專利名稱：涂覆設備和氣體供應系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及涂覆設備，更具體而言，涉及PECVD涂覆設備，其包括 處理室和用于將氣體供給到處理室中和/或將氣體排出處理室的氣體管路系 統，其中氣體管路系統具有用于將氣體供應到氣體管路系統中或用于從氣 體管路系統移除氣體的至少一個供應開口、用于將氣體從氣體管路系統排 出或用于將氣體引入氣體管路系統的至少兩個排出開口、以及每個都布置 在至少一個供應開口與排出開口之間的管路，管路被形成為使得在至少一 個供應開口與排出開口之間的管路的流動阻力在各個情況下基本相等。此 外，本發明涉及用于將氣體供應到涂覆設備(具體而言，PECVD涂覆設 備)的處理室和/或將氣體排出涂覆設備的處理室的氣體管路系統，其具有 用于將氣體供應到氣體管路系統中或用于從氣體管路系統移除氣體的至少 一個供應開口 、用于將氣體從氣體管路系統排出或用于將氣體引入氣體管 路系統的至少兩個排出開口、以及每個都布置在至少一個供應開口與排出 開口之間的管路，管路被形成為使得在至少一個供應開口與排出開口之間 的管路的流動阻力在各個情況下基本相等。
背景技術：
多種涂覆處理可以用于襯底的涂覆。這些方法中用于例如太陽能電池 的制造的一種方法是所謂PECVD (等離子體增強化學氣相沉積)方法， 其中在等離子體的幫助下由氣相進行涂覆。在該方法中，氣體供應到處理 室或等離子體室。這樣供應的氣體的等離子體包含形成層的預產物，其幫 助襯底上的層生長。為了實現均勻涂覆，處理氣體必須盡可能均勻地供應到處理室或等離 子體室。公知技術中己知多種方法來實現對PECVD處理室的均勻氣體供 應。例如，氣體管路被設置成對所謂"淋浴頭式"電極供應合適的處理氣體的混合物。該"淋浴頭式"電極在一方面用作第一電極，其可以通過第 二電極形成等離子體。在另一方面，其具有排出開口，經由氣體管路流入 的處理氣體通過排出開口被均勻地供應到處理室，即，處理氣體均勻地分布到涂覆表面上到或分布于涂覆表面上方。例如在US 6，410，089B1中描述 了這種用于圓形襯底的涂覆的"淋浴頭式"電極。此外，可以利用管路結構來分布處理氣體。處理氣體經由分支管路結 構從供應點分布。如圖l所示，處理氣體可以經由供應點2供應到氣體管 路系統1中。供應進入的處理氣體被均勻地沿兩個方向分為管路3a和 3b。氣體經由排出開口 4a和/或4b供應到處理室。處理氣體通過第一開口 4a進入第一方形區域5a，其由虛線標示。通過第二開口 4b向第二區域5b 供應處理氣體。為了可以獲得均勻的供應，管路3a和3b的流動阻力在給 定公差內相等。為了可以由進入的氣體覆蓋更大面積，如圖2所示，通過點式 (pimctform)供應開口 2供應的氣體可以首先被兩個第一管路部分3a和 3b分為兩路。管路部分3a和3b的末端可以被認為是虛擬的供應點2a或 2b，接著在每個情況下，兩個管路部分3aa和3ab或者3ba和3bb起始于其。如果分支點2a和2b物理上形成了進入了另一個通道(結構從其繼 續)的通路，它們還可以被認為是真實供應點。結果，等量的氣體進入到四個區域5a、 5b、 5c和5d中的每個區域， 由此如圖2所示的方形區域具有總體足夠均勻的處理氣體的供應。投影在二維圖上，根據圖2，氣體分布系統包括H形結構，處理氣體 利用其供應到H結構的中心并接著在H結構的四個角點處供應到處理室。 當然，例如可以經由角點供應到也具有H形管路結構的進一步的分支級 別。這樣，根據尺寸和均勻性要求，可以設置任何數量的期望分支級別。 對于在等離子室中在襯底上方氣體的均勻分布，在任何一個分布級別內起 點與終點之間管路部分的導流值是相同的。這可以例如利用具有幾何相同 設計的相應管路來實現，即，相應管路具有相同長度和相同截面。每個管 路在從一個級別到下一個級別的傳遞處分支為相同數量的管路，由此不需7要為保持中心供應點與各個排出點之間的流動阻力恒定而釆取措施。然 后，總體上，得到了這樣的管路結構，其延伸為不同的級別，并由一個供應點開口為2"/2 (n二l、 2、 3...)個新的供應點。例如，DE10045958A1中公開了具有H形雙路和四路分支的結構。 因為(虛擬或真實)供應點2、 2a、 2b (見圖2)和相應的排出點 4a、 4b、 4c和4d在每個級別中形成規則的柵格，所以可以對具有1:1縱橫 比的區域或者(如果僅實現了 H結構的一半)具有2:1縱橫比的區域均勻 地供應處理氣體(在后者情況下，沿著縱向對稱軸切開H結構)。除此之 外，例如，具有4:1縱橫比的只要具有偶數縱橫比的任何比率的矩形涂覆 形狀均可實現。但是，利用上述結構，不能實現均勻地涂覆具有單個中心供應點的其 表面具有非偶數縱橫比的規則柵格。發明內容由此，本發明的目的是得到一種涂覆設備或者可用于涂覆設備的氣體 管路系統，其在處理室/等離子體室中，可以在不同襯底形狀的襯底表明上 獲得均勻的處理氣體分布，并因此可以獲得對該襯底的均勻涂覆。具體而 言，具有非偶數縱橫比的矩形襯底形狀也能夠經由中心供應和氣體排出點 的規則柵格來被均勻的供應。此目的通過設置根據本發明的涂層設備和根據本發明的氣體管路系統 來實現。由其從屬權利要求獲得有利的實施例。本發明的涂覆設備，其特別是PECVD涂覆設備，包括處理室、和氣 體管路系統，其用于將氣體供應到所述涂覆設備的所述處理室中和/或將氣 體從所述涂覆設備的所述處理室排出，所述氣體管路系統具有用于將氣體 供應到所述氣體管路系統中或用于將氣體從所述氣體管路系統移除的至少 一個供應開口、用于將氣體排出所述氣體管路系統或者用于將氣體引入所 述氣體管路系統的至少兩個排出開口、以及管路，所述管路每個都布置在 所述至少一個供應開口與所述排出開口之間，所述管路被形成為使得在所 述至少一個供應開口與所述排出開口之間的各個管路的流動阻力基本相等。所述氣體管路系統具有至少一個分支點，在所述至少一個分支點處第 一管路部分開口為連接至所述第一管路部分的至少三個第二管路部分。為了可以實現矩形襯底的與諸如1:1或2:1的偶數縱橫比不同的比， 本發明設置了在至少一個分布級別中從虛擬或真實氣體供應點分支為超過 兩個管路，特別是直接分支為三個管路。通過每個分布級別內分支管路部 分的氣體導流值相等的情況來確保均勻的氣體分布。 一個級別的導流值可 以在給定的公差內互相不同，如果這些導流值相對于一個或數個其他分布 級別的導流值而言非常大(因而可以忽略不計)。在供應開口與排出開口 之間的全部路徑具有相似構造，即沿著其長度相似的橫截面形狀。因此， 通過樹形結構的全部分支的流動特性相似，使得不需要為了調節流動阻力 而采用額外的措施。何況，這樣的調節難以計算和實現。無論如何，必須 確保來自排出開口的均勻氣體流出，即，氣體必須以相同的流率(每單位 時間)、相同的流動分布(current profile)和相同的速度等從全部排出開 口流出。通過本發明，利用從單個供應點供應的排出開口的規則柵格，也可以 均勻地涂覆奇數形狀(除了 1:1之外)，具體地，具有3:2、 3:4等的縱橫 比。因此該結構對稱為在供應點與排出開口之間的全部管路或路徑具有相 同長度、相同的分支數量和相同的橫截面形狀的程度。具體而言，在分支 點處分支的管路部分能夠以相同角度從供應開口那側的管路部分繼續延 伸，即在分支點處流動通過的氣體的方向必須以與流動通過分支后的管路 部分相同的角度發生改變。這樣，在同一個管路級別的管路中實現相同的 流動阻力。在處理室中將氣體分布在具有3:2縱橫比的表面上的一種方法包括例 如將矩形襯底表明分為例如六個方形表面，經由方形中心的排出開口而對 每個方形表面從中心供應氣體。通過布置相對于整個表面的中心點對稱的 雙路和三路劃分，可以從用于對整個表面進行供應的中心供應點均勻地對 排出開口進行供應。本發明的涂覆設備可以特別有利地用于PECVD涂覆處理，例如用于 制造薄層硅太陽能電池模組，利用PECVD方法，將太陽能電池的硅層沉積到平坦的玻璃襯底上。玻璃的尺寸通常對應于太陽能電池模組的尺寸。出于各種原因，期望使模組具有除了 1:1或2:1之外的縱橫比。本申請提 出的涂覆設備反映了此情況。提供具有非偶數縱橫比的矩形模組的優點在 一方面包括相對于方形模組更好地處理這些形狀，例如在太陽能電池模組 的安裝期間的情況。此外，結合到建筑物中的模組通常具有矩形形狀，并 具體地成形有除了 2:1之外的縱橫比。非偶數縱橫比的其他優點包括在 PECVD方法中更高的涂覆均勻性。因為當電極較長時發生與涂覆均勻性 有關的問題，所以相同的涂覆面積選擇3:2的縱橫比來代替例如2:1更有 利。最后，3:2形狀也是廣泛采用的圖象形狀，其特別通用或正在成為標 準。在全部情況下，本發明可以得到用于將氣體供應到等離子體室中同時 均勻地分布氣體以形成均勻涂層的規則柵格。第一管路部分具體開口為連接至第一管路部分的正好三個第二管路部 分。總體而言，樹形結構形成為分支成不同級別(級別可以被認為具體的 層布置或者抽象的分支級別)，即，管路持續向排出開口分支。因此，分 支管路部分處于鏡面對稱和/或處于相對于分支點的點對稱的狀態，在該狀 態下管路分支中不會出現不同的流動阻力。相反，氣體管路系統也可以自然地用作從處理室抽出氣體的系統。即 使其未詳細描述，在本發明的內容中也保護這種可能方案。引入到處理室 的排出開口因此用作將氣體從處理室抽出的開口 。抽出的氣體經由管路系 統行進到(在本申請的內容中)被設計為供應開口的中心開口，氣體經由 中心開口離開氣體管路系統。至少三個排出開口 ，特別是正好三個排出開口或者三的倍數個排出開 口連接到所述至少一個供應開口。這樣，可以通過設置規則的供應柵格來 均勻地涂覆具有奇數縱橫比的矩形形狀。特別地，在供應開口與排出開口之間的管路具有相同的長度。至少在 一個大流動阻力的級別中的管路具有相同的長度，該長度至少起始于在分 支或節點處的三路劃分。至少在三路劃分結構中，相同的長度接著基本帶 來了相同的流動阻力，本發明特別適用于如下系統，其中任何級別中的流動阻力不會很大以致于相比而言其他級別中的流動阻力可以忽略不計。優選地在供應開口與排出開口之間，管路每個具有相同數量的分支。 管路延伸為至少兩個級別。這以不同級別產生了樹形結構，術語"級別"能夠抽象或具體地解釋。源于中心供應開口，管路結構至少在兩個級別之間在每個節點處分支為三個管路部分。分支或節點位于從一個級別到下一個級別的傳遞處。第一管路部分可以從第一點(具體而言從供應點)延伸到分支點，并且源于分支點的至少三個隨后的第二管路部分可以在它們自身之間形成90°和/或180°的角度。源于分支點的三個管路部分可以與第一管路部分形成45°、 135°或 225°的角度。管路系統優選地至少在一個級別中具有對稱結構。特別是，分支管路 形成為相對于分支或節點呈點對稱。至少一個管路部分被形成為板中的凹部和/或凹陷，特別是其通過車銑 來形成。特別是， 一個或多個管路級別可以每個被車銑到板中。板可以類 似夾層互相疊置，使得形成三維樹形結構。第一管路部分優選地被形成為板中的凹部和/或凹陷，特別是其通過車 銑來形成，并且在第一管路部分與布置在所述板的面對遠離第一管路部分 的那側上的至少三個第二管路部分之間的連接被形成為在所述板上的鉆 孔。車銑在板中的管路部分因此通過板中的鉆孔連接到其他級別的管路部 分。排出開口被布置為在整個區域上的規則柵格，使得排出開口每個都形 成相鄰方形的中心，每個所述方形具有相同面積，所述整個區域形成具有 不等側邊長度和非偶數側邊長度比的矩形，即，在本發明的內容中，實現 除了方形(V=l)之外，側邊長度比V= (3*2n) / (2m)，其中n=0、 1、 2、 3...且m二0、 1、 2、 3...，例如3:1、 3:2、 3:4、 6:1等。在優選實施例中，排出開口的數量是三或者三的整數倍。因此可以對 被三劃分的方形數量提供均勻的氣體供應。這對應于非偶數縱橫比的可能 性。數量N是N-3f211，其中n-O、 1、 2、 3...。ii氣體管路系統優選地形成在涂層設備的處理室的封蓋中，或者形成為涂層設備的處理室的封蓋。在處理室內，可以布置用于產生等離子體的裝置(例如電極)。 開口到所述處理室中的排出開口形成為在等離子體產生電極中的開口。換言之，氣體管路系統的至少其中包含排出開口的級別可以形成為PECVD系統的平板電極。它與其他電極一起形成處理室中的等離子體。該目的也可以通過提供一種氣體管路系統來實現，其用于將氣體供應 到涂覆設備的處理室中和/或將氣體從所述涂覆設備的所述處理室排出，所述涂覆設備特別是PECVD涂覆設備，所述氣體管路系統具有用于將氣體 供應到所述氣體管路系統中或用于將氣體從所述氣體管路系統移除的至少 一個供應開口、用于將氣體排出所述氣體管路系統或者用于將氣體引入所 述氣體管路系統的至少兩個排出開口、以及管路，所述管路每個都布置在 所述至少一個供應開口與所述排出開口之間，所述管路被形成為使得在所 述至少一個供應開口與所述排出開口之間的各個管路的流動阻力基本相 等。所述氣體管路系統具有至少一個分支點，在所述至少一個分支點處第 一管路部分開口為連接至所述第一管路部分的至少三個第二管路部分。在本發明的內容中，氣體管路系統還可以是更大系統的子系統。本發 明原則上涉及在通常的氣體管路系統中的三路分支以用于供應數量為3 (或其倍數)的開口。比率總是標識分子為更長側邊的長度，分母為更短側邊的長度。在相 反的縱橫比的情況下的描述自然落在本申請的范圍內。與涂覆設備相關描述的特征也針對氣體管路系統要求保護，其表示本 發明涂覆設備的部件。此外，在本發明中也要求保護所述特征的全部可能 組合。
由以下對具體實施例的描述，本發明的特征和優點將變得清楚。其中，圖1是根據現有技術的管路系統示意性地投影到二維圖上的俯視圖。圖2是根據現有技術的另一個管路系統示意性地投影到二維圖上的俯 視圖。圖3是根據本發明的管路系統的第一實施例示意性地投影到二維圖上 的俯視圖。圖4是根據本發明的管路系統的第二實施例示意性地投影到二維圖上 的俯視圖。
具體實施方式
圖3示出了根據本發明用于PECVD涂覆設備的氣體管路系統1的第 一實施例。關于此，描繪了雙級分布系統。處理氣體經由中心供應開口 2供應。在第一節點，所供應的氣體被等 分為兩個管路3a和3b，其直到兩個(虛擬或真實)供應點2a或2b基本 具有相同的流動阻力。在每個虛擬供應點2a和2b處形成3路分支。此3路分支應用在比管 路3a和3b的級別低的級別。從節點2a或2b繼續的相應管路部分被標識以標號3aa、 3ab、 3ac或 3ba、 3bb、 3bc。它們將分支點2a或2b與排出開口 4a、 4b、 4c或4d、 4e、 4f連接。在分支點2a和2b處，管路部分3aa、 3ab、 3ac或3ba、 3bb、 3bc相對 于管路部分3a或3b以45。、 135°或225° (于是它們之間成90°)的角度朝 向排出開口4a、 4b、 4c或4d、 4e、 4f開口。這些管路部分3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb或3bc在分支點2a或2b與各 個排出點4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f之間具有相同的流動阻力。這樣，確 保從各個排出點4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f流出相同量的氣體。這樣氣體 被充分均勻地引入到由虛線和基礎柵格標示的總區域，這是因為氣體排出 開口4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f形成占用總區域1/6的方形區域的中心。但是，點4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f代替開口作為引入等離子體室的 排出開口，也可以是將氣體供應到進一步連接的管路結構的虛擬或真實的 供應點或供應開口 ，該進一步連接的管路結構在某些情況下可以布置在下一個級別。無需解釋，在每個級別中，虛擬或真實供應點與排出點或排出 開口之間的流動阻力基本相同。在本實施例中，管路3a、 3b或者3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc每 個都車銑在板中，管路3a、 3b或者3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc的板 形成互相布置為兩級的樹形結構。中心供應點2形成為覆蓋第一管路級別 3a、 3b的封蓋板中的通路2，以幫助進入管路系統3a、 3b。(真實或虛 擬)供應點2a和2b被設計為由具有管路結構3a、 3b的板形成的通道 2a、 2b，以使得可以矩形對第二管路級別的管路系統3aa、 3ab、 3ac、 3bb、 3bc的傳遞。排出開口 4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f形成為在其中車銑 了第二管路級別3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc的板中的通道。這樣，產 生了連接在各個級別的開口之間的夾層式板結構。用于將氣體均勻分布到排出開口 4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f的、具有 樹形分支管路的完整管路結構可以形成為處理室的封蓋板。在此情況下， 處理氣體經由待涂覆的級別從頂部均勻地引入處理室。通過每個管路3a和3b在節點2a和2b處分支為引向點4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f的三條管路3aa、 3ab、 3ac和/或3ba、 3bb、 3bc，具有可被分 三等分的方形子區域的矩形區域可以被均勻地供應處理氣體。在本情況 下，供應了六個子區域，即，3X2個子區域的形式，即3:2的側邊長度。圖4示出了從圖3的實施例的具有進一步分支級別的衍生。如圖3所示，氣體從供應點2繼續被分為直到節點2a或2b的兩個管 路部分3a和3b。在節點2a和2b中，管路3a、 3b每個都經歷3路分支到 節點4a、 4b、 4c、 4d、 4e或4f。節點4a、 4b、 4c、 4d、 4e和4f接著形成 到下一個(第三)管路級別的傳遞點。在此下一個管路級別中，在節點 4a、 4b、 4c、 4d、 4e或4f的每個處分支為如圖2所示的H形管路結構直 到被十字叉標示的排出點(6a、 6b、 6c、 6d等)。在標識有十字叉并從第 三管路級別開口到處理室中的排出點中，僅排出開口 6a、 6b、 6c和6d屬 于被標識的中心節點4b。所示管路結構相對于供應點2中心對稱。可以例如通過將沿著通過根據圖3的氣體引入系統所供應的區域的短側邊b布置與圖3相同(或對稱)的結構來實現具有1^=3:1=6:2的縱橫比 的結構，通過將沿著通過根據圖3的氣體引入系統所供應的區域的長側邊 1布置與圖3相同(或對稱)的結構來實現3:4的縱橫比。根據圖4等的實施例產生了在具有6:4 (=3:2)的側邊長度比的柵格 上的開口6a、 6b、 6c、 6d等的規則分布，但是具有在總體區域上更精細更 均勻的氣體分布。原則上，在本發明的內容中，對于均勻供應氣體的區域的任何縱橫比 都是可行的，其中被分為整數單元的長度的、柵格的側邊長度可以被2和/ 或3以任何組合劃分。這因而可以涂覆具有完全新的形狀的襯底(3:2、 6:2、 3:4、 3:8等)，其在某些情況下更容易處理，或者出于技術或美學原 因，比1:1的形狀比或偶數形狀比更理想。
權利要求
1.一種涂覆設備，其特別是PECVD涂覆設備，包括處理室，和氣體管路系統(1)，其用于將氣體供應到所述涂覆設備的所述處理室中和/或將氣體從所述涂覆設備的所述處理室排出，所述氣體管路系統(1)具有用于將氣體供應到所述氣體管路系統(1)中或用于將氣體從所述氣體管路系統(1)移除的至少一個供應開口(2)，用于將氣體排出所述氣體管路系統(1)或者用于將氣體引入所述氣體管路系統(1)的至少兩個排出開口，以及管路(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)，所述管路每個都布置在所述至少一個供應開口(2)與所述排出開口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)之間，所述管路(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)被形成為使得在所述至少一個供應開口(2)與所述排出開口(4a、4b、4c、4d、4e、4f)之間的各個管路(3a、3b、3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)的流動阻力基本相等，其特征在于所述氣體管路系統(1)具有至少一個分支點(2a、2b)，在所述至少一個分支點處第一管路部分(3a、3b)開口為連接至所述第一管路部分(3a、3b)的至少三個第二管路部分(3aa、3ab、3ac、3ba、3bb、3bc)。
2. 根據權利要求1所述的涂覆設備，其特征在于 所述第一管路部分(3a、 3b)開口為連接至所述第一管路部分(3a、3b)的正好三個第二管路部分(3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)。
3. 根據權利要求1或2所述的涂覆設備，其特征在于 至少三個排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)，特別是正好三個排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)或者忖=3*2"個排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)連接到所述至少一個供應開口 (2)，其中n=0、 1、 2、 3…。
4. 根據權利要求1至3中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 在所述供應開口 (2)與所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)之間的所述管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)具有相同的長 度。
5. 根據權利要求1至4中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 在所述供應開口 (2)與所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)之間的所述管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)具有相同數量 的分支。
6. 根據權利要求1至5中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)延伸為至少兩個級別。
7. 根據權利要求1至6中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述第一管路部分(3a、 3b)從第一點，具體而言從所述供應點(2)延伸到所述分支點(2a、 2b)，并且從所述分支點(2a、 2b)繼續的 所述至少三個連接的第二管路部分(3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)可 以在它們自身之間形成90°和/或180°的角度。
8. 根據權利要求1至7中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 從所述分支點(2a、 2b)繼續的所述三個管路部分(3aa、 3ab、 3ac、3ba、 3bb、 3bc)可以與所述第一管路部分(3a、 3b)形成45°、 135°或 225°的角度。
9. 根據權利要求1至8中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述管路系統(1)具有對稱結構。
10. 根據權利要求1至9中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 至少一個管路部分(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)被形成為板中的凹部和/或凹陷，特別是其通過車銑來形成。
11. 根據權利要求1至10中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述第一管路部分(3a、 3b)被形成為板中的凹部和/或凹陷，特別是其通過車銑來形成，并且在所述第一管路部分(3a、 3b)與布置在所述板的面對遠離所述第一 管路部分的那側上的所述至少三個第二管路部分(3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)之間的連接被形成為在所述板上的鉆孔。
12. 根據權利要求1至11中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)被布置為在整個區域上的規則柵格，使得所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)每個都形成相 鄰方形(5a、 5b、 5c、 5d)的中心，每個所述方形具有相同面積，所述整 個區域形成具有側邊長度比V二 (3*2n) / (2m)的非偶數比V的矩形，其 中n二0、 1、 2、 3...且m二0、 1、 2、 3...。
13. 根據權利要求1至12中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)的數量是三或者三的整數倍。
14. 根據權利要求1至13中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 所述氣體管路系統(1)形成在所述涂層設備的所述處理室的封蓋中，或者形成為所述涂層設備的所述處理室的封蓋。
15. 根據權利要求1至14中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 在所述處理室內，布置裝置用于產生等離子體。
16. 根據權利要求1至15中任一項所述的涂覆設備，其特征在于 開口到所述處理室中的所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)形成為在等離子體產生電極中的開口。
17. —種氣體管路系統(1)，其用于將氣體供應到涂覆設備的處理室 中和/或將氣體從所述涂覆設備的所述處理室排出，所述涂覆設備特別是 PECVD涂覆設備，所述氣體管路系統(1)具有用于將氣體供應到所述氣 體管路系統(1)中或用于將氣體從所述氣體管路系統(1)移除的至少一 個供應開口 (2)，用于將氣體排出所述氣體管路系統(1)或者用于將氣體引入所述氣 體管路系統(1)的至少兩個排出開口，以及管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)，所述管路每個都 布置在所述至少一個供應開口 (2)與所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)之間，所述管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)被形 成為使得在所述至少一個供應開口 (2)與所述排出開口 (4a、 4b、 4c、 4d、 4e、 4f)之間的各個管路(3a、 3b、 3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc)的流動阻力基本相等，其特征在于所述氣體管路系統(1)具有至少一個分支點(2a、 2b)，在所述至 少一個分支點處第一管路部分(3a、 3b)開口為連接至所述第一管路部分(3a、 3b)的至少三個第二管路部分(3aa、 3ab、 3ac、 3ba、 3bb、 3bc) o
全文摘要
一種涂覆設備包括處理室和氣體管路系統，其用于將氣體供應到涂覆設備的處理室中。氣體管路系統具有用于將氣體供應到氣體管路系統中的供應開口和用于將氣體排出氣體管路系統的排出開口。管路被形成為使得在供應開口與排出開口之間的管路的流動阻力基本相等。氣體管路系統具有分支點，第一管路部分在分支點處開口為連接至第一管路部分的至少三個第二管路部分。第一和第二管路部分布置在不同的級別中。通過級別之間的連接在板中設置鉆孔。排出開口被布置為在整個區域上的規則柵格，使得排出開口都形成相鄰方形的中心，每個方形具有相同面積，形成矩形的整個表面具有不等長度的側邊和非偶數的側邊長度比。排出開口是三的整數倍。
文檔編號C23C16/50GK101260518SQ200710302348
公開日2008年9月10日 申請日期2007年12月25日 優先權日2007年3月5日
發明者斯蒂芬·威爾德, 杜比亞斯·瑞浦曼恩 申請人:應用材料公司