專利名稱：：改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種提高半導(dǎo)體工藝穩(wěn)定性的方法，尤其是一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有金屬(如氮化鈦)物理濺射工藝中，需要高溫去除晶片表面水蒸氣，然后才能進入物理濺射工藝腔中進行濺射。這兩個步驟之間，如果等待時間過長，晶片的溫度將會逐漸冷卻，冷卻超過一定時間后再進行濺射，將會導(dǎo)致電阻率升高。在同樣厚度下，如果方塊電阻偏高，就不能滿足電特性的要求。圖1是對等待時間和方塊電阻之間的關(guān)系進行分組實驗的結(jié)果。等待時間越長，方塊電阻越高，而且均勻性越差。現(xiàn)有的物理濺射工藝中，兩個去水蒸氣化腔的后面有兩個濺射腔，所述濺射腔中如果前面晶片的濺射時間過長，就會導(dǎo)致后面晶片在去水蒸氣化工藝結(jié)束之后不得不等待前面的晶片濺射工藝的結(jié)束，從而導(dǎo)致后面的晶片由于等待時間過長，電阻率升高而成為廢片。這樣會造成大量的浪費，提高了生產(chǎn)的成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，能夠避免前面的晶片濺射時間過長而造成后面晶片因為在傳送腔里等待時間過長而導(dǎo)致報廢的情況的發(fā)生。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法的技術(shù)方案是，在去水蒸氣化腔之后通過運送腔連接多個濺射腔，進行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進行去水蒸氣工藝，之后進入所述運送腔，所述運送腔按照先進先出的原則依次將所述運送腔中的晶片運送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對晶片進行濺射工藝；去水蒸氣工藝時間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間為B，濺射工藝的時間為C，從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足nX(A+B)〉C+D。本發(fā)明通過在去水蒸氣化腔之后連接多個濺射腔，并且嚴格控制濺射工藝中各段時間以及濺射腔數(shù)量之間的關(guān)系，避免了晶片進入濺射腔之前等待時間過長而造成晶片不能滿足工藝要求而導(dǎo)致報廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1為等待時間和方塊電阻之間的關(guān)系的曲線圖；圖2為本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法的某一事實例的流程圖；圖3為采用本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法生產(chǎn)晶片數(shù)量和方塊電阻的曲線圖。具體實施例方式本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，在去水蒸氣化腔之后通過運送腔連接多個濺射腔，進行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進行去水蒸氣工藝，之后進入所述運送腔，所述運送腔按照先進先出的原則依次將所述運送腔中的晶片運送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對晶片進行濺射工藝；去水蒸氣工藝時間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間為B，濺射工藝的時間為C，從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足nX(A+B)〉C+D。為了滿足nX(A+B)〉C+D的要求，可以通過調(diào)整從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B、濺射工藝的時間C，或者從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間D來實現(xiàn)，或者也可以通過增加所述濺射腔的數(shù)量為n來實現(xiàn)。所述從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B介于0.5分鐘至5分鐘。如圖2所示，本發(fā)明改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法采用一個去水蒸氣腔和兩個濺射腔，在工藝開始之后，晶片先進入去水蒸氣化腔進行去水蒸氣工藝，所述去水蒸氣工藝所消耗的時間為A，之后所述晶片進入運送腔，運送腔將所述晶片由去水蒸氣化腔運送至濺射腔，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B，該時間B介于0.5分鐘至5分鐘，以免晶片在去水蒸氣工藝結(jié)束之后等待時間過長而造成電阻率升高。所述運送腔中可以同時容納兩片晶片，所述運送腔按照先進先出的原則，依次將晶片運送至空閑的濺射腔中進行濺射工藝。所述濺射工藝的時間為C，濺射之后需要將所述晶片運送至冷卻腔進行冷卻，從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間為D，上述各段時間需要滿足2X(A+B)〉C+D。通過采用本發(fā)明所提供的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法生產(chǎn)的晶片，平均的電阻率性能以及晶片的均勻性都有很大的提高，如表1和圖3所示，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B為1分鐘，方塊電阻都穩(wěn)定在12.5歐姆/方塊左右，確保了工藝的穩(wěn)地性，避免了前面的晶片濺射時間過長而造成后面晶片因為等待時間過長而導(dǎo)致報廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。滿足本發(fā)明時間模型實驗結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表l權(quán)利要求1.一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，在去水蒸氣化腔之后通過運送腔連接多個濺射腔，進行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進行去水蒸氣工藝，之后進入所述運送腔，所述運送腔按照先進先出的原則依次將所述運送腔中的晶片運送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對晶片進行濺射工藝；去水蒸氣工藝時間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間為B，濺射工藝的時間為C，從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足n×(A+B)＞C+D。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過調(diào)整從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B，來滿足nX(A+B)〉C+D。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過調(diào)整濺射工藝的時間C，來滿足nX(A+B)〉C+D。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過調(diào)整從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間D，來滿足nX(A+B)>C+D。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，通過增加所述濺射腔的數(shù)量為n，來滿足nX(A+B)〉C+D。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間B介于0.5分鐘至5分鐘，以滿足方塊電阻和電阻率的要求。全文摘要本發(fā)明公開了一種改善物理濺射工藝穩(wěn)定性的方法，在去水蒸氣化腔之后通過運送腔連接多個濺射腔，進行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內(nèi)進行去水蒸氣工藝，之后進入所述運送腔，所述運送腔按照先進先出的原則依次將所述運送腔中的晶片運送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對晶片進行濺射工藝；去水蒸氣工藝時間為A，從去水蒸氣工藝結(jié)束到運送至濺射腔的時間為B，濺射工藝的時間為C，從濺射工藝結(jié)束到運送至冷卻腔的時間為D，所述濺射腔的數(shù)量為n，則需要滿足n×(A+B)＞C+D。本發(fā)明避免了晶片進入濺射腔之前等待時間過長而造成晶片不能滿足工藝要求而導(dǎo)致報廢的情況的發(fā)生，大大提高了晶片生產(chǎn)的合格率，降低了生產(chǎn)的成本。文檔編號C23C14/34GK101314843SQ20071009384公開日2008年12月3日申請日期2007年5月30日優(yōu)先權(quán)日2007年5月30日發(fā)明者季芝慧,方精訓(xùn),王海軍,煊謝申請人:上海華虹Nec電子有限公司