸、丁烯酸、異丁烯酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、富馬酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乙醇酸、乳酸、^J^酸、煙酸、抗*酸、羥^^新戊酸、乙酰丙酸及p-氯丙酸等。作為狄酸類4^物，例如有甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、絲氨酸、苯基丙氨酸、色氨酸、M酸、天冬氨酸、賴氨酸、精氨^J且氨酸等氨M、以及它們的堿金屬鹽及銨鹽等。作為峻類m^/,例如可舉出咪峻、2-曱差J米峻、2-十一^^一4一甲基咪峻、2-苯基咪峻、及2-曱絲并咪峻等^^咪哇類；苯斧米峻、哇、2-十一^^p米哇、2-苯絲并咪狄2-5ii^并咪峻等苯并咪哇類；1，2，3-三喳、1，2，4-三唑、5-笨基-1,2，4-三唑、5-^4-1，2，4-三唑、1，2，3-苯并三峻、1-^并三峻、4-^tJ^并三哇、1-二(絲曱基)苯并三哇、1-甲基-苯并三唑、甲苯基三唑、1-羥絲并三峻、5-曱基-lH-苯并三^^5-IC^并三峻等三喳類；lH-四峻、5-iJ^-lH-四唑、5-曱基-1H-四唑、5-苯^4-lH-四唑、5-統基-1H-四唑、1-苯基-5-巰基-1H-四唑、1-環己基-5-統J^-1H-四唑及5，5'-雙-lH-四峻等四哇類；以JM^f^峻、2-;gy^Mf^哇、2-苯基瘞哇、2-^J^W峻、2-M-6-硝基-苯并蓉峻、2-絲+甲^J^攤艦2-絲+絲哇轉峻類等。作為類^^7，例3口可舉出>=^JJ^、三^tj^嘧咬、四g"^作為石;yMI^^，例如可舉出石;、乙烯石、石i^i甘醇、石辦等。作為胺類^^物，例如有二戊胺、二丁胺、三乙胺、三戊胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、乙醇異丙醇胺、二乙SI^丙醇胺、乙醇二異丙醇胺、上iiit式(l)表示的化^吻、聚晞丙、聚乙烯p比咬及它們的鹽酸鹽等。作為)^p比咯烷酮ll^r^，例如可舉出N-甲基-2-p比咯烷酮、N-乙基-2-p比咯烷酮、N-丙基-2-p比咯烷酮、N-丁基-2-p比咯烷酮、N-;^^-2-p比咯烷酮、N-己基-2-p比咯烷酮、N-;^J^2-p比咯烷酮及N-辛基-2-p比咯烷酮等。作為有才/li^^'H^物，例如可舉出乙二胺四乙酸、二亞乙&胺五乙酸、三亞乙基四胺六乙酸、四亞乙"胺七乙酸、五亞乙基六胺八乙酸、次氮M乙酸、以及它們的^^^r屬鹽;Sj^鹽等。作為聚丙烯,類^^物，例如可舉出聚丙烯酰胺、及叔丁基丙烯,作為過石^Wik，例如有過石_銨、過石jH^鈉、及過石;IL^鉀。作為提供亞銅離子的化合物，例如有氯化亞銅(I)、溴化亞銅(I)、疏酸亞銅(1)、A^氧^iE銅a)等。》"卜，作為提供亞鐵離子的化合物，例如有氯化亞鐵(n)、溴似鐵(n)、魏亞鐵(n)、石滅亞鐵(n)、賄te鐵(n)、及乙to鐵(II)等。本發明的蝕刻劑組*進行的^]材料的蝕刻可以使用周知的方法來進行。在此，作為被蝕刻材料的^I材料，例如可舉出銀4l^r及4彌^^銅*、以及銅，特別^^銅。j)^卜，蝕刻方法及糾沒有特另、P艮制，可以使用分批式、流動式、棉措蝕刻劑的氧^i原電位及比重、酸i!i^:進行自動控制的方式等周知的^Mt方式。^fj本發明的蝕刻劑組，進行的蝕刻中，為了恢復由于>0^進行蝕刻而引起的蝕刻劑組*的損耗，有時添加補充液。特別是在上述自動控制式的蝕刻中，可以預先將補充液填M蝕刻裝置中，進而添加到蝕刻劑組合物中。該補充;^A含有例如(A)成分、(E)成分A7jc的水溶液，(A)成分及(E)成分的M為蝕刻劑組合物中的它們的濃度的3~20倍左右。jH^卜，該補充液中，還可以根提需要添加本發明的蝕刻劑組^中為必需或可任意使用的上述各成分。本發明的蝕刻劑組合物在形威撒細圖案的電路配線時，可以得到精密的蝕刻g，因此，除印刷^^板4Jt，還可以^it用于要求微細間距的^^jfj基板、COF及TAB用途的減去法、半加成法。實施例以下，使用實施例及比較例對本發明進行更詳細的說明。但是，本發明并不受限于以下的實施例等。(實施例蝕刻劑組^No.1~No.23)以下^142所述的酉e^比例混合各成分，制備改刻劑組^;No.1~No.23。再有，作為石;H^銅，實際中添加其的5水^。jH^卜，表1中的(A)成分的i^i至離子換將到的值。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>ADEKAPluronicTR-704沐M^^f土ADEKA制ii):將環氧丙^Jf氧乙烷嵌口成到乙二胺的活性氬上得到的4^^/(分子量5000、環氧乙烷含量40質量ADEKAPluronicTR-504(抹式^iLADEKA制it):將環氧丙^^環氧乙;^嵌^口成到乙二胺的活性Ui得到的化^(分子量3000、環氧乙烷含量40質量ADEKAP1uronicTR一702淋式會社ADEKA制均將環氧丙烷及環氧乙烷嵌段加成到乙二胺的活性氫上得到的俗舒物(分子量3500、環氧乙烷含量20質量%)(比較喇蝕刻劑組合物a一n)通過以下述表3中所述的配合比例湯舒各成分，制·備蝕刻劑組合物N。.a-n。再有，(A)成分的濃度是經離子換算得到的值。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>劃下滑線的成分表示代替本發明中的指定成分而配合的成分。召洲上述實施例及比較例的性刻劑組合物進行下述的蝕刻處理。在銅厚9ym的C0F帶M(158腿xlOOmm)上涂敷液g蝕劑(PMER-p;東京應化-土制it)，并進frt燥，^利用曝錄置(UFX-2238;々v才電才W土制ii)，形成間距20jjra的抗蝕劑圖案。其次，使用由上述實施例及比較例得到的蝕刻劑組合物，在溫度45。C，壓力0.05MPa的條件下進ff^射蝕刻。對所得銅電路的形狀進行下述樣(1)直線性直線性利用^一工^^社制造的ttE微lfc^行^^來教。該if^分為5傳級，分別是將線寬的不勻均不足l(Lim的靴為"5"，liam以上、不足1.7ju邁的"^為"4"，1.7jumk乂上、不足2.4jum的"^為"3"，2.4jumk乂上、不足3Mm的膽為"2"，3lam以上的蕭為'T，。(2)配線上部^！配線上部￡>變由潮^^微鏡圖像測定。(3)蝕刻因子蝕刻因子使用以下公式算出。蝕刻因和^(s-r)/2上述式中，A表示銅厚(jam)，T表示頂部H(jam)、B表示底部HUm)。再有，頂部寬^J^部t變由激^E微鏡圖像測定。(4)側向蝕刻側向蝕刻用(B-T)/2的值進fr^h頂部寬度M部H由W^微鏡圖像測定。(5)底蝕底蝕通過對于產生底蝕的部位，由截面的'^t^微鏡圖^^定頂部寬度及底部tt，用(T-B)/2的值進4tW。再有，沒有t生側向蝕刻的設為0。(6)離歹^^通itW^微鏡的觀慕進frif階。該譯階中，將良好的設為5，不良的贈l，以5傳賄^W。將上述(l)~(6)的"^結果示于下*4。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表4所示，相對^^J實施例的蝕刻劑組^(No.1~23)形成的銅電路中上述(l)~(5)的電翻己線的形狀的"W結果均為良好，使用比較例的蝕刻劑組合物(No，an)形成的銅電路中上述(1)~(5)中的任一個電路配線的形狀的評僻果均為差。并且，No.1~4、7~16、18、20及21的上述(6)的殘膜的縫結果也良好。因此，本發明的蝕刻劑組合物可以制造防jJi^細圖案的電糊己線形狀不良、不產生^i^的印刷M^l(ilM)。權利要求1、一種含銅材料用蝕刻劑組合物，其特征在于，由以(A)選自銅離子及鐵離子中的至少一種的氧化劑成分0.1～15質量％、(B)具有1個羥基的二醇醚類化合物0.001～5質量％、(C)將環氧乙烷及環氧丙烷中的至少一種加成到(多元)胺類化合物的活性氫上得到的化合物0.001～5質量％、(D)選自磷酸及磷酸鹽中的至少1種的磷酸成分0.1～5質量％、以及(E)選自鹽酸及硫酸中的至少一種的無機酸0.1～10質量％為必須成分的水溶液構成。2、才娥權利要求1所迷的^1材料用蝕刻劑組合物，其特征在于，所述(C)成分是環氧丙^Jf氧乙烷嵌對口成或無船口成到乙二胺的活性IUi得到的化#。3、才缺權利要求1或2所述的^I材料用^^劑組^，^##于，所述(C)成分具有2000~10000的數均分子量。全文摘要本發明提供一種可以制造防止微細圖案的電路配線的形狀不良、不產生短路的印刷線路板(或膜)的含銅材料用蝕刻劑組合物。其特征在于，由以(A)選自銅離子及鐵離子中的至少一種的氧化劑成分0.1～15質量％、(B)具有1個羥基的二醇醚類化合物0.001～5質量％、(C)將環氧乙烷及環氧丙烷中的至少一種加成到(多元)胺類化合物的活性氫上得到的化合物0.001～5質量％、(D)選自磷酸及磷酸鹽中的至少1種的磷酸成分0.1～5質量％、以及(E)選自鹽酸及硫酸中的至少一種的無機酸0.1～10質量％為必須成分的水溶液構成。文檔編號C23F1/10GK101498000SQ20081010745公開日2009年8月5日申請日期2008年11月21日優先權日2008年1月15日發明者下澤正和,中村裕介,正元祐次,池田公彥申請人:株式會社Adeka